技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能技術(shù)領(lǐng)域，尤其是直三結(jié)級(jí)聯(lián)太陽(yáng)能電池的制備方法，包括如下步驟：采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法在GaAs襯底上依次生長(zhǎng)GaAs1?x?yNxBiy底電池層、第一隧道結(jié)、BmGa1?mAs1?nBin中間電池層、第二隧道結(jié)、AlpGa1?pAs頂電池層及GaAs接觸層；再在所述GaAs襯底底部及所述GaAs接觸層頂部制作歐姆電極。本發(fā)明還提供這種太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)光譜的分段吸收利用，各個(gè)子電池間的電流匹配，個(gè)電池層與GaAs晶格匹配，可獲得較高的電池效率，是一種潛在的理想的太陽(yáng)能電池材料。

技術(shù)研發(fā)人員：李奎龍;董建榮;孫玉潤(rùn);曾徐路;趙勇明;于淑珍;趙春雨;楊輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
文檔號(hào)碼：201310153013
技術(shù)研發(fā)日：2013.04.27
技術(shù)公布日：2017.02.01