一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復(fù)合陰極層，所述復(fù)合陰極層包括依次疊層設(shè)置的摻雜層和金屬層，所述摻雜層的材料為金屬氧化物摻雜二氧化鈦形成的混合材料，所述金屬氧化物為三氧化鉬、三氧化鎢、氧化錸或氧化銅，所述金屬層的材料為銀、鋁、鉑或金。該有機電致發(fā)光器件的復(fù)合陰極層能使光進行散射，從而提高器件發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 1987年，美國Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光 研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器 件（0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，10V下亮度達到lOOOcd/m 2,其發(fā)光效率為1. 511m/W、壽 命大于100小時。
[0003] 在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到器件外部，而其 他的部分會以其他形式消耗在器件外部，這是由于界面之間存在折射率的差(如玻璃與ΙΤ0 之間的折射率之差，玻璃折射率為1. 5, ΙΤ0為1. 8,光從ΙΤ0到達玻璃，就會發(fā)生全反射)， 引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致發(fā)光器件的整體出光性能較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方 法。通過在電子注入層上制備復(fù)合陰極層，提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基板、空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復(fù)合陰極層，所述復(fù)合陰極層包 括依次疊層設(shè)置的摻雜層和金屬層，所述摻雜層的材料為金屬氧化物摻雜二氧化鈦形成的 混合材料，所述金屬氧化物為三氧化鑰、三氧化鎢、氧化錸或氧化銅，所述金屬層的材料為 銀、錯、鉬或金。
[0006] 優(yōu)選地，所述摻雜層中，所述二氧化鈦與金屬氧化物的質(zhì)量比為0. 1?1:1。
[0007] 優(yōu)選地，所述摻雜層的厚度為30?200nm。
[0008] 優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為100?300nm。
[0009] 優(yōu)選地，所述二氧化鈦的粒徑為20?200nm。
[0010] 復(fù)合陰極層包括依次疊層設(shè)置的摻雜層和金屬層。在電子注入層之上制備一層金 屬氧化物與二氧化鈦的摻雜層，由于金屬氧化物與二氧化鈦顆粒較大，有利于形成波紋結(jié) 構(gòu)，可使膜層表面不再是平整的表面，而是帶有一定形狀的顆粒狀結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)可改變光 的折射角，使光進行散射，減少向器件兩側(cè)發(fā)射的光，同時可使后制備上去的功能層也能一 直保持顆粒狀結(jié)構(gòu)，有利于光散射；在該摻雜層上制備一層金屬層，主要是使散射的光進行 反射回到底部出射，提高出光效率，同時，增強器件的導(dǎo)電性，降低接觸電阻，從而最終提高 發(fā)光效率。
[0011] 導(dǎo)電陽極基板可以為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。優(yōu) 選地，導(dǎo)電陽極基板為銦錫氧化物玻璃（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃（ΑΖ0)或銦鋅氧化物玻璃 (ΙΖ0)。更優(yōu)選地，導(dǎo)電陽極基板為銦錫氧化物玻璃。
[0012] 空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限 定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明。
[0013] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)或五氧化二釩 (V 2〇5)，空穴注入層的厚度為20?80nm。
[0014] 更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)，厚度為40nm。
[0015] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，f -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷（了六?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或1^-(1-萘基），4'-二 苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（NPB)，厚度為20?60nm。
[0016] 更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' - (1-萘基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二 胺（ΝΡΒ)，厚度為50nm。
[0017] 優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亞萘基蒽（ADN)、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi )或8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為5?40nm。
[0018] 更優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4, 4'-雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）_1，Γ-聯(lián)苯 (BCzVBi)，厚度為 30nm。
[0019] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度為40?300nm。
[0020] 更優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度為200nm。
[0021] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0022] 更優(yōu)選地，電子注入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為lnm。
[0023] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0024] 在導(dǎo)電陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層；
[0025] 在所述電子注入層上制備復(fù)合陰極層：先通過電子束蒸鍍的方式在所述電子注入 層上依次制備摻雜層，再通過真空蒸鍍的方式在所述摻雜層上制備金屬層，得到有機電致 發(fā)光器件；
[0026] 所述摻雜層的材料為金屬氧化物摻雜二氧化鈦形成的混合材料，所述金屬氧化物 為三氧化鑰（M〇0 3)、三氧化鎢（W03)、氧化錸（Re03)或氧化銅（CuO)，所述金屬層的材料為 銀、錯、銷或金；
[0027] 所述電子束蒸鍍的能量密度為10?lOOW/cm2,所述摻雜層的材料蒸鍍速率為 0. 1?lnm/s，所述真空蒸鍍過程中，真空度為2X ΚΓ3?5X l(T5Pa，所述金屬層材料蒸鍍速 率為1?10nm/s。
[0028] 優(yōu)選地，所述摻雜層中，所述二氧化鈦與金屬氧化物的質(zhì)量比為0. 1?1:1。
[0029] 優(yōu)選地，所述二氧化鈦的粒徑為20?200nm。
[0030] 優(yōu)選地，所述摻雜層的厚度為30?200nm。
[0031] 優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為100?300nm。
[0032] 導(dǎo)電陽極基板可以為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。優(yōu) 選地，導(dǎo)電陽極基板為銦錫氧化物玻璃（IT0)、鋁鋅氧化物玻璃（AZ0)或銦鋅氧化物玻璃 (IZ0)。更優(yōu)選地，導(dǎo)電陽極基板為銦錫氧化物玻璃。
[0033] 優(yōu)選地，將陽極基板進行如下清潔處理：依次采用洗潔精、去離子水各超聲清洗 15分鐘，然后再用烘箱烘干待用。
[0034] 空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限 定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明?？昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和 發(fā)光層均可采用真空蒸鍍的方式制備，其具體操作條件不作特殊限定。
[0035] 優(yōu)選地，真空蒸鍍的溫度為100?500°C，真空度為1ΧΚΓ3?lXl(T 5Pa。
[0036] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)或五氧化二釩 (V 2〇5)，空穴注入層的厚度為20?80nm。
[0037] 更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)，厚度為40nm。
[0038] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，f -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷（了六?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或1^-(1-萘基），4'-二 苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（NPB)，厚度為20?60nm。
[0039] 更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' - (1-萘基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二 胺（ΝΡΒ)，厚度為50nm。
[0040] 優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亞萘基蒽（ADN)、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi )或8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為5?40nm。
[0041] 更優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4, 4'-雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）_1，Γ-聯(lián)苯 (BCzVBi)，厚度為 30nm。
[0042] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度為40?300nm。
[0043] 更優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度為220nm。
[0044] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0045] 更優(yōu)選地，電子注入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為lnm。
[0046] 本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0047] (1)本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，具有復(fù)合陰極層結(jié)構(gòu)，復(fù)合陰極層包括依次 疊層設(shè)置的摻雜層和金屬層，摻雜層的材料金屬氧化物與二氧化鈦顆粒較大，可使膜層表 面形成帶有一定形狀的顆粒狀結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)可改變光的折射角，使光進行散射，同時可使 后制備上去的功能層也能保持顆粒狀結(jié)構(gòu)，有利于光散射；金屬層主要是使散射的光進行 反射回到底部出射，提高出光效率，同時，增強器件的導(dǎo)電性，降低接觸電阻，最終提高發(fā)光 效率；
[0048] (2)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的制備工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0049] 圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050] 圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件的電流密度與電流 效率的關(guān)系圖。

【具體實施方式】
[0051] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0052] 實施例1
[0053] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0054] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0055] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΤ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0056] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為W03，厚度為40nm;空穴 傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為50nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，發(fā)光層厚度為30nm ;電子傳輸 層的材料為TPBI，厚度為200nm ;電子注入層的材料為LiF，厚度為lnm。
[0057] (3)在電子注入層上制備復(fù)合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復(fù)合陰極層包括依 次層疊的摻雜層和金屬層；
[0058] 復(fù)合陰極層的制備：先采用電子束蒸鍍的方式在電子注入層上制備一層厚度為 100nm的摻雜層，材料為Ti0 2與M〇03形成的混合材料(表示為Ti02:Mo03)，Ti0 2與M〇03的質(zhì) 量比為0. 5:1，Ti02粒徑為lOOnm，蒸鍍速率為3nm/s，電子束蒸鍍的能量密度為30W/cm2 ;再 采用真空蒸鍍的方式在摻雜層上制備一層厚度為200nm的金屬層，材料為銀(Ag)，蒸鍍速 率為3nm/s，真空蒸鍍過程的真空度為8Xl(T 5Pa。
[0059] 圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本 實施例有機電致發(fā)光器件，依次包括IT0玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層 4、電子傳輸層5、電子注入層6和復(fù)合陰極層7。所述復(fù)合陰極層7依次包括一層厚度為 lOOnm的摻雜層71和一層厚度為200nm的金屬層72。該有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：IT0 玻璃 /W03/TCTA/BCzVBi/TPBi/LiF/Ti02: Μ〇03 (0· 5:1) /Ag，其中，斜杠 "/" 表示層狀結(jié)構(gòu)， Ti02:Mo03中的冒號"："表不混合，0. 5:1表不前者和后者的質(zhì)量比，后面實施例中各個符 合表不的意義相同。
[0060] 實施例2
[0061] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0062] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0063] (2)采用真空蒸鍍的方法在AZ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0064] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為1 X 10_5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為W03，厚度為80nm ;空穴 傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN，厚度為5nm ;電子傳輸層的材料 為TAZ，厚度為200nm ;電子注入層的材料為CsN3,厚度為10nm。
[0065] (3)在電子注入層上制備復(fù)合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復(fù)合陰極層包括依 次層疊的摻雜層和金屬層；
[0066] 復(fù)合陰極層的制備：先采用電子束蒸鍍的方式在電子注入層上制備一層厚度為 lOOnm的摻雜層，材料為Ti02與W03形成的混合材料(表示為Ti02:W0 3)，Ti02與W03的質(zhì)量 比為l:l，Ti02粒徑為20nm，蒸鍍速率為lOnm/s，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2 ;再采用 真空蒸鍍的方式在摻雜層上制備一層厚度為lOOnm的金屬層，材料為鋁（A1)，蒸鍍速率為 lOnm/s，真空蒸鍍過程的真空度為2X l(T3Pa。
[0067] 本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：AZ0玻璃/W03/TCTA/ADN/TAZ/CsN 3/ Ti02:ff03 (1:1)/Α1〇
[0068] 實施例3
[0069] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0070] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0071] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΖ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0072] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為V205，厚度為20nm;空 穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為30nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3，厚度為40nm ;電子傳輸層的材 料為Bphen，厚度為60nm ;電子注入層的材料為CsF，厚度為0· 5nm。
[0073] (3)在電子注入層上制備復(fù)合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復(fù)合陰極層包括依 次層疊的摻雜層和金屬層；
[0074] 復(fù)合陰極層的制備：先采用電子束蒸鍍的方式在電子注入層上制備一層厚度為 30nm的摻雜層，材料為Ti0 2與Re03形成的混合材料(表示為Ti02:Re03)，Ti0 2與Re03的質(zhì) 量比為0. 1:1，Ti02粒徑為200nm，蒸鍍速率為lnm/s，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2 ; 再采用真空蒸鍍的方式在摻雜層上制備一層厚度為300nm的金屬層，材料為Pt，蒸鍍速率 為lnm/s，真空蒸鍍過程的真空度為5Xl(T 5Pa。
[0075] 本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：IZ0玻璃/V205/TCTA/Alq 3/Bphen/ CsF/Ti02:Re03 (0. 1:1) /Pt〇
[0076] 實施例4
[0077] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0078] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0079] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΖ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0080] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°c，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為30nm;空 穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為50nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為5nm ;電子傳輸層的 材料為TPBi，厚度為40nm ;電子注入層的材料為Cs2C03，厚度為lnm。
[0081] (3)在電子注入層上制備復(fù)合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復(fù)合陰極層包括依 次層疊的摻雜層和金屬層；
[0082] 復(fù)合陰極層的制備：先采用電子束蒸鍍的方式在電子注入層上制備一層厚度為 150nm的摻雜層，材料為Ti02與CuO形成的混合材料(表示為Ti02:Cu0)，Ti0 2與CuO的質(zhì) 量比為0. 3:1，Ti02粒徑為50nm，蒸鍍速率為5nm/s，電子束蒸鍍的能量密度為80W/cm2 ;再 采用真空蒸鍍的方式在摻雜層上制備一層厚度為250nm的金屬層，材料為Au，蒸鍍速率為 5nm/s，真空蒸鍍過程的真空度為5Xl(T 4Pa。
[0083] 本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：ΙΖ0玻璃/M〇03/TAPC/DCJTB/TPBi/ Cs2C03/Ti02:Cu0 (0.3:1)/Au。
[0084] 對比實施例
[0085] 為體現(xiàn)本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對比實施例，對比實施例與實施例1的 區(qū)別在于對比實施例中的陰極為金屬單質(zhì)銀(Ag)，厚度為150nm，對比實施例有機電致發(fā) 光器件的具體結(jié)構(gòu)為ΙΤ0玻璃/WO/TCTA/BCzVBi/TPBi/LiF/Ag，分別對應(yīng)導(dǎo)電陽極玻璃基 底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0086] 采用美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國 吉時利公司的電流-電壓測試儀Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達公司的 CS-100A色度計測試亮度和色度，得到有機電致發(fā)光器件電流效率隨電流密度變化曲線，以 考察器件的發(fā)光效率，測試對象為實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件。測試 結(jié)果如圖2所示。
[0087] 圖2是實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率的 關(guān)系圖。其中，曲線1為實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系 圖；曲線2為對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖。從圖 2中可以看到，在不同電流密度下，實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的電流效率都比對比 實施例制備的有機電致發(fā)光器件的要大，實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的最大的電流 效率為10. 64cd/A，而對比實施例的僅為5. 73cd/A。這說明，實施例1制備的有機電致發(fā)光 器件的復(fù)合陰極層結(jié)構(gòu)，摻雜層的金屬氧化物顆粒大，使表面形成了帶有一定形狀的顆粒 狀結(jié)構(gòu)，改變了光的折射角，減少了向兩側(cè)發(fā)射的光，同時使后蒸鍍制備的功能層也保持波 紋狀結(jié)構(gòu)，有利于光散射，金屬層使散射的光進一步進行反射回到底部出射，提高了出光效 率，同時，金屬層還能增強器件的導(dǎo)電性，降低接觸電阻。從而最終提高器件的發(fā)光效率。 [0088] 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為 本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復(fù)合陰極層，其特征在于，所述復(fù)合陰極層包括依次疊 層設(shè)置的摻雜層和金屬層， 所述摻雜層的材料為金屬氧化物摻雜二氧化鈦形成的混合材料，所述金屬氧化物為三 氧化鑰、三氧化鎢、氧化錸或氧化銅，所述金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜層中，所述二氧化鈦 與金屬氧化物的質(zhì)量比為〇. 1?1:1。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜層的厚度為30? 200nm〇
4. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬層的厚度為100? 300nm〇
5. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述二氧化鈦的粒徑為20? 200nm〇
6. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在導(dǎo)電陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入 層； 在所述電子注入層上制備復(fù)合陰極層：先通過電子束蒸鍍的方式在所述電子注入層上 依次制備摻雜層，再通過真空蒸鍍的方式在所述摻雜層上制備金屬層，得到有機電致發(fā)光 器件； 所述摻雜層的材料為金屬氧化物摻雜二氧化鈦形成的混合材料，所述金屬氧化物為三 氧化鑰、三氧化鎢、氧化錸或氧化銅，所述金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金； 所述電子束蒸鍍的能量密度為10?l〇〇W/cm2,所述真空蒸鍍過程中，真空度為 2X 10_3?5X 10_5Pa，所述摻雜層和金屬層的材料蒸鍍速率為1?lOnm/s。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述摻雜層中，所 述二氧化鈦與金屬氧化物的質(zhì)量比為〇. 1?1:1。
8. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述二氧化鈦的 粒徑為20?200nm。
9. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述摻雜層的厚 度為30?200nm。
10. 如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬層的厚 度為100?300nm。
【文檔編號】H01L51/54GK104124366SQ201310143952
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月24日
【發(fā)明者】周明杰, 黃輝, 馮小明, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司