專利名稱：雙色紅外探測器材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及材料領(lǐng)域，尤其涉及一種雙色紅外探測器材料及其制備方法。
背景技術(shù)：
紅外探測器由于其優(yōu)異的性能已經(jīng)廣泛應(yīng)用于預(yù)警衛(wèi)星、導(dǎo)彈探測、激光雷達(dá)、通信、夜視和紅外成像等方面，但是隨著現(xiàn)有的紅外探測器的不斷發(fā)展，紅外隱身技術(shù)也在不斷提高，通過使在特定波段上目標(biāo)與環(huán)境背景具有相似的發(fā)射率，從而導(dǎo)致紅外目標(biāo)對比度的下降，難以識別，所以目前的雙色紅外探測器材料還有待進(jìn)一步提高。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的分析，本發(fā)明旨在提供一種雙色紅外探測器材料及其制備方法，用以進(jìn)一步提聞雙色紅外探測器材料的分辨率。本發(fā)明的目的主要是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:一種雙色紅外探測器材料的制備方法，包括:對銻化銦晶體進(jìn)行預(yù)處理，所述銻化銦為InSb，得到外延級的InSb襯底；根據(jù)響應(yīng)波長設(shè)定銦鋁銻中的Al組分的參數(shù)，所述銦鋁銻為InAlSb，并在外延級的InSb襯底上依次進(jìn)行InAlSb的下電 極層、吸收層、勢壘層、中電極層、吸收層和上電極層的生長，其中，生長溫度為400-450°C，Sb/(In+Al)束流比設(shè)定為1.2_10。優(yōu)選地，所述響應(yīng)波長包括中波I波段和中波2波段，所述中波I波段對應(yīng)的波長范圍為3.4 4.0 μ m，所述中波2波段對應(yīng)的波長范圍為4.4 5.0 μ m。優(yōu)選地，根據(jù)響應(yīng)波長設(shè)定InAlSb中的Al組分的參數(shù)，并在外延級的InSb襯底上依次進(jìn)行InAlSb的下電極層、吸收層、勢壘層、中電極層、吸收層和上電極層生長的步驟包括如下:設(shè)InAlSb的公式為IrvxAlxSb,在外延級的InSb襯底上生長一層0.1 0.5 μ m厚的緩沖層InSb ；在緩沖層InSb進(jìn)行所述中波I波段對應(yīng)的膜層生長，所述中波I波段對應(yīng)的膜層包括IrvxlAlxlSb下電極層和IrvxlAlxlSb吸收層；所述中波I波段對應(yīng)的膜層生長完后，進(jìn)行Irvx3Alx3Sb勢壘層生長；最后進(jìn)行所述中波2波段對應(yīng)的膜層生長，所述中波2波段對應(yīng)的膜層包括In1-X2Alx2Sb中電極層、Irvx2Alx2Sb吸收層和Irvx2Alx2Sb上電極層；根據(jù)EgInl_xAlxSb=EgInSbX (l+10x)和 Eg=L 24/ λ c,計(jì)算出 In1^xAlxSb 在 InSb 探測器的工作溫度為80K對應(yīng)禁帶寬度Eglnsb=0.23eV時，X1的范圍為0.0348 0.0586, X2的范圍為0.0078 0.0225，X3的范圍為0.1 0.4。優(yōu)選地，所述IrvxlAlxlSb下電極層生長的厚度為0.5-3 μ m，η型摻雜濃度在2 X 1017-6 X IO18Cm 3cm 3 ；所述IrvxlAlxlSb吸收層生長的厚度0.5-6 μ m，不摻雜，濃度控制在2 X IO14-SXIOiW3 ；所述Irvx3Alx3Sb勢壘層生長的厚度為10_200nm，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ；所述Irvx2Alx2Sb中電極層生長的厚度為0.7-1 μ m，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ；所述Irvx2Alx2Sb吸收層生長的厚度2-4 μ m，不摻雜，濃度控制在2 X IO14-SXIOiW3 量級；所述Irvx2Alx2Sb上電極層生長的厚度為1_3 μ m，η型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3。優(yōu)選地,對InSb晶體進(jìn)行預(yù)處理,得到外延級的InSb襯底的步驟具體包括:使用提拉法制備2inch的InSb晶體，并定向切制InSb晶片；InSb (001)晶片經(jīng)過粗磨后，進(jìn)行割圓倒角，制備2inch的InSb襯底；InSb襯底經(jīng)過雙面磨拋、Sb面精磨后，再經(jīng)CP4液體處理1_10分鐘，并用去離子沖洗干凈，最后用干燥氮?dú)獯蹈?，制備成所述外延級的InSb襯底。優(yōu)選地，所述CP4液體的體積配比為:HNO3:HF:CH3COOH:去離子水=2:1:1: (5 20)。優(yōu)選地,對InSb晶體進(jìn)行預(yù)處理,得到外延級的InSb襯底的步驟之后,在外延級的InSb襯底上依次進(jìn)行InAlSb的下電極層、吸收層、勢壘層、中電極層、吸收層、上電極層的生長的步驟之前，進(jìn)一步包括:將所述外延級的InSb襯底裝入分子束外延系統(tǒng)的緩沖室內(nèi)進(jìn)行除氣處理，所述除氣處理的溫度為300°C，除氣時間為40-90min ；將除氣處理后的InSb襯底轉(zhuǎn)入生長室去除氧化層，去除氧化層的溫度為450-500°C左右，去除時間為30-60min。優(yōu)選地，去除氧化層的過程中，當(dāng)InSb襯底超過400°C后，通入Sb保護(hù)束流，Sb保護(hù)束流大小在IO-6Torr量級，并對去除氧化的效果進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測。本發(fā)明還提供了一種雙色紅外探測器材料，該雙色紅外探測器材料為根據(jù)上述任一種方法制得到，所述雙色紅外探測器材料依次包括=InSb襯底、IrvxlAlxlSb下電極層、IrvxlAlxlSb 吸收層、Irvx3Alx3Sb 勢壘層、Irvx2Alx2Sb 中電極層、Irvx2Alx2Sb 吸收層和In1-X2Alx2Sb 上電極層。 優(yōu)選地，所述IrvxlAlxlSb下電極層生長的厚度為0.5_3 μ m，η型摻雜濃度在2 X 1017-6 X IO18Cm 3cm 3 ；所述IrvxlAlxlSb吸收層生長的厚度0.5_6 μ m，不摻雜，濃度控制在2 X IO14-SXIOiW3 ；所述Irvx3Alx3Sb勢壘層生長的厚度為10_200nm，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ；所述Irvx2Alx2Sb中電極層生長的厚度為0.7_1 μ m，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ；所述Irvx2Alx2Sb吸收層生長的厚度2_4 μ m，不摻雜，濃度控制在2 X IO14-SXIOiW3 量級；
所述Irvx2Alx2Sb上電極層生長的厚度為1_3 μ m，η型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3。本發(fā)明有益效果如下:本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙色紅外探測器材料及其制備方法，通過根據(jù)響應(yīng)波長來設(shè)定InAlSb中的Al組分的參數(shù)，提高雙色紅外探測器材料的分辨率，從而使本發(fā)明的雙色紅外探測器材料能夠?qū)崿F(xiàn)對兩種不同的波長范圍同時進(jìn)行探測，大大減少了環(huán)境對雙色紅外探測器的探測限制，并提高了探測效果。本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在所寫的說明書、權(quán)利要求書、以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種雙色紅外探測器材料的制備方法的流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種雙色紅外探測器材料的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖來具體描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其中，附圖構(gòu)成本申請一部分，并與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于闡釋本發(fā)明的原理。為了清楚和簡化目的，當(dāng)其可能使本發(fā)明的主題模糊不清時，將省略本文所描述的器件中已知功能和結(jié)構(gòu)的詳細(xì)具體說明。本發(fā)明實(shí)施例中的InSb為銻化銦，InAlSb為銦鋁銻。實(shí)施例1本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙色紅外探測器材料的制備方法，如圖1所示，該方法包括:SlOl、根據(jù)響應(yīng)波長設(shè)定InAlSb中的Al組分的參數(shù)；所述響應(yīng)波長包括中波I波段和中波2波段，所述中波I波段對應(yīng)的波長范圍為
3.4 4.0 μ m，所述中波2波段對應(yīng)的波長范圍為4.4 5.0 μ m。S102、對InSb晶體進(jìn)行預(yù)處理，得到外延級的InSb襯底；對InSb晶體進(jìn)行預(yù)處理,得到外延級的InSb襯底的步驟具體包括:使用提拉法制備2inch (英寸)的InSb晶體，對InSb晶體定向切制(001)晶面的InSb晶片；InSb (001)晶片經(jīng)過粗磨后,進(jìn)行割圓倒角，制備2inch的InSb襯底；InSb襯底經(jīng)過雙面磨拋、Sb面精磨后，再經(jīng)CP4處理1_10分鐘，并用去離子沖洗干凈，最后用干燥氮?dú)獯蹈?，制備成所述外延級的InSb襯底。所述CP4的體積配比為:HNO3:HF:CH3COOH:去離子水=2:1:1: (5 20)。S103、將所述外延級的InSb襯底裝入分子束外延系統(tǒng)的緩沖室內(nèi)進(jìn)行除氣處理，所述除氣處理的溫度為300°C，除氣時間為40-90min。S104、將除氣處理后的InSb襯底轉(zhuǎn)入生長室去除氧化層，去除氧化層的溫度為450-500°C左右，去除時間為30-60min。去除氧化層的過程中，當(dāng)襯底超過400°C后，通入Sb保護(hù)束流，Sb保護(hù)束流大小在IO-6Torr量級，并通過高能電子衍射儀對去除氧化的效果進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測。S105、根據(jù)設(shè)定的InAlSb中的Al組分的參數(shù)，在外延級的InSb襯底上依次進(jìn)行InAlSb的下電極層、吸收層、勢壘層、中電極層、吸收層、上電極層的生長，其中，生長溫度為400-450°C, Sb/(In+Al)束流比設(shè)定為1.2-10，即V/III束流比設(shè)定為1.2-10，生長速率控制在 0.4-0.8 μ m/h0根據(jù)響應(yīng)波長設(shè)定InAlSb中的Al組分的參數(shù)，并在外延級的InSb襯底上依次進(jìn)行InAlSb的下電極層、吸收層、勢壘層、中電極層、吸收層、上電極層生長的步驟包括如下:設(shè)InAlSb的公式為IrvxAlxSb,在外延級的InSb襯底上生長一層0.1 0.5 μ m厚的緩沖層InSb ；在緩沖層InSb進(jìn)行所述中波I波段對應(yīng)的膜層生長，所述中波I波段對應(yīng)的膜層包括IrvxlAlxlSb下電極層和IrvxlAlxlSb吸收層；所述中波I波段對應(yīng)的膜層生長完后，進(jìn)行Irvx3Alx3Sb勢壘層生長；最后進(jìn)行所述中波2波段對應(yīng)的膜層生長，所述中波2波段對應(yīng)的膜層包括In1-X2Alx2Sb中電極層、Irvx2Alx2Sb吸收層和Irvx2Alx2Sb上電極層；根據(jù)EgInl_xAlxSb=EgInSbX (l+10x)和 Eg=L 24/ λ c,計(jì)算出 In1^xAlxSb 在 InSb 探測器的工作溫度為80K對應(yīng)禁帶寬度Eglnsb=0.23eV時，X1的范圍為0.0348 0.0586, X2的范圍為0.0078 0.0225，X3的范圍為0.1 0.4。其中，所述IrvxlAlxlSb下電極層`生長的厚度為0.5-3 μ m, η型摻雜濃度在2 X 1017-6 X IO18Cm 3cm 3 ；所述IrvxlAlxlSb吸收層生長的厚度0.5_6 μ m，不摻雜，濃度控制在2 X IO14-SXIOiW3 ；所述Irvx3Alx3Sb勢壘層生長的厚度為10_200nm，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ；所述Irvx2Alx2Sb中電極層生長的厚度為0.7_1 μ m，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ；所述Irvx2Alx2Sb吸收層生長的厚度2_4 μ m，不摻雜，濃度控制在2 X IO14-SXIOiW3 量級；所述Irvx2Alx2Sb上電極層生長的厚度為1_3 μ m，η型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3。雙色紅外探測器材料各層的位置關(guān)系如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙色紅外探測器材料的制備方法，通過根據(jù)響應(yīng)波長來設(shè)定InAlSb中的Al組分的參數(shù)，提高雙色紅外探測器材料的分辨率，從而使本發(fā)明實(shí)施例中的雙色紅外探測器材料能夠?qū)崿F(xiàn)對兩種不同的波長范圍同時進(jìn)行探測，大大減少了環(huán)境對雙色紅外探測器的探測限制，并提高了探測效果。實(shí)施例2本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙色紅外探測器材料，如圖2所示，該雙色紅外探測器材料為根據(jù)上述任一種方法得到的雙色紅外探測器材料，所述雙色紅外探測器材料依次包括:InSb 襯底、IrvxlAlxlSb 下電極層、IrvxlAlxlSb 吸收層、Irvx3Alx3Sb 勢魚層、Irvx2Alx2Sb 中電極層、Irvx2Alx2Sb吸收層和Irvx2Alx2Sb上電極層；其中，所述IrvxlAlxlSb下電極層生長的厚度為0.5_3 μ m，η型摻雜濃度在
2X 1017-6 X IO18Cm 3cm 3 ；所述Inl_xlAlxlSb吸收層生長的厚度0.5-6 μ m，不摻雜，濃度控制在2 X IO14-SXIOiW3 ；所述Irvx3Alx3Sb勢壘層生長的厚度為10_200nm，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ；所述Irvx2Alx2Sb中電極層生長的厚度為0.7_1 μ m，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ；所述Irvx2Alx2Sb吸收層生長的厚度2_4 μ m，不摻雜，濃度控制在2 X IO14-SXIOiW3 量級；所述Irvx2Alx2Sb上電極層生長的厚度為1_3 μ m，η型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3。根據(jù)EgInl_xAlxSb=EgInSbX (l+10x)和 Eg=L 24/ λ c,計(jì)算出 In1^xAlxSb 在 InSb 探測器的工作溫度為80K對應(yīng)禁帶寬度Eglnsb=0.23eV時，X1的范圍為0.0348 0.0586, X2的范圍為0.0078 0.0225，X3的范圍為0.1 0.4。綜上所述，本 發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙色紅外探測器材料及其制備方法，通過根據(jù)響應(yīng)波長來設(shè)定InAlSb中的Al組分的參數(shù)，提高雙色紅外探測器材料的分辨率，從而使本發(fā)明實(shí)施例中的雙色紅外探測器材料能夠?qū)崿F(xiàn)對兩種不同的波長范圍同時進(jìn)行探測，大大減少了環(huán)境對雙色紅外探測器的探測限制，并提高了探測效果。以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種雙色紅外探測器材料的制備方法，其特征在于，包括: 對銻化銦晶體進(jìn)行預(yù)處理，所述銻化銦為InSb，得到外延級的InSb襯底； 根據(jù)響應(yīng)波長設(shè)定銦鋁銻中的Al組分的參數(shù)，所述銦鋁銻為InAlSb，并在外延級的InSb襯底上依次進(jìn)行InAlSb的下電極層、吸收層、勢壘層、中電極層、吸收層和上電極層的生長，其中，生長溫度為400-450°C，Sb/(In+Al)束流比設(shè)定為1.2_10。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述響應(yīng)波長包括中波I波段和中波2波段，所述中波I波段對應(yīng)的波長范圍為3.4 4.0 μ m,所述中波2波段對應(yīng)的波長范圍為4.4 5.0 μ m0
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，根據(jù)響應(yīng)波長設(shè)定InAlSb中的Al組分的參數(shù)，并在外延級的InSb襯底上依次進(jìn)行InAlSb的下電極層、吸收層、勢壘層、中電極層、吸收層和上電極層生長的步驟包括如下: 設(shè)InAlSb的公 式為IrvxAlxSb,在外延級的InSb襯底上生長一層0.1 0.5μ m厚的緩沖層InSb ； 在緩沖層InSb進(jìn)行所述中波I波段對應(yīng)的膜層生長，所述中波I波段對應(yīng)的膜層包括IrVxlAlxlSb下電極層和IrvxlAlxlSb吸收層； 所述中波I波段對應(yīng)的膜層生長完后，進(jìn)行Irvx3Alx3Sb勢壘層生長； 最后進(jìn)行所述中波2波段對應(yīng)的膜層生長，所述中波2波段對應(yīng)的膜層包括In1-X2Alx2Sb中電極層、Irvx2Alx2Sb吸收層和Irvx2Alx2Sb上電極層；根據(jù) EgInl_xAlxSb=EgInSbX (l+10x)和 Eg=L 24/ λ c,計(jì)算出 In1^xAlxSb 在 InSb 探測器的工作溫度為80K對應(yīng)禁帶寬度Eglnsb=0.23eV時，X1的范圍為0.0348 0.0586, X2的范圍為0.0078 0.0225，X3 的范圍為 0.1 0.4。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于， 所述IrvxlAlxlSb下電極層生長的厚度為0.5-3 μ m, η型摻雜濃度在2 X 1017-6 X IO18Cm 3cm 3 ； 所述IrvxlAlxlSb吸收層生長的厚度0.5-6 μ m，不摻雜，濃度控制在2 X IO14-SXIOiW3 ； 所述Irvx3Alx3Sb勢壘層生長的厚度為10-200nm，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ； 所述Irvx2Alx2Sb中電極層生長的厚度為0.7-1 μ m，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ； 所述Irvx2Alx2Sb吸收層生長的厚度2-4 μ m,不摻雜，濃度控制在2 X 1014-5 X IO16CnT3量級； 所述Irvx2Alx2Sb上電極層生長的厚度為1-3 μ m，η型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對InSb晶體進(jìn)行預(yù)處理，得到外延級的InSb襯底的步驟具體包括: 使用提拉法制備2inch的InSb晶體,并定向切制InSb晶片； InSb (001)晶片經(jīng)過粗磨后,進(jìn)行割圓倒角，制備2inch的InSb襯底； InSb襯底經(jīng)過雙面磨拋、Sb面精磨后，再經(jīng)CP4液體處理1_10分鐘，并用去離子沖洗干凈，最后用干燥氮?dú)獯蹈?，制備成所述外延級的InSb襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述CP4液體的體積配比為:HNO3:HF:CH3COOH:去離子水=2:1:1: (5 20)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對InSb晶體進(jìn)行預(yù)處理，得到外延級的InSb襯底的步驟之后，在外延級的InSb襯底上依次進(jìn)行InAlSb的下電極層、吸收層、勢壘層、中電極層、吸收層、上電極層的生長的步驟之前，進(jìn)一步包括: 將所述外延級的InSb襯底裝入分子束外延系統(tǒng)的緩沖室內(nèi)進(jìn)行除氣處理，所述除氣處理的溫度為300°C，除氣時間為40-90min ； 將除氣處理后的InSb襯底轉(zhuǎn)入生長室去除氧化層，去除氧化層的溫度為450-500°C左右，去除時間為30-60min。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于， 去除氧化層的過程中，當(dāng)InSb襯底超過400°C后，通入Sb保護(hù)束流，Sb保護(hù)束流大小在IO-6Torr量級，并對去除氧化的效果進(jìn)行實(shí)時監(jiān)測。
9.一種雙色紅外探測器材料，其特征在于，根據(jù)上述任一種方法得到的雙色紅外探測器材料，所述雙色紅外探測器材料依次包括=InSb襯底、IrvxlAlxlSb下電極層、IrvxlAlxlSb吸收層、IiVx3Alx3Sb勢壘層、Irvx2Alx2Sb中電極層、Irvx2Alx2Sb吸收層和Irvx2Alx2Sb上電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的雙色紅外探測器材料，其特征在于， 所述IrvxlAlxlSb下電極層生長的厚度為0.5-3 μ m, η型摻雜濃度在2X 1017-6 X IO18Cm 3cm 3 ； 所述IrvxlAlxlSb吸收層生長的厚度0.5-6 μ m，不摻雜，濃度控制在2 X IO14-SXIOiW3 ； 所述Irvx3Alx3Sb勢壘層生長的厚度為10-200nm，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ； 所述Irvx2Alx2Sb中電極層生長的厚度為0.7-1 μ m，P型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3 ； 所述Irvx2Alx2Sb吸收層生長的厚度2-4 μ m,不摻雜，濃度控制在2 X 1014-5 X IO16CnT3量級； 所述Irvx2Alx2Sb上電極層生長的厚度為1-3 μ m，η型摻雜，摻雜濃度在2X1017-6X1018cm_3。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種雙色紅外探測器材料及其制備方法，包括對銻化銦晶體進(jìn)行預(yù)處理，所述銻化銦為InSb，得到外延級的InSb襯底；根據(jù)響應(yīng)波長范圍設(shè)定銦鋁銻中的Al組分的參數(shù)，所述銦鋁銻為InAlSb，并在外延級的InSb襯底上依次進(jìn)行InAlSb的下電極層、吸收層、勢壘層、中電極層、吸收層、上電極層的生長，其中，生長溫度為400-450℃，Sb/(In+Al)束流比設(shè)定為1.2-10。本發(fā)明的雙色紅外探測器材料能夠?qū)崿F(xiàn)對兩種不同的波長范圍同時進(jìn)行探測，大大減少了環(huán)境對雙色紅外探測器的探測限制，并提高了探測效果。
文檔編號H01L31/18GK103208565SQ20131013403
公開日2013年7月17日 申請日期2013年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月17日
發(fā)明者劉銘, 鞏鋒, 程鵬, 王經(jīng)緯, 邢偉榮 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第十一研究所