專利名稱：一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種高通量大口徑高精度光學元件頻率轉換裝置，具體涉及一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置。
背景技術：
高通量大口徑激光頻率轉換裝置是真空可控高通量大口徑光學聚焦與頻率轉換系統(tǒng)的重要組成部分，其主要功能是將波長為1.053 μ m的基頻光轉換成0.351 μ m的三倍頻光。并采用“I類+11類/11類”晶體級聯的方式實現高效率、高強度、高穩(wěn)定、寬帶三次諧波轉換。目前尚無成熟的裝置實現高通量大口徑激光頻率的轉換裝置。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是為了實現高通量大口徑激光頻率的轉換，進而提供一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置。本發(fā)明的技術方案是:一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置包括頻率轉換模塊殼體和頻率轉換模塊機構，頻率轉換模塊機構設置在頻率轉換模塊殼體內，所述頻率轉換模塊機構包括機構箱體、倍頻調角組件、第一混頻調角組件、第二混頻調角及移動組件、倍頻的第一微驅動機構、第一混頻的第一微驅動機構和第二混頻的第一微驅動機構，所述機構箱體的一個側壁上開有光學元件拆裝法蘭窗口，倍頻的第一微驅動機構和第一混頻的第一微驅動機構均設置在機構箱體的另一個側壁內，且第一混頻的第一微驅動機構位于倍頻的第一微驅動機構的上部，第二混頻的第一微驅動機構設置在機構箱體的內壁底端，且第二混頻的第一微驅動機構靠近光學兀件拆裝法蘭窗口一側的機構箱體內壁底端，倍頻調角組 件、第一混頻調角組件和第二混頻調角及移動組件依次并列設置在機構箱體內，所述倍頻調角組件包括倍頻的軸二維鏡架、倍頻的晶體組件和倍頻的第二微驅動機構，倍頻的第二微驅動機構設置在倍頻的軸二維鏡架的底端側面上，再將倍頻的軸二維鏡架設置在機構箱體內，倍頻的晶體組件穿過光學元件拆裝法蘭窗口并且無應力裝卡在倍頻的軸二維鏡架上，所述第一混頻調角組件包括第一混頻的軸二維鏡架、第一混頻的晶體組件和第一混頻的第二微驅動機構，第一混頻的第二微驅動機構設置在第一混頻的軸二維鏡架的底端側面上，再將第一混頻的軸二維鏡架設置在機構箱體內，第一混頻的晶體組件穿過光學元件拆裝法蘭窗口并且裝卡在倍頻的軸二維鏡架上，第一混頻的晶體組件包括混頻晶體和混頻晶體夾持框，混頻晶體無應力裝卡在混頻晶體夾持框上，所述第二混頻調角及移動組件包括第二混頻的軸二維鏡架、第二混頻的晶體組件、第二混頻的第二微驅動機構、第二混頻的間距調整電機和第二混頻的滾動導軌組件，第二混頻的第二微驅動機構設置在第二混頻的軸二維鏡架的側壁外端上部，第二混頻的滾動導軌組件設置在第二混頻的軸二維鏡架的上端，第二混頻的間距調整電機設置在第二混頻的滾動導軌組件上，再將第二混頻調角及移動組件設置在機構箱體內，第二混頻的晶體組件穿過光學元件拆裝法蘭窗口并且裝卡在倍頻的軸二維鏡架上，第二混頻的晶體組件包括混頻晶體和混頻晶體夾持框，混頻晶體無應力裝卡在混頻晶體夾持框上。本發(fā)明與現有技術相比具有以下效果:1.本發(fā)明能夠在狹小的空間內實現大口徑倍頻的晶體組件、第一混頻的晶體組件和第_■混頻的晶體組件的聞精度在線調整，每塊晶體組件實現在線_■維電動調整運動和一維手動安裝調整，一維手動安裝調整是繞Z軸用于進行偏振態(tài)調整，第二混頻的晶體組件能夠實現在線縱向，即沿Z軸做電動調整運動；每塊晶體二維正交電動調整嚴格正交且互相獨立，正交軸應與組件方形桶壁平行，有效的解決了目前尚無成熟的裝置實現高通量大口徑激光頻率的轉換裝置的問題。

2.本發(fā)明的倍頻的晶體組件、第一混頻的晶體組件和第二混頻的晶體組件的結構相同，均可從頻率轉換模塊側面拆裝窗口進行拆裝，拆裝方便、快捷。3.本發(fā)明的倍頻的晶體組件、第一混頻的晶體組件和第二混頻的晶體組件的無應力裝卡是通過如下環(huán)節(jié)實現的，以倍頻的晶體組件為例進行說明，首先倍頻的晶體組件通過內四點雙面夾持到倍頻的軸二維鏡架上，倍頻的晶體組件通過一組對稱排布的鎖緊鋼片將其鎖緊到倍頻的軸二維鏡架上，由于鎖緊鋼片在螺釘鎖緊方向上具有很好的柔性，因此螺釘鎖緊力不會導致晶體組件的晶體框產生變形，而在其它方向上鎖緊鋼片具有高剛性，對定位精度無影響，這種卡緊方式的特點是結構簡單、卡緊可靠、操作方便且無需顧及卡緊力是否均勻。


圖1為頻率轉換模塊殼體的立體圖；圖2是頻率轉換模塊機構的立體圖；圖3是頻率轉換模塊機構的主視圖；圖4是圖3沿A-A方向的剖視圖；圖5是圖3的后視圖；圖6是圖3沿F-F處的剖視圖；圖7是圖3沿H-H處的剖視圖；圖8是圖4沿K-K方向的剖視圖；圖9是圖3的仰視圖；圖10是頻率轉換模塊機構左視圖下部的剖視圖；圖11是頻率轉換模塊機構右視圖中部的剖視圖；圖12是倍頻調角組件和微驅動機構的立體圖。
具體實施例方式具體實施方式
一:結合圖1-圖12說明本實施方式，本實施方式的一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置包括頻率轉換模塊殼體I和頻率轉換模塊機構2，頻率轉換模塊機構2設置在頻率轉換模塊殼體I內，所述頻率轉換模塊機構2包括機構箱體3、倍頻調角組件、第一混頻調角組件、第二混頻調角及移動組件、倍頻的第一微驅動機構4、第一混頻的第一微驅動機構5和第二混頻的第一微驅動機構6，所述機構箱體3的一個側壁上開有光學元件拆裝法蘭窗口 7，倍頻的第一微驅動機構4和第一混頻的第一微驅動機構5均設置在機構箱體3的另一個側壁內，且第一混頻的第一微驅動機構5位于倍頻的第一微驅動機構4的上部，第二混頻的第一微驅動機構6設置在機構箱體3的內壁底端,且第二混頻的第一微驅動機構6靠近光學兀件拆裝法蘭窗口 7 —側的機構箱體3內壁底端，倍頻調角組件、第一混頻調角組件和第二混頻調角及移動組件依次并列設置在機構箱體3內，
所述倍頻調角組件包括倍頻的軸二維鏡架8、倍頻的晶體組件9和倍頻的第二微驅動機構10，倍頻的第二微驅動機構10設置在倍頻的軸二維鏡架8的底端側面上，再將倍頻的軸二維鏡架8設置在機構箱體3內，倍頻的晶體組件9穿過光學元件拆裝法蘭窗口 7并且無應力裝卡在倍頻的軸二維鏡架8上，所述第一混頻調角組件包括第一混頻的軸二維鏡架11、第一混頻的晶體組件12和第一混頻的第二微驅動機構13，第一混頻的第二微驅動機構13設置在第一混頻的軸二維鏡架11的底端側面上，再將第一混頻的軸二維鏡架11設置在機構箱體3內，第一混頻的晶體組件12穿過光學元件拆裝法蘭窗口 7并且裝卡在倍頻的軸二維鏡架8上，第一混頻的晶體組件12包括混頻晶體和混頻晶體夾持框，混頻晶體無應力裝卡在混頻晶體夾持框上，所述第二混頻調角及移動組件包括第二混頻的軸二維鏡架14、第二混頻的晶體組件15、第二混頻的第二微驅動機構16、第二混頻的間距調整電機17和第二混頻的滾動導軌組件18，第二混頻的第二微驅動機構16設置在第二混頻的軸二維鏡架14的側壁外端上部，第二混頻的滾動導軌組件18設置在第二混頻的軸二維鏡架14的上端，第二混頻的間距調整電機17設置在第二混頻的滾動導軌組件18上，再將第二混頻調角及移動組件設置在機構箱體3內，第二混頻的晶體組件15穿過光學元件拆裝法蘭窗口 7并且裝卡在倍頻的軸二維鏡架8上，第二混頻的晶體組件15包括混頻晶體和混頻晶體夾持框，混頻晶體無應力裝卡在混頻晶體夾持框上。本實施方式頻率轉換裝置中的頻率轉換模塊機構2對倍頻、混頻晶體的匹配角進行精確調整，實現高效頻率轉換。每片晶體采用有軸正交二維電動調整和一維手動安裝調整，有軸正交二維電動調整用于晶體最佳匹配角調整，一維手動安裝調整用于進行偏振態(tài)調整，兩片混頻晶體間距 可進行一維電動調整，每個晶體組件可從側面拆裝，并實現無應力裝卡。本實施方式包含倍頻的晶體組件9、第一混頻的晶體組件12和第二混頻的晶體組件15，其主要功能是將波長為1.053 μ m的基頻光轉換成0.351 μ m的三倍頻光。并采用“I類+11類/11類”單倍頻雙混頻三塊晶體級聯的方式實現高效率、高強度、高穩(wěn)定、寬帶三次諧波轉換。本實施方式的頻率轉換裝置對研究高強度運行條件下三倍頻光束的能量轉換和傳輸特性有著重要作用。因此對每塊晶體二維角度的調節(jié)方式、調節(jié)精度提出了較高要求。俯仰X軸和方位Y軸的調節(jié)精度達到I"，間距調整精度為I μ m，在狹小的空間中能夠實現倍頻的晶體組件9、第一混頻的晶體組件12和第二混頻的晶體組件15各自的二維獨立轉角運動，和第一混頻的晶體組件12和第二混頻的晶體組件15間距的一維直線調整運動，以及一維偏振態(tài)的安裝調整功能。所述俯仰X軸的調節(jié)通過俯仰電機實現，方位Y軸的調節(jié)通過偏擺電機實現。本實施方式每塊晶體X和Y軸調整均采用軸承框架結構形式，分別獨立調整，這種結構形式運動精度高、穩(wěn)定性和可靠性好，在原型裝置的運行中已得到驗證，Z軸采用軸銷結合手輪的方式進行偏振態(tài)基準的調整，調整完成后用螺釘鎖緊，手輪可卸下，三軸之間沒有耦合，第二混頻調角及移動組件還有一維直線運動，為了簡化結構該維采用俯仰轉軸置于滾動溜板上的方式，這是一種半耦合結構，在進行二維角度調整時沒有耦合，在進行混頻晶體間距調整時，與俯仰角度發(fā)生耦合，此時只需使俯仰驅動電機隨動相同的步距即可，這種結構布局和支撐方式具有回轉精度高、剛度高、運動順暢、導軌不承受翻轉力矩和便于控制等優(yōu)點，也使結構更加緊湊。三塊晶體的無應力裝卡是另一項對頻率轉換模塊轉換效率有直接影響，根據原型裝置精密裝校和實際運行的情況，參考其中一個晶體的自重變形的有限元分析結果，(I)當晶體的自重變形為28.5°時，晶體工作區(qū)域的最大變形為1.08 μ m, (2)當晶體的自重變形為35°時，晶體工作區(qū)域的最大變形為1.3 μ m，(3)當晶體的自重變形為49.5°時，晶體工作區(qū)域的最大變形為1.73 μ m，(4)當晶體的自重變形為55°時，晶體工作區(qū)域的最大變形為1.86 μ m，主機設計中采用了與原型裝置不同的晶體裝卡方式，晶體通過內四點雙面夾持到晶體框上，構成晶體組件，晶體組件通過柔性環(huán)節(jié)固定到調整機構上，該結構即保證了裝卡后的高剛度要求，又消除了鎖緊力帶來的附加變形。
具體實施方式
二:結合圖3、圖4、圖7、圖8和圖10說明本實施方式，本實施方式的倍頻的第一微驅動機構4為倍頻的偏擺微驅動機構，倍頻的第二微驅動機構10為倍頻的俯仰微驅動機構。如此設置，便于實現倍頻調角組件的二維調整。其它組成和連接關系與具體實施方式
一相同。
具體實施方式
三:結合圖3、圖6和圖11說明本實施方式，本實施方式的第一混頻的第一微驅動機構5為第一混頻的偏擺微驅動機構,第一混頻的第二微驅動機構13為第一混頻的俯仰微驅動機構。如此設置，便于實現第一混頻調角組件的二維調整。其它組成和連接關系與具體實施方式
一或二相同。
具體實施方式
四:結合圖4、圖8-圖10說明本實施方式，本實施方式的第二混頻的第一微驅動機構6為第二混頻的俯仰微驅動機構，第二混頻的第二微驅動機構16為第二混頻的偏擺微驅動機構。如此設置，便于實現第二混頻調角及移動組件的二維調整。其它組成和連接關系與具體實施方式
三相同。
具體實施方式
五: 結合圖4、圖8和圖11說明本實施方式，本實施方式的倍頻的第二微驅動機構10的位置與第一混頻的第二微驅動機構13的位置相錯。如此設置，有效的避免了倍頻的第二微驅動機構10與第一混頻的第二微驅動機構13在安裝和使用時發(fā)生干涉。其它組成和連接關系與具體實施方式
一、二或四相同。
具體實施方式
六:結合圖12說明本實施方式，本實施方式的倍頻調角組件、第一混頻調角組件和第二混頻調角及移動組件均還包括卡緊片19、一組鎖緊片20、壓緊彈片21和偏振態(tài)調整釘22,卡緊片19設置在倍頻的軸二維鏡架8、第一混頻的軸二維鏡架11和第二混頻的軸二維鏡架14的底端中部，用于卡緊倍頻的晶體組件9、第一混頻的晶體組件12和第二混頻的晶體組件15，一組鎖緊片20對稱設置在倍頻的軸二維鏡架8、第一混頻的軸二維鏡架11和第二混頻的軸二維鏡架14的底端內部，所述底端內部均為遠離光學元件拆裝法蘭窗口 7 —側的倍頻的軸二維鏡架8、第一混頻的軸二維鏡架11和第二混頻的軸二維鏡架14的底端，用于鎖緊倍頻的晶體組件9、第一混頻的晶體組件12和第二混頻的晶體組件15，壓緊彈片21設置在倍頻的軸二維鏡架8、第一混頻的軸二維鏡架11和第二混頻的軸二維鏡架14的底端外部，所述底端外部均為靠近光學元件拆裝法蘭窗口 7 —側的倍頻的軸二維鏡架8、第一混頻的軸二維鏡架11和第二混頻的軸二維鏡架14的底端，用于壓緊倍頻的晶體組件9、第一混頻的晶體組件12和第二混頻的晶體組件15，偏振態(tài)調整釘22設置在倍頻的軸二維鏡架8、第一混頻的軸二維鏡架11和第二混頻的軸二維鏡架14的底端內部，且位于鎖緊片20的上部，所述底端內部均為遠離光學元件拆裝法蘭窗口 7 —側的倍頻的軸二維鏡架8、第一混頻的軸二維鏡架11和第二混頻的軸二維鏡架14的底端，用于調整倍頻的晶體組件9、第一混頻的晶體組件12和第二混頻的晶體組件15的偏振態(tài)位置。如此設置，結構簡單、卡緊可靠、操作方便。其它組成和連接關系與具體實施方式
五相同。
具體實施方式
七:結合圖3、圖4、圖6-圖10說明本實施方式，本實施方式的倍頻的第一微驅動機構4、第一混頻的第一微驅動機構5、第二混頻的第一微驅動機構6、倍頻的第二微驅動機構10、第一混頻的第二微驅動機構13和第二混頻的第二微驅動機構16的結構相同。如此設置，由于以上三組晶體調整組件的七種在線調整運動都采用電控微驅動組件進行驅動，各維微驅動組件的工作原理完全相同，結構大同小異，采用模塊式結構，相同的部分構成通用模塊，便于生產加工，有利于縮短加工周期，降低成本。其它組成和連接關系與具體實施方式
一或六相同。
具體實施方式
八:結合圖12說明本實施方式，本實施方式的倍頻的第一微驅動機構4、第一混頻的第一微驅動機構5、第二混頻的第一微驅動機構6、倍頻的第二微驅動機構
10、第一混頻的第二微驅動機構13和第二混頻的第二微驅動機構16均包括滾動導軌23、螺母座24、滾動螺母25、驅動絲桿26、軸承座27、聯軸器28、電機基座29、行星減速器30和電機31，滾動導軌23、軸承座27和電機基座29由左至右依次設置，螺母座24通過滾動螺母25設置在滾動導軌23上，驅動絲桿26的一端穿設在螺母座24內，驅動絲桿26的一端依次與聯軸器28、行星減速器30和電機31可轉動連接。如此設置，結構簡單，易于實現，且微驅動調整更加準確。其它組成和連接關系與具體實施方式
七相同。
具體實施方式
九:結 合圖12說明本實施方式，本實施方式的聯軸器28設置在軸承座27與電機基座29的左側之間。如此設置，便于整體結構的統(tǒng)籌安排，同時，有效的保證了聯軸器28工作性能。其它組成和連接關系與具體實施方式
八相同。
具體實施方式
十:結合圖12說明本實施方式，本實施方式的行星減速器30和電機31設置在電機基座29右側。如此設置，便于整體結構的統(tǒng)籌安排。其它組成和連接關系與具體實施方式
八或九相同。
權利要求
1.一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，其特征在于:它包括頻率轉換模塊殼體(I)和頻率轉換模塊機構(2)，頻率轉換模塊機構(2)設置在頻率轉換模塊殼體(I)內， 所述頻率轉換模塊機構(2)包括機構箱體(3)、倍頻調角組件、第一混頻調角組件、第二混頻調角及移動組件、倍頻的第一微驅動機構(4)、第一混頻的第一微驅動機構(5)和第二混頻的第一微驅動機構￠)，所述機構箱體(3)的一個側壁上開有光學元件拆裝法蘭窗口(7)，倍頻的第一微驅動機構(4)和第一混頻的第一微驅動機構(5)均設置在機構箱體 (3)的另一個側壁內，且第一混頻的第一微驅動機構(5)位于倍頻的第一微驅動機構(4)的上部，第二混頻的第一微驅動機構(6)設置在機構箱體(3)的內壁底端，且第二混頻的第一微驅動機構(6)靠近光學元件拆裝法蘭窗口(7) —側的機構箱體(3)內壁底端，倍頻調角組件、第一混頻調角組件和第二混頻調角及移動組件依次并列設置在機構箱體(3)內， 所述倍頻調角組件包括倍頻的軸二維鏡架(8)、倍頻的晶體組件(9)和倍頻的第二微驅動機構(10)，倍頻的第二微驅動機構(10)設置在倍頻的軸二維鏡架(8)的底端側面上，再將倍頻的軸二維鏡架(8)設置在機構箱體(3)內，倍頻的晶體組件(9)穿過光學元件拆裝法蘭窗口(7)并且裝卡在倍頻的軸二維鏡架(8)上，倍頻的晶體組件(9)包括倍頻晶體和倍頻晶體夾持框，倍頻晶體無應力裝卡倍頻晶體夾持框上， 所述第一混頻調角組件包括第一混頻的軸二維鏡架(11)、第一混頻的晶體組件(12)和第一混頻的第二微驅動機構(13)，第一混頻的第二微驅動機構(13)設置在第一混頻的軸二維鏡架(11)的底端側面上，再將第一混頻的軸二維鏡架(11)設置在機構箱體(3)內，第一混頻的晶體組件(12)穿過光學元件拆裝法蘭窗口(7)并且裝卡在倍頻的軸二維鏡架(8)上，第一混頻的晶體組件(12)包括混頻晶體和混頻晶體夾持框，混頻晶體無應力裝卡在混頻晶體夾持框上， 所述第二混頻調角及移動組件包括第二混頻的軸二維鏡架(14)、第二混頻的晶體組件(15)、第二混頻的第二微驅動機構(16)、第二混頻的間距調整電機(17)和第二混頻的滾動導軌組件(18)，第二混頻的第二微驅動機構(16)設置在第二混頻的軸二維鏡架(14)的側壁外端上部，第二混頻的滾動導軌組件(18)設置在第二混頻的軸二維鏡架(14)的上端，第二混頻的間距調整電機(17)設置在第二混頻的滾動導軌組件(18)上，再將第二混頻調角及移動組件設置在機構箱體(3)內，第二混頻的晶體組件(15)穿過光學元件拆裝法蘭窗口(7)并且裝卡在倍頻的軸二維鏡架(8)上，第二混頻的晶體組件(15)包括混頻晶體和混頻晶體夾持框，混頻晶體無應力裝卡在混頻晶體夾持框上。
2.根據權利要求1所述一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，其特征在于:所述倍頻的第一微驅動機構(4)為倍頻的偏擺微驅動機構，倍頻的第二微驅動機構(10)為倍頻的俯仰微驅動機構。
3.根據權利要求1或2所述一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，其特征在于:所述第一混頻的第一微驅動機構(5)為第一混頻的偏擺微驅動機構，第一混頻的第二微驅動機構(13)為第一混頻的俯仰微驅動機構。
4.根據權利要求3所述一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，其特征在于:所述第二混頻的第一微驅動機構出)為第二混頻的俯仰微驅動機構，第二混頻的第二微驅動機構(16)為第二混頻的偏擺微驅動機構。
5.根據權利要求1、2或4所述一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，其特征在于:所述倍頻的第二微驅動機構(10)的位置與第一混頻的第二微驅動機構(13)的位置相錯。
6.根據權利要求5所述一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，其特征在于:所述倍頻調角組件、第一混頻調角組件和第二混頻調角及移動組件均還包括卡緊片(19)、一組鎖緊片(20)、壓緊彈片(21)和偏振態(tài)調整釘(22)， 卡緊片(19)設置在倍頻的軸二維鏡架(8)、第一混頻的軸二維鏡架(11)和第二混頻的軸二維鏡架(14)的底端中部，用于卡緊倍頻的晶體組件(9)、第一混頻的晶體組件(12)和第二混頻的晶體組件(15)， 一組鎖緊片(20)對稱設置在倍頻的軸二維鏡架(8)、第一混頻的軸二維鏡架(11)和第二混頻的軸二維鏡架(14)的底端內部，所述底端內部均為遠離光學元件拆裝法蘭窗口(7)一側的倍頻的軸二維鏡架(8)、第一混頻的軸二維鏡架(11)和第二混頻的軸二維鏡架(14)的底端，用于鎖緊倍頻的晶體組件(9)、第一混頻的晶體組件(12)和第二混頻的晶體組件(15)， 壓緊彈片(21)設置在倍頻的軸二維鏡架(8)、第一混頻的軸二維鏡架(11)和第二混頻的軸二維鏡架(14)的底端外部，所述底端外部均為靠近光學元件拆裝法蘭窗口(7) —側的倍頻的軸二維鏡架(8)、第一混頻的軸二維鏡架(11)和第二混頻的軸二維鏡架(14)的底端，用于壓緊倍頻的晶體組件(9)、第一混頻的晶體組件(12)和第二混頻的晶體組件(15)， 偏振態(tài)調整釘(22)設置在倍頻的軸二維鏡架(8)、第一混頻的軸二維鏡架(11)和第二混頻的軸二維鏡架(14)的底端內部，且位于鎖緊片(20)的上部，所述底端內部均為遠離光學元件拆裝法蘭窗口(7) —側的倍頻的軸二維鏡架(8)、第一混頻的軸二維鏡架(11)和第二混頻的軸二維鏡架(14)的底端，用于調整倍頻的晶體組件(9)、第一混頻的晶體組件 (12)和第二混頻的晶體組件(15)的偏振態(tài)位置。
7.根據權利要求1或6所述一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，其特征在于:所述倍頻的第一微驅動機構(4)、第一混頻的第一微驅動機構(5)、第二混頻的第一微驅動機構出)、倍頻的第二微驅動機構(10)、第一混頻的第二微驅動機構(13)和第二混頻的第二微驅動機構(16)的結構相同。
8.根據權利要求7所述一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，其特征在于:所述倍頻的第一微驅動機構(4)、第一混頻的第一微驅動機構(5)、第二混頻的第一微驅動機構(6)、倍頻的第二微驅動機構(10)、第一混頻的第二微驅動機構(13)和第二混頻的第二微驅動機構(16)均包括滾動導軌(23)、螺母座(24)、滾動螺母(25)、驅動絲桿(26)、軸承座(27)、聯軸器(28)、電機基座(29)、行星減速器(30)和電機(31)，滾動導軌(23)、軸承座(27)和電機基座(29)由左至右依次設置，螺母座(24)通過滾動螺母(25)設置在滾動導軌(23)上，驅動絲桿(26)的一端穿設在螺母座(24)內，驅動絲桿(26)的一端依次與聯軸器(28)、行星減速器(30)和電機(31)可轉動連接。
9.根據權利要求8所述一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，其特征在于:所述聯軸器(28)設置在軸承座(27)與電機基座(29)的左側之間。
10.根據權利要求8或9所述一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，其特征在于:所述行星減速器(30)和電機(31)設置在電機基座(29)右側。
全文摘要
一種內置式高通量大口徑激光頻率轉換裝置，它涉及一種激光頻率轉換裝置。本發(fā)明為了實現高通量大口徑激光頻率的轉換。本發(fā)明的頻率轉換模塊機構設置在頻率轉換模塊殼體內，機構箱體的一個側壁上開有光學元件拆裝法蘭窗口，倍頻的第一微驅動機構和第一混頻的第一微驅動機構均設置在機構箱體的另一個側壁內，且第一混頻的第一微驅動機構位于倍頻的第一微驅動機構的上部，第二混頻的第一微驅動機構設置在機構箱體的內壁底端，且第二混頻的第一微驅動機構靠近光學元件拆裝法蘭窗口一側的機構箱體內壁底端，倍頻調角組件、第一混頻調角組件和第二混頻調角及移動組件依次并列設置在機構箱體內。本發(fā)明用于高通量大口徑激光頻率的轉換。
文檔編號H01S3/109GK103235464SQ201310156389
公開日2013年8月7日 申請日期2013年4月28日 優(yōu)先權日2013年4月28日
發(fā)明者梁迎春, 于福利, 郭永博, 盧禮華, 張慶春 申請人:哈爾濱工業(yè)大學