技術(shù)特征：
1.一種攝像裝置，所述攝像裝置包括多個像素，各所述像素包括：光電轉(zhuǎn)換裝置，所述光電轉(zhuǎn)換裝置用于將入射的電磁輻射轉(zhuǎn)換成電信號；及至少一個晶體管，所述至少一個晶體管包括第一柵電極和位于所述第一柵電極上方的第二柵電極，其中，所述至少一個晶體管還包括：半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層位于所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；源電極，所述源電極電連接到所述半導(dǎo)體層的第一端部；及漏電極，所述漏電極電連接到所述半導(dǎo)體層的第二端部，其中，所述半導(dǎo)體層包括溝道層，所述溝道層具有朝向所述源電極的第一端部和朝向所述漏電極的第二端部，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極在第一非重疊區(qū)域和第二非重疊區(qū)域中彼此不重疊，所述溝道層的所述第一端部位于所述第一非重疊區(qū)域中，且所述溝道層的所述第二端部位于所述第二非重疊區(qū)域中，其中，所述第一端部在所述第一非重疊區(qū)域中從所述第一柵電極露出，且所述第二端部在所述第二非重疊區(qū)域中從所述第二柵電極露出，或者所述第一端部在所述第一非重疊區(qū)域中從所述第二柵電極露出，且所述第二端部在所述第二非重疊區(qū)域中從所述第一柵電極露出，并且其中，所述半導(dǎo)體層還包括與所述第一端部和所述第二端部中的至少一者鄰近的輕摻雜漏極層。2.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述第一柵電極的寬度等于或大于所述第二柵電極的寬度。3.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述第一柵電極與所述溝道層之間的電容等于或大于所述第二柵電極與所述溝道層之間的電容。4.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述半導(dǎo)體層還包括：第一活性層，所述第一活性層位于所述半導(dǎo)體層的所述第一端部處，并電連接到所述源電極；及第二活性層，所述第二活性層位于所述半導(dǎo)體層的所述第二端部處，并電連接到所述漏電極，其中，所述輕摻雜漏極層位于所述溝道層和所述第二活性層之間。5.如權(quán)利要求4所述的攝像裝置，其中，所述第一活性層是第一N+層，且所述第二活性層是第二N+層。6.如權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，所述至少一個晶體管還包括：第一柵極絕緣膜，所述第一柵極絕緣膜位于所述第一柵電極和所述半導(dǎo)體層之間；及第二柵極絕緣膜，所述第二柵極絕緣膜位于所述第二柵電極和所述半導(dǎo)體層之間，其中，所述第一柵極絕緣膜的厚度小于所述第二柵極絕緣膜的厚度。7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，其中，所述至少一個晶體管包括串聯(lián)電連接的第一晶體管和第二晶體管。8.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，其中，所述電磁輻射包括X射線光譜中的光線、α射線光譜中的光線、β射線光譜中的光線、γ射線光譜中的光線和可見光譜中的光線中的至少一者。9.一種攝像顯示系統(tǒng)，所述攝像顯示系統(tǒng)包括顯示裝置和權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，其中，所述顯示裝置基于由所述攝像裝置獲得的信號來顯示圖像。10.一種輻射射線感測裝置，所述輻射射線感測裝置包括多個像素，各所述像素包括：光電轉(zhuǎn)換裝置，所述光電轉(zhuǎn)換裝置用于將入射的X射線輻射轉(zhuǎn)換成電信號；及至少一個晶體管，所述至少一個晶體管包括第一柵電極和位于所述第一柵電極上方的第二柵電極，其中，所述至少一個晶體管還包括：半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層位于所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；源電極，所述源電極電連接到所述半導(dǎo)體層的第一端部；及漏電極，所述漏電極電連接到所述半導(dǎo)體層的第二端部，其中，所述半導(dǎo)體層包括溝道層，所述溝道層具有朝向所述源電極的第一端部和朝向所述漏電極的第二端部，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極在第一非重疊區(qū)域和第二非重疊區(qū)域中彼此不重疊，所述溝道層的所述第一端部位于所述第一非重疊區(qū)域中，且所述溝道層的所述第二端部位于所述第二非重疊區(qū)域中，其中，所述第一端部在所述第一非重疊區(qū)域中從所述第一柵電極露出，且所述第二端部在所述第二非重疊區(qū)域中從所述第二柵電極露出，或者所述第一端部在所述第一非重疊區(qū)域中從所述第二柵電極露出，且所述第二端部在所述第二非重疊區(qū)域中從所述第一柵電極露出，并且其中，所述半導(dǎo)體層還包括與所述第一端部和所述第二端部中的至少一者鄰近的輕摻雜漏極層。11.一種攝像裝置，所述攝像裝置包括多個像素，各所述像素包括光電轉(zhuǎn)換裝置和場效應(yīng)晶體管，所述晶體管包括：半導(dǎo)體層，第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和所述第二柵電極布置成隔著所述半導(dǎo)體層彼此相對，且所述半導(dǎo)體層布置在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間，源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極電連接到所述半導(dǎo)體層，及非重疊區(qū)域，在所述非重疊區(qū)域處所述第一柵電極和所述第二柵電極彼此部分地不重疊，所述半導(dǎo)體層至少包括溝道層，所述溝道層具有第一端部和第二端部，所述第一端部設(shè)置成更靠近所述源電極和所述漏電極中的所述源電極，所述第二端部設(shè)置成更靠近所述源電極和所述漏電極中的所述漏電極，其中，所述非重疊區(qū)域設(shè)置在與所述第一端部和所述第二端部相對應(yīng)的區(qū)域處，其中，所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的一者在所述非重疊區(qū)域中從所述第一柵電極露出，且所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的另一者在所述非重疊區(qū)域中從所述第二柵電極露出，且其中，所述半導(dǎo)體層還包括與所述第一端部和所述第二端部中的至少一者鄰近的輕摻雜漏極層。12.如權(quán)利要求11所述的攝像裝置，其中，所述晶體管還包括第一柵極絕緣膜和第二柵極絕緣膜，且所述第一柵電極、所述第一柵極絕緣膜、所述半導(dǎo)體層、所述第二柵極絕緣膜和所述第二柵電極從基板起依次層疊在所述基板上。13.如權(quán)利要求11-12中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，其中，所述第一柵電極的寬度和所述第二柵電極的寬度彼此不同。14.如權(quán)利要求12所述的攝像裝置，其中，所述第一柵電極和所述半導(dǎo)體層之間的電容與所述第二柵電極和所述半導(dǎo)體層之間的電容彼此不相等。15.如權(quán)利要求14所述的攝像裝置，其中，所述第二柵電極和所述半導(dǎo)體層之間的電容小于所述第一柵電極和所述半導(dǎo)體層之間的電容。16.如權(quán)利要求15所述的攝像裝置，其中，所述第二柵極絕緣膜的厚度大于所述第一柵極絕緣膜的厚度。17.如權(quán)利要求11所述的攝像裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包含非晶硅、多晶硅和微晶硅中的一者。18.如權(quán)利要求17所述的攝像裝置，其中，所述半導(dǎo)體層包括低溫多晶硅，且所述晶體管還包括第一柵極絕緣膜和第二柵極絕緣膜，所述第一柵極絕緣膜和所述第二柵極絕緣膜中的每一者具有氧化硅膜。19.如權(quán)利要求11-12中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，其中，所述光電轉(zhuǎn)換裝置包括PIN型光電二極管和MIS型傳感器中的一者。20.如權(quán)利要求11-12中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，其中，各所述像素基于入射的輻射射線產(chǎn)生電信號。21.如權(quán)利要求11-12中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，其中，各所述像素包括位于所述光電轉(zhuǎn)換裝置上的波長轉(zhuǎn)換層，所述波長轉(zhuǎn)換層用于對輻射射線進(jìn)行轉(zhuǎn)換以使所述輻射射線具有處于所述光電轉(zhuǎn)換裝置的靈敏度范圍內(nèi)的波長。22.如權(quán)利要求21所述的攝像裝置，其中，所述輻射射線是X射線、α射線、β射線和γ射線中的至少一者。23.一種攝像顯示系統(tǒng)，所述攝像顯示系統(tǒng)具有顯示裝置和權(quán)利要求11-22中任一項(xiàng)所述的攝像裝置，所述顯示裝置基于由所述攝像裝置獲得的攝像信號來顯示圖像。