一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。本發(fā)明制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極材質(zhì)為鋅化合物、功函數(shù)為-4.0eV～-5.5eV的金屬和硅化合物按照質(zhì)量比1:(0.5～2):(1～5)混合形成的混合材料，提高了器件的電子注入能力、穩(wěn)定性，并使光能更有效地抵達(dá)導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底，從而提高器件的發(fā)光效率。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)是一種以有機(jī)材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉(zhuǎn)化為 光能的能量轉(zhuǎn)化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應(yīng)快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等 領(lǐng)域有著極為廣泛的應(yīng)用前景。
[0003] 有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為三明治結(jié)構(gòu)，在陰極和導(dǎo)電陽(yáng)極之間夾有一層或多層 有機(jī)薄膜。在含多層結(jié)構(gòu)的器件中，兩極內(nèi)側(cè)主要包括發(fā)光層、注入層及傳輸層。有機(jī)電致 發(fā)光器件是載流子注入型發(fā)光器件，在陽(yáng)極和陰極加上工作電壓后，空穴從陽(yáng)極，電子從陰 極分別注入到工作器件的有機(jī)材料層中，兩種載流子在有機(jī)發(fā)光材料中形成空穴-電子對(duì) 發(fā)光，然后光從電極發(fā)出。
[0004] 在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般都是以低功函數(shù)的金屬或者合金作為陰極，這種結(jié)構(gòu) 中，低功函數(shù)的金屬化學(xué)性質(zhì)活潑，在空氣中易于氧化，使器件的穩(wěn)定性較差，并且陰極的 電子注入能力不佳，導(dǎo)致器件的發(fā)光效率、出光性能較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明旨在提供一種具有較高出光效率的有機(jī)電致發(fā)光器件 及其制備方法。
[0006] 第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃 基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陰極的材質(zhì) 為鋅化合物、功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬和硅化合物按照質(zhì)量比1: (0. 5?2) : (1? 5)混合形成的混合材料，其中，所述鋅化合物為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅和氯化鋅中的一種， 所述功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬為錯(cuò)、銀、鉬和金中的一種，所述娃化合物為一氧化 硅、二氧化硅和硅酸鈉中的一種。
[0007] 優(yōu)選地，導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底為銦錫氧化物玻璃（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃（ΑΖ0)和銦 鋅氧化物玻璃（ΙΖ0)中的一種。更優(yōu)選地，導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底為ΙΤ0。
[0008] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)和五氧化二釩 (v 2〇5)中的一種。更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為wo3。
[0009] 優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為20?80nm。更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為30nm。
[0010] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，卜二[4-[N, W -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷（TAPC)、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)和 N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'_二胺（ΝΡΒ)中的一種。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為ΝΡΒ。
[0011] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為20?60nm。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0012] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二（β -萘基）蒽（ADN)、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi)和8-羥基喹啉鋁（Alq3)中的一種。更優(yōu)選地，發(fā)光層的 材質(zhì)為Alq3。
[0013] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?40nm。更優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0014] 電子傳輸層的材質(zhì)為具有較高的電子遷移率，能有效傳導(dǎo)電子的有機(jī)分子材料。
[0015] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4,7-二苯基-1，10-菲羅啉化?1^11)、1，2,4-三唑衍 生物和1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)中的一種。
[0016] 更優(yōu)選地，1，2, 4-三唑衍生物為3-(聯(lián)苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯 基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)。更優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen。
[0017] 優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為40?200nm。更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為100nm。
[0018] 優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)和氟 化鋰（LiF)中的一種。更優(yōu)選地，第二電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF。
[0019] 優(yōu)選地，電子注入層的厚度為〇· 5?10nm。更優(yōu)選地，電子注入層的厚度為lnm。
[0020] 陰極設(shè)置在電子注入層上。
[0021] 陰極的材質(zhì)為鋅化合物、功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬和硅化合物按照質(zhì)量 比1: (0. 5?2) : (1?5)混合形成的混合材料。
[0022] 優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋅化合物、功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬和娃化合物按 照質(zhì)量比1: (1?2) : (3?5)混合形成的混合材料。
[0023] 具體地，鋅化合物為氧化鋅（ZnO)、硫化鋅（ZnS)、硒化鋅（ZnSe)和氯化鋅（ZnCl 2) 中的一種，功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬為鋁（A1)、銀（Ag)、鉬（Pt)和金（Au)中的一 種,硅化合物為一氧化硅（SiO)、二氧化硅（Si0 2)和硅酸鈉（Na2Si03)中的一種。
[0024] 優(yōu)選地，陰極的厚度為80?300nm。
[0025] 本發(fā)明制備的陰極由鋅化合物、硅化合物和金屬組成，鋅化合物折射率較大，大于 有機(jī)層的折射率，因此，光線(xiàn)從發(fā)光層發(fā)射出去不會(huì)發(fā)生全反射，避免了全反射的損失，同 時(shí)，鋅化合物的透光范圍較寬，達(dá)到了微米級(jí)，可使大部分可見(jiàn)光透過(guò)，提高器件的透過(guò)率； 硅化合物顆粒較大，呈微球狀，硅化合物的加入使膜層內(nèi)部形成排列有序的微球結(jié)構(gòu)，光線(xiàn) 碰到微球狀顆粒會(huì)形成散射從而使向兩側(cè)發(fā)射的光散射回到器件中間，提高出光效率；金 屬提高電子的濃度，從而有利于提高器件的激子復(fù)合幾率，同時(shí)提高陰極的反射，同時(shí)，也 可提商器件的穩(wěn)定性。
[0026] 第二方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0027] 提供清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底；
[0028] 在所述導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、 電子傳輸層和電子注入層，所述熱阻蒸鍍的條件為壓強(qiáng)5 X ΚΓ5?2 X l(T3Pa，所述空穴注入 層和電子注入層的蒸鍍速率為1?l〇nm/S，所述空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的蒸鍍 速率為0. 1?lnm/s ;
[0029] 在所述電子注入層上制備陰極，所述陰極通過(guò)電子束蒸鍍制備，具體操作為將鋅 化合物、功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬和硅化合物按照質(zhì)量比1: (0. 5?2) : (1?5) 混合得到混合材料，其中，所述鋅化合物為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅和氯化鋅中的一種，所述 功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬為鋁、銀、鉬和金中的一種，所述硅化合物為一氧化硅、二 氧化硅和硅酸鈉中的一種；將所述混合材料通過(guò)電子束蒸鍍?cè)谒鲭娮幼⑷雽由希瑮l件為 能量密度10?l〇〇W/cm2,得到所述陰極；
[0030] 以上步驟完成后，得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0031] 優(yōu)選地，導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底為銦錫氧化物玻璃（IT0)、鋁鋅氧化物玻璃（AZ0)和銦 鋅氧化物玻璃（IZ0)中的一種。更優(yōu)選地，導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底為IT0。
[0032] 優(yōu)選地，將導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底進(jìn)行光刻處理，然后剪裁成所需要的大小。
[0033] 通過(guò)對(duì)導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底的清洗，除去表面的有機(jī)污染物。
[0034] 具體地，導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底的清潔操作為：將導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底依次用洗潔精、去 離子水各超聲清洗15min，去除表面的有機(jī)污染物，得到清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底。
[0035] 通過(guò)熱阻蒸鍍的方法，在清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底上依次蒸鍍?cè)O(shè)置空穴注入層、 空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。其中，熱阻蒸鍍的條件為壓強(qiáng)5X ΚΓ5? 2Xl(T3Pa，空穴注入層和電子注入層的蒸鍍速率為1?lOnm/s，所述空穴傳輸層、發(fā)光層和 電子傳輸層的蒸鍍速率為〇. 1?lnm/s。
[0036] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)和五氧化二釩 (v 2〇5)中的一種。更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為wo3。
[0037] 優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為20?80nm。更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為30nm。
[0038] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N, W -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷（TAPC)、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)和 N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'_二胺（ΝΡΒ)中的一種。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為ΝΡΒ。
[0039] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為20?60nm。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0040] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二（β-萘基）蒽（ADN)、4,4,-雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi)和8-羥基喹啉鋁（Alq3)中的一種。更優(yōu)選地，發(fā)光層的 材質(zhì)為Alq3。
[0041] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?40nm。更優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0042] 電子傳輸層的材質(zhì)為具有較高的電子遷移率，能有效傳導(dǎo)電子的有機(jī)分子材料。
[0043] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物和1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)中的一種。
[0044] 更優(yōu)選地，1，2, 4-三唑衍生物為3-(聯(lián)苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4_苯 基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)。更優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen。
[0045] 優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為40?200nm。更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為lOOnm。
[0046] 優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)和氟 化鋰（LiF)中的一種。更優(yōu)選地，第二電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF。
[0047] 優(yōu)選地，電子注入層的厚度為〇· 5?10nm。更優(yōu)選地，電子注入層的厚度為lnm。
[0048] 陰極通過(guò)電子束蒸鍍的方法設(shè)置在電子注入層上。
[0049] 電子束蒸鍍條件為能量密度10?lOOW/cm2。
[0050] 具體操作為將鋅化合物、功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬和硅化合物按照質(zhì)量 比1: (0. 5?2) : (1?5)混合得到混合材料，其中，鋅化合物為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅和氯 化鋅中的一種，功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬為鋁、銀、鉬和金中的一種，硅化合物為一 氧化硅、二氧化硅和硅酸鈉中的一種；將混合材料通過(guò)電子束蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由?，得到?極。
[0051] 優(yōu)選地，將鋅化合物、功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬和硅化合物按照質(zhì)量比 1: (1?2) : (3?5)混合得到混合材料。
[0052] 優(yōu)選地，陰極的厚度為80?300nm。
[0053] 本發(fā)明制備的陰極由鋅化合物、硅化合物和金屬組成，鋅化合物折射率較大，大于 有機(jī)層的折射率，因此，光線(xiàn)從發(fā)光層發(fā)射出去不會(huì)發(fā)生全反射，避免了全反射的損失，同 時(shí)，鋅化合物的透光范圍較寬，達(dá)到了微米級(jí)，可使大部分可見(jiàn)光透過(guò)，提高器件的透過(guò)率； 硅化合物顆粒較大，呈微球狀，硅化合物的加入使膜層內(nèi)部形成排列有序的微球結(jié)構(gòu)，光線(xiàn) 碰到微球狀顆粒會(huì)形成散射從而使向兩側(cè)發(fā)射的光散射回到器件中間，提高出光效率；金 屬提高電子的濃度，從而有利于提高器件的激子復(fù)合幾率，同時(shí)提高陰極的反射，同時(shí)，也 可提商器件的穩(wěn)定性。
[0054] 本發(fā)明具有如下有益效果：
[0055] (1)本發(fā)明制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極材料為鋅化合物、硅化合物和金屬混 合形成的混合材料，使光能更有效地抵達(dá)導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底，從而提高器件的發(fā)光效率，并 提高了器件的電子注入能力、穩(wěn)定性。
[0056] ( 2)本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0057] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0058] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0059] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1提供的有機(jī)電致發(fā)光器件與對(duì)比例提供的有機(jī)電致發(fā)光器 件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖。

【具體實(shí)施方式】
[0060] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0061] 以下為具體實(shí)施例及對(duì)比例部分，其中，"/"表示層疊，"："表示前者與后者的質(zhì) 量比。
[0062] 實(shí)施例1
[0063] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0064] (1)將ΙΤ0玻璃基底用洗潔精、去離子水各超聲清洗15min，得到清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極 玻璃基底；
[0065] (2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司）中，壓強(qiáng)為8Xl(T5Pa的 條件下，在清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層和電子注入層；
[0066] 具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為W03，厚度為30nm ;空穴傳輸層的材質(zhì) 為NPB，厚度為40nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3,厚度為20nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen，厚度 為100nm ;電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，厚度為lnm ;
[0067] 其中，W03和LiF的蒸鍍速率為3nm/s，NPB、Alq3和Bphen的蒸鍍速率為0· 2nm/s ;
[0068] (3)在壓強(qiáng)為8Xl(T5Pa的條件下，在電子注入層上制備陰極：
[0069] 具體地，將ZnSe、Si02和Ag按照質(zhì)量比1:1:3混合得到混合材料，將該混合材料 通過(guò)電子束蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由希瑮l件為能量密度35W/cm 2,得到陰極，厚度為250nm ;
[0070] 以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為：IT0/W03/NPB/ Alq3/Bphen/LiF/ZnSe:Si02: Ag(1:1:3)。
[0071] 圖1是本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有機(jī)電致發(fā) 光器件的結(jié)構(gòu)包括依次層疊的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光 層40、電子傳輸層50、電子注入層60和陰極70。
[0072] 實(shí)施例2
[0073] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0074] (1)將AZ0玻璃基底用洗潔精、去離子水各超聲清洗15min，得到清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極 玻璃基底；
[0075] (2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司）中，壓強(qiáng)為2Xl(T3Pa的 條件下，在清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層和電子注入層；
[0076] 具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為80nm ;空穴傳輸層的材 質(zhì)為NPB，厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN，厚度為5nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為T(mén)AZ，厚度為 200nm ;電子注入層的材質(zhì)為CsF，厚度為10nm ;
[0077] 其中，M〇03和CsF的蒸鍍速率為10nm/s，NPB、ADN和TAZ的蒸鍍速率為0. lnm/s ;
[0078] (3)在壓強(qiáng)為2Xl(T3Pa的條件下，在電子注入層上制備陰極：
[0079] 具體地，將ZnO、SiO和A1按照質(zhì)量比1:0. 5:1混合得到混合材料，將該混合材料 通過(guò)電子束蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由?，條件為能量密度lOOW/cm2,得到陰極，厚度為80nm ;
[0080] 以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為：azo/m〇o3/npb/ ADN/TAZ/CsF/ZnO:SiO:Al(l:l:3)。
[0081] 實(shí)施例3
[0082] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0083] (1)將ΙΖ0玻璃基底用洗潔精、去離子水各超聲清洗15min，得到清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極 玻璃基底；
[0084] (2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司）中，壓強(qiáng)為5Xl(T5Pa的 條件下，在清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層和電子注入層；
[0085] 具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為W03，厚度為20nm ;空穴傳輸層的材質(zhì) 為T(mén)APC，厚度為30nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，厚度為40nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為T(mén)PBi，厚 度為60nm ;電子注入層的材質(zhì)為Cs2C03,厚度為0· 5nm ;
[0086] 其中，W03和Cs2C03的蒸鍍速率為lnm/s，TAPC、BCzVBi和TPBi的蒸鍍速率為lnm/ s ；
[0087] (3)在壓強(qiáng)為5Xl(T5Pa的條件下，在電子注入層上制備陰極：
[0088] 具體地，將ZnS、Na2Si03和Pt按照質(zhì)量比1:2:5混合得到混合材料，將該混合材料 通過(guò)電子束蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由?，條件為能量密度lOW/cm 2,得到陰極，厚度為300nm ;
[0089] 以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為：IZ0/W03/TAPC/ BCzVBi/TPBi/Cs 2C03/ZnS: Na2Si03: Pt (1:2:5)。
[0090] 實(shí)施例4
[0091] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0092] (1)將IZ0玻璃基底用洗潔精、去離子水各超聲清洗15min，得到清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極 玻璃基底；
[0093] (2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司）中，壓強(qiáng)為5Xl(T4Pa的 條件下，在清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層和電子注入層；
[0094] 具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為V205，厚度為30nm ;空穴傳輸層的材 質(zhì)為T(mén)CTA，厚度為20nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為5nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen， 厚度為40nm ;電子注入層的材質(zhì)為CsN3，厚度為lnm;
[0095] 其中，V205和CsN3的蒸鍍速率為5nm/s，TCTA、DCJTB和Bphen的蒸鍍速率為0. 2nm/ s ；
[0096] (3)在壓強(qiáng)為5Xl(T4Pa的條件下，在電子注入層上制備陰極：
[0097] 具體地，將ZnCl2、Si02和Au按照質(zhì)量比1:2:3混合得到混合材料，將該混合材料 通過(guò)電子束蒸鍍?cè)陔娮幼⑷雽由?，條件為能量密度50W/cm 2,得到陰極，厚度為200nm ;
[0098] 以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為：IZ0/V20 5/TCTA/ DCJTB/Bphen/CsN3/ZnCl2: Si02: Au (1:2:3)。
[0099] 對(duì)比例
[0100] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0101] (1)將Ι--玻璃基底用洗潔精、去離子水各超聲清洗15min，得到清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極 玻璃基底；
[0102] (2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司）中，壓強(qiáng)為8Xl(T5Pa的 條件下，在清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電 子傳輸層、電子注入層和陰極；
[0103] 具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為W03，厚度為30nm ;空穴傳輸層的材質(zhì) 為NPB，厚度為40nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3,厚度為20nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen，厚度 為lOOnm ;電子注入層的材質(zhì)為L(zhǎng)iF，厚度為lnm ;陰極的材質(zhì)為Ag，厚度為150 ;
[0104] 其中，W03、LiF和Ag的蒸鍍速率為3nm/s，NPB、Alq3和Bphen的蒸鍍速率為0· 2nm/ s ；
[0105] 以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為：IT0/W03/NPB/ Alq3/Bphen/LiF/Ag。
[0106] 利用美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，色度計(jì)（日本柯尼卡美能達(dá) 公司，型號(hào)：CS-100A)測(cè)試亮度和色度，光纖光譜儀(美國(guó)海洋光學(xué)公司，型號(hào)：USB4000)測(cè) 試電致發(fā)光光譜。
[0107] 圖2是實(shí)施例1的有機(jī)電致發(fā)光器件與對(duì)比例的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與 電流效率的關(guān)系圖。其中，曲線(xiàn)1為實(shí)施例1的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率 的關(guān)系圖；曲線(xiàn)2為對(duì)比例提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖。
[0108] 從圖2中可以看到，在不同電流密度下，實(shí)施例1的電流效率都比對(duì)比例的要大， 實(shí)施例1的最大的電流效率為13. 25cd/A，而對(duì)比例的僅為10. 44cd/A，這說(shuō)明，本發(fā)明制備 的有機(jī)電致發(fā)光器件中，光能更有效地抵達(dá)導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底，具有較高的透過(guò)率和出光 效率。
[0109] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精 神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底、空穴注入 層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述陰極的材質(zhì)為鋅化合物、功 函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬和娃化合物按照質(zhì)量比1: (0. 5?2) : (1?5)混合形成 的混合材料，其中，所述鋅化合物為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅和氯化鋅中的一種，所述功函數(shù) 為-4. OeV?-5. 5eV的金屬為鋁、銀、鉬和金中的一種，所述硅化合物為一氧化硅、二氧化硅 和娃酸鈉中的一種。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底為銦 錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃和銦鋅氧化物玻璃中的一種。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為三 氧化鑰、三氧化鎢和五氧化二釩中的一種；空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，V -二 (p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷、4, 4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺和N，Ν'-二苯 基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺中的一種；發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲 基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4Η-吡喃、9, 10-二（β -萘基） 蒽、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯和8-羥基喹啉鋁中的一種；電子傳輸 層的材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2, 4-三唑衍生物和1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯 并咪唑-2-基）苯中的一種；電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫和氟化鋰中的一 種。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的材質(zhì)為鋅化合物、 功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬和娃化合物按照質(zhì)量比1: (1?2) : (3?5)混合形成的 混合材料。
5. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供清潔的導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底； 在所述導(dǎo)電陽(yáng)極玻璃基底上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子 傳輸層和電子注入層，所述熱阻蒸鍍的條件為壓強(qiáng)5 X ΚΓ5?2 X l(T3Pa，所述空穴注入層和 電子注入層的蒸鍍速率為1?l〇nm/S，所述空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的蒸鍍速率 為 0· 1 ?lnm/s ; 在所述電子注入層上制備陰極，所述陰極通過(guò)電子束蒸鍍制備，具體操作為將鋅化合 物、功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬和硅化合物按照質(zhì)量比1: (0. 5?2) : (1?5)混合 得到混合材料，其中，所述鋅化合物為氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅和氯化鋅中的一種，所述功函 數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬為鋁、銀、鉬和金中的一種，所述硅化合物為一氧化硅、二氧化 硅和硅酸鈉中的一種；將所述混合材料通過(guò)電子束蒸鍍?cè)谒鲭娮幼⑷雽由?，條件為能量 密度10?lOOW/cm 2,得到所述陰極； 以上步驟完成后，得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電陽(yáng)極玻 璃基底為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃和銦鋅氧化物玻璃中的一種。
7. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴注入 層的材質(zhì)為三氧化鑰、三氧化鎢和五氧化二釩中的一種；空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二 [4-[Ν，Ν'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷、4, 4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺和 Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺中的一種；發(fā)光層的材質(zhì)為 4-(二腈甲基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9, 10-二 (β-萘基)蒽、4,4'_雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，Γ-聯(lián)苯和8-羥基喹啉鋁中的一種； 電子傳輸層的材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2, 4-三唑衍生物和1，3, 5-三（1-苯 基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯中的一種；電子注入層的材質(zhì)為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫和氟化 鋰中的一種。
8.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，將所述鋅化合物、 功函數(shù)為-4. OeV?-5. 5eV的金屬和硅化合物按照質(zhì)量比1: (1?2) : (3?5)混合得到混 合材料。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104124359SQ201310143913
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2013年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月24日
【發(fā)明者】周明杰, 黃輝, 張振華, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司