有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底及發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括依次層疊的陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層及陰極，電子傳輸層至少為兩層，每一層電子傳輸層材料包括電子傳輸材料及摻雜在電子傳輸材料中的堿金屬，堿金屬為鋰、鈉、鉀、銣或銫，距離發(fā)光層較遠(yuǎn)的電子傳輸層中的堿金屬的原子體積較距離發(fā)光層較近的小，電子傳輸材料為2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羥基喹啉)-鋁、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲、1,2,4-三唑衍生物或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-羥基)鋁。上述有機(jī)電致發(fā)光器件壽命較長(zhǎng)。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極 注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道（LUM0)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道 (HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給 發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光 能?，F(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件的電子傳輸層中通常加入摻雜劑來(lái)提高電子傳輸材料的導(dǎo)電 性，然而摻雜劑容易擴(kuò)散至發(fā)光層，導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較短。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 基于此，有必要提供一種壽命較長(zhǎng)的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底及發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括依 次層疊的陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層及陰極，所述陽(yáng)極形成于所 述基底的表面，所述電子傳輸層至少為兩層，每一層所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸 材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬，所述堿金屬為鋰、鈉、鉀、銣或銫，且距離所 述發(fā)光層較遠(yuǎn)的電子傳輸層中的堿金屬的原子體積較距離所述發(fā)光層較近的電子傳輸 層中的堿金屬的原子體積小，所述電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯 基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、1，2, 4-三唑衍生物或雙 (2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08)-(1, Γ-聯(lián)苯-4-羥基）鋁。
[0005] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，至少兩層所述電子傳輸層的總厚度為40nm?200nm。
[0006] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，距離所述發(fā)光層較遠(yuǎn)的電子傳輸層中的堿金屬的質(zhì)量百分 比較距離所述發(fā)光層較近的電子傳輸層的堿金屬的質(zhì)量百分比大。
[0007] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料為主體材料與客體材料摻雜形成的混 合物或熒光材料，所述主體材料選自4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯及N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺中的至少一種，所述客體材料選自4-(二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四 甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙 (4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙 酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三（2-苯基吡啶）合銥中的至少一種，所述熒光 材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、4, 4'-雙[4-(二對(duì)甲 苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘中的至少一種，所述客體材料與所 述主體材料的質(zhì)量比為1:100?10:100。
[0008] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括封裝蓋板，所述封裝蓋板蓋設(shè)于所述陰極的表面且 與所述基底固接。
[0009] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0010] 在基板的表面制備依次層疊的陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層；
[0011] 在所述空穴阻擋層的表面采用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料和堿金屬的化合物 同時(shí)進(jìn)行蒸發(fā)制備至少兩層電子傳輸層，每一層所述電子傳輸層的材料包括所述電子傳輸 材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬，且距離所述發(fā)光層較遠(yuǎn)的電子傳輸層中的堿 金屬的原子體積較距離所述發(fā)光層較近的電子傳輸層中的堿金屬的原子體積小，所述堿 金屬化合物為鋰的化合物、鈉的化合物、鉀的化合物、銣的化合物或銫的化合物，所述電子 傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、 4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲、1，2, 4-三唑衍生物或雙（2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08)-(1, Γ-聯(lián) 苯-4-羥基）鋁；及
[0012] 在所述電子傳輸層的表面制備陰極。
[0013] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，距離所述發(fā)光層較遠(yuǎn)的電子傳輸層中的堿金屬的質(zhì)量百分 比較距離所述發(fā)光層較近的電子傳輸層的堿金屬的質(zhì)量百分比大。
[0014] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述堿金屬的化合物為堿金屬的氟化物、堿金屬的碳酸化 合物、堿金屬的疊氮化合物、堿金屬的氮化物或堿金屬的硼氫化合物。
[0015] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子傳輸層的總厚度為40nm?200nm。
[0016] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括步驟：將封裝蓋板覆蓋在陰極表面，并將封裝蓋板固 定連接至基底。
[0017] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，電子傳輸層中的堿金屬為鋰、鈉、鉀、銣或 銫，同時(shí)至少兩層電子傳輸層中堿金屬的原子體積隨電子傳輸層與發(fā)光層之間距離的增大 而減小，從而距離發(fā)光層越近，堿金屬的原子體積越大，原子體積大的堿金屬難于擴(kuò)散，而 原子體積相對(duì)較小的堿金屬距離發(fā)光層較遠(yuǎn)，從而可以有效的控制摻雜分子向發(fā)光層擴(kuò) 散，避免導(dǎo)致激子淬滅，使得有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長(zhǎng)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖2為圖1中有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖3為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0022] 請(qǐng)參閱圖1及圖2, 一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件900包括基底100、形成于基 底100的表面的發(fā)光單元200、連接件300及封裝蓋板400。發(fā)光單元200包括依次層疊的 陽(yáng)極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、空穴阻擋層50、電子傳輸層60及陰極70。
[0023] 基底100的材料為玻璃。
[0024] 陽(yáng)極20形成于基底100的表面。本實(shí)施方式中，陽(yáng)極20大體位于基底100的中 間位置，且覆蓋基底1〇〇的部分表面。陽(yáng)極20的材料為透明導(dǎo)電氧化物。具體的，陽(yáng)極20 的材料選自銦錫氧化物ατο)、銦鋅氧化物αζο)、鋁鋅氧化物（azo)及鎵鋅氧化物（gzo)中 的至少一種。陽(yáng)極20的厚度為70nm?200nm。
[0025] 空穴傳輸層30形成于陽(yáng)極20的表面。空穴傳輸層30的材料選自Ν，Ν'-二苯 基，州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（咿8)、4,4'，4''-三（^3-甲基苯基4-苯 基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺（TPD)、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對(duì)二氨基聯(lián)苯（Me〇-TPD)、2, 7-雙（Ν，Ν-二（4-甲氧 基苯基)氨基)-9, 9-螺二芴（Me0-Spri〇-TPD)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA) 及1，1_二（4-(N，N'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷（TAPC)中的至少一種?？昭?傳輸層30的厚度為20nm?60nm。
[0026] 發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40的材料為主體材料與客體材料 摻雜形成的混合物或熒光材料。主體材料選自4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、8_羥基喹啉 鋁（Alq3)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)及 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二 (1-萘基聯(lián)苯-4,4'_二胺（ΝΡΒ)中的至少一種?？腕w材料選自4-(二腈甲 基）-2-丁基-6-(1，1，7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-紐-吡喃（0(：1^)、雙（4,6-二 氟苯基吡啶-Ν，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸 合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三 (1-苯基-異喹啉）合銥（Ir( Piq)3)及三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)中的至少一種。 客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:1〇〇?1〇:1〇〇。熒光材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯 基）_1，1'-聯(lián)苯（DPVBi)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'_雙[4_(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯 基]聯(lián)苯（DPAVBi)及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)中的至少一種。發(fā)光層40的 厚度為5nm?20nm。
[0027] 空穴阻擋層50形成于發(fā)光層40的表面?？昭ㄗ钃鯇?0的材料為雙（2-甲 基-8-羥基喹啉-N1，08) - (1，Γ -聯(lián)苯-4-羥基）鋁（BAlq)?？昭ㄗ钃鯇?0的厚度為5nm? 10nm。
[0028] 電子傳輸層60形成于空穴阻擋層50的表面。電子傳輸層60的材料包括電子傳 輸材料及摻雜在電子傳輸材料中的堿金屬。堿金屬為鋰（Li)、鈉（Na)、鉀（K)、銣（Rb)或 銫（Cs)。電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、 (8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)、1，2, 4-三唑衍 生物（TAZ)或雙（2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08)-(1, 1'-聯(lián)苯-4-羥基）鋁（BAlq)。
[0029] 電子傳輸層60至少有兩層。至少兩層電子傳輸層60中堿金屬的原子體積隨電子 傳輸層60與發(fā)光層40之間距離的增大而減小，即距離發(fā)光層40較遠(yuǎn)的電子傳輸層60中 的堿金屬的原子體積較距離發(fā)光層40較近的電子傳輸層60中的堿金屬的原子體積小。鋰 (Li)、鈉（Na)、鉀（K)、銣（Rb)及銫（Cs)的原子體積依次增大。需要說(shuō)明的是，至少兩層電 子傳輸層60也可以看做是同一層電子傳輸層的至少兩個(gè)區(qū)域，至少兩個(gè)區(qū)域中堿金屬不 同而已。圖1中虛線大致顯示出三個(gè)區(qū)域的分界，該分界是以兩個(gè)區(qū)域中堿金屬不同而區(qū) 分，并不一定有明顯的分層。
[0030] 優(yōu)選的，至少兩層電子傳輸層60中堿金屬的質(zhì)量百分比隨電子傳輸層與發(fā)光層 之間距離的增大而增大，即距離發(fā)光層40較遠(yuǎn)的電子傳輸層60中的堿金屬的質(zhì)量百分比 較距離發(fā)光層40較近的電子傳輸層60的堿金屬的質(zhì)量百分比大。電子傳輸層60中堿金 屬的質(zhì)量百分比為5:100?100:100。
[0031] 優(yōu)選的，至少兩層電子傳輸層60的總厚度為40nm?200nm。
[0032] 優(yōu)選的，相鄰的兩層電子傳輸層60中的電子傳輸材料相同。
[0033] 進(jìn)一步的，靠近發(fā)光層的電子傳輸層60中堿金屬與電子傳輸材料的質(zhì)量比為5? 25:100,而最遠(yuǎn)離發(fā)光層的電子傳輸層中堿金屬與電子傳輸材料的質(zhì)量比為40?100 : 100,如果設(shè)置有多于2個(gè)的電子傳輸層，貝U分布在中間的電子傳輸層中堿金屬與電子傳輸 材料的質(zhì)量比介于上述兩個(gè)比例之間。
[0034] 陰極70形成于電子傳輸層60的表面。陰極70的材料為銀（Ag)、錯(cuò)（A1)、杉（Sm)、 鐿（Yb)、鎂銀合金（Mg-Ag)或鎂鋁合金（Mg-Al)。陰極的厚度為70nm?200nm。
[0035] 封裝蓋板400蓋設(shè)于陰極70的表面。優(yōu)選的，封裝蓋板400的材料為玻璃。封裝 蓋板的厚度為1mm?1. 5mm。封裝蓋板400通過(guò)連接件300與基底100固定連接。本實(shí)施 方式中，連接件300為粘結(jié)劑。連接件300大致為筒狀，連接件300套設(shè)于發(fā)光單元200且 連接件300的兩端分別與基底100及封裝蓋板400粘結(jié)，從而將封裝蓋板400固定至基底 100,發(fā)光單元200密封收容在由基底100、連接件300及封裝蓋板400組成的收容空間內(nèi)。 連接件300的在平行于基底100的方向延伸的厚度為1mm?5mm。
[0036] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件900,電子傳輸層60中的堿金屬為鋰、鈉、鉀、銣或銫，同時(shí) 至少兩層電子傳輸層60中堿金屬的原子體積隨電子傳輸層60與發(fā)光層40之間距離的增 大而減小，從而距離發(fā)光層40越近，堿金屬的原子體積越大，原子體積大的堿金屬難于擴(kuò) 散，而原子體積相對(duì)較小的堿金屬距離發(fā)光層40較遠(yuǎn)，從而可以有效的控制摻雜分子向發(fā) 光層擴(kuò)散，避免導(dǎo)致激子淬滅，使得有機(jī)電致發(fā)光器件900的壽命較長(zhǎng)；同時(shí)距離發(fā)光層越 遠(yuǎn)，堿金屬的濃度越大，從而可以進(jìn)一步控制堿金屬的擴(kuò)散，保持有機(jī)層的導(dǎo)電性，從而提 高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命及發(fā)光效率。電子傳輸層60至少有兩層，每層中堿金屬的濃度 較低即可達(dá)到較好的提高電子傳輸層的導(dǎo)電性的效果，且靠近發(fā)光層的電子傳輸層中堿金 屬的原子體積較大、濃度較低，從而可以有效的避免堿金屬擴(kuò)散。發(fā)光單元200密封收容在 由基底100、連接件300及封裝蓋板400組成的收容空間內(nèi)，進(jìn)一步阻擋水氧的侵襲，提高有 機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0037] 需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，陽(yáng)極20也可覆蓋基底100的表面，此時(shí)連接件 300將封裝蓋板400的邊緣與基底100的邊緣連接即可。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，封裝蓋板 300及連接件300可以省略。
[0038] 可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件900中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0039] 請(qǐng)同時(shí)參閱圖3, 一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件900的制備方法，其包括以下步 驟：
[0040] 步驟S110、在基板10的表面制備依次層疊的陽(yáng)極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40及 空穴阻擋層50。
[0041] 基底100的材料為玻璃。
[0042] 本實(shí)施方式中，在基底100表面形成陽(yáng)極20之前先對(duì)基底100進(jìn)行前處理，前處 理包括：將基底100放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙 醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0043] 陽(yáng)極20形成于基底100的表面。本實(shí)施方式中，陽(yáng)極20大體位于基底100的中 間位置，且覆蓋基底100的部分表面。陽(yáng)極20的材料為透明導(dǎo)電氧化物。具體的，陽(yáng)極20 的材料選自銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)及鎵鋅氧化物（GZ0)中 的至少一種。陽(yáng)極20的厚度為70nm?200nm。陽(yáng)極20在真空鍍膜系統(tǒng)中，通過(guò)磁控濺射 制備，真空度為1 X l〇_5Pa?1 X 10-3Pa，成膜速率為0. lnm/s?lnm/s。
[0044] 空穴傳輸層30形成于陽(yáng)極20的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自Ν，Ν'-二苯 基，州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（咿8)、4,4'，4''-三（^3-甲基苯基4-苯 基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺（TPD)、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對(duì)二氨基聯(lián)苯（Me〇-TPD)、2, 7-雙（Ν，Ν-二（4-甲氧 基苯基)氨基)-9, 9-螺二芴（Me0-Spri〇-TPD)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA) 及1，1_二（4-(N，N'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷（TAPC)中的至少一種?？昭?傳輸層30的厚度為20nm?60nm。本實(shí)施方式中，空穴傳輸層30由蒸鍍制備，蒸鍍?cè)谡婵?壓力為1 X l〇_5Pa?1 X 10_3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0· lnm/s?lnm/s。
[0045] 發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40的材料為主體材料與客體材料 摻雜形成的混合物或熒光材料。主體材料選自4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、8_羥基喹啉 鋁（Alq3)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)及 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二 (1-萘基聯(lián)苯-4,4'_二胺（ΝΡΒ)中的至少一種?？腕w材料選自4-(二腈甲 基）-2-丁基-6-(1，1，7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-紐-吡喃（0(：1^)、雙（4,6-二 氟苯基吡啶-Ν，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸 合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三 (1-苯基-異喹啉）合銥（Ir( Piq)3)及三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)中的至少一種。 客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:1〇〇?1〇:1〇〇。熒光材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯 基）_1，1'-聯(lián)苯（DPVBi)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'_雙[4_(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯 基]聯(lián)苯（DPAVBi)及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)中的至少一種。發(fā)光層40的 厚度為5nm?20nm。本實(shí)施方式中，發(fā)光層40由蒸鍍制備，蒸鍍?cè)谡婵諌毫閘Xl(T 5Pa? IX l(T3Pa下進(jìn)行，發(fā)光材料的蒸鍍速率為0. lnm/s?lnm/s。
[0046] 空穴阻擋層50形成于發(fā)光層40的表面?？昭ㄗ钃鯇?0的材料為雙（2-甲 基-8-羥基喹啉-N1，08) - (1，Γ -聯(lián)苯-4-羥基）鋁（BAlq)?？昭ㄗ钃鯇?0的厚度為5nm? 10nm。本實(shí)施方式中，空穴阻擋層50由蒸鍍制備，蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X l(T5Pa?1 X l(T3Pa 下進(jìn)行，蒸鍍速率為〇. lnm/s?lnm/s。
[0047] 步驟S120、在空穴阻擋層50的表面采用熱阻蒸發(fā)工藝制備電子傳輸層60。
[0048] 蒸鍍時(shí)，將電子傳輸材料和堿金屬的化合物同時(shí)進(jìn)行蒸發(fā)制備至少兩層電子傳輸 層60。
[0049] 至少兩層電子傳輸層60中堿金屬的原子體積隨電子傳輸層60與發(fā)光層40之間 距離的增大而減小，即距離發(fā)光層40較遠(yuǎn)的電子傳輸層60中的堿金屬的原子體積較距離 發(fā)光層40較近的電子傳輸層60中的堿金屬的原子體積小。
[0050] 優(yōu)選的，相鄰的兩層電子傳輸層60中的電子傳輸材料相同。
[0051] 堿金屬為鋰、鈉、鉀的化合物、銣或銫。堿金屬的化合物為堿金屬的氟化物、堿金 屬的碳酸化合物、堿金屬的疊氮化合物、堿金屬的氮化物或堿金屬的硼氫化合物，如碳酸鋰 (Li2C03)、疊氮化鋰（LiN3)、氟化鋰（LiF)、疊氮化銫（CsN 3)、碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、 硼氫化鉀（KBH4)、碳酸銣（Rb2C03)、氮化鋰（Li3N)、氟化鈉（NaF)。
[0052] 電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、 (8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)、1，2, 4-三唑衍 生物（TAZ)或雙（2-甲基-8-羥基喹啉-Nl，08)-(1，1'-聯(lián)苯-4-羥基）鋁（BAlq)。
[0053] 優(yōu)選的，堿金屬的化合物的蒸發(fā)速度按照蒸鍍的順序依次提高。
[0054] 優(yōu)選的，在蒸鍍過(guò)程中，電子傳輸材料的蒸發(fā)速率保持不變。
[0055] 該步驟中，在蒸鍍過(guò)程中，堿金屬的化合物經(jīng)過(guò)加熱分解，形成堿金屬摻雜在電子 傳輸材料中。由于將堿金屬的化合物中的至少兩種按照堿金屬的原子體積由大至小的順 序依次進(jìn)行蒸發(fā)，因此形成的電子傳輸層實(shí)質(zhì)上為多層結(jié)構(gòu)，也可以認(rèn)為有多個(gè)電子傳輸 層，越先蒸鍍的電子傳輸層即越靠近發(fā)光層的電子傳輸層中堿金屬的原子體積越大，濃度 越低，越晚蒸鍍的電子傳輸層即越遠(yuǎn)離發(fā)光層的電子傳輸層中的堿金屬的原子體積越小， 濃度越高。進(jìn)一步的，靠近發(fā)光層的電子傳輸層中堿金屬與電子傳輸材料的質(zhì)量比為5? 25:100,而最遠(yuǎn)離發(fā)光層的電子傳輸層中堿金屬與電子傳輸材料的質(zhì)量比為40?100 : 100,如果設(shè)置有多于2個(gè)的電子傳輸層，貝U分布在中間的電子傳輸層中堿金屬與電子傳輸 材料的質(zhì)量比介于上述兩個(gè)比例之間。
[0056] 優(yōu)選的，電子傳輸層60的總厚度為40nm?200nm。
[0057] 本實(shí)施方式中，電子傳輸層60由蒸鍍制備，蒸鍍?cè)谡婵諌毫閘Xl(T5Pa? 1 X l(T3Pa下進(jìn)行，電子傳輸材料的蒸鍍速率為0. 2nm/s?lnm/s。
[0058] 步驟S130、在電子傳輸層60的表面制備陰極70。
[0059] 陰極70形成于電子傳輸層60的表面。陰極70的材料為銀（Ag)、錯(cuò)（A1)、杉（Sm)、 鐿（Yb)、鎂銀合金（Mg-Ag)或鎂鋁合金（Mg-Al)。陰極的厚度為70nm?200nm。
[0060] 本實(shí)施方式中，蒸鍍?cè)谡婵諌毫閘X10_5Pa?lXl(T3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為 0· 5?/；?2?/；。
[0061] 步驟S140、將封裝蓋板400覆蓋在陰極70表面，并將封裝蓋板400固定連接至基 底 100。
[0062] 優(yōu)選的，封裝蓋板400的材料為玻璃。
[0063] 本實(shí)施方式中，通過(guò)連接件300將封裝蓋板400連接至基底100。連接件300為粘 結(jié)劑。連接件300大致為筒狀，連接件300套設(shè)于發(fā)光單元200且連接件300的兩端分別 與基底100及封裝蓋板400粘結(jié)，從而將封裝蓋板400固定至基底100,使得發(fā)光單元200 密封收容在由基底100、連接件300及封裝蓋板400組成的收容空間內(nèi)。連接件300的在平 行于基底100的方向延伸的厚度為1mm?5mm。
[0064] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡(jiǎn)單。
[0065] 需要說(shuō)明的是，在其他實(shí)施例中，陽(yáng)極20也可覆蓋基底100的表面，此時(shí)連接件 300將封裝蓋板400的邊緣與基底100的邊緣連接即可。當(dāng)然，在其他實(shí)施例中，封裝蓋板 300及連接件300可以省略，此時(shí)步驟S140可以省略。
[0066] 以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō) 明。
[0067] 本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為：測(cè)試與制備設(shè)備為高真空鍍 膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司），美國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光 譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能 達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試亮度和色度。
[0068] 實(shí)施例1
[0069] 本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為基底 /ITO/Me〇-Tro/Alq3/BAlq/TPBi:Cs/TPBi:Rb/Ag/ 封 裝蓋板的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0070] 這種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0071] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0072] 步驟二、在真空度為IX 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陰極，材 料為ΙΤ0厚度為100nm，濺射速率為0. 5nm/s ;
[0073] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽(yáng)極的表面通過(guò)真空熱蒸鍍 技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層。空穴傳輸層的材料為MeO-TPD，厚度為40nm， 蒸鍍速率為〇. 5nm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸鍍速率為0. 5nm/s ;空穴阻擋層 的材料為BAlq，厚度為10nm，蒸鍍速率為0· 5nm/s。
[0074] 步驟四、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備電子傳輸層，電子傳 輸材料為T(mén)PBi，蒸鍍速度保持為0. 2nm/s，在蒸鍍TPBi的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)CsN3，蒸鍍速度為 0. 05nm/s，蒸發(fā)時(shí)間為50秒，形成含Cs的摻雜層厚度為10nm ;然后在蒸鍍TPBi的同時(shí)，蒸 發(fā)Rb2C03，蒸鍍速度為0. lnm/s，蒸發(fā)時(shí)間為150秒，形成含Rb的摻雜層的厚度為30nm，最 終形成的電子傳輸層的厚度為40_。
[0075] 步驟五、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層的表面蒸鍍制備 陰極，材料為Ag，厚度為lOOnm，蒸鍍速率為0· 5nm/s。
[0076] 步驟六、在陰極表面覆蓋玻璃封裝蓋板，使用連接件將玻璃封裝蓋板固定至基底， 封裝蓋板的厚度為1mm，連接件的材料為光固化丙烯酸樹(shù)脂，厚度為1mm。
[0077] 實(shí)施例2
[0078] 本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為基底 /AZO/NPB/Ir (ppy) 3: TPBi/BA1/Bphen: Cs/Bphen: Rb/ Bphen:Li/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0079] 這種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0080] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0081] 步驟二、在真空度為IX l(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陽(yáng)極，材 料為AZ0,厚度為200nm，濺射速率為lnm/s ;
[0082] 步驟三、在真空度為IX l(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽(yáng)極的表面通過(guò)真空熱蒸鍍 技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹PB，厚度為20nm，蒸鍍 速率為0· lnm/s ;發(fā)光層的材料包括TPBi及摻雜在TPBi中的Ir (ppy) 3, Ir (ppy) 3與TPBi的 質(zhì)量比為10:100，厚度為2011111，11'_7) 3的蒸鍍速率為0.111111/8瓜8丨的蒸鍍速率為1·/ s，空穴阻擋層的材料為BAlq，厚度為5nm，蒸鍍速率為0. lnm/s。
[0083] 步驟四、在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備電子傳輸層，電子傳 輸材料為Bphen，蒸鍍速度保持為lnm/s，在蒸鍍Bphen的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Cs2C03，蒸鍍速度為 0. 05nm/s，蒸發(fā)時(shí)間為10秒，形成含Cs的摻雜層厚度為10nm ;然后在蒸鍍Bphen的同時(shí)， 蒸發(fā)Rb2C03，蒸鍍速度為0. lnm/s，蒸發(fā)時(shí)間為40秒，形成含Rb的摻雜層的厚度為40nm ;然 后在蒸鍍Bphen的同時(shí)，蒸發(fā)Li2C03，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s，蒸發(fā)時(shí)間為150秒，形成含Li的 摻雜層厚度為150nm。最終形成的電子傳輸層的厚度為200nm。
[0084] 步驟五、在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層的表面蒸鍍制備 陰極，材料為A1，厚度為70nm，蒸鍍速率為0. 5nm/s。
[0085] 步驟六、在陰極表面覆蓋玻璃封裝蓋板，使用連接件將玻璃封裝蓋板固定至基底， 封裝蓋板的厚度為1. 2mm，連接件的材料為光固化丙烯酸樹(shù)脂，厚度為5mm。
[0086] 實(shí)施例3
[0087] 本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為基底 /IZO/TPD/DPVBi/BAlq/BCP: Cs/BCP:K/BCP: Li/Sm/ 封裝蓋板的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0088] 這種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0089] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0090] 步驟二、在真空度為IX 10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陰極，材 料為ΙΖ0,厚度為70nm，濺射速率為0· lnm/s ;
[0091] 步驟三、在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽(yáng)極的表面通過(guò)真空熱蒸鍍 技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門(mén)PD，厚度為60nm，蒸鍍 速率為lnm/s ;發(fā)光層的材料為熒光材料DPVBi，厚度為15nm，DPVBi的蒸鍍速率為lnm/s ; 空穴阻擋層的材料為BAlq，厚度為8nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s。
[0092] 步驟四、在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備電子傳輸層，電子傳 輸材料為BCP，蒸鍍速度保持為0. 5nm/s，在蒸鍍BCP的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Cs2C03，蒸鍍速度為 0. 05nm/s，蒸發(fā)時(shí)間為20秒，形成含Cs的摻雜層厚度為10nm ;然后在蒸鍍BCP的同時(shí)，蒸 發(fā)KBH4，蒸鍍速度為0. lnm/s，蒸發(fā)時(shí)間為40秒，形成含K的摻雜層的厚度為20nm ;然后在 蒸鍍BCP的同時(shí)，蒸發(fā)LiF，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s，蒸發(fā)時(shí)間為100秒，形成含Li的摻雜層厚 度為50nm。最終形成的電子傳輸層的厚度為80nm。
[0093] 步驟五、在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層的表面蒸鍍制備 陰極，材料為金屬Sm，厚度為200nm，蒸鍍速率為2nm/s。
[0094] 步驟六、在陰極表面覆蓋玻璃封裝蓋板，使用連接件將玻璃封裝蓋板固定至基底， 封裝蓋板的厚度為1. 5mm，連接件的材料為光固化丙烯酸樹(shù)脂，厚度為2mm。
[0095] 實(shí)施例4
[0096] 本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為基底 /GZO/TAPC/Rubrene/BAl/PBD:Cs/PBD:Na/PBD:Li/ Mg-Al/封裝蓋板的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0097] 這種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0098] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0099] 步驟二、在真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陰極，材 料為GZ0,厚度為100nm，濺射速率為lnm/s ;
[0100] 步驟三、在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽(yáng)極的表面通過(guò)真空熱蒸鍍 技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門(mén)APC厚度為40nm，蒸鍍 速率為0. 5nm/s ;發(fā)光層的材料為Rubrene厚度為5nm，Rubrene的蒸鍍速率為0. lnm/s ;空 穴阻擋層的材料為BAlq，厚度為10nm，蒸鍍速率為0. 5nm/s。
[0101] 步驟四、在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備電子傳輸層，電子傳 輸材料為PBD，蒸鍍速度保持為0. 5nm/s，在蒸鍍PBD的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)CsF，蒸鍍速度為 0. 05nm/s，蒸發(fā)時(shí)間為40秒，形成含Cs的摻雜層厚度為20nm ;然后在蒸鍍PBD的同時(shí)，蒸 發(fā)NaF，蒸鍍速度為0. lnm/s，蒸發(fā)時(shí)間為60秒，形成含Na的摻雜層的厚度為30nm ;然后在 蒸鍍PBD的同時(shí)，蒸發(fā)Li3N，蒸發(fā)速度為0. 2nm/s，蒸發(fā)時(shí)間為200秒，形成含Li的摻雜層 厚度為l〇〇nm。最終形成的電子傳輸層的厚度為150nm。
[0102] 步驟五、在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層的表面蒸鍍制備 陰極，材料為金屬鎂鋁合金Mg-Al，厚度為lOOnm，蒸鍍速率為lnm/s。
[0103] 步驟六、在陰極表面覆蓋玻璃封裝蓋板，使用連接件將玻璃封裝蓋板固定至基底， 封裝蓋板的厚度為1. 2mm，連接件的材料為光固化丙烯酸樹(shù)脂，厚度為3mm。
[0104] 對(duì)比例
[0105] 本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)為基底/ITO/Me〇-Tro/Alq3/BAlq/TPBi :Cs/Ag的有機(jī)電致發(fā) 光器件。
[0106] 這種有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0107] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0108] 步驟二、在真空度為IX l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陰極，材 料為IT0厚度為lOOnm，濺射速率為0. 5nm/s ;
[0109] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽(yáng)極的表面通過(guò)真空熱蒸鍍 技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镸eO-TPD，厚度為40nm， 蒸鍍速率為〇. 5nm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸鍍速率為0. 5nm/s ;空穴阻擋層 的材料為BAlq，厚度為10nm，蒸鍍速率為0· 5nm/s。
[0110] 步驟四、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備電子傳輸層，電子傳 輸材料為T(mén)PBi，蒸鍍速度保持為0. 5nm/s，在蒸鍍TPBi的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)CsN3，蒸鍍速度為 0. lnm/s，蒸發(fā)時(shí)間為100秒，形成的電子傳輸層的厚度為50nm。
[0111] 步驟五、在真空度為1 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層的表面蒸鍍制備 陰極，材料為Ag，厚度為lOOnm，蒸鍍速率為0· 5nm/s。
[0112] 步驟六、在陰極表面覆蓋玻璃封裝蓋板，使用連接件將玻璃封裝蓋板固定至基底， 封裝蓋板的厚度為1mm，連接件的材料為光固化丙烯酸樹(shù)脂，厚度為1mm。
[0113] 表 1
[0114]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基底及發(fā)光單元，所述發(fā)光單 元包括依次層疊的陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層及陰極，所述陽(yáng)極形 成于所述基底的表面，所述電子傳輸層至少為兩層，每一層所述電子傳輸層的材料包括電 子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬，所述堿金屬為鋰、鈉、鉀、銣或銫，且距 離所述發(fā)光層較遠(yuǎn)的電子傳輸層中的堿金屬的原子體積較距離所述發(fā)光層較近的電子傳 輸層中的堿金屬的原子體積小，所述電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯 基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、1，2, 4-三唑衍生物或雙 (2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08)-(1, Γ-聯(lián)苯-4-羥基）鋁。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，至少兩層所述電子傳輸層 的總厚度為40nm?200nm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，距離所述發(fā)光層較遠(yuǎn)的電 子傳輸層中的堿金屬的質(zhì)量百分比較距離所述發(fā)光層較近的電子傳輸層的堿金屬的質(zhì)量 百分比大。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為主體 材料與客體材料摻雜形成的混合物或熒光材料，所述主體材料選自4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián) 苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯及N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二 (1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺中的至少一種，所述客體材料選自4-(二腈甲基)-2- 丁 基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡 啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三（2-苯基吡啶）合銥中的至少一 種，所述熒光材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、4, 4'-雙 [4_(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘中的至少一種，所述客 體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:1〇〇?1〇:1〇〇。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，還包括封裝蓋板，所述封裝 蓋板蓋設(shè)于所述陰極的表面且與所述基底固接。
6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在基板的表面制備依次層疊的陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層； 在所述空穴阻擋層的表面采用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料和堿金屬的化合物同時(shí) 進(jìn)行蒸發(fā)制備至少兩層電子傳輸層，每一層所述電子傳輸層的材料包括所述電子傳輸材料 及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬，且距離所述發(fā)光層較遠(yuǎn)的電子傳輸層中的堿金屬 的原子體積較距離所述發(fā)光層較近的電子傳輸層中的堿金屬的原子體積小，所述堿金屬化 合物為鋰的化合物、鈉的化合物、鉀的化合物、銣的化合物或銫的化合物，所述電子傳輸材 料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二 苯基-鄰菲咯啉、1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲、1，2, 4-三唑衍生物或雙（2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08)-(1, Γ-聯(lián) 苯-4-羥基）鋁；及 在所述電子傳輸層的表面制備陰極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：距離所述發(fā)光 層較遠(yuǎn)的電子傳輸層中的堿金屬的質(zhì)量百分比較距離所述發(fā)光層較近的電子傳輸層的堿 金屬的質(zhì)量百分比大。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述堿金屬的 化合物為堿金屬的氟化物、堿金屬的碳酸化合物、堿金屬的疊氮化合物、堿金屬的氮化物或 堿金屬的硼氫化合物。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述電子傳輸 層的總厚度為40nm?200nm。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：還包括步驟： 將封裝蓋板覆蓋在陰極表面，并將封裝蓋板固定連接至基底。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK104064677SQ201310092945
【公開(kāi)日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2013年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月21日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張振華, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司