有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、離子阻擋層、電子傳輸層、陰極及封裝蓋，離子阻擋層的材料選自鈦的氧化物、鋅的氧化物、鋯的氧化物及錫的氧化物中的至少一種，電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在電子傳輸材料中的摻雜材料，摻雜材料為鋰、鈉、鉀、銣或銫，電子傳輸材料為2-（4-聯(lián)苯基）-5-（4-叔丁基）苯基-1,3,4-噁二唑、(8-羥基喹啉)-鋁、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲或1,2,4-三唑衍生物。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。 有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極 注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道（LUM0)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道 (HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給 發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光 能。
[0003] 現(xiàn)有的0LED中電子傳輸層中通常使用堿金屬的化合物進(jìn)行摻雜，然而堿金屬的 化合物中堿金屬離子體積小，擴(kuò)散能力強(qiáng)，在0LED中的有機(jī)層中擴(kuò)散距離長，使得有機(jī)電 致發(fā)光器件的壽命較短。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要提供一種壽命較長的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005] -種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻 擋層、離子阻擋層、電子傳輸層及陰極，所述離子阻擋層的材料選自鈦的氧化物、鋅的氧化 物、鋯的氧化物及錫的氧化物中的至少一種，所述電子傳輸層的材料包括電子傳輸材料及 摻雜在所述電子傳輸材料中的摻雜材料，所述摻雜材料為鋰、鈉、鉀、銣或銫，所述電子傳輸 材料為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二 苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物；
[0006] 所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光 層、空穴阻擋層、離子阻擋層、電子傳輸層及陰極封裝于所述基底上。
[0007] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，，所述離子阻擋層的厚度為2nm?7nm，所述電子傳輸層的 厚度為50nm?200nm。
[0008] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述電子傳輸層中所述摻雜材料與所述電子傳輸材料的質(zhì) 量比為 10:100 ?50:100。
[0009] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述離子阻擋層共有兩層，兩層離子阻擋層依次層疊。
[0010] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料為主體材料與客體材料摻雜形成的混 合物或熒光材料，所述主體材料選自4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯及N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺中的至少一種，所述客體材料選自4-(二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四 甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙 (4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙 酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三（2-苯基吡啶）合銥中的至少一種，所述熒光 材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、4, 4'-雙[4-(二對(duì)甲 苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘中的至少一種，所述客體材料與所 述主體材料的質(zhì)量比為1:100?10:100。
[0011] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0012] 在基板的表面制備依次層疊的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層；
[0013] 在所述空穴阻擋層的表面濺射制備離子阻擋層，所述離子阻擋層的材料選自鈦的 氧化物、鋅的氧化物、鋯的氧化物及錫的氧化物中的至少一種；
[0014] 在所述離子阻擋層的表面采用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料及堿金屬的化合物 同時(shí)進(jìn)行蒸發(fā)制備電子傳輸層，所述堿金屬的化合物中的堿金屬為鋰、鈉、鉀、銣或銫，所述 電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、 4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物；
[0015] 在所述電子傳輸層的表面制備陰極；及
[0016] 使用封裝蓋將所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、離子阻擋層、電子傳輸 層及陰極封裝于所述基底上。
[0017] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述離子阻擋層的厚度為2nm?7nm，所述電子傳輸層的厚 度為 50nm ?200nm。
[0018] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述堿金屬的化合物為堿金屬的氟化物、堿金屬的碳酸化 合物、堿金屬的疊氮化合物、堿金屬的氮化物或堿金屬的硼氫化合物。
[0019] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋形成有收容腔，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、 空穴阻擋層、離子阻擋層、電子傳輸層及陰極收容于所述收容腔。
[0020] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述離子阻擋層共有兩層，兩層離子阻擋層依次層疊。
[0021] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，電子傳輸層中的摻雜材料為鋰、鈉、鉀、銣 或銫，采用摻雜結(jié)構(gòu)的電子傳輸層，降低了有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流；在電子傳輸層及 發(fā)光層之間設(shè)置無機(jī)材料形成的離子阻擋層，離子阻擋層較為致密穩(wěn)定，離子阻擋層對(duì)堿 金屬有很好的擴(kuò)散限制作用，能夠阻擋堿金屬向發(fā)光層擴(kuò)散，避免導(dǎo)致激子淬滅，使得有機(jī) 電致發(fā)光器件的壽命較長。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0025] 請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的基底10、陽極 20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、空穴阻擋層50、離子阻擋層60、電子傳輸層70、陰極80及封 裝蓋90。
[0026] 基底10的材料為玻璃。
[0027] 陽極20形成于基底10的表面。陽極20的材料為透明導(dǎo)電氧化物。具體的，陽極 20的材料選自銦錫氧化物ατο)、銦鋅氧化物αζο)、鋁鋅氧化物（azo)及鎵鋅氧化物（gzo) 中的至少一種，優(yōu)選為IT0。陽極20的厚度為70nm?200nm。
[0028] 空穴傳輸層30形成于陽極20的表面。空穴傳輸層30的材料為空穴傳輸材料與 摻雜劑形成的混合物或空穴傳輸材料?？昭▊鬏敳牧线x自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（ΝΡΒ)、4,4'，4''_三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯 胺（m-MTDATA)、Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)、 Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對(duì)二氨基聯(lián)苯（Me〇-TPD)、2,7-雙（Ν，Ν-二（4-甲氧基苯基） 氨基）-9, 9-螺二芴（Me〇-Sprio_TPD)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)及 1， 1-二（4-(Ν，Ν'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷（TAPC)中的至少一種。摻雜劑選 自2,3,5,6-四氟-7,7'，8,8'-四氰醌-二甲烷^4-1^觸）、1，3,4,5,7,8-六氟-四氰-二 甲對(duì)蔡醒（F6-TNAP)及2, 2' - (2, 5_二氛基_3, 6_二氣環(huán)己燒_2, 5_二稀_1，4_二亞基）二 丙二腈（F2-HCNQ)中的至少一種。混合物中，摻雜劑與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為2:100? 30:100?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm。
[0029] 發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40的材料為主體材料與客體材料 摻雜形成的混合物或熒光材料。主體材料選自4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、8_羥基喹啉 鋁（Alq3)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)及 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二 (1-萘基聯(lián)苯-4,4'_二胺（ΝΡΒ)中的至少一種?？腕w材料選自4-(二腈甲 基）-2-丁基-6-(1，1，7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-紐-吡喃（0(：1^)、雙（4,6-二 氟苯基吡啶-Ν，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸 合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三 (1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)及三（2-苯基批陡）合銥（Ir(ppy)3)中的至少一種。 客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:1〇〇?1〇:1〇〇。熒光材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯 基）_1，1'-聯(lián)苯（DPVBi)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'_雙[4_(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯 基]聯(lián)苯（DPAVBi)及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)中的至少一種。發(fā)光層40的 材料優(yōu)選為8-輕基喹啉錯(cuò)（Alq3)。發(fā)光層40的厚度為5nm?20nm，優(yōu)選為15nm。
[0030] 空穴阻擋層50形成于發(fā)光層40的表面?？昭ㄗ钃鯇?0的材料選自雙（2-甲 基-8-羥基喹啉-Ν1，08)-(1，Γ-聯(lián)苯-4-羥基）鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鎵（Gaq 3)、8_羥基 喹啉銦（Inq3)、8_羥基喹啉鋅（Znq2)、8_羥基喹啉鈹（Beq 2)及三（5-羥甲基-8-羥基喹啉） 錯(cuò)（A10q)中的至少一種。空穴阻擋層50的厚度為5nm?10nm。
[0031] 空穴阻擋層50的材料為有機(jī)金屬配合物，具有較好成膜穩(wěn)定性和致密性，其熱穩(wěn) 定性能好，能夠?qū)Πl(fā)光層40起到很好的保護(hù)作用；同時(shí)，空穴阻擋層50阻擋空穴從發(fā)光層 40向電子傳輸層70傳輸，控制激子的復(fù)合區(qū)域在發(fā)光層40。
[0032] 離子阻擋層60形成于空穴阻擋層50的表面。離子阻擋層60的材料選自鈦的氧 化物、鋅的氧化物、鋯的氧化物及錫的氧化物中的至少一種。鈦的氧化物為一氧化鈦（TiO) 或二氧化鈦（Ti0 2)。鋅的氧化物為氧化鋅（ZnO)。鋯的氧化物為二氧化鋯（Zr02)。錫的氧 化物為一氧化錫（SnO)或二氧化錫（Sn0 2)。離子阻擋層60的材料優(yōu)選為Ti02、Zn0、Zr02或 Sn02。離子阻擋層60的厚度為2nm?7nm。
[0033] 進(jìn)一步的，離子阻擋層60共有兩層，兩層離子阻擋層60依次層疊。
[0034] 電子傳輸層70形成于離子阻擋層60的表面。電子傳輸層70的材料包括電子傳 輸材料及摻雜在電子傳輸材料中的摻雜材料。摻雜材料為鋰（Li )、鈉（Na)、鉀（K)、銣（Rb ) 或銫（Cs)。電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、 (8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBi)、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)或1，2,4_三唑 衍生物（TAZ)。電子傳輸層70中摻雜材料與電子傳輸材料的質(zhì)量比為10:100?50:100。 電子傳輸層70的厚度為50nm?200nm。
[0035] 陰極80形成于電子傳輸層70的表面。陰極80的材料為銀（Ag)、錯(cuò)（A1)、杉（Sm)、 鐿（Yb)、鎂銀合金（Mg-Ag)或鎂鋁合金（Mg-Al)，優(yōu)選為銀。陰極的厚度為70nm?200nm， 優(yōu)選為l〇〇nm。
[0036] 封裝蓋90蓋設(shè)于陰極80。封裝蓋90形成有收容腔92。收容腔92為自封裝蓋90 的表面凹陷的凹槽。封裝蓋90蓋設(shè)于陰極80表面且將陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、 空穴阻擋層50、離子阻擋層60、電子傳輸層70及陰極80收容于收容腔92。封裝蓋90的邊 緣通過封裝膠（圖未示)與基底10密封連接，從而封裝蓋90將陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光 層40、空穴阻擋層50、離子阻擋層60、電子傳輸層70及陰極80封裝在基底10上。本實(shí)施 方式中，封裝蓋90的材料為玻璃。
[0037] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件100,電子傳輸層70中的摻雜材料為鋰、鈉、鉀、銣或銫，采 用摻雜結(jié)構(gòu)的電子傳輸層70,降低了有機(jī)電致發(fā)光器件的驅(qū)動(dòng)電流；在電子傳輸層70及發(fā) 光層40之間設(shè)置無機(jī)材料形成的離子阻擋層60,離子阻擋層60較為致密穩(wěn)定，離子阻擋 層60對(duì)堿金屬有很好的擴(kuò)散限制作用，能夠阻擋堿金屬向發(fā)光層40擴(kuò)散，避免導(dǎo)致激子淬 滅，使得有機(jī)電致發(fā)光器件1〇〇的壽命較長；空穴阻擋層50的材料為有機(jī)金屬配合物，具有 較好成膜穩(wěn)定性和致密性，其熱穩(wěn)定性能好，能夠?qū)Πl(fā)光層40起到很好的保護(hù)作用；同時(shí)， 空穴阻擋層50阻擋空穴從發(fā)光層40向電子傳輸層70傳輸，控制激子的復(fù)合區(qū)域在發(fā)光層 40。
[0038] 可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0039] 請(qǐng)同時(shí)參閱圖2, 一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步 驟：
[0040] 步驟S110、在基板10的表面制備依次層疊的陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40及 空穴阻擋層50。
[0041] 基底10的材料為玻璃。
[0042] 本實(shí)施方式中，在基底10表面形成陽極20之前先對(duì)基底10進(jìn)行前處理，前處理 包括：將基底10放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇， 丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0043] 陽極20形成于基底10的表面。陽極20的材料為透明導(dǎo)電氧化物。具體的，陽極 20的材料選自銦錫氧化物（IT0)、銦鋅氧化物（IZ0)、鋁鋅氧化物（AZ0)及鎵鋅氧化物（GZ0) 中的至少一種，優(yōu)選為IT0。陽極20的厚度為70nm?200nm。陽極20在真空鍍膜系統(tǒng)中， 通過磁控濺射制備，真空度為1 X l(T5Pa?1 X 10_3Pa。
[0044] 空穴傳輸層30形成于陽極20的表面。空穴傳輸層30的材料為空穴傳輸材料與 摻雜劑形成的混合物或空穴傳輸材料?？昭▊鬏敳牧线x自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（ΝΡΒ)、4,4'，4''_三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯 胺（m-MTDATA)、Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)、 N，N，N'，N' -四甲氧基苯基）-對(duì)二氨基聯(lián)苯（Me〇-TPD)、2,7-雙（N，N-二（4-甲氧基苯基） 氨基）-9, 9-螺二芴（Me〇-Sprio_TPD)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)及 1， 1-二（4-(Ν，Ν'-二（p-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己烷（TAPC)中的至少一種。摻雜劑選 自2,3,5,6-四氟-7,7'，8,8'-四氰醌-二甲烷^4-1^觸）、1，3,4,5,7,8-六氟-四氰-二 甲對(duì)蔡醒（F6-TNAP)及2, 2' - (2, 5_二氛基_3, 6_二氣環(huán)己燒_2, 5_二稀_1，4_二亞基）二 丙二腈（F2-HCNQ)中的至少一種。混合物中，摻雜劑與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為2:100? 30:100。空穴傳輸層30的厚度為20nm?60nm。本實(shí)施方式中，空穴傳輸層30由蒸鍍制 備，蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X l(T5Pa?1 X l(T3Pa下進(jìn)行，空穴傳輸材料的蒸鍍速率為0. 02nm/ s ?lnm/s〇
[0045] 發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40的材料為主體材料與客體材料 摻雜形成的混合物或熒光材料。主體材料選自4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、8_羥基喹啉 鋁（Alq3)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)及 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二 (1-萘基聯(lián)苯-4,4'_二胺（ΝΡΒ)中的至少一種?？腕w材料選自4-(二腈甲 基）-2-丁基-6-(1，1，7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-紐-吡喃（0(：1^)、雙（4,6-二 氟苯基吡啶-Ν，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸 合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三 (1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)及三（2-苯基批陡）合銥（Ir(ppy)3)中的至少一種。 客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:1〇〇?1〇:1〇〇。熒光材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯 基）_1，1'-聯(lián)苯（DPVBi)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'_雙[4_(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯 基]聯(lián)苯（DPAVBi)及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)中的至少一種。發(fā)光層40的 材料優(yōu)選為8-輕基喹啉錯(cuò)（Alq3)。發(fā)光層40的厚度為5nm?20nm，優(yōu)選為15nm。本實(shí)施 方式中，發(fā)光層40由蒸鍍制備，蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X l(T5Pa?1 X l(T3Pa下進(jìn)行，發(fā)光層的 蒸鍍速率為〇. lnm/s?lnm/s。
[0046] 空穴阻擋層50形成于發(fā)光層40的表面?？昭ㄗ钃鯇?0的材料選自雙（2-甲 基-8-羥基喹啉-Ν1，08)-(1，Γ-聯(lián)苯-4-羥基）鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鎵（Gaq 3)、8_羥基 喹啉銦（Inq3)、8_羥基喹啉鋅（Znq2)、8_羥基喹啉鈹（Beq 2)及三（5-羥甲基-8-羥基喹啉） 錯(cuò)（A10q)中的至少一種?？昭ㄗ钃鯇?0的厚度為5nm?10nm。本實(shí)施方式中，空穴阻擋 層50由蒸鍍制備，蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X l(T5Pa?1 X l(T3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0. lnm/s? lnm/s〇
[0047] 空穴阻擋層50的材料為有機(jī)金屬配合物，具有較好成膜穩(wěn)定性和致密性，其熱穩(wěn) 定性能好，能夠?qū)Πl(fā)光層40起到很好的保護(hù)作用；同時(shí)，空穴阻擋層50阻擋空穴從發(fā)光層 40向電子傳輸層70傳輸，控制激子的復(fù)合區(qū)域在發(fā)光層40。空穴阻擋層50可以對(duì)發(fā)光層 40起到保護(hù)作用，避免制備離子阻擋層60時(shí)對(duì)發(fā)光層40造成損害。
[0048] 步驟S120、在空穴阻擋層50的表面濺射制備離子阻擋層60。
[0049] 離子阻擋層60形成于空穴阻擋層50的表面。離子阻擋層60的材料選自鈦的氧 化物、鋅的氧化物、鋯的氧化物及錫的氧化物中的至少一種。鈦的氧化物為一氧化鈦（TiO) 或二氧化鈦（Ti0 2)。鋅的氧化物為氧化鋅（ZnO)。鋯的氧化物為二氧化鋯（Zr02)。錫的氧 化物為一氧化錫（SnO)或二氧化錫（Sn0 2)。離子阻擋層60的材料優(yōu)選為Ti02、Zn0、Zr02或 Sn02。離子阻擋層60的厚度為2nm?7nm。離子阻擋層60在真空鍍膜系統(tǒng)中，通過磁控濺 射制備，真空度為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa，濺射速率為0. 2nm/s?2nm/s。
[0050] 進(jìn)一步的，離子阻擋層60共有兩層，兩層離子阻擋層60依次層疊。
[0051] 步驟S130、離子阻擋層60的表面采用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料及堿金屬的 化合物同時(shí)進(jìn)行蒸發(fā)制備電子傳輸層70。
[0052] 堿金屬為鋰、鈉、鉀的化合物、銣或銫。堿金屬的化合物為堿金屬的氟化物、堿金 屬的碳酸化合物、堿金屬的疊氮化合物、堿金屬的氮化物或堿金屬的硼氫化合物，如碳酸鋰 (Li 2C03)、疊氮化鋰（LiN3)、氟化鋰（LiF)、疊氮化銫（CsN3)、碳酸銫（Cs 2C03)、氟化銫（CsF)、 硼氫化鉀（KBH4)、碳酸銣（Rb 2C03)、氮化鋰（Li3N)、氟化鈉（NaF)。
[0053] 電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、 (8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBi)、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)或1，2,4_三唑 衍生物（TAZ)。
[0054] 該步驟中，在蒸鍍過程中，堿金屬的化合物經(jīng)過加熱分解，形成堿金屬摻雜在電子 傳輸材料中。
[0055] 電子傳輸層70中堿金屬與電子傳輸材料的質(zhì)量比為10:100?50:100。電子傳輸 層70的厚度為50nm?200nm。
[0056] 本實(shí)施方式中，蒸鍍?cè)谡婵諌毫镮X l(T5Pa?IX l(T3Pa下進(jìn)行，電子傳輸材料的 蒸鍍速率為〇. 2nm/s?lnm/s。堿金屬的化合物的蒸鍍速率為0. lnm/s?0. 5nm/s。
[0057] 步驟S140、在電子傳輸層70的表面制備陰極80。
[0058] 陰極80形成于電子傳輸層70的表面。陰極80的材料為銀（Ag)、錯(cuò)（A1)、杉（Sm)、 鐿（Yb)、鎂銀合金（Mg-Ag)或鎂鋁合金（Mg-Al)，優(yōu)選為銀。陰極的厚度為70nm?200nm， 優(yōu)選為l〇〇nm。
[0059] 本實(shí)施方式中，蒸鍍?cè)谡婵諌毫閘Xl(T5Pa?lXl(T3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為 0· 2m/s ?2nm/s〇
[0060] 步驟S150、使用封裝蓋90將將陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、空穴阻擋層50、 離子阻擋層60、電子傳輸層70及陰極80封裝于基底10上。
[0061] 封裝蓋90形成有收容腔92。收容腔92為自封裝蓋90的表面凹陷的凹槽。封裝 蓋90蓋設(shè)于陰極80表面且將陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、空穴阻擋層50、離子阻擋 層60、電子傳輸層70及陰極80收容于收容腔92。
[0062] 封裝蓋90的邊緣抵持基底10,在封裝蓋90的邊緣涂布封裝膠使封裝蓋90與基 底10密封連接，從而封裝蓋90將陽極20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、空穴阻擋層50、離子 阻擋層60、電子傳輸層70及陰極80封裝在基底10上。
[0063] 上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡單。
[0064] 以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說 明。
[0065] 本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為：測(cè)試與制備設(shè)備為高真空鍍 膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司），美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光 譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能 達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試亮度和色度。
[0066] 實(shí)施例1
[0067] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0068] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0069] 步驟二、在真空度為IX 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陽，材料 為ΙΤ0厚度為100nm，濺射速率為0· 5nm/s ;
[0070] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍 技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧习é圈?--)及摻雜在 Me〇-TPD 中的 F6-TNAP，F(xiàn)6-TNAP 與 Me〇-TPD 的質(zhì)量比為 5:100,厚度為 60nm，Me〇-TPD 的蒸 鍍速率為lnm/s，F(xiàn)6-TNAP的蒸鍍速率為0. 05nm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸 鍍速率為〇. 5nm/s ;空穴阻擋層的材料為BAlq，厚度為10nm，蒸鍍速率為lnm/s。
[0071] 步驟四、在真空度為lXl(T4Pa的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中，采用低頻濺射工藝，制備 離子阻擋層，材料為Ti0 2，濺射速度為0. 02nm/s，厚度為2nm。
[0072] 步驟五、在真空度為IX l(T4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備電子傳輸層，在 蒸鍍Alq3的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Li 2C03, Alq3的蒸鍍速度保持為lnm/s，Li2C03的蒸鍍速度為 0· lnm/s，厚度為50nm，其中Li與Alq3的質(zhì)量比為10:100。
[0073] 步驟六、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層的表面蒸鍍制備 陰極，材料為Ag，厚度為100nm，蒸鍍速率為0· 2nm/s。
[0074] 步驟七、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、離子阻擋層、 電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0075] 實(shí)施例2
[0076] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0077] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0078] 步驟二、在真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陽，材料 為GZ0厚度為70nm，濺射速率為0· lnm/s ;
[0079] 步驟三、在真空度為IX l(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍 技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧习∟PB及摻雜在NPB 中的F4-TCNQ，F(xiàn)4-TCNQ與NPB的質(zhì)量比為10:100,厚度為40nm，NPB的蒸鍍速率為lnm/s， F4-TCNQ的蒸鍍速率為0. lnm/s ;發(fā)光層的材料為DPAVBi，厚度為10nm，蒸鍍速率為0. 2nm/ s ;空穴阻擋層的材料為Gaq3，厚度為10nm，蒸鍍速率為0. 5nm/s。
[0080] 步驟四、在真空度為lXl(T5Pa的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中，采用低頻濺射工藝，制備 離子阻擋層，材料為Zr0 2，濺射速度為0. 05nm/s，厚度為7nm。
[0081] 步驟五、在真空度為lX10_54Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備電子傳輸層，在 蒸鍍Bphen的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Cs 2C03，Bphen的蒸鍍速度保持為0. 2nm/s，Cs2C03的蒸鍍速度 為0. lnm/s，厚度為200nm，其中Cs與Bphen的質(zhì)量比為50:100。
[0082] 步驟六、在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層的表面蒸鍍制備 陰極，材料為Ag，厚度為200nm，蒸鍍速率為2nm/s。
[0083] 步驟七、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、離子阻擋層、 電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0084] 實(shí)施例3
[0085] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0086] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0087] 步驟二、在真空度為IX 10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陰極，材 料為ΑΖ0厚度為200nm，濺射速率為2nm/s ;
[0088] 步驟三、在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍 技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層。空穴傳輸層的材料包括Tro及摻雜在Tro中 的F2-HCNQ，F(xiàn)2-HCNQ與TPD的質(zhì)量比為30:100,厚度為20nm，Tro的蒸鍍速率為0. 9nm/s， F2-HCNQ的蒸鍍速率為0. 3nm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸鍍速率為lnm/s ;空 穴阻擋層的材料為Inq3，厚度為7nm，蒸鍍速率為0. lnm/s。
[0089] 步驟四、在真空度為lXl(T3Pa的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中，采用低頻濺射工藝，制備 離子阻擋層，材料為Sn0 2，溉射速度為0. lnm/s，厚度為5nm。
[0090] 步驟五、在真空度為IX l〇_3Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備電子傳輸層，在 蒸鍍TAZ的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Rb2C0 3, TAZ的蒸鍍速度保持為0. 5nm/s，Rb2C03的蒸鍍速度為 0· lnm/s，厚度為80nm，其中Rb與TAZ的質(zhì)量比為20:100。
[0091] 步驟六、在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層的表面蒸鍍制備 陰極，材料為A1，厚度為100nm，蒸鍍速率為0· 5nm/s。
[0092] 步驟七、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、離子阻擋層、 電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0093] 實(shí)施例4
[0094] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0095] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0096] 步驟二、在真空度為IX 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陰極，材 料為IT0厚度為lOOnm，濺射速率為0. 5nm/s ;
[0097] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍 技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧习╩-MTDATA及摻雜在 m-MTDATA 中的 F4-TCNQ，F(xiàn)4-TCNQ 與 m-MTDATA 的質(zhì)量比為 2:100,厚度為 40nm，m-MTDATA 的 蒸鍍速率為lnm/s，F(xiàn)4-TCNQ的蒸鍍速率為0. 02nm/s ;發(fā)光層的材料為DPVBi，厚度為5nm， 蒸鍍速率為〇. lnm/s ;空穴阻擋層的材料為Znq2，厚度為5nm，蒸鍍速率為0. lnm/s。
[0098] 步驟四、在真空度為lXl(T4Pa的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中，采用低頻濺射工藝，制備 離子阻擋層，材料為ZnO，#i射速度為0. lnm/s，厚度為5nm。
[0099] 步驟五、在真空度為IX l(T4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備電子傳輸層，在 蒸鍍TPBi的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)KBH4，TPBi的蒸鍍速度保持為lnm/s，KBH 4的蒸鍍速度為0. 2nm/ s，厚度為l〇〇nm，其中K與TPBi的質(zhì)量比為20:100。
[0100] 步驟六、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層的表面蒸鍍制備 陰極，材料為Ag，厚度為lOOnm，蒸鍍速率為0· 5nm/s。
[0101] 步驟七、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、離子阻擋層、 電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0102] 對(duì)比例
[0103] 本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光裝置制造方法，包括以下幾個(gè)步驟：
[0104] 步驟一、提供基底，將基底放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0105] 步驟二、在真空度為IX l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基底表面濺射制備陰極，材 料為IT0厚度為lOOnm，濺射速率為0. 5nm/s ;
[0106] 步驟三、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在陽極的表面通過真空熱蒸鍍 技術(shù)，制備空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層?？昭▊鬏攲拥牟牧习é圈?--)及摻雜在 MeO-TPD 中的 F6-TNAP，F(xiàn)6-TNAP 與 MeO-TPD 的質(zhì)量比為 5:100,厚度為 60nm，MeO-TPD 的蒸 鍍速率為lnm/s，F(xiàn)6-TNAP的蒸鍍速率為0. 05nm/s ;發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為15nm，蒸 鍍速率為〇. 5nm/s ;空穴阻擋層的材料為BAlq，厚度為10nm，蒸鍍速率為0. 5nm/s。
[0107] 步驟四、在真空度為lXl(T4Pa的真空熱蒸鍍膜系統(tǒng)中，蒸鍍制備電子傳輸層，在 蒸鍍Alq 3的同時(shí)，同時(shí)蒸發(fā)Li2C03, Alq3的蒸鍍速度保持為lnm/s，Li2C03的蒸鍍速度為 0· lnm/s，厚度為50nm，其中Cs與Bphen的質(zhì)量比為10:100。
[0108] 步驟五、在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在電子傳輸層的表面蒸鍍制備 陰極，材料為Ag，厚度為100nm，蒸鍍速率為0· 2nm/s。
[0109] 步驟六、使用玻璃封裝蓋將陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、離子阻擋層、 電子傳輸層及陰極封裝在基底上。
[0110] 表 1
[0111]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光 層、空穴阻擋層、離子阻擋層、電子傳輸層及陰極，所述離子阻擋層的材料選自鈦的氧化物、 鋅的氧化物、鋯的氧化物及錫的氧化物中的至少一種，所述電子傳輸層的材料包括電子傳 輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的摻雜材料，所述摻雜材料為鋰、鈉、鉀、銣或銫，所述 電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、 4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物； 所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、 空穴阻擋層、離子阻擋層、電子傳輸層及陰極封裝于所述基底上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述離子阻擋層的厚度為 2nm?7nm，所述電子傳輸層的厚度為50nm?200nm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層中所述摻 雜材料與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為10:1〇〇?50:100。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述離子阻擋層共有兩層， 兩層離子阻擋層依次層疊。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為主體 材料與客體材料摻雜形成的混合物或熒光材料，所述主體材料選自4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián) 苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯及N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二 (1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺中的至少一種，所述客體材料選自4-(二腈甲基)-2- 丁 基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡 啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉）合銥及三（2-苯基吡啶）合銥中的至少一 種，所述熒光材料選自4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、4, 4'-雙 [4_(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯及5, 6, 11，12-四苯基萘并萘中的至少一種，所述客 體材料與所述主體材料的質(zhì)量比為1:1〇〇?1〇:1〇〇。
6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在基板的表面制備依次層疊的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層及空穴阻擋層； 在所述空穴阻擋層的表面濺射制備離子阻擋層，所述離子阻擋層的材料選自鈦的氧化 物、鋅的氧化物、鋯的氧化物及錫的氧化物中的至少一種； 在所述離子阻擋層的表面采用熱阻蒸發(fā)工藝，將電子傳輸材料及堿金屬的化合物同時(shí) 進(jìn)行蒸發(fā)制備電子傳輸層，所述堿金屬的化合物中的堿金屬為鋰、鈉、鉀、銣或銫，所述電子 傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、 4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物； 在所述電子傳輸層的表面制備陰極；及 使用封裝蓋將所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、離子阻擋層、電子傳輸層及 陰極封裝于所述基底上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述離子阻擋 層的厚度為2nm?7nm，所述電子傳輸層的厚度為50nm?200nm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述堿金屬的 化合物為堿金屬的氟化物、堿金屬的碳酸化合物、堿金屬的疊氮化合物、堿金屬的氮化物或 堿金屬的硼氫化合物。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述封裝蓋形 成有收容腔，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、離子阻擋層、電子傳輸層及陰極 收容于所述收容腔。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述離子阻擋 層共有兩層，兩層離子阻擋層依次層疊。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK104064675SQ201310092194
【公開日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2013年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月21日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張振華, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司