有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

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有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層、陰極及封裝蓋，第一電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在電子傳輸材料中的第一摻雜材料，第二電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在電子傳輸材料中的第二摻雜材料，第一摻雜材料選自銀、金、鋁、鎂及釤中的至少一種，第二摻雜材料為鋰、鈉、鉀、銣或銫，電子傳輸材料為2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羥基喹啉)-鋁、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲或1,2,4-三唑衍生物。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道（LUM0)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道 (HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003] 現(xiàn)有的0LED中電子傳輸層中通常使用堿金屬的化合物進(jìn)行摻雜，然而堿金屬的化合物中堿金屬離子體積小，擴(kuò)散能力強(qiáng)，在0LED中的有機(jī)層中擴(kuò)散距離長，使得有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較短。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種壽命較長的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005] -種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極，所述第一電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的第一摻雜材料，所述第二電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的第二摻雜材料，所述第一摻雜材料選自銀、金、鋁、鎂及釤中的至少一種，所述第二摻雜材料為鋰、鈉、鉀、銣或銫，所述電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、 1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物；
[0006] 所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝于所述基底上。
[0007] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電子傳輸層的厚度為5nm?20nm，所述第一電子傳輸層中所述第一摻雜材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為5:100?20:100。
[0008] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二電子傳輸層的厚度為40nm?200nm，所述第二電子傳輸層中所述第二摻雜材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為1〇:1〇〇?50:100。
[0009] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋形成有收容腔，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極收容于所述收容腔。
[0010] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料為主體材料與客體材料摻雜形成的混合物或熒光材料，所述主體材料選自4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯及N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺中的至少一種，所述客體材料選自4-(二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2 )吡啶甲酰合銥、雙 (4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三（2-苯基吡啶）合銥中的至少一種，所述熒光材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、4, 4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:100?10:100。
[0011] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0012] 在基板的表面制備依次層疊的陽極、空穴傳輸層及發(fā)光層；
[0013] 在所述發(fā)光層的表面米用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料及第一摻雜材料同時(shí) 進(jìn)行蒸發(fā)制備第一電子傳輸層，所述電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5_ (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物，所述第一摻雜材料選自銀、金、鋁、鎂及釤中的至少一種；
[0014] 在所述第一電子傳輸層的表面米用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料及堿金屬的化合物同時(shí)進(jìn)行蒸發(fā)制備第二電子傳輸層，所述堿金屬的化合物中的堿金屬為鋰、鈉、鉀、銣或銫，所述電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物；
[0015] 在所述第二電子傳輸層的表面制備陰極；及
[0016] 使用封裝蓋將所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝于所述基底上。
[0017] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電子傳輸層的厚度為5nm?20nm，所述第一電子傳輸層中所述第一摻雜材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為5:100?20:100。
[0018] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二電子傳輸層的厚度為40nm?200nm，所述第二電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬，所述第二電子傳輸層中所述堿金屬與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為10:1〇〇?50:100。
[0019] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述堿金屬的化合物為堿金屬的氟化物、堿金屬的碳酸化合物、堿金屬的疊氮化合物、堿金屬的氮化物或堿金屬的硼氫化合物。
[0020] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋形成有收容腔，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極收容于所述收容腔。
[0021] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，第二電子傳輸層中的第二摻雜材料為鋰、鈉、鉀、銣或銫，采用摻雜結(jié)構(gòu)的第二電子傳輸層，降低了有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流；在第二電子傳輸層及發(fā)光層之間設(shè)置第一電子傳輸層，第一電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在電子傳輸材料中的第一摻雜材料，第一摻雜材料為金屬，可以提高電子傳輸材料的導(dǎo)電性，同時(shí)第一摻雜材料的擴(kuò)散能力較差，不會(huì)向發(fā)光層擴(kuò)散，同時(shí)第一電子傳輸層能夠?qū)Φ诙娮觽鬏攲拥牡诙诫s材料的擴(kuò)散進(jìn)行阻擋，阻止第二摻雜材料向發(fā)光層擴(kuò) 散，避免導(dǎo)致激子淬滅，使得有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0025] 請參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的基底10、陽極 20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、第一電子傳輸層60、第二電子傳輸層70、陰極80及封裝蓋 90 〇
[0026] 基底10的材料為玻璃。
[0027] 陽極20形成于基底10的表面。陽極20的材料為透明導(dǎo)電氧化物。具體的，陽極 20的材料選自銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)及鎵鋅氧化物（GZ0) 中的至少一種，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極20的厚度為70nm?200nm。
[0028] 空穴傳輸層30形成于陽極20的表面。空穴傳輸層30的材料為空穴傳輸材料與摻雜劑形成的混合物或空穴緩沖材料?？昭▊鬏敳牧线x自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（ΝΡΒ)、4,4'，4''_三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)、 Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯（Me〇-TPD)、2,7-雙（Ν，Ν-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9, 9-螺二芴（Me〇-Sprio_TPD)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)及 1， 1-二（4-(Ν，Ν'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷（TAPC)中的至少一種。摻雜劑選自2,3,5,6-四氟-7,7'，8,8'-四氰醌-二甲烷^4-1^觸）、1，3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲對蔡醒（F6-TNAP)及2, 2' - (2, 5_二氛基_3, 6_二氣環(huán)己燒_2, 5_二稀_1，4_二亞基）二丙二腈（F2-HCNQ)中的至少一種?；旌衔镏?，摻雜劑與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為2:100? 30:100?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm。
[0029] 發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40的材料為主體材料與客體材料摻雜形成的混合物或熒光材料。主體材料選自4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)及 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二 (1-萘基聯(lián)苯-4,4'_二胺（ΝΡΒ)中的至少一種。客體材料選自4-(二腈甲基）-2-丁基-6-(1，1，7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-紐-吡喃（0(：1^)、雙（4,6-二氟苯基吡啶-Ν，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三 (1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)及三（2-苯基批陡）合銥（Ir(ppy)3)中的至少一種。客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:1〇〇?1〇:1〇〇。熒光材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）_1，1'-聯(lián)苯（DPVBi)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'_雙[4_(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)中的至少一種。發(fā)光層40的材料優(yōu)選為8-輕基喹啉錯(cuò)（Alq3)。發(fā)光層40的厚度為5nm?20nm，優(yōu)選為15nm。
[0030] 第一電子傳輸層60形成于發(fā)光層40的表面。第一電子傳輸層60的材料包括電子傳輸材料及摻雜在電子傳輸材料中的第一摻雜材料。第一摻雜材料選自銀(Ag)、金（Au)、鋁（A1)、鎂（Mg)及釤（Sm)中的至少一種。電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑（PBD)、（8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、 1，3,5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)或1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)。第一電子傳輸層60中第一摻雜材料與電子傳輸材料的質(zhì)量比為5:100?20:100。第一電子傳輸層60的厚度為5nm?20nm。
[0031] 第二電子傳輸層70形成于第一電子傳輸層60的表面。第二電子傳輸層70的材料包括電子傳輸材料及摻雜在電子傳輸材料中的第二摻雜材料。第二摻雜材料為鋰（Li)、鈉（Na)、鉀（K)、銣（Rb)或銫（Cs)。電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑（PBD)、（8-羥基喹啉）_鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、 1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯（了?8丨）、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)或1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)。第二電子傳輸層70中第二摻雜材料與電子傳輸材料的質(zhì)量比為10:100?50:100。第二電子傳輸層70的厚度為40nm?200nm。
[0032] 陰極80形成于第二電子傳輸層70的表面。陰極80的材料為銀（Ag)、錯(cuò)（A1)、釤（Sm)、鐿（Yb)、鎂銀合金（Mg-Ag)或鎂鋁合金（Mg-Al)，優(yōu)選為銀。陰極的厚度為70nm? 200nm，優(yōu)選為 100nm。
[0033] 封裝蓋90蓋設(shè)于陰極80。封裝蓋90形成有收容腔92。收容腔92為自封裝蓋90 的表面凹陷的凹槽。封裝蓋90蓋設(shè)于陰極80表面且將陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、第一電子傳輸層60、第二電子傳輸層70及陰極80收容于收容腔92。封裝蓋90的邊緣通過封裝膠（圖未示)與基底10密封連接，從而封裝蓋90將陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、第一電子傳輸層60、第二電子傳輸層70及陰極80封裝在基底10上。本實(shí)施方式中，封裝蓋90的材料為玻璃。
[0034] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件100,第二電子傳輸層70中的第二摻雜材料為鋰、鈉、鉀、銣或銫，采用摻雜結(jié)構(gòu)的第二電子傳輸層70,降低了有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流；在第二電子傳輸層70及發(fā)光層40之間設(shè)置第一電子傳輸層60,第一電子傳輸層60的材料包括電子傳輸材料及摻雜在電子傳輸材料中的第一摻雜材料，第一摻雜材料為金屬，可以提高電子傳輸材料的導(dǎo)電性，第一摻雜材料的擴(kuò)散能力較差，不會(huì)向發(fā)光層40擴(kuò)散，同時(shí)第一電子傳輸層能夠?qū)Φ诙娮觽鬏攲?0的第二摻雜材料的擴(kuò)散進(jìn)行阻擋，阻止第二摻雜材料向發(fā)光層40擴(kuò)散，避免導(dǎo)致激子淬滅，使得有機(jī)電致發(fā)光器件100的壽命較長。
[0035] 可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0036] 請同時(shí)參閱圖2, 一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟：
[0037] 步驟S110、在基板10的表面制備依次層疊的陽極20、空穴傳輸層30及發(fā)光層40。
[0038] 基底10的材料為玻璃。
[0039] 本實(shí)施方式中，在基底10表面形成陽極20之前先對基底10進(jìn)行前處理，前處理包括：將基底10放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0040] 陽極20形成于基底10的表面。陽極20的材料為透明導(dǎo)電氧化物。具體的，陽極 20的材料選自銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)及鎵鋅氧化物（GZ0) 中的至少一種，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極20的厚度為70nm?200nm。陽極20在真空鍍膜系統(tǒng)中，通過磁控濺射制備，真空度為1 X l(T5Pa?1 X 10_3Pa。
[0041] 空穴傳輸層30形成于陽極20的表面空穴傳輸層30的材料為空穴傳輸材料與摻雜劑形成的混合物或空穴緩沖材料。空穴傳輸材料選自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（NPB)、4,4'，4''_三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)、 Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯（Me〇-TPD)、2,7-雙（Ν，Ν-二（4-甲氧基苯基）氨基）-9, 9-螺二芴（Me〇-Sprio_TPD)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)及 1， 1-二（4-(Ν，Ν'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷（TAPC)中的至少一種。摻雜劑選自2,3,5,6-四氟-7,7'，8,8'-四氰醌-二甲烷^4-1^觸）、1，3,4,5,7,8-六氟-四氰-二甲對蔡醒（F6-TNAP)及2, 2' - (2, 5_二氛基_3, 6_二氣環(huán)己燒_2, 5_二稀_1，4_二亞基）二丙二腈（F2-HCNQ)中的至少一種?；旌衔镏校瑩诫s劑與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為2:100? 30:100?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm。本實(shí)施方式中，空穴傳輸層30由蒸鍍制備，蒸鍍在真空壓力為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa下進(jìn)行，空穴傳輸材料的蒸鍍速率為0. 02nm/ s ?lnm/s〇
[0042] 發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40的材料為主體材料與客體材料摻雜形成的混合物或熒光材料。主體材料選自4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)及 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二 (1-萘基聯(lián)苯-4,4'_二胺（ΝΡΒ)中的至少一種?？腕w材料選自4-(二腈甲基）-2-丁基-6-(1，1，7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-紐-吡喃（0(：1^)、雙（4,6-二氟苯基吡啶-Ν，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三 (1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)及三（2-苯基批陡）合銥（Ir(ppy)3)中的至少一種。客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:1〇〇?1〇:1〇〇。熒光材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）_1，1'-聯(lián)苯（DPVBi)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'_雙[4_(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)中的至少一種。發(fā)光層40的材料優(yōu)選為8-輕基喹啉錯(cuò)（Alq3)。發(fā)光層40的厚度為5nm?20nm，優(yōu)選為15nm。本實(shí)施方式中，發(fā)光層40由蒸鍍制備，蒸鍍在真空壓力為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa下進(jìn)行，發(fā)光層的蒸鍛速率為〇. 〇5nm/s?lnm/s。
[0043] 步驟S120、在發(fā)光層40的表面采用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料及第一摻雜材料同時(shí)進(jìn)行蒸發(fā)制備第一電子傳輸層60。
[0044] 第一摻雜材料選自銀（Ag)、金（Au)、鋁（A1)、鎂（Mg)及釤（Sm)中的至少一種。電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、（8-羥基喹啉）_鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、l，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)或1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)。第一電子傳輸層60中第一摻雜材料與電子傳輸材料的質(zhì)量比為5:100?20:100。第一電子傳輸層60的厚度為5nm?20nm。
[0045] 本實(shí)施方式中，第一電子傳輸層60由蒸鍍制備，蒸鍍在真空壓力為IX l(T5Pa? 1 X l(T3Pa下進(jìn)行，電子傳輸層的蒸鍍速率為0. 05nm/s?lnm/s。
[0046] 步驟S130、在第一電子傳輸層60的表面采用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料及堿金屬的化合物同時(shí)進(jìn)行蒸發(fā)制備第二電子傳輸層70。
[0047] 堿金屬的化合物中的堿金屬為鋰、鈉、鉀、銣或銫。堿金屬的化合物為堿金屬的氟化物、堿金屬的碳酸化合物、堿金屬的疊氮化合物、堿金屬的氮化物或堿金屬的硼氫化合物，如碳酸鋰（Li2C03)、疊氮化鋰（LiN3)、氟化鋰（LiF)、疊氮化銫（CsN 3)、碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、硼氫化鉀（KBH4)、碳酸銣（Rb2C03)、氮化鋰（Li 3N)、氟化鈉（NaF)。
[0048] 電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、 (8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)或1，2,4_三唑衍生物（TAZ)。
[0049] 該步驟中，在蒸鍍過程中，堿金屬的化合物經(jīng)過加熱分解，形成堿金屬摻雜在電子傳輸材料中。
[0050] 第二電子傳輸層70中堿金屬與電子傳輸材料的質(zhì)量比為10:100?50:100。第二電子傳輸層70的厚度為50nm?200nm。
[0051] 本實(shí)施方式中，蒸鍍在真空壓力為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa下進(jìn)行，電子傳輸材料的蒸鍍速率為〇. 5nm/s?lnm/s。堿金屬的化合物的蒸鍍速率為0. 05nm/s?0. 2nm/s。
[0052] 步驟S140、在第二電子傳輸層70的表面制備陰極80。
[0053] 陰極80形成于第二電子傳輸層70的表面。陰極80的材料為銀（Ag)、錯(cuò)（A1)、釤（Sm)、鐿（Yb)、鎂銀合金（Mg-Ag)或鎂鋁合金（Mg-Al)，優(yōu)選為銀。陰極的厚度為70nm? 200nm，優(yōu)選為 100nm。
[0054] 本實(shí)施方式中，蒸鍍在真空壓力為lXl(T5Pa?lXl(T3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為 0· 2nm/s ?2nm/s 〇
[0055] 步驟S150、使用封裝蓋90將將陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、空穴阻擋層50、第一電子傳輸層60、第二電子傳輸層70及陰極80封裝于基底10上。
[0056] 封裝蓋90形成有收容腔92。收容腔92為自封裝蓋90的表面凹陷的凹槽。封裝蓋90蓋設(shè)于陰極80表面且將陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、空穴阻擋層50、第一電子傳輸層60、第二電子傳輸層70及陰極80收容于收容腔92。
[0057] 封裝蓋90的邊緣抵持基底10,在封裝蓋90的邊緣涂布封裝膠使封裝蓋90與基底10密封連接，從而封裝蓋90將陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、第一電子傳輸層60、第二電子傳輸層70及陰極80封裝在基底10上。
[0058] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡單。
[0059] 以下結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0060] 本發(fā)明實(shí)施例及對比例所用到的制備與測試儀器為：測試與制備設(shè)備為高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司），美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時(shí)利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測試亮度和色度。
[0061] 實(shí)施例1
[0062] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0063] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0064] 步驟二、在真空度為IX 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陽極，材料為ΙΤ0厚度為100nm，濺射速率為0. 5nm/s ;
[0065] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層。空穴傳輸層的材料包括MeO-Tro及摻雜在MeO-TPD中的 F6-TNAP，F(xiàn)6-TNAP與Me〇-TPD的質(zhì)量比為5:100,厚度為60nm，Me0-Tro的蒸鍍速率為lnm/ s，F(xiàn)6-TNAP的蒸鍍速率為0. 05nm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸鍍速率為0. 5nm/ So
[0066] 步驟四、在真空度為IX 10_4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第一電子傳輸層，在蒸鍍Alq3的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Ag，Alq 3的蒸鍍速度保持為lnm/s，Ag的蒸鍍速度為 0.05nm/s，厚度為20nm，其中Ag與Bphen的質(zhì)量比為5:100。
[0067] 步驟五、在真空度為IX 10_4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第二電子傳輸層，在蒸鍍BCP的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Li2C0 3, BCP的蒸鍍速度保持為lnm/s，Li2C03的蒸鍍速度為0· lnm/s，厚度為40nm，其中Li與BCP的質(zhì)量比為10:100。
[0068] 步驟六、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在第二電子傳輸層的表面蒸鍍制備陰極，材料為Ag，厚度為100nm，蒸鍍速率為lnm/s。
[0069] 步驟七、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0070] 實(shí)施例2
[0071] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0072] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0073] 步驟二、在真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陽極，材料為GZ0厚度為200nm，濺射速率為0· 2nm/s ;
[0074] 步驟三、在真空度為IX l(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層。空穴傳輸層的材料包括NPB及摻雜在NPB中的F4-TCNQ， F4-TCNQ與NPB的質(zhì)量比為10:100,厚度為40nm，NPB的蒸鍍速率為lnm/s，F(xiàn)4-TCNQ的蒸鍍速率為0. lnm/s ;發(fā)光層的材料為DPAVBi，厚度為10nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s ;
[0075] 步驟四、在真空度為IX 10_5Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第一電子傳輸層，在蒸鍍BCP的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Al，BCP的蒸鍍速度保持為0. 5nm/s，A1的蒸鍍速度為 0.05nm/s，厚度為5nm，其中A1與Bphen的質(zhì)量比為10:100。
[0076] 步驟五、在真空度為IX l(T5Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第二電子傳輸層，在蒸鍍Bphen的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Cs 2C03, Bphen的蒸鍍速度保持為0. 2nm/s，Cs2C03的蒸鍍速度為〇. lnm/s，厚度為200nm，其中Cs與Bphen的質(zhì)量比為50:100。
[0077] 步驟六、在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在第二電子傳輸層的表面蒸鍍制備陰極，材料為A1，厚度為200nm，蒸鍍速率為2nm/s。
[0078] 步驟七、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0079] 實(shí)施例3
[0080] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0081] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0082] 步驟二、在真空度為IX 10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陽極，材料為ΑΖ0厚度為70nm，濺射速率為0. lnm/s ;
[0083] 步驟三、在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧习═ro及摻雜在Tro中的F2-HCNQ，F(xiàn)2-HCNQ與TPD的質(zhì)量比為30:100,厚度為20nm，Tro的蒸鍍速率為0. 9nm/s， F2-HCNQ的蒸鍍速率為0. 3nm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸鍍速率為lnm/s。
[0084] 步驟四、在真空度為IX 10_4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第一電子傳輸層，在蒸鍍Bphen的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Au，Bphen的蒸鍍速度保持為0. 5nm/s，Au的蒸鍍速度為 0· lnm/s，厚度為10nm，其中Au與Bphen的質(zhì)量比為20:100。
[0085] 步驟五、在真空度為IX 10_4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第二電子傳輸層，在蒸鍍TAZ的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Rb2C0 3, TAZ的蒸鍍速度保持為0. 5nm/s，Rb2C03的蒸鍍速度為0. lnm/s，厚度為80nm，其中Rb與TAZ的質(zhì)量比為20:100。
[0086] 步驟六、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在第二電子傳輸層的表面蒸鍍制備陰極，材料為金屬Sm，厚度為70nm，蒸鍍速率為0. 2nm/s。
[0087] 步驟七、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0088] 實(shí)施例4
[0089] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0090] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0091] 步驟二、在真空度為IX l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陽極，材料為IZ0,厚度為lOOnm，濺射速率為0· 5nm/s ;
[0092] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧习∕eO-Sprio-TH)及摻雜在 MeO-Sprio-TPD 中的 F6-TNAP，F(xiàn)6-TNAP 與 MeO-Sprio-TPD 的質(zhì)量比為 20:100,厚度為 GOnnuMeO-Sprio-TH)的蒸鍍速率為lnm/s，F(xiàn)6_TNAP的蒸鍍速率為0. 2nm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸鍍速率為0· 5nm/s。
[0093] 步驟四、在真空度為IX l(T4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第一電子傳輸層，在蒸鍍TPBi的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Mg，TPBi的蒸鍍速度保持為0. 5nm/s，Mg的蒸鍍速度為 0. 05nm/s，厚度為10nm，其中Mg與TPBi的質(zhì)量比為10:100。
[0094] 步驟五、在真空度為IX l(T4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第二電子傳輸層，在蒸鍍TPBi的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)KBH 4，TPBi的蒸鍍速度保持為lnm/s，KBH4的蒸鍍速度為 0· 2nm/s，厚度為100nm，其中K與TPBi的質(zhì)量比為20:100。
[0095] 步驟六、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在第二電子傳輸層的表面蒸鍍制備陰極，材料為鎂銀合金Mg-Ag，厚度為200nm，蒸鍍速率為2nm/s。
[0096] 步驟七、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0097] 實(shí)施例5
[0098] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0099] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0100] 步驟二、在真空度為IX l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陽極，材料為ΙΤ0厚度為100nm，濺射速率為0. 5nm/s ;
[0101] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧习═CTA及摻雜在TCTA 中的F4-TCNQ，F(xiàn)4-TCNQ與TCTA的質(zhì)量比為10:100,厚度為60nm，TCTA的蒸鍍速率為lnm/ s，F(xiàn)4-TCNQ的蒸鍍速率為0. lnm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸鍍速率為0. lnm/ So
[0102] 步驟四、在真空度為IX l〇_4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第一電子傳輸層，在蒸鍍PBD的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Sm，PBD的蒸鍍速度保持為0. 5nm/s，Sm的蒸鍍速度為 0· 05nm/s，厚度為10nm，其中Sm與PBD的質(zhì)量比為10:100。
[0103] 步驟五、在真空度為IX l〇_4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第二電子傳輸層，在蒸鍍PBD的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)LiF，PBD的蒸鍍速度保持為0. 2nm/s，LiF的蒸鍍速度為 0· lnm/s，厚度為30nm，其中Li與PBD的質(zhì)量比為50:100。
[0104] 步驟六、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在第二電子傳輸層的表面蒸鍍制備陰極，材料為鎂鋁合金Mg-Al，厚度為100nm，蒸鍍速率為lnm/s。
[0105] 步驟七、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0106] 對比例1
[0107] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0108] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0109] 步驟二、在真空度為IX l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陽極，材料為ΙΤ0厚度為100nm，濺射速率為0. 5nm/s ;
[0110] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層?？昭▊鬏攲拥牟牧习∕eO-Tro及摻雜在MeO-TPD中的 F6-TNAP，F(xiàn)6-TNAP與Me〇-TPD的質(zhì)量比為5:100,厚度為60nm，Me0-Tro的蒸鍍速率為lnm/ s，F(xiàn)6-TNAP的蒸鍍速率為0. 05nm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸鍍速率為0. 5nm/ So
[0111] 步驟四、在真空度為IX l(T4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第二電子傳輸層，在蒸鍍BCP的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Li2C0 3, BCP的蒸鍍速度保持為lnm/s，Li2C03的蒸鍍速度為0· lnm/s，厚度為40nm，其中Li與BCP的質(zhì)量比為10:100。
[0112] 步驟五、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在第二電子傳輸層的表面蒸鍍制備陰極，材料為Ag，厚度為100nm，蒸鍍速率為lnm/s。
[0113] 步驟六、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0114] 對比例2
[0115] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0116] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0117] 步驟二、在真空度為IX l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陽極，材料為ΙΤ0厚度為100nm，濺射速率為0. 5nm/s ;
[0118] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層?？昭▊鬏攲拥牟牧习∕eO-Tro及摻雜在MeO-TPD中的 F6-TNAP，F(xiàn)6-TNAP與Me〇-TPD的質(zhì)量比為5:100,厚度為60nm，Me0-Tro的蒸鍍速率為lnm/ s，F(xiàn)6-TNAP的蒸鍍速率為0. 05nm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸鍍速率為0. 5nm/ So
[0119] 步驟四、在真空度為lX10_4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備阻擋層，材料為 BAlq，厚度為10nm，蒸鍍速率為0· 2nm/s。
[0120] 步驟五、在真空度為IX l〇_4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備第二電子傳輸層，在蒸鍍BCP的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Li2C0 3, BCP的蒸鍍速度保持為lnm/s，Li2C03的蒸鍍速度為0· lnm/s，厚度為40nm，其中Li與BCP的質(zhì)量比為10:100。
[0121] 步驟六、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在第二電子傳輸層的表面蒸鍍制備陰極，材料為Ag，厚度為100nm，蒸鍍速率為lnm/s。
[0122] 步驟七、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0123] 表 1
[0124]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā) 光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極，所述第一電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的第一摻雜材料，所述第二電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的第二摻雜材料，所述第一摻雜材料選自銀、金、鋁、鎂及釤中的至少一種，所述第二摻雜材料為鋰、鈉、鉀、銣或銫，所述電子傳輸材料為 2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物；所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝于所述基底上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電子傳輸層的厚度為5nm?20nm，所述第一電子傳輸層中所述第一摻雜材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為 5:100 ?20:100。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電子傳輸層的厚度為40nm?200nm，所述第二電子傳輸層中所述第二摻雜材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為 10:100 ?50:100。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋形成有收容腔，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極收容于所述收容腔。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為主體材料與客體材料摻雜形成的混合物或熒光材料，所述主體材料選自4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián) 苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯及N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二 (1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺中的至少一種，所述客體材料選自4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三（2-苯基吡啶）合銥中的至少一種，所述熒光材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、4, 4'-雙 [4_(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘中的至少一種，所述客體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:1〇〇?1〇:1〇〇。
6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：在基板的表面制備依次層疊的陽極、空穴傳輸層及發(fā)光層；在所述發(fā)光層的表面采用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料及第一摻雜材料同時(shí)進(jìn) 行蒸發(fā)制備第一電子傳輸層，所述電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物，所述第一摻雜材料選自銀、金、鋁、鎂及釤中的至少一種；在所述第一電子傳輸層的表面采用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料及堿金屬的化合物同時(shí)進(jìn)行蒸發(fā)制備第二電子傳輸層，所述堿金屬的化合物中的堿金屬為鋰、鈉、鉀、銣或銫，所述電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物；在所述第二電子傳輸層的表面制備陰極；及使用封裝蓋將所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極封裝于所述基底上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述第一電子傳輸層的厚度為5nm?20nm，所述第一電子傳輸層中所述第一摻雜材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為5:100?20:100。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述第二電子傳輸層的厚度為40nm?200nm，所述第二電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬，所述第二電子傳輸層中所述堿金屬與所述電子傳輸材料的質(zhì) 量比為 10:100 ?50:100。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述堿金屬的化合物為堿金屬的氟化物、堿金屬的碳酸化合物、堿金屬的疊氮化合物、堿金屬的氮化物或堿金屬的硼氫化合物。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述封裝蓋形成有收容腔，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、第一電子傳輸層、第二電子傳輸層及陰極收容于所述收容腔。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104064676SQ201310092201
【公開日】2014年9月24日申請日期:2013年3月21日優(yōu)先權(quán)日:2013年3月21日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張振華, 王平申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司

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