半導(dǎo)體封裝件及其制法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，該半導(dǎo)體封裝件，包括：包含有第一封裝膠體及第一半導(dǎo)體組件的第一封裝單元、包含有第二封裝膠體及第二半導(dǎo)體組件的第二封裝單元、結(jié)合該第一與第二封裝膠體的支撐件、貫穿該第一封裝膠體、支撐件與第二封裝膠體的多個(gè)導(dǎo)電體、以及設(shè)于該第一與第二封裝膠體上的線路重布結(jié)構(gòu)，其中，該第一與第二封裝膠體之間通過(guò)該支撐件相互結(jié)合，以提供足夠的支撐及保護(hù)，而強(qiáng)化該第一與第二封裝單元的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體封裝件及其制法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件，特別是關(guān)于一種增加結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的半導(dǎo)體封裝件及 其制法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢(shì)。為了滿 足半導(dǎo)體封裝件微型化（miniaturization)的封裝需求，發(fā)展出晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging，WLP)的技術(shù)。然而，隨著科技日新月異發(fā)展，電子封裝結(jié)構(gòu)必需提升封裝產(chǎn)品的 輸出/輸入端（I/O)數(shù)量，以提升電子產(chǎn)品的效能，并滿足未來(lái)電子封裝產(chǎn)品需求。因此， 遂發(fā)展出于半導(dǎo)體封裝件的相對(duì)兩側(cè)布設(shè)線路的技術(shù)，以滿足封裝產(chǎn)品的輸出/輸入端的 數(shù)量的要求。
[0003] 圖1A至圖1E為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件1的制法的剖面示意圖。
[0004] 如圖1A所示，提供一模具13,該模具13的上、下兩側(cè)分別裝設(shè)一具有結(jié)合層100 的承載件10,且該結(jié)合層100上具有多個(gè)第一半導(dǎo)體組件11與第二半導(dǎo)體組件14,再將封 裝膠體12填入模具中。
[0005] 如圖1B所示，壓合該模具13,使該封裝膠體12包覆該些第一半導(dǎo)體組件11與第 二半導(dǎo)體組件14。接著，移除該模具13、承載件10及其結(jié)合層100,以取得一封裝單元la。
[0006] 如圖1C所示，以圖1B中的一處作說(shuō)明。形成多個(gè)貫穿該封裝膠體12的穿孔160。
[0007] 如圖1D所示，形成一導(dǎo)電體16于該些穿孔160中。
[0008] 如圖1E所示，分別形成一線路重布結(jié)構(gòu)17于該封裝膠體12的上、下兩側(cè)上，以令 該些線路重布結(jié)構(gòu)17電性連接該導(dǎo)電體16、第一及第二半導(dǎo)體組件11，14。接著，于下側(cè) 的線路重布結(jié)構(gòu)17上形成如焊球的導(dǎo)電組件19,使該導(dǎo)電組件19電性連接該線路重布結(jié) 構(gòu)17與外部組件（圖未示)。之后，再進(jìn)行切單工藝，以制作多個(gè)半導(dǎo)體封裝件1。
[0009] 然而，于現(xiàn)有制法中，移除該模具13、承載件10及其結(jié)合層100后，該封裝單元la 缺乏足夠的支撐及保護(hù)，所以于制作該些穿孔160時(shí)，該封裝單元la容易受損。
[0010] 此外，該封裝單元la因缺乏足夠的支撐及保護(hù)，而使該封裝膠體12的翹曲 (warpage)容易過(guò)大，所以于制作該些穿孔160時(shí)，該穿孔160的對(duì)位容易產(chǎn)生偏移，致使 該線路重布結(jié)構(gòu)17無(wú)法與該導(dǎo)電體16有效連接，也就是對(duì)該線路重布結(jié)構(gòu)17與該導(dǎo)電體 16間的電性連接造成極大影響，因而造成良率過(guò)低、產(chǎn)品可靠度不佳及成本過(guò)高等問(wèn)題。
[0011] 因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件及 其制法，能避免良率過(guò)低、產(chǎn)品可靠度不佳及成本過(guò)高等問(wèn)題。
[0013] 本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件，其包括：第一封裝單元，其包含一具有相對(duì)的第一側(cè)與第 二側(cè)的第一封裝膠體、及嵌埋于該第一封裝膠體且外露于該第一側(cè)的第一半導(dǎo)體組件；第 二封裝單元，其包含一具有相對(duì)的第三側(cè)與第四側(cè)的第二封裝膠體、及嵌埋于該第二封裝 膠體且外露于該第三側(cè)的第二半導(dǎo)體組件；支撐件，其結(jié)合于該第一封裝膠體的第二側(cè)與 該第二封裝膠體的第四側(cè)之間，以連結(jié)該第一封裝單元與該第二封裝單元；多個(gè)導(dǎo)電體，其 貫穿該第一封裝膠體、支撐件以及第二封裝膠體，以連通該第一封裝膠體的第一側(cè)與該第 二封裝膠體的第三側(cè)；以及線路重布結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第一封裝膠體的第一側(cè)與該第二封裝 膠體的第三側(cè)上，以令該線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該導(dǎo)電體、第一及第二半導(dǎo)體組件。
[0014] 本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括：提供第一封裝單元與第二封裝 單元，該第一封裝單元包含一具有相對(duì)的第一側(cè)與第二側(cè)的第一封裝膠體、及嵌埋于該第 一封裝膠體且露出該第一側(cè)的第一半導(dǎo)體組件，且該第二封裝單元包含一具有相對(duì)的第三 側(cè)與第四側(cè)的第二封裝膠體、及嵌埋于該第二封裝膠體并露出該第三側(cè)的第二半導(dǎo)體組 件，又該第一封裝單元的第一封裝膠體的第二側(cè)上結(jié)合有一支撐件；將該第二封裝膠體的 第四側(cè)結(jié)合至該支撐件上，使該第一封裝單元與該第二封裝單元相結(jié)合；形成多個(gè)貫穿該 第一封裝膠體、支撐件與第二封裝膠體的穿孔以連通該第一封裝膠體的第一側(cè)與該第二封 裝膠體的第三側(cè)；形成導(dǎo)電體于該些穿孔中；以及形成線路重布結(jié)構(gòu)于該第一封裝膠體的 第一側(cè)與該第二封裝膠體的第三側(cè)上，以令該線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該導(dǎo)電體、第一及第 二半導(dǎo)體組件。
[0015] 前述的制法中，該支撐件以熱壓方式結(jié)合于該第一封裝膠體上。
[0016] 前述的制法中，該支撐件以壓合方式結(jié)合該第一封裝單元與該第二封裝單元。
[0017] 前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該支撐件為含硅板材，例如，玻璃或晶圓。
[0018] 前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，貫穿該第一封裝膠體與第二封裝膠體的方式以 激光方式為之、貫穿該支撐件的方式以蝕刻方式為之。
[0019] 前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該第一與第二半導(dǎo)體組件的尺寸可為相同或不 相同。
[0020] 另外，前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該第一與第二半導(dǎo)體組件的位置可相互 對(duì)齊或不對(duì)齊。
[0021] 由上可知，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法，通過(guò)在該第一與第二封裝膠體之間 設(shè)置支撐件，以當(dāng)移除該些承載件及其結(jié)合層之后，該支撐件能提供足夠的支撐及保護(hù)而 強(qiáng)化該第一與第二封裝單元的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，所以相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的制法于制作該些 穿孔時(shí)，該第一與第二封裝單元不易受損。
[0022] 此外，通過(guò)該支撐件提供足夠的支撐及保護(hù)，因而能降低該第一與第二封裝膠體 的翹曲程度，所以于制作該些穿孔時(shí)，該穿孔的對(duì)位不會(huì)產(chǎn)生偏移。因此，于制作該重布線 路結(jié)構(gòu)時(shí)，其與該導(dǎo)電體間的電性連接能有效對(duì)接，所以能避免良率過(guò)低、產(chǎn)品可靠度不佳 及成本過(guò)高等問(wèn)題。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023] 圖1A至圖1E為現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖；
[0024] 圖2A至圖21為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的制法的剖面示意圖，其中，圖21'及圖 21"為圖21的其它不同的實(shí)施例；以及
[0025] 圖3為圖21的其它不同的實(shí)施例。
[0026] 符號(hào)說(shuō)明
[0027] 1,2 半導(dǎo)體封裝件 l a 封裝單元
[0028] 10, 20a, 20b 承載件 100, 200a, 200b 結(jié)合層
[0029] 11，21，21'，21" 第一半導(dǎo)體組件
[0030] 12 封裝膠體 13 模具
[0031] 14,24,24" 第二半導(dǎo)體組件 16,26 導(dǎo)電體
[0032] 160, 260 穿孔 17, 27a, 27b 線路重布結(jié)構(gòu)
[0033] 19,29 導(dǎo)電組件 2a 第一封裝單元
[0034] 2b 第二封裝單元 21a, 24a 主動(dòng)面
[0035] 21b, 24b 非主動(dòng)面 210,240 電極墊
[0036] 22 第一封裝膠體 22a 第一側(cè)
[0037] 22b 第二側(cè) 23 支撐件
[0038] 25 第二封裝膠體 25a 第三側(cè)
[0039] 25b 第四側(cè) 270 介電層
[0040] 271 線路層 272 導(dǎo)電盲孔
[0041] 28a, 28b 絕緣保護(hù)層 280 開(kāi)孔
[0042] L,ff 寬度 S 切割路徑。

【具體實(shí)施方式】
[0043] 以下通過(guò)特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明 書(shū)所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0044] 須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭 示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，所 以不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā) 明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的 范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如"上"、"第一"、"第二"、"第三"、"第四"及"一"等用語(yǔ)， 也僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在 無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)也視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0045] 圖2A至圖21為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件2的制法的剖面示意圖。
[0046] 如圖2A所示，提供一具有結(jié)合層200a的承載件20a，將多個(gè)第一半導(dǎo)體組件21設(shè) 于該承載件20a的結(jié)合層200a上，再以第一封裝膠體22包覆該些第一半導(dǎo)體組件21以進(jìn) 行封裝，而制成第一封裝單元2a。
[0047] 于本實(shí)施例中，該第一封裝單元2a包含該第一封裝膠體22及該第一半導(dǎo)體組件 21，且該第一封裝膠體22定義有相對(duì)的第一側(cè)22a與第二側(cè)22b，該第一封裝膠體22的第 一側(cè)22a結(jié)合于該結(jié)合層200a，且該第一半導(dǎo)體組件21嵌埋于該第一封裝膠體22的第一 側(cè) 22a。
[0048] 此外，該第一半導(dǎo)體組件21為芯片，其具有相對(duì)的主動(dòng)面21a與非主動(dòng)面21b，該 主動(dòng)面21a結(jié)合于該結(jié)合層200a，并于該主動(dòng)面21a上具有多個(gè)電極墊210。此外，該主動(dòng) 面21a露出第一側(cè)22a。
[0049] 又，該承載件20a的尺寸可依需求選擇晶圓型基板（Wafer form substrate)或一 般整版面型基板（Panel form substrat)，且該結(jié)合層200a為離型膜或膠材。
[0050] 如圖2B所示，設(shè)置一支撐件23于該第一封裝膠體22的第二側(cè)22b。
[0051] 于本實(shí)施例中，該支撐件23為含硅板材，例如，玻璃或晶圓，所以該支撐件23可利 用熱壓方式結(jié)合于該第一封裝膠體22上
[0052] 此外，若該支撐件23的厚度較厚，可對(duì)該支撐件23進(jìn)行薄化，例如研磨工藝，以減 少該支撐件23的厚度，而利于后續(xù)的穿孔工藝。
[0053] 如圖2C所示，于制作該第一封裝單元2a的同時(shí)，也提供另一具有結(jié)合層200b的 承載件20b，將多個(gè)第二半導(dǎo)體組件24設(shè)于該另一承載件20b的結(jié)合層200b上，再以第二 封裝膠體25包覆該些第二半導(dǎo)體組件24以進(jìn)行封裝，而制成第二封裝單元2b。
[0054] 于本實(shí)施例中，該第二封裝單元2b包含該第二封裝膠體25及該第二半導(dǎo)體組件 24, 且該第二封裝膠體25定義有相對(duì)的第三側(cè)25a與第四側(cè)25b，而該第二封裝膠體25的 第三側(cè)25a結(jié)合于該結(jié)合層200b。
[0055] 此外，該第二半導(dǎo)體組件24嵌埋于該第二封裝膠體25的第三側(cè)25a。
[0056] 又，該第二半導(dǎo)體組件24為芯片，其具有相對(duì)的主動(dòng)面24a與非主動(dòng)面24b，該主 動(dòng)面24a結(jié)合于該結(jié)合層200b，并于該主動(dòng)面24a上具有多個(gè)電極墊240。此外，該主動(dòng)面 24a露出第三側(cè)25a。
[0057] 如圖2D所示，將該第二封裝膠體25的第四側(cè)25b結(jié)合至該支撐件23上，使該第 一封裝單元2a與該第二封裝單元2b相結(jié)合。
[0058] 于本實(shí)施例中，該支撐件23以熱壓貼合方式結(jié)合該第一封裝單元2a與該第二封 裝單元2b。
[0059] 如圖2E所示，移除該些承載件20a，20b及其結(jié)合層200a，200b。
[0060] 于本實(shí)施例中，該第一半導(dǎo)體組件21的主動(dòng)面21a與該第一封裝膠體22的第一 偵U 22a共平面，且該第二半導(dǎo)體組件24的主動(dòng)面24a與該第二封裝膠體25的第三側(cè)25a 共平面。
[0061] 如圖2F所示，形成多個(gè)貫穿該第一封裝膠體、支撐件與第二封裝膠體的穿孔260 以連通該第一封裝膠體22的第一側(cè)22a與該第二封裝膠體25的第三側(cè)25a。
[0062] 于本實(shí)施例中，該穿孔260以激光方式貫穿該第一封裝膠體22與第二封裝膠體 25, 而以蝕刻方式貫穿該支撐件23。例如，可先自該第一封裝膠體22的第一側(cè)22a與該第 二封裝膠體25的第三側(cè)25a進(jìn)行激光鉆孔，再蝕刻貫穿該支撐件23。
[0063] 如圖2G所示，形成一導(dǎo)電體26于該些穿孔260中。于本實(shí)施例中，該些導(dǎo)電體26 以電鍍銅材形成之。
[0064] 如圖2H所示，分別形成一線路重布結(jié)構(gòu)27a，27b于該第一封裝膠體22的第一側(cè) 22a與該第二封裝膠體25的第三側(cè)25a上，以令該些線路重布結(jié)構(gòu)27a，27b電性連接該導(dǎo) 電體26、第一及第二半導(dǎo)體組件21，24。
[0065] 于本實(shí)施例中，該線路重布結(jié)構(gòu)27a，27b包含至少一介電層270與形成于該介電 層270上的線路層271，且該線路層271通過(guò)形成于該介電層270中的多個(gè)導(dǎo)電盲孔272以 電性連接該導(dǎo)電體26及該些電極墊210, 240。
[0066] 又形成絕緣保護(hù)層28a，28b于該介電層270與線路層271上，而其中一側(cè)的絕緣 保護(hù)層28b具有多個(gè)外露該線路層271的開(kāi)孔280,以于該些開(kāi)孔280處形成如焊球的導(dǎo)電 組件29,使該導(dǎo)電組件29電性連接該線路層271與外部組件（圖未示)。
[0067] 如圖21所示，進(jìn)行切單工藝，沿如圖2H所示的切割路徑S進(jìn)行切割，以制作多個(gè) 半導(dǎo)體封裝件2。
[0068] 于本實(shí)施例中，該第一與第二半導(dǎo)體組件21，24的尺寸相同，且該第一與第二半 導(dǎo)體組件21，24的位置相互對(duì)齊，如圖21所示,兩者均置中。
[0069] 于另一實(shí)施例中，該第一與第二半導(dǎo)體組件21'，24的尺寸互不相同，如圖21'所 示，該第一半導(dǎo)體組件21'的寬度L大于該第二半導(dǎo)體組件24的寬度W ;或者，該第一半導(dǎo) 體組件21'的寬度小于該第二半導(dǎo)體組件24的寬度。
[0070] 此外，于另一實(shí)施例中，該第一與第二半導(dǎo)體組件21"，24"的位置并未對(duì)齊，如圖 21"所示，該第一半導(dǎo)體組件21"的位置向左移，而該第二半導(dǎo)體組件24"的位置向右移。
[0071] 又，于其它實(shí)施例中，該第一與第二半導(dǎo)體組件21'，24"不僅位置并未對(duì)齊，且兩 者尺寸互不相同，如圖3所示。
[0072] 本發(fā)明的制法中，于該第一封裝膠體22與該第二封裝膠體25之間設(shè)置該支撐件 23,以于移除該些承載件20a，20b及其結(jié)合層200a，200b之后，使該第一與第二封裝單元 2a，2b能通過(guò)該支撐件23提供足夠的支撐及保護(hù)而強(qiáng)化整體結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度，所以相比于現(xiàn)有 技術(shù)，本發(fā)明的制法于制作該些穿孔260時(shí)，該第一與第二封裝單元2a，2b不易受損。
[0073] 此外，該支撐件23提供足夠的支撐及保護(hù)，以強(qiáng)化該第一與第二封裝單元2a，2b， 因而能降低該第一與第二封裝膠體22, 25的翹曲（warpage)程度，所以于制作該些穿孔260 時(shí)，該穿孔260的對(duì)位不會(huì)產(chǎn)生偏移。因此，于制作該重布線路結(jié)構(gòu)27a，27b時(shí)，該導(dǎo)電盲 孔272與該導(dǎo)電體26間的電性連接能有效對(duì)接，所以能避免良率過(guò)低、產(chǎn)品可靠度不佳及 成本過(guò)高等問(wèn)題。
[0074] 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件2,包括：一第一封裝單元2a、一第二封裝單元2b、 一支撐件23、多個(gè)導(dǎo)電體26以及多個(gè)線路重布結(jié)構(gòu)27a，27b。
[0075] 所述的第一封裝單元2a包含一具有相對(duì)的第一側(cè)22a與第二側(cè)22b的第一封裝 膠體22、及嵌埋于該第一側(cè)22a且外露于該第一側(cè)22a的第一半導(dǎo)體組件21，21'，21"。
[0076] 所述的第二封裝單元2b包含一具有相對(duì)的第三側(cè)25a與第四側(cè)25b的第二封裝 膠體25、及嵌埋于該第三側(cè)25a且外露于該第三側(cè)25a的第二半導(dǎo)體組件24, 24"。
[0077] 所述的支撐件23為含硅板材，例如，玻璃或晶圓，其結(jié)合于該第一封裝膠體22的 第二側(cè)22b與該第二封裝膠體25的第四側(cè)25b之間，以連結(jié)該第一封裝單元2a與該第二 封裝單元2b。
[0078] 所述的導(dǎo)電體26貫穿該第一封裝膠體22、支撐件23與第二封裝膠體25,以連通 該第一封裝膠體22的第一側(cè)22a與該第二封裝膠體25的第三側(cè)25a。
[0079] 所述的線路重布結(jié)構(gòu)27a，27b設(shè)于該第一封裝膠體22的第一側(cè)22a與該第二封 裝膠體25的第三側(cè)25a上，以令該線路重布結(jié)構(gòu)27a，27b電性連接該導(dǎo)電體26、第一及第 二半導(dǎo)體組件 21，21'，21"，24, 24"。
[0080] 于一實(shí)施例中，該第一與第二半導(dǎo)體組件21，24的尺寸為相同。
[0081] 于一實(shí)施例中，該第一與第二半導(dǎo)體組件21'，24的尺寸互不相同。
[0082] 于一實(shí)施例中，該第一與第二半導(dǎo)體組件21，24位置相互對(duì)齊。
[0083] 于一實(shí)施例中，該第一與第二半導(dǎo)體組件21"，24"的位置并未對(duì)齊。
[0084] 于一實(shí)施例中，該第一與第二半導(dǎo)體組件21'，24"的尺寸互不相同，且兩者的位置 并未對(duì)齊。
[0085] 綜上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制法，主要通過(guò)該支撐件的設(shè)計(jì)，以強(qiáng)化該 第一與第二封裝膠體的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，所以于移除該些承載件及其結(jié)合層之后，該第一與第二 封裝單元能具有足夠的支撐及保護(hù)，因而于制作該些穿孔時(shí)，該第一與第二封裝單元不會(huì) 受損。
[0086] 此外，將該支撐件設(shè)于該第一與第二封裝膠體之間，能降低該第一與第二封裝膠 體的翹曲程度，所以于制作該些穿孔時(shí)，各該穿孔的對(duì)位不會(huì)產(chǎn)生偏移。因此，于制作該重 布線路結(jié)構(gòu)時(shí)，該重布線路結(jié)構(gòu)與該導(dǎo)電體間的電性連接能有效對(duì)接，而能避免良率過(guò)低、 產(chǎn)品可靠度不佳及成本過(guò)高等問(wèn)題。
[0087] 上述實(shí)施例僅用以例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任 何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本 發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)所列。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體封裝件，包括： 第一封裝單元，其包含一具有相對(duì)的第一側(cè)與第二側(cè)的第一封裝膠體、及嵌埋于該第 一封裝膠體且外露于該第一側(cè)的第一半導(dǎo)體組件； 第二封裝單元，其包含一具有相對(duì)的第三側(cè)與第四側(cè)的第二封裝膠體、及嵌埋于該第 二封裝膠體且外露于該第三側(cè)的第二半導(dǎo)體組件； 支撐件，其結(jié)合于該第一封裝膠體的第二側(cè)與該第二封裝膠體的第四側(cè)之間，以連結(jié) 該第一封裝單元與該第二封裝單元； 多個(gè)導(dǎo)電體，其貫穿該第一封裝膠體、支撐件及第二封裝膠體，以連通該第一封裝膠體 的第一側(cè)與該第二封裝膠體的第三側(cè)；以及 線路重布結(jié)構(gòu)，其設(shè)于該第一封裝膠體的第一側(cè)與該第二封裝膠體的第三側(cè)上，以令 該線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該導(dǎo)電體、第一及第二半導(dǎo)體組件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該支撐件為含硅板材。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該含硅板材為玻璃或晶圓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一與第二半導(dǎo)體組件的尺 寸為相同或互不相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一與第二半導(dǎo)體組件的位 置并未對(duì)齊或相互對(duì)齊。
6. -種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括： 提供第一封裝單元與第二封裝單元，該第一封裝單元包含一具有相對(duì)的第一側(cè)與第二 側(cè)的第一封裝膠體、及嵌埋于該第一封裝膠體且露出該第一側(cè)的第一半導(dǎo)體組件，且該第 二封裝單元包含一具有相對(duì)的第三側(cè)與第四側(cè)的第二封裝膠體、及嵌埋于該第二封裝膠體 并露出該第三側(cè)的第二半導(dǎo)體組件，又該第一封裝單元的第一封裝膠體的第二側(cè)上結(jié)合有 一支撐件； 將該第二封裝膠體的第四側(cè)結(jié)合至該支撐件上，使該第一封裝單元與該第二封裝單元 相結(jié)合； 形成多個(gè)貫穿該第一封裝膠體、支撐件與第二封裝膠體的穿孔，以連通該第一封裝膠 體的第一側(cè)與該第二封裝膠體的第三側(cè)； 形成導(dǎo)電體于該些穿孔中；以及 形成線路重布結(jié)構(gòu)于該第一封裝膠體的第一側(cè)與該第二封裝膠體的第三側(cè)上，以令該 線路重布結(jié)構(gòu)電性連接該導(dǎo)電體、第一及第二半導(dǎo)體組件。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該支撐件為含硅板材。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該含硅板材為玻璃或晶 圓。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該支撐件以熱壓方式結(jié) 合于該第一封裝膠體上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該支撐件以壓合方式結(jié) 合該第一封裝單元與該第二封裝單元。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，貫穿該第一封裝膠體與 第二封裝膠體的方式以激光方式為之。
12. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，貫穿該支撐件的方式以 蝕刻方式為之。
13. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一與第二半導(dǎo)體組 件的尺寸為相同或互不相同。
14. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一與第二半導(dǎo)體組 件的位置并未對(duì)齊或相互對(duì)齊。
【文檔編號(hào)】H01L21/50GK104124212SQ201310159695
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2013年5月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月25日
【發(fā)明者】紀(jì)杰元, 陳威宇, 劉鴻汶, 陳彥亨, 許習(xí)彰 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司