包括保護環(huán)的半導(dǎo)體器件以及相關(guān)的半導(dǎo)體系統(tǒng)相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2012年4月6日提交的韓國專利申請第10-2012-0036187號的優(yōu)先權(quán)，其公開通過引用整體結(jié)合于此。技術(shù)領(lǐng)域本公開涉及包括保護環(huán)的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：
半導(dǎo)體系統(tǒng)，諸如片上系統(tǒng)（SOC）、微控制器單元（MCU）、顯示驅(qū)動器IC（DDI）、或電源管理IC（PMIC），可以包括處理器、存儲器、和/或多個外圍設(shè)備，如邏輯電路、語音和圖像處理電路、和/或各種接口電路。同時，半導(dǎo)體系統(tǒng)可以包括傳送功率的功率晶體管。然而，功率晶體管中的寄生雙極晶體管（例如，NPN晶體管或寄生PNP晶體管）可以提供寄生電流，該寄生電流導(dǎo)致在其它電路塊上的噪聲，并且可能產(chǎn)生閉鎖（latch-up）（例如，電流漏泄和/或電路故障）。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例，提供了半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體器件可以包括在襯底上的晶體管。晶體管可以包括柵極電極、源極電極、以及漏極電極。半導(dǎo)體器件可以包括在與晶體管相鄰的襯底中的第一傳導(dǎo)類型的第一保護環(huán)。半導(dǎo)體器件可以包括在與第一保護環(huán)相鄰的襯底中的與第一傳導(dǎo)類型不同的（例如，相反的）第二傳導(dǎo)類型的第二保護環(huán)。第一保護環(huán)可以被配置為接收偏壓。第二保護環(huán)可以被配置為接收與第一保護環(huán)相同的（例如，等效的）偏壓。源極電極和漏極電極中的至少一個可以被配置為接收與第一保護環(huán)和第二保護環(huán)相同的（例如，等效的）偏壓。在各種實施例中，半導(dǎo)體器件可以包括離第二保護環(huán)比離第一保護環(huán)更近的第一傳導(dǎo)類型的第三保護環(huán)。第一保護環(huán)的偏壓可以是第一偏壓。第三保護環(huán)可以被配置為接收不同于第一偏壓的第二偏壓。根據(jù)各種實施例，第一偏壓可以是地電壓和電源電壓（powervoltage）中的一個，第二偏壓可以是地電壓和電源電壓中的另一個。在各種實施例中，第一保護環(huán)可以形成圍繞晶體管的邊界（perimeter），而第二保護環(huán)可以形成圍繞第一保護環(huán)的邊界。根據(jù)各種實施例，襯底可以包括傳導(dǎo)類型各自不同的（例如，相反的）基底（basesubstrate）和外延層。第一保護環(huán)的一部分與基底的一部分可以彼此重疊。在各種實施例中，半導(dǎo)體器件可以包括在襯底中在第二保護環(huán)以下的第二傳導(dǎo)類型的埋置層，從而第二保護環(huán)的一部分和埋置層的一部分彼此重疊。根據(jù)各種實施例，第一保護環(huán)在襯底中的深度可以大于第二保護環(huán)的深度。在各種實施例中，晶體管可以包括N型橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管。偏壓可以是地電壓。源極電極可以包括分別在漏極電極的相對側(cè)的第一源極電極和第二源極電極。在一些實施例中，第一保護環(huán)可以離源極電極比離漏極電極更近。根據(jù)各種實施例，晶體管可以包括P型橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管。偏壓可以是電源電壓。源極電極可以包括分別在漏極電極的相對側(cè)的第一源極電極和第二源極電極。在一些實施例中，第一保護環(huán)可以離源極電極比離漏極電極更近。在各種實施例中，晶體管可以包括N型橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管。偏壓可以是電源電壓。漏極電極可以包括第一漏極電極和第二漏極電極。源極電極可以在第一漏極電極和第二漏極電極之間。在一些實施例中，第一保護環(huán)可以離漏極電極比離源極電極更近。根據(jù)各種實施例的半導(dǎo)體器件可以包括晶體管和形成圍繞晶體管的邊界并被配置為接收第一偏壓的第一傳導(dǎo)類型的第一保護環(huán)。半導(dǎo)體器件可以包括形成圍繞第一保護環(huán)的邊界并被配置為接收第一偏壓的第二傳導(dǎo)類型的第二保護環(huán)，第二傳導(dǎo)類型不同于（例如，相反的）第一傳導(dǎo)類型。所述半導(dǎo)體器件可以包括形成圍繞第二保護環(huán)的邊界并被配置為接收不同于第一偏壓的第二偏壓的第一傳導(dǎo)類型的第三保護環(huán)。在各種實施例中，晶體管可以包括N型橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管。第二偏壓可以大于第一偏壓。晶體管可以包括被配置為接收第一偏壓的源極電極。根據(jù)各種實施例中，晶體管可以包括N型橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管。第一偏壓可以大于第二偏壓。晶體管可以包括被配置為接收第一偏壓的漏極電極。在各種實施例中，晶體管可以包括P型橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管。第一偏壓可以大于第二偏壓。在一些實施例中，第一偏壓可以是電源電壓，而第二偏壓可以是地電壓。一些實施例提供了晶體管可以包括被配置為接收第一偏壓的源極電極。根據(jù)各種實施例的半導(dǎo)體器件可以包括襯底以及在襯底上并被配置為通過載流子的移動傳送信號的橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管。半導(dǎo)體器件可以包括在襯底中并且形成圍繞晶體管的邊界的第一保護環(huán)。半導(dǎo)體器件可以包括在襯底中并且形成圍繞第一保護環(huán)的邊界的第二保護環(huán)。半導(dǎo)體器件可以包括在襯底中并且形成圍繞第二保護環(huán)的邊界的第三保護環(huán)。第二保護環(huán)的電勢電平可以不同于第一保護環(huán)和第三保護環(huán)各自的電勢電平。第二保護環(huán)可以被配置為提供阻止載流子從第一保護環(huán)向第三保護環(huán)移動的勢壘。根據(jù)各種實施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)可以包括柵極驅(qū)動器和連接到柵極驅(qū)動器并由柵極驅(qū)動器控制的功率級（powerstage）。功率級可以包括串聯(lián)連接的第一晶體管和第二晶體管、第一傳導(dǎo)類型的第一保護環(huán)、以及第二傳導(dǎo)類型的第二保護環(huán)。第一保護環(huán)可以形成圍繞第一晶體管的邊界，第二保護環(huán)可以形成圍繞第一保護環(huán)的邊界，而第一保護環(huán)和第二保護環(huán)可以被配置為接收相同的（例如，相等的）偏壓。在各種實施例中，偏壓可以是第一偏壓。功率級可以包括第一傳導(dǎo)類型的第三保護環(huán)。第三保護環(huán)可以形成圍繞第二保護環(huán)的邊界，并且可以被配置為接收不同于第一偏壓的第二偏壓。根據(jù)各種實施例，柵極驅(qū)動器可以包括第一柵極驅(qū)動器。半導(dǎo)體系統(tǒng)可以包括第二柵極驅(qū)動器。功率級可以包括第一功率級。半導(dǎo)體系統(tǒng)可以包括連接到第二柵極驅(qū)動器并由第二柵極驅(qū)動器控制的第二功率級。第二功率級可以包括串聯(lián)連接的第三晶體管和第四晶體管以及傳導(dǎo)類型各自不同的（例如，相反的）第三保護環(huán)和第四保護環(huán)。第三保護環(huán)可以形成圍繞第三晶體管的邊界。第四保護環(huán)可以形成圍繞第三保護環(huán)的邊界。第三保護環(huán)和第四保護環(huán)的每一個可以被配置為接收相同的（例如，相等的）偏壓。在各種實施例中，半導(dǎo)體系統(tǒng)可以包括電感器，該電感器包括第一端和第二端，第一端連接到第一功率級的輸出端，而第二端連接到第二功率級的輸出端。根據(jù)各種實施例，半導(dǎo)體系統(tǒng)可以包括電源管理IC（PMIC）。根據(jù)各種實施例的半導(dǎo)體設(shè)備可以包括第一傳導(dǎo)類型的第一保護環(huán)，第一保護環(huán)在襯底上形成圍繞晶體管的邊界，并被配置為提供第一電勢電平。半導(dǎo)體設(shè)備可以包括形成第二傳導(dǎo)類型的第二保護環(huán)，第二傳導(dǎo)類型不同于（例如，相反的）第一傳導(dǎo)類型，第二保護環(huán)形成圍繞第一保護環(huán)的邊界，并被配置為提供不同于第一電勢電平的第二電勢電平。在各種實施例中，第一保護環(huán)和第二保護環(huán)可以被配置為同時地接收相同的（例如，相等的）偏壓。根據(jù)各種實施例，半導(dǎo)體器件可以包括第一傳導(dǎo)類型的第三保護環(huán)，第三保護環(huán)形成圍繞第二保護環(huán)的邊界，并被配置為接收與第一保護環(huán)和第二保護環(huán)被配置為接收的偏壓不同的偏壓。在各種實施例中，半導(dǎo)體器件可以包括在襯底與第一保護環(huán)和第二保護環(huán)之間的第二傳導(dǎo)類型的埋置層。根據(jù)各種實施例，第二保護環(huán)在襯底中可以具有比第一保護環(huán)在襯底中的深度更淺的深度。附圖說明考慮附圖和所附詳細描述，本公開的上述和其它特征和優(yōu)點將變得更加清晰。圖1是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的電路圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的圖1的半導(dǎo)體器件的示例的框圖。圖3到圖5是示出根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的圖1的半導(dǎo)體器件的操作的框圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖7是沿圖6的線C-C′的截面圖。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的圖7的半導(dǎo)體器件的操作的電勢圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的圖10的半導(dǎo)體器件的操作的電勢圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖15是示出根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的圖14的半導(dǎo)體器件的操作的電勢圖。圖16是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖17是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。圖18是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)的框圖。圖19是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)的框圖。圖20和圖21是用于解釋根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)的示意圖。具體實施方式以下參考附圖描述示例實施例。許多不同的形式和實施例都是可能的，而不偏離本公開的精神和教導(dǎo)，因此本公開不應(yīng)被理解為限制在這里所闡述的示例實施例。而是，這些示例實施例被提供從而本公開將是全面的和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達公開的范圍。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)域的大小以及相對大小可以被擴大。相同的參考標號始終指代相同的元素。這里所使用的術(shù)語僅僅是為了描述特定的實施例的目的，而不是意圖限制所述實施例。如這里所使用的，單數(shù)形式“一”、“該”意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非在上下文中清楚地另外指出。還應(yīng)當理解，術(shù)語“包括”、“包含”和/或“含有”，當在這里的說明書中使用時，說明存在所述特征、步驟、操作、元素、和/或組件，但是并不排除一個或多個其它的特征、步驟、操作、元素、組件、和/或它們的組的存在或添加。將理解，當一個元素被稱為“耦合”、“連接”、“響應(yīng)于”另一個元素或“在（另一個元素）之上”，其可以直接耦合、連接、或響應(yīng)于另一個元素或直接在另一個元素之上，或者也可以存在插入其間的元素。相反，當元素被稱為“直接耦合”、“直接連接”、“直接響應(yīng)于”另一個元素或“直接在（另一個元素）之上”時，則不存在插入其間的元素。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)聯(lián)的列出的項目的任何以及全部的組合。應(yīng)當理解，雖然術(shù)語“第一”、“第二”等可以在這里用來描述各種元素，但是這些元素不應(yīng)被這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語只有用來區(qū)分一個元素與另一個元素。因此，“第一”元素可以被命名為“第二”元素而不脫離本實施例的教導(dǎo)?？臻g相對術(shù)語，如“下面”、“以下”、“更低”、“以上”、“上面”等等，可以在這里用來方便進行描述，以便描述如附圖中所示的一個元素或特征與另一個（多個）元素或特征的關(guān)系。將理解，除了在附圖中描繪的朝向以外，空間相對術(shù)語也意圖包含所使用或操作的設(shè)備的不同的朝向。例如，如果附圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)（turnover），則被描述為在其它元素或特征“以下”或“下面”的元素將朝向其它元素或特征的“以上”。因此，示范性術(shù)語“以下”可以包含全部以上和以下的朝向。該設(shè)備也可以另外朝向（旋轉(zhuǎn)90度或其它方向），并且可以因此解釋這里所使用的空間相對描述符。這里參考作為示例實施例的理想化實施例（以及中間結(jié)構(gòu)）的示意圖的截面圖來描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例。同樣地，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果的與例示形狀的偏差是可能發(fā)生的。因此，本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例不應(yīng)被解釋為限制在這里所例示的區(qū)域的特定性狀，而是包括由制造導(dǎo)致的形狀上的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域（implantedregion）可以具有圓的或彎曲的特征和/或在其邊緣具有注入濃度（implantconcentration）的斜率（gradient），而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入（non-implanted）區(qū)域的二元變化。同樣地，通過注入（implantation）形成的埋置層可能導(dǎo)致在埋置層與通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，附圖中例示的區(qū)域本質(zhì)是示意性的，并且它們的形狀并不意圖例示設(shè)備區(qū)域的實際形狀，而且并不意圖限制示例實施例的范圍。除非另外定義，這里使用的所有術(shù)語（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語）具有本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。還應(yīng)當理解，諸如那些在通常使用的字典中定義的術(shù)語應(yīng)當被解釋為具有與它們在相關(guān)技術(shù)和/或本說明書的上下文中的含義一致的含義，并且除非在這里明確地定義，將不會被理想化地或過度形式化地解釋。圖1到圖5示出了根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件。具體來講，根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例，圖1是半導(dǎo)體器件的電路圖，圖2是圖1的半導(dǎo)體器件的示例的框圖，而圖3到圖5示出了圖1的半導(dǎo)體器件的操作。雖然半導(dǎo)體器件可以是DC-DC（直流-直流）變換器，但是本公開不限于此。而且，雖然圖1顯示了全橋功率級（fullbridgepowerstage），但是本公開不限于此。例如，可以使用半橋開關(guān)調(diào)節(jié)器。參考圖1，根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件100可以包括第一柵極驅(qū)動器10、第二柵極驅(qū)動器20、第一功率級40、以及第二功率級50。第一功率級40可以連接到第一柵極驅(qū)動器10并且可以由第一柵極驅(qū)動器10控制。第一功率級40可以包括第一晶體管MP1和第二晶體管MN1?？梢宰鳛樯侠w管操作的第一晶體管MP1可以連接在電源電壓VDD和第一輸出節(jié)點A之間，并且可以是第一傳導(dǎo)類型（例如，P型）的橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管。替換地，第一晶體管MP1可以是第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的橫向雙擴散MOS（LDMOS）晶體管，其還可以被稱為高側(cè)（high-side）N型LDMOS晶體管?？梢宰鳛橄吕w管操作的第二晶體管MN1可以連接在第一輸出節(jié)點A和地電壓VSS之間，并且可以是第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的LDMOS晶體管。如圖1中所示，第一寄生二極管D1可以連接到第一晶體管MP1，而第二寄生二極管D2可以連接到第二晶體管MN1。當?shù)谝痪w管MP1和第二晶體管MN1被截止時，第一寄生二極管D1和第二寄生二極管D2可以操作。第二功率級50可以連接到第二柵極驅(qū)動器20并且可以由第二柵極驅(qū)動器20控制。第二功率級50可以包括串聯(lián)連接的第三晶體管MP2和第四晶體管MN2?？梢宰鳛樯侠w管操作的第三晶體管MP2可以連接在電源電壓VDD和第二輸出節(jié)點B之間，并且可以是第一傳導(dǎo)類型（例如，P型）的LDMOS晶體管。替換地，第三晶體管MP2可以是第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的LDMOS晶體管，其還可以被稱為高側(cè)N型LDMOS晶體管。可以作為下拉晶體管操作的第四晶體管MN2可以連接在第二輸出節(jié)點B和地電壓VSS之間，并且可以是第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的LDMOS晶體管。如圖1中所示，第三寄生二極管D3可以連接到第三晶體管MP2，而第四寄生二極管D4可以連接到第四晶體管MN2。當?shù)谌w管MP2和第四晶體管MN2被截止時，第三寄生二極管D3和第四寄生二極管D4可以操作。寄生雙極晶體管（例如，寄生NPN晶體管或寄生PNP晶體管）可以包括在半導(dǎo)體器件100中。另外或者替換地，電感器30可以連接在第一輸出節(jié)點A和第二輸出節(jié)點B之間?，F(xiàn)在參考圖2，第一功率級40和第二功率級50可以實現(xiàn)為一個（例如，單一的/單獨的）半導(dǎo)體芯片。在一些實施例中，電感器30可以不包括在所實現(xiàn)的半導(dǎo)體芯片中。一些實施例提供了，第一柵極驅(qū)動器10、第二柵極驅(qū)動器20、第一功率級40、以及第二功率級50可以實現(xiàn)為一個半導(dǎo)體芯片。圖3到圖5示出了根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件100的操作。參考圖3，例如，第一晶體管MP1和第四晶體管MN2可以被導(dǎo)通，而第二晶體管MN1和第三晶體管MP2可以被截止。因此，生成流過第一晶體管MP1、電感器30、以及第四晶體管MN2的電流I1。電感器30傾向于維持電流電平。在圖3中示出的操作之后，可以操作第一寄生二極管D1到第四寄生二極管D4中的至少一個。例如，圖4顯示了在圖3中示出的操作之后只有第四晶體管MN2被導(dǎo)通的狀態(tài)。為了維持流過電感器30的電流，第二寄生二極管D2被導(dǎo)通。因此，生成流過第二寄生二極管D2、電感器30、以及第四晶體管MN2的電流I2。在另一個示例中，圖5顯示了在圖3中示出的操作之后只有第一晶體管MP1被導(dǎo)通的狀態(tài)。為了維持流過電感器30的電流，第三寄生二極管D3被導(dǎo)通。因此，生成流過第一晶體管MP1、電感器30、以及第三寄生二極管D3的電流I3。同時，當?shù)谝患纳O管D1到第四寄生二極管D4中的至少一個被導(dǎo)通時，寄生雙極晶體管也可以被導(dǎo)通。如果寄生雙極晶體管被導(dǎo)通，電流可能以不希望的方向流過寄生雙極晶體管。換句話說，流過寄生雙極晶體管的電流可以影響附近/相鄰電路元件/塊。然而，根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件100可以包括阻擋流過寄生雙極晶體管的電流的保護環(huán)。因此，可以達成半導(dǎo)體器件100的穩(wěn)定操作。例如，半導(dǎo)體器件100可以通過降低寄生雙極晶體管的增益來穩(wěn)定地操作。根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例，圖6是半導(dǎo)體器件1的平面圖，圖7是沿圖6的C-C′線的截面圖，而圖8是半導(dǎo)體器件1的操作的電勢圖。參考圖6和圖7，半導(dǎo)體器件1可以包括第一區(qū)域I、第二區(qū)域II、以及第三區(qū)域III。LDMOS晶體管可以形成在第一區(qū)域I（例如，晶體管形成區(qū)域）中。例如，第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的LDMOS晶體管可以形成在第一區(qū)域I中。第三區(qū)域III可以包括靠近（例如，相鄰）第一區(qū)域I的阻擋區(qū)域（blockregion）。第二區(qū)域II是第一區(qū)域I和第三區(qū)域III之間的區(qū)域，并且保護環(huán)162、153和163可以形成在第二區(qū)域II中。參考圖7，襯底110和120可以包括第一傳導(dǎo)類型（例如，P型）的基底110和第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的外延層120。例如，基底110可以包括硅襯底、砷化鎵襯底、硅鍺襯底、陶瓷襯底、石英襯底、用于顯示器的玻璃襯底、或絕緣體上半導(dǎo)體（SOI）襯底。作為具有不同/相反傳導(dǎo)類型的基底110和外延層120的替換，在一些實施例中，外延層120可以具有與基底110相同的傳導(dǎo)類型。第一傳導(dǎo)類型（例如，P型）的第一埋置層131、132、133和134和第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的第二埋置層142可以形成在襯底110和120中。例如，第一埋置層131和132可以形成在第一區(qū)域I中，第一埋置層133和134可以形成在第二區(qū)域II中，而第二埋置層142可以形成在第三區(qū)域III中。第一埋置層131、132、133和134也可以形成在基底110和外延層120之間的分界線（boundary）處。換句話說，第一埋置層131、132、133和134和第二埋置層142的一些部分（例如，下部）可以形成在基底110中，而剩余部分（例如，上部）可以形成在外延層120中。例如，第一埋置層131、132、133和134和第二埋置層142可以形成在基底110上，外延層120可以形成在襯底110上，而第一埋置層131、132、133和134和第二埋置層142可以通過隨后的退火過程（annealingprocess）擴散到基底110和外延層120中。第一傳導(dǎo)類型的沉陷（Sinks）151和152可以形成在基底110和120的第一區(qū)域I中，并且第二傳導(dǎo)類型的深阱（deepwell）161可以形成。如圖7中所示，沉陷151和152可以分別接觸（例如，物理接觸）第一埋置層131和132。因此，沉陷151和152的部分可以分別與第一埋置層131和132的部分重疊。另外或者替換地，第一保護環(huán)162可以重疊襯底110的一部分。第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的LDMOS晶體管可以包括柵極電極211和212、漏極電極201、以及源極電極202和203。在根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件1中使用的N型LDMOS晶體管可以是低側(cè)（low-side）N型LDMOS晶體管。如這里所描述的，“低側(cè)”LDMOS晶體管可以參考下拉晶體管（例如，圖1中示出的下拉晶體管）。在一些實施例中，漏極電極201可以形成在第二傳導(dǎo)類型的漂移區(qū)171中，而漂移區(qū)171可以形成在深阱161中。漏極電極201可以包括比漂移區(qū)171更高濃度的第二傳導(dǎo)類型摻雜物（dopants）。而且，漂移區(qū)171可以保護用于高壓的擊穿電壓（breakdownvoltage，BV）。源極電極202和203可以形成在第一傳導(dǎo)類型的主體181和182中。漏極電極201可以連接到輸出節(jié)點，并且源極電極202和203可以連接到第一偏壓BIAS1。第一偏壓BIAS1可以是地電壓VSS，但是不限于此。如圖7中所示，在第二傳導(dǎo)類型的LDMOS晶體管中，源極電極202和203可以布置在漏極電極201的相對側(cè)（例如，分別布置在左側(cè)和右側(cè)），這可以提高LDMOS晶體管的電流驅(qū)動容量（currentdrivingcapacity）。第一傳導(dǎo)類型的歐姆接觸（ohmiccontacts）191和192可以是被施加第一偏壓BIAS1的部分，并且可以靠近（例如，相鄰）LDMOS晶體管的源極電極202和203形成。如這里所描述的，第三區(qū)域III可以是靠近第一區(qū)域I的阻擋區(qū)域。如圖7中所示，第二傳導(dǎo)類型的阱164可以形成在襯底110和120的第三區(qū)域III中，但是不限于此。第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的第一保護環(huán)162、第一傳導(dǎo)類型（例如，P型）的第二保護環(huán)153、以及第二傳導(dǎo)類型的第三保護環(huán)163可以形成在襯底110和120的第二區(qū)域II中。第二傳導(dǎo)類型的歐姆接觸202可以形成在第一保護環(huán)162上，第一傳導(dǎo)類型的歐姆接觸193可以形成在第二保護環(huán)153上，而第二傳導(dǎo)類型的歐姆接觸204可以形成在第三保護環(huán)163上。如這里所描述的，N型傳導(dǎo)率可以稱為“相反的”P型傳導(dǎo)率，反之亦然。第一保護環(huán)162可以靠近（例如，相鄰）LDMOS晶體管形成，第二保護環(huán)153可以靠近（例如，相鄰）第一保護環(huán)162形成，而第三保護環(huán)163可以靠近（例如，相鄰）第二保護環(huán)153形成。如圖6中所示，在其中形成LDMOS晶體管的襯底110和120中，第一保護環(huán)162可以環(huán)繞第一區(qū)域I（例如，圍繞第一區(qū)域I形成邊界），并且第一偏壓BIAS1可以被施加到第一保護環(huán)162。在襯底110和120中，第二保護環(huán)153可以環(huán)繞第一保護環(huán)162（例如，圍繞第一保護環(huán)162形成邊界），并且第一偏壓BIAS1可以被施加到第二保護環(huán)153。在襯底110和120中，第三保護環(huán)163可以環(huán)繞第二保護環(huán)153（例如，圍繞第二保護環(huán)153形成邊界），并且第二偏壓BIAS2（其可以不同于第一偏壓BIAS1）可以被施加到第三保護環(huán)163。同時，參考圖7，給定N型LDMOS晶體管，第二偏壓BIAS2可以大于第一偏壓BIAS1。例如，第二偏壓BIAS2可以是電源電壓VDD，第一偏壓BIAS1可以是地電壓VSS，但是本發(fā)明概念的一些方面不限于此。此外，第一偏壓BIAS1可以被施加到N型LDMOS晶體管的源極電極202和203。換句話說，第一偏壓BIAS1（即，相同/等效偏壓）可以被同時施加到源極電極202和203、第一保護環(huán)162、以及第二保護環(huán)153。然而，相同偏壓不必被施加到N型LDMOS晶體管源極電極202和203、第一保護環(huán)162、以及第二保護環(huán)153。此外，第一保護環(huán)162的深度和第二保護環(huán)153的深度可以基本上相同，但是本發(fā)明概念的一些方面不限于此。例如，第一保護環(huán)162的深度可以大于第二保護環(huán)153的深度。第一保護環(huán)162或第二保護環(huán)153的深度可以根據(jù)處理條件或操作特性來調(diào)整。同時，第二傳導(dǎo)類型的深阱161、第一傳導(dǎo)類型的主體182（或沉陷152）、以及第一保護環(huán)162可以構(gòu)成寄生雙極晶體管。當相應(yīng)的寄生二極管（例如，圖1中示出的寄生二極管D1到D4中的至少一個）被導(dǎo)通時，寄生雙極晶體管可以被導(dǎo)通。因此，如果寄生雙極晶體管被導(dǎo)通，載流子（例如，電荷）可以通過寄生雙極晶體管從漏極電極201移動到靠近（例如，相鄰）的塊/元件。換句話說，由于寄生雙極晶體管，載流子（例如，電荷）可以從第一區(qū)域I移動到第三區(qū)域III。然而，第一保護環(huán)162、第二保護環(huán)153、以及第三保護環(huán)163可以位于第一區(qū)域I和第三區(qū)域III之間，從而阻擋了移動的載流子。電荷可以在由第一保護環(huán)162和第二保護環(huán)153生成的耗盡區(qū)中捕獲。另外，為了將經(jīng)過耗盡區(qū)的電荷提取到外部的目的而提供了第三保護環(huán)163。參考圖7，第一保護環(huán)162和第二保護環(huán)153可以被布置得離源極電極203比離漏極電極201更近。這是因為從漏極電極201移動到源極電極203的電荷經(jīng)過寄生雙極晶體管。因此，第一保護環(huán)162和第二保護環(huán)153可能能夠阻擋更多的電荷。圖8示出了第一保護環(huán)162、第二保護環(huán)153、以及第三保護環(huán)163的操作。參考圖8，參考標號330表示傳導(dǎo)帶（conductionband），而參考標號340表示價電子帶（valenceband）。電荷可以從漏極電極201經(jīng)過（例如，如電荷移動301所示）第一傳導(dǎo)類型的主體182（或第一傳導(dǎo)類型的沉陷152）并且可以在第一保護環(huán)162中聚集。因為第二保護環(huán)153的電勢電平可以高于第一保護環(huán)162的電勢電平，第二保護環(huán)153可以用作阻止/防止電荷移動的勢壘。此外，第三保護環(huán)163可以被提供用于將已經(jīng)經(jīng)過第一保護環(huán)162和第二保護環(huán)153的電荷提取到第二偏壓BIAS2。如圖8中所示，第三保護環(huán)163的勢壘電平可以低于第二保護環(huán)153的勢壘電平。參考圖7和圖8，第一偏壓BIAS1可以被施加到第一保護環(huán)162和第二保護環(huán)153。然而，只要第二保護環(huán)153用作勢壘，任何偏壓就可以被施加到第一保護環(huán)162和第二保護環(huán)153。但是，如圖7和圖8中所示，當相同的第一偏壓BIAS1被施加到第一保護環(huán)162、第二保護環(huán)153、以及源極電極203時，半導(dǎo)體器件1的大小（例如，芯片大?。┛梢詼p小。如果施加到源極電極203的偏壓不同于施加到第一保護環(huán)162和第二保護環(huán)153的偏壓，則可能要求用于緩沖器的空間。圖9是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件2的截面圖。對于與圖7的半導(dǎo)體器件1那些特征類似的特征的描述可以被省略。參考圖9，半導(dǎo)體器件2可以只包括第一保護環(huán)162和第二保護環(huán)153。換句話說，第三保護環(huán)（例如，圖7的第三保護環(huán)163）可以被省略。例如，如果經(jīng)過由第一保護環(huán)162和第二保護環(huán)153形成的耗盡區(qū)的大量載流子（例如，電荷）對于保證（warrant）額外的勢壘（additionalbarrier）不夠大，則第三保護環(huán)163可以被省略。第一偏壓BIAS1可以被施加到第一保護環(huán)162和第二保護環(huán)153。第一偏壓BIAS1也可以被施加到LDMOS晶體管的源極電極203。根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例，圖10是半導(dǎo)體器件3的截面圖，而圖11是示出半導(dǎo)體器件3的操作的電勢圖。對于與圖7的半導(dǎo)體器件1那些特征類似的特征的描述可以被省略。與低側(cè)N型LDMOS晶體管可以被用作圖7的半導(dǎo)體器件1/用在圖7的半導(dǎo)體器件1中相反，P型LDMOS晶體管可以用作圖10的半導(dǎo)體器件3/用在圖10的半導(dǎo)體器件3中。參考圖10，半導(dǎo)體器件3可以包括第一區(qū)域I、第二區(qū)域II、以及第三區(qū)域III。LDMOS晶體管可以形成在第一區(qū)域I中。第三區(qū)域III可以包括靠近（例如，相鄰）第一區(qū)域I的阻擋區(qū)域。第二區(qū)域II可以是第一區(qū)域I和第三區(qū)域III之間的區(qū)域，并且保護環(huán)155、166和156可以形成在第二區(qū)域II中。在一些實施例中，襯底110和120可以包括第一傳導(dǎo)類型（例如，P型）的基底110和第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的外延層120。第一傳導(dǎo)類型（P型）的第一埋置層（PBL）136和第二傳導(dǎo)類型（N型）的第二埋置層（NBL）143和145可以形成在襯底110和120中。例如，第二埋置層143的一些部分可以形成在第一區(qū)域I中，第一埋置層136以及第二埋置層143的其它部分可以形成在第二區(qū)域II中，而第二埋置層145可以形成在第三區(qū)域III中。第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的深阱165可以形成在襯底110和120的第一區(qū)域I中。第一傳導(dǎo)類型（例如，P型）的LDMOS晶體管可以包括柵極電極213和214、漏極電極194、以及源極電極195和196。漏極電極194可以形成在第一傳導(dǎo)類型的漂移區(qū)183中，而源極電極195和196可以分別形成在第二傳導(dǎo)類型的阱172和173中。漏極電極194可以連接到輸出節(jié)點，而源極電極195和196可以連接到第一偏壓BIAS1。第一偏壓BIAS1可以是電源電壓VDD，但是不限于此。如圖10的LDMOS晶體管中所示，源極電極195和196可以布置在漏極電極194的相對側(cè)，這可以增加LDMOS晶體管的電流驅(qū)動容量。第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的歐姆接觸205和206可以包括被施加第一偏壓BIAS1的部分，并且可以靠近（例如，相鄰）LDMOS晶體管的源極電極195和196形成。而且，雖然第二傳導(dǎo)類型的阱167可以形成在襯底110和120的第三區(qū)域III中，但是本發(fā)明概念的一些方面不限于此。第一傳導(dǎo)類型（例如，P型）的第一保護環(huán)155、第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的第二保護環(huán)166、以及第一傳導(dǎo)類型的第三保護環(huán)156可以形成在襯底110和120的第二區(qū)域II。第一傳導(dǎo)類型的歐姆接觸197可以形成在第一保護環(huán)155上，第二傳導(dǎo)類型的歐姆接觸207可以形成在第二保護環(huán)166上，而第一傳導(dǎo)類型的歐姆接觸198可以形成在第三保護環(huán)156上。第一保護環(huán)155可以靠近（例如，相鄰）LDMOS晶體管形成，第二保護環(huán)166可以靠近（例如，相鄰）第一保護環(huán)155形成，而第三保護環(huán)156可以靠近（例如，相鄰）第二保護環(huán)166形成。在其中形成LDMOS晶體管的襯底110和120中，第一保護環(huán)155可以環(huán)繞第一區(qū)域I（例如，圍繞第一區(qū)域I形成邊界），并且第一偏壓BIAS1可以被施加到第一保護環(huán)155。在襯底110和120中，第二保護環(huán)166可以環(huán)繞第一保護環(huán)155（例如，圍繞第一保護環(huán)155形成邊界），并且第一偏壓BIAS1可以被施加到第二保護環(huán)166。在襯底110和120中，第三保護環(huán)156可以環(huán)繞第二保護環(huán)166（例如，圍繞第二保護環(huán)166形成邊界），并且不同于第一偏壓BIAS1的第二偏壓BIAS2可以被施加到第三保護環(huán)156。而且，第一偏壓BIAS1可以被施加到圖10的P型LDMOS晶體管的源極電極196。此外，圖10示出第一保護環(huán)155的深度和第二保護環(huán)166的深度可以基本上相同。例如，第一保護環(huán)155和第二保護環(huán)166各自的最低的表面可以基本上是共平面的（coplanar）。替換地，第一保護環(huán)155和第二保護環(huán)166可以具有不同的深度。而且，第一保護環(huán)155和第二保護環(huán)166可以布置得離源極電極196比離漏極電極194更近。第一保護環(huán)155和第二保護環(huán)166可以接觸到第二埋置層143。因此，第一保護環(huán)155和第二保護環(huán)166的一部分可以與第二埋置層143的一部分重疊?，F(xiàn)在參考圖11，參考標號331表示傳導(dǎo)帶，而參考標號341表示價電子帶?？昭ǎ╤ole）（例如，如圖11中的符號“+”所示）可以從漏極電極194經(jīng)過第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的阱173，并且可以在第一保護環(huán)155中聚集。因為第二保護環(huán)166的電勢電平可以低于第一保護環(huán)155的電勢電平，所以第二保護環(huán)166可以用作阻止/防止空穴移動的勢壘。圖12是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。為了解釋簡潔，對于與圖10的半導(dǎo)體器件3的那些特征類似的特征的描述可以被省略。參考圖12，半導(dǎo)體器件4可以只包括第一保護環(huán)155和第二保護環(huán)166。換句話說，第三保護環(huán)156可以省略。第一偏壓BIAS1可以施加到第一保護環(huán)155和第二保護環(huán)166。第一偏壓BIAS1也可以被施加到半導(dǎo)體器件4的LDMOS晶體管的源極電極196。如果經(jīng)過由第一保護環(huán)155和第二保護環(huán)166形成的耗盡區(qū)的大量載流子（例如，空穴）對于保證額外的勢壘不夠大，則第三保護環(huán)156可以被省略。圖13是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件5的截面圖。為了解釋簡潔，對于與圖10的半導(dǎo)體器件3的那些特征類似的特征的描述可以被省略。參考圖13，在半導(dǎo)體器件5中，第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的第二保護環(huán)174的深度可以比第一保護環(huán)155的深度更小/更淺。例如，第二保護環(huán)174的深度可以基本上與第二傳導(dǎo)類型的阱173相同。舉例來說，第二保護環(huán)174可以與阱173同時形成。第一保護環(huán)155可以接觸到第二埋置層143，而第二保護環(huán)174則不會接觸到第二埋置層143。例如，第二傳導(dǎo)類型的阱165可以在第二保護環(huán)174和第二埋置層143之間。根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例，圖14是半導(dǎo)體器件6的截面圖，而圖15是示出半導(dǎo)體器件6的操作的電勢圖。為了解釋簡潔，對于與圖7的半導(dǎo)體器件1的那些特征類似的特征的描述可以被省略。與低側(cè)N型LDMOS晶體管可以被用作圖7的半導(dǎo)體器件1/用在圖7的半導(dǎo)體器件1中相反，高側(cè)N型LDMOS晶體管可以用作圖14的半導(dǎo)體器件6/用在圖14的半導(dǎo)體器件6中?！案邆?cè)”LDMOS晶體管可以是上拉晶體管。參考圖14，圖14的半導(dǎo)體器件6可以包括第一區(qū)域I、第二區(qū)域II、以及第三區(qū)域III。高側(cè)N型LDMOS晶體管可以形成在第一區(qū)域I中。第三區(qū)域III可以包括靠近（例如，相鄰）第一區(qū)域I的阻擋區(qū)域。第二區(qū)域II可以在第一區(qū)域I和第三區(qū)域III之間，并且保護環(huán)157，169和158可以形成在第二區(qū)域II中。根據(jù)各種實施例，襯底110和120可以包括第一傳導(dǎo)類型（例如，P型）的基底110和第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的外延層120。第一傳導(dǎo)類型（P型）的第一埋置層（PBL）138和第二傳導(dǎo)類型（N型）的第二埋置層（NBL）146和147可以形成在襯底110和120中。例如，第二埋置層146的一些部分可以形成在第一區(qū)域I中，第一埋置層138以及第二埋置層146的其它部分可以形成在第二區(qū)域II中，而第二埋置層147可以形成在第三區(qū)域III中。第二傳導(dǎo)類型的深阱168可以形成在襯底110和120的第一區(qū)域I中。第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的LDMOS晶體管可以包括柵極電極215和216、漏極電極208和2092、以及源極電極209和2091。漏極電極208和2092可以形成在第二傳導(dǎo)類型的漂移區(qū)174和175中，而源極電極209和2091可以形成在第一傳導(dǎo)類型的主體184中。源極電極209和2091可以連接到輸出節(jié)點，而漏極電極208和2092可以連接到第一偏壓BIAS1。第一偏壓BIAS1可以是電源電壓VDD,但是不限于此。如圖14中所示，在LDMOS晶體管中，漏極電極208和2092可以布置在源極電極209和2091的相對側(cè)（例如，分別布置在左側(cè)和右側(cè)），這可以提高LDMOS晶體管的電流驅(qū)動容量。例如，源極電極209和2091可以在漏極電極208和2092之間。同時，源極電極209和2091可以在歐姆接觸199的相對側(cè)。而且，第二傳導(dǎo)類型的阱1691可以形成在襯底110和120的第三區(qū)域III中，但是本發(fā)明概念的一些方面不限于此。仍然參考圖14，第一傳導(dǎo)類型（例如，P型）的第一保護環(huán)157、第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的第二保護環(huán)169、以及第一傳導(dǎo)類型的第三保護環(huán)158可以形成在襯底110和120的第二區(qū)域II中。第一傳導(dǎo)類型的歐姆接觸1991可以形成在第一保護環(huán)157上，第二傳導(dǎo)類型的歐姆接觸2093可以形成在第二保護環(huán)169上，而第一傳導(dǎo)類型的歐姆接觸1992可以形成在第三保護環(huán)158上。第一保護環(huán)157可以靠近（例如，相鄰）LDMOS晶體管形成，第二保護環(huán)169可以靠近（例如，相鄰）第一保護環(huán)157形成，而第三保護環(huán)158可以靠近（例如，相鄰）第二保護環(huán)169形成。在其中形成LDMOS晶體管的襯底110和120中，第一保護環(huán)157可以環(huán)繞第一區(qū)域I（例如，圍繞第一區(qū)域I形成邊界），并且第一偏壓BIAS1可以被施加到第一保護環(huán)157。在襯底110和120中，第二保護環(huán)169可以環(huán)繞第一保護環(huán)157（例如，圍繞第一保護環(huán)157形成邊界），并且第一偏壓BIAS1可以被施加到第二保護環(huán)169。在襯底110和120中，第三保護環(huán)158可以環(huán)繞第二保護環(huán)169（例如，圍繞第二保護環(huán)169形成邊界），并且不同于第一偏壓BIAS1的第二偏壓BIAS2可以被施加到第三保護環(huán)158。而且，第一偏壓BIAS1可以被施加到N型LDMOS晶體管的漏極電極2092。圖14還示出第一保護環(huán)157的深度和第二保護環(huán)169的深度可以基本上相同。例如，第一保護環(huán)157和第二保護環(huán)169各自的最低的表面可以基本上是共平面的。替換地，第一保護環(huán)157的深度和第二保護環(huán)169的深度可以不同。而且，第一保護環(huán)157和第二保護環(huán)169可以布置得離漏極電極2092比離源極電極209和2091更近。第一保護環(huán)157和第二保護環(huán)169可以形成以接觸到第二埋置層146。因此，第一保護環(huán)157和第二保護環(huán)169的一部分可以與第二埋置層146的一部分重疊。現(xiàn)在參考圖15，參考標號332表示傳導(dǎo)帶，而參考標號342表示價電子帶。空穴（例如，如符號“+”所示）可以從漏極電極208和2092經(jīng)過第二傳導(dǎo)類型的漂移區(qū)175，并且可以在第一保護環(huán)157中聚集。因為第二保護環(huán)169的電勢電平可以低于第一保護環(huán)157的電勢電平，所以第二保護環(huán)169可以用作阻止/防止空穴移動的勢壘。圖16是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件7的截面圖。為了解釋簡潔，對于與圖14的半導(dǎo)體器件6的那些特征類似的特征的描述可以被省略。參考圖16，半導(dǎo)體器件7可以包括第一保護環(huán)157和第二保護環(huán)169，但是可以省略第三保護環(huán)（例如，圖14和圖15的第三保護環(huán)158）。例如，如果經(jīng)過由第一保護環(huán)157和第二保護環(huán)169形成的耗盡區(qū)的大量載流子（例如，空穴）對于保證額外的勢壘不夠大，則第三保護環(huán)158可以被省略。第一偏壓BIAS1可以被施加到第一保護環(huán)157和第二保護環(huán)169。而且，第一偏壓BIAS1也可以被施加到半導(dǎo)體器件7中的LDMOS晶體管的漏極電極2092。圖17是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件8的截面圖。為了解釋簡潔，對于與圖14的半導(dǎo)體器件6的那些特征類似的特征的描述可以被省略。參考圖17，在半導(dǎo)體器件8中，第二傳導(dǎo)類型（例如，N型）的第二保護環(huán)1692的深度可以比第一保護環(huán)157的深度更小/更淺。例如，第二保護環(huán)1692的最低的表面可以比第二傳導(dǎo)類型的漂移區(qū)174和175各自的最低的表面更淺。第一保護環(huán)157可以接觸到第二埋置層146，而第二保護環(huán)1692則不會接觸到第二埋置層146。舉例來說，N阱168可以在第二保護環(huán)1692和第二埋置層146之間。圖18到圖21示出了使用根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體系統(tǒng)。參考圖18，提供了根據(jù)各種實施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)400的框圖。半導(dǎo)體系統(tǒng)400可以包括電池410、電源管理IC（PMIC）420、以及多個模塊431到434。PMIC420可以從電池410接收電壓，將該電壓轉(zhuǎn)換為各個模塊431到434要求的電壓電平，并將轉(zhuǎn)換的電壓供應(yīng)到各個模塊431到434。根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例，PMIC420可以包括這里描述的半導(dǎo)體器件1到8中的至少一個。參考圖19，提供了根據(jù)各種實施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)500的框圖。參考圖19，半導(dǎo)體系統(tǒng)500可以是便攜式終端。便攜式終端500可以包括控制器510、PMIC512、電池515、信號處理單元523、音頻處理單元525、存儲器530、以及顯示器550。在一些實施例中，便攜式終端500可以包括鍵盤527，鍵盤527包括用于輸入數(shù)字和/或文本信息的按鍵和/或用于設(shè)置各種功能的功能鍵。信號處理單元523執(zhí)行便攜式終端的無線通信，并且可以包括RF單元和調(diào)制解調(diào)器。RF單元可以包括上變換發(fā)送的信號的頻率的RF發(fā)送器和低噪放大接收的信號并下變換頻率的RF接收器。調(diào)制解調(diào)器可以包括編碼和調(diào)制發(fā)送的信號的發(fā)送器以及解調(diào)和解碼從RF單元接收的信號的接收器。便攜式終端500的音頻處理單元525可以提供編解碼器/與編解碼器協(xié)作，編解碼器可以包括數(shù)據(jù)編解碼器和/或音頻編解碼器。數(shù)據(jù)編解碼器可以處理分組數(shù)據(jù)等，而音頻編解碼器可以處理音頻信號，如語音或多媒體文件。此外，音頻處理單元525可以通過音頻編解碼器將從調(diào)制解調(diào)器接收的數(shù)字音頻信號轉(zhuǎn)換為模擬音頻信號，以再現(xiàn)該數(shù)字模擬信號（例如，通過揚聲器（SPK）），或者可以通過音頻編解碼器將從麥克風(fēng)（MIC）生成的模擬音頻信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字音頻信號，然后將該數(shù)字音頻信號發(fā)送到調(diào)制解調(diào)器。編解碼器可以分開地提供，或者可以包括在便攜式終端的控制器510中。存儲器530可以包括只讀存儲器（ROM）和/或隨機存取存儲器（RAM）。存儲器530可以包括程序存儲器和/或數(shù)據(jù)存儲器，它們分別存儲用于控制便攜式終端500的操作的程序和/或用于啟動便攜式終端500的數(shù)據(jù)。顯示器550可以在屏幕上顯示視頻信號和/或用戶數(shù)據(jù)和/或與電話呼叫相關(guān)聯(lián)的顯示數(shù)據(jù)。顯示器550可以是液晶顯示器（LCD）或有機發(fā)光二極管（OLED）。當LCD或OLED實現(xiàn)為具有觸摸屏能力時，顯示器550可以和鍵盤527一起用作控制便攜式終端500的輸入單元。控制器510控制便攜式終端500的總體操作?？刂破?10可以包括PMIC512。PMIC512可以從電池515接收電壓，并可以將該電壓轉(zhuǎn)換為要求的電壓電平。根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例，PMIC512可以包括這里描述的半導(dǎo)體器件1到8中的至少一個。圖20和圖21是根據(jù)本發(fā)明概念的各種實施例的半導(dǎo)體系統(tǒng)的示意圖。具體地說，圖20顯示平板便攜式電子計算設(shè)備2000（例如，平板個人計算機（PC）等等），而圖21顯示筆記本PC2100。這里描述的半導(dǎo)體器件1到8中的至少一個可以用在平板PC2000或筆記本PC2100中。而且，將理解，這里描述的半導(dǎo)體器件1到8可以應(yīng)用到各種其它的集成電路。上述公開的主題將被認為是說明性的，而不是限定性的，并且所附權(quán)利要求意圖涵蓋落在真實精神和范圍之內(nèi)的所有這樣的修改、增強、以及其它實施例。因此，在法律所允許的最大程度，范圍將通過以下權(quán)利要求以及它們的等效物的最寬泛的可允許的解釋來確定，并且不應(yīng)被前述詳細描述來限定或限制。