倒置型有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種倒置型有機電致發(fā)光器件及其制備方法。該倒置型有機電致發(fā)光器件包括依次層疊的基板、陰極、有機發(fā)光功能層、陽極以及設(shè)置于陰極和有機發(fā)光功能層之間的pn結(jié)層，pn結(jié)層包括依次層疊于陰極上的p型層和n型層。p型層由鋰或銫摻雜于氧化鎳中形成，n型層由堿金屬化合物摻雜于有機物中形成，堿金屬化合物為碳酸鋰、疊氮化銫、硼氫化鋰、氟化鋰或碳酸銣，有機物為(8-羥基喹啉)-鋁、4,7-二苯基-鄰菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲或1,2,4-三唑衍生物。該倒置型有機電致發(fā)光器件解決了載流子注入困難的問題，發(fā)光效率較高。
【專利說明】倒置型有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電致發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種倒置型有機電致發(fā)光器件及其制 備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光（Organic Light Emission Diode)，以下簡稱0LED，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速 度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點。
[0003] 目前，0LED的發(fā)展十分迅速，為了獲得其更多的應(yīng)用領(lǐng)域，更簡單的制作工藝，研 究者們開發(fā)了多種結(jié)構(gòu)的0LED發(fā)光器件，例如頂發(fā)射發(fā)光器件，倒置型發(fā)光器件。
[0004] 但是對于下出光的倒置0LED發(fā)光器件，通常需要一個高透明的電極作為陰極，目 前常用的薄層金屬其透過率只有60?70%左右，并且過薄的金屬薄膜給器件的封裝帶來較 高挑戰(zhàn)。而透明導(dǎo)電氧化物薄膜雖然其透過率高，但是由于其功函較高，對電子的注入不 利，使器件的發(fā)光效率難以提高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的倒置型有機電致發(fā)光器件。
[0006] 進一步，提供一種倒置型有機電致發(fā)光器件的制備方法。
[0007] -種倒置型有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陰極、有機發(fā)光功能層和陽 極，還包括設(shè)置于所述陰極和有機發(fā)光功能層之間的pn結(jié)層，所述pn結(jié)層包括依次層疊 于所述陰極上的P型層和η型層；其中，所述p型層由鋰或銫摻雜于氧化鎳中形成，所述η 型層由堿金屬化合物摻雜于有機物中形成，所述堿金屬化合物為碳酸鋰、疊氮化銫、硼氫化 鋰、氟化鋰或碳酸銣，所述有機物為（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三 (1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三 唑衍生物。
[0008] 在其中一個實施例中，所述鋰或銫占所述ρ型層的質(zhì)量百分比為1?10%。
[0009] 在其中一個實施例中，所述堿金屬化合物占所述η型層的質(zhì)量百分比為5?30%。
[0010] 在其中一個實施例中，所述Ρ型層的厚度為2?15納米。
[0011] 在其中一個實施例中，所述η型層的厚度為5?20納米。
[0012] 在其中一個實施例中，所述陰極由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或鎵鋅氧 化物形成。
[0013] 在其中一個實施例中，所述有機發(fā)光功能層包括依次層疊于所述η型層上的電子 傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層。
[0014] 在其中一個實施例中，所述電子傳輸層由2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯 基-1，3, 4-噁二唑、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、 2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物形成；
[0015] 所述發(fā)光層由發(fā)光材料形成，或由發(fā)光材料摻雜于電子傳輸材料或空穴傳輸材料 中形成，所述發(fā)光材料為4-(二腈甲基）-2- 丁基-6-(1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙 (4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙 酰丙酮）合銥或三（1-苯基-異喹啉）合銥或三（2-苯基吡啶）合銥；
[0016] 所述空穴傳輸層由酞菁鋅、酞菁銅、4, 4'，4''-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺、 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺或 4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯 基-Ν-苯基氨基）二苯胺形成。
[0017] 在其中一個實施例中，所述電子傳輸層的厚度為10?60納米，所述發(fā)光層的厚度 為10?20納米，所述空穴傳輸層的厚度為20?60納米。
[0018] 一種倒置型有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0019] 提供基板，采用真空濺射在所述基板上形成陰極；
[0020] 采用電子束蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍氧化鎳和疊氮化鋰，或同時蒸發(fā)氧化鎳和疊氮化 銫，在所述陰極上形成Ρ型層，所述Ρ型層由鋰或銫摻雜于氧化鎳中形成；
[0021] 采用熱蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍堿金屬化合物和有機物，在所述ρ型層上形成η型層，所 述Ρ型層和η型層形成層疊于所述陰極上的ρη結(jié)層；其中，所述η型層由所述堿金屬化合物 摻雜于所述有機物中形成，所述堿金屬化合物為碳酸鋰、疊氮化銫、硼氫化鋰、氟化鋰或碳 酸銣，所述有機物為（8-羥基喹啉）_鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯 并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物；
[0022] 采用真空蒸鍍在所述η型層上形成有機發(fā)光功能層；
[0023] 采用熱蒸發(fā)技術(shù)在所述有機發(fā)光功能層上形成陽極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0024] 上述倒置型有機電致發(fā)光器件在陰極和有機發(fā)光功能層之間設(shè)置ρη結(jié)層，在外 部電場的作用下，在ρη結(jié)層的界面形成電荷分離，使空穴和電子分別向陰極和有機發(fā)光功 能層移動，從而使電子直接注入到有機發(fā)光功能層中，因此解決了載流子注入困難的問題， 提高發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025] 圖1為一實施方式的倒置型有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖2為一實施方式的倒置型有機電致發(fā)光器件的制備方法流程圖；
[0027] 圖3為實施例1和對比例1的倒置型有機電致發(fā)光器件的電壓-電流密度特性曲 線。

【具體實施方式】
[0028] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā) 明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不 違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0029] 請參閱圖1，一實施方式的倒置型有機電致發(fā)光器件100,包括依次層疊的基板 10、陰極20、pn結(jié)層30、有機發(fā)光功能層40和陽極50。
[0030] 基板10為透明基板，可以采用透明玻璃或聚醚砜樹脂基板。本實施方式采用透明 玻璃。
[0031] 陰極20由銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)或鎵鋅氧化物 (GZ0)形成。這幾種材料形成的陰極20具有較高的透過率，有利于提高倒置型有機電致發(fā) 光器件100的光效。
[0032] 陰極20的厚度為70?200納米。
[0033] pn結(jié)層30包括依次層疊于陰極20上的p型層31和η型層32。
[0034] ρ型層31由鋰（Li)或銫（Cs)摻雜于氧化鎳（NiO)中形成。優(yōu)選地，鋰或銫占ρ 型層31的質(zhì)量百分比為1?10%。
[0035] ρ型層31的厚度優(yōu)選為2?15納米。
[0036] η型層32由堿金屬化合物摻雜于有機物中形成。優(yōu)選地，堿金屬化合物占η型層 32的質(zhì)量百分比為5?30%。
[0037] 堿金屬化合物為碳酸鋰（Li2C03)、疊氮化銫（CsN 3)、硼氫化鋰（LiBH4)、氟化鋰 (LiF)或碳酸銣（Rb2C0 3)。
[0038] 有機物為（8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲 (BCP)或1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)。
[0039] η型層32的厚度優(yōu)選為5?20納米。
[0040] 有機發(fā)光功能層40包括依次層疊于η型層32上的電子傳輸層41、發(fā)光層42和空 穴傳輸層43。
[0041] 電子傳輸層41由2-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、 4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1,3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、 2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)或1，2, 4-三唑衍生物形成（TAZ)。
[0042] 電子傳輸層41的厚度優(yōu)選為10?60納米。
[0043] 發(fā)光層42由發(fā)光材料形成。
[0044] 在另外的實施方式中，發(fā)光層42由發(fā)光材料摻雜于電子傳輸材料或空穴傳輸材 料中形成。其中，發(fā)光材料占發(fā)光層42的質(zhì)量百分比為1?15%。
[0045] 發(fā)光材料為4-(二腈甲基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙 烯基）-紐-吡喃（0(：1^)、5,6，11，12-四苯基萘并萘〇?1*代1^)、雙（4,6-二氟苯基吡 啶4,02)吡啶甲酰合銥$1印1(：)、雙（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥 (FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ) 2(acac))或三（1-苯 基-異喹啉）合銥（Ir (piq) 3)或三（2-苯基吡啶）合銥（(Ir (ppy) 3))。
[0046] 電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑（PBD)、 (8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 4'，4'' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 7-二苯基-鄰菲 咯啉（Bphen)、1,3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)。
[0047] 空穴傳輸材料為4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺（2-ΤΝΑΤΑ)、Ν，Ν' -二 苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（ΝΡΒ)、4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯 基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)或N，N，N'，N' -四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯 (MeO-TPD) 〇
[0048] 發(fā)光層42的厚度優(yōu)選為10?20納米。
[0049] 空穴傳輸層43由酞菁鋅（ZnPc)、酞菁銅（CuPc)、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基） 三苯基胺（2-ΤΝΑΤΑ)、Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)或 4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)形成。
[0050] 空穴傳輸層43的厚度優(yōu)選為20?60納米。
[0051] 陽極50由銀（Ag)、鋁（A1)、金（Au)、鉬（Pt)形成，或由這幾種金屬中任意兩種組 成的合金形成。
[0052] 陽極50的厚度優(yōu)選為70?200納米。
[0053] 上述倒置型有機電致發(fā)光器件100在陰極20和有機發(fā)光功能層40之間設(shè)置pn 結(jié)層30，在外部電場的作用下，在pn結(jié)層30的界面形成電荷分離，使空穴和電子分別向陰 極20和有機發(fā)光功能層40移動，從而使電子直接注入到有機發(fā)光功能層40中，因此解決 了載流子注入困難的問題，提高發(fā)光效率。
[0054] 請參閱圖2,一實施方式的倒置型有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：
[0055] 步驟S110 :提供基板，采用真空濺射在基板上形成陰極。
[0056] 基板采用透明玻璃基板。將透明玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲 清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干。
[0057] 在5X 10_4Pa的真空度下，將銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物 (ΑΖ0)或鎵鋅氧化物（GZ0)濺射在潔凈的、干燥的玻璃基板上，在玻璃基板上形成陰極。
[0058] 陰極的厚度優(yōu)選為70?200納米。
[0059] 步驟S120 :采用電子束蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍氧化鎳和疊氮化鋰，或同時蒸發(fā)氧化鎳 和疊氮化銫，在陰極上形成P型層。
[0060] 在真空度為5X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，通過電子束蒸發(fā)技術(shù)，同時蒸鍍氧化鎳 (NiO)和疊氮化鋰（LiN 3)，在陰極表面上形成p型層?；蛲瑫r蒸鍍氧化鎳（NiO)和疊氮化 銫（CsN3)，在陰極表面上形成p型層。p型層由鋰或銫摻雜于氧化鎳中形成。
[0061] 疊氮化鋰（LiN3)受熱分解成Li和氮氣，Li摻雜于氧化鎳（NiO)中。疊氮化銫 (CsN 3)受熱分解成Cs和氮氣，Cs摻雜于氧化鎳（NiO)中。
[0062] p型層的厚度優(yōu)選為2?15納米。
[0063] 步驟S130 :采用熱蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍堿金屬化合物和有機物，在p型層上形成η 型層，Ρ型層和η型層形成層疊于陰極上的pn結(jié)層。
[0064] 在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，通過熱蒸發(fā)工藝同時蒸鍍堿金屬化合 物和有機物，在P型層上形成η型層。ρ型層和η型層形成層疊于陰極上的pn結(jié)層。
[0065] η型層由堿金屬化合物摻雜于有機物中形成。優(yōu)選地，堿金屬化合物占η型層的質(zhì) 量百分比為5?30%。
[0066] 堿金屬化合物為碳酸鋰（Li2C03)、疊氮化銫（CsN 3)、硼氫化鋰（LiBH4)、氟化鋰 (LiF)或碳酸銣（Rb2C0 3)。
[0067] 有機物為（8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲 (BCP)或1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)。
[0068] η型層的厚度優(yōu)選為5?20納米。
[0069] 步驟S140 :采用真空蒸鍍在η型層上形成有機發(fā)光功能層。
[0070] 真空度為 5Xl(T4Pa。
[0071] 在η型層上依次蒸鍍形成電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層。
[0072] 電子傳輸層由2-(4-聯(lián)苯基）-5_ (4-叔丁基）苯基_1，3, 4-噁二唑（PBD)、4, 7-二 苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、l，3,5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2,9-二甲 基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)或1，2, 4-三唑衍生物形成（TAZ)。
[0073] 電子傳輸層的厚度優(yōu)選為10?60納米。
[0074] 發(fā)光層由發(fā)光材料形成。
[0075] 在另外的實施方式中，發(fā)光層由發(fā)光材料摻雜于電子傳輸材料或空穴傳輸材料中 形成。其中，發(fā)光材料占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為1?15%。
[0076] 發(fā)光材料為4-(二腈甲基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙 烯基）-紐-吡喃（0(：1^)、5,6，11，12-四苯基萘并萘〇?1*代1^)、雙（4,6-二氟苯基吡 啶4,02)吡啶甲酰合銥$1印1(：)、雙（4,6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥 (FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ) 2(acac))或三（1-苯 基-異喹啉）合銥（Ir (piq) 3)或三（2-苯基吡啶）合銥（(Ir (ppy) 3))。
[0077] 電子傳輸材料為2-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔丁基）苯基-1,3, 4-噁二唑（PBD)、 (8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 4'，4'' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 7-二苯基-鄰菲 咯啉出口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^丨）或2,9-二甲基-4,7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)。
[0078] 空穴傳輸材料為4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺（2-ΤΝΑΤΑ)、Ν，Ν' -二 苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（ΝΡΒ)、4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯 基-Ν-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)或Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯 (Me〇-TPD) 〇
[0079] 發(fā)光層的厚度優(yōu)選為10?20納米。
[0080] 空穴傳輸層由酞菁鋅（ZnPc)、酞菁銅（CuPc)、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三 苯基胺（2-ΤΝΑΤΑ)、N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)或 4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)形成。
[0081] 空穴傳輸層的厚度優(yōu)選為20?60納米。
[0082] 步驟S150 :采用熱蒸發(fā)技術(shù)在有機發(fā)光功能層上形成陽極，得到有機電致發(fā)光器 件。
[0083] 在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)技術(shù)在空穴傳輸層上形成 陽極。
[0084] 陽極由銀（Ag)、鋁（A1)、金（Au)、鉬（Pt)形成，或由這幾種金屬中任意兩種組成的 合金形成。
[0085] 陽極的厚度優(yōu)選為70?200納米。
[0086] 上述倒置型有機電致發(fā)光器件的制備方法采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在陰極上形成p 型層，采用熱蒸發(fā)在P型層上形成η型層，得到位于陰極和有機發(fā)光功能層之間的pn結(jié)層， 制備得到發(fā)光效率高的倒置型有機電致發(fā)光器件。該制備方法工藝簡單，易于大規(guī)模制備。
[0087] 制備pn結(jié)層和有機發(fā)光功能層均在真空度5 X l(T4Pa下進行蒸鍍。在較高的真空 度5X l(T4Pa下，能夠避免沉積形成的膜產(chǎn)生缺陷，有利于提高成膜質(zhì)量，從而得到性能穩(wěn) 定的倒置型有機電致發(fā)光器件。
[0088] 以下為具體實施例。
[0089] 實施例1
[0090] 結(jié)構(gòu)為：Glass/IT0/Li:Ni0/Li2C03:Alq3/PBD/DCJTB:Alq 3/CuPc/Ag 的倒置型有機 電致發(fā)光器件的制備
[0091] (1)提供透明的玻璃基板，表示為Glass。將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水 中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣 吹干；
[0092] (2)在真空度為5X 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中將氧化銦錫（ΙΤ0)濺射至潔凈、干燥 的玻璃基板上，在玻璃基板上形成陰極，表示為ΙΤ0。陰極的厚度為100納米；
[0093] (3)在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)同時蒸發(fā)氧化 鎳（NiO)和疊氮化鋰（LiN3)，得到金屬Li摻雜的NiO薄膜，形成層疊于陰極上的p型層。p 型層表示為Li:NiO,其中Li占p型層的質(zhì)量百分數(shù)為5%，p型層的厚度為5nm ;
[0094] (4)在真空度為5X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍堿金屬化 合物碳酸鋰（Li2C0 3)和有機物（8-羥基喹啉）_鋁（Alq3)，形成層疊于p型層上的η型層。 η型層由碳酸鋰（Li 2C03)摻雜于（8-羥基喹啉）_鋁（Alq3)中形成，表示為Li2C0 3:Alq3，其 中碳酸鋰（Li2C03)占η型層的質(zhì)量百分數(shù)為10%，厚度為10nm，p型層和η型層形成層疊于 陰極上的ρη結(jié)層；
[0095] (5)在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用真空蒸鍍在η型層上依次 形成電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層。電子傳輸層由2-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔丁基） 苯基-1，3, 4-噁二唑（PBD)形成，電子傳輸層的厚度為10納米；發(fā)光層由4-(二腈甲 基）-2-丁基-6-(1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB)摻雜于（8-羥 基喹啉）_鋁（Alq3)中形成，表示為DCJTB:Alq 3，其中DCJTB占發(fā)光層的質(zhì)量百分比為1%，發(fā) 光層的厚度為20納米；空穴傳輸層由酞菁銅（CuPc)形成，空穴傳輸層的厚度為30納米，依 次層疊的電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層形成有機發(fā)光功能層，表不為PBD/DCJTB: Alq3/ CuPc ；
[0096] (6)在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)在空穴傳輸層上形成陽 極。陽極由銀（Ag)形成，陽極的厚度為100納米。
[0097] 依次層疊的基板、陰極、ρη結(jié)層、有機發(fā)光功能層和陽極，得到結(jié)構(gòu)為Glass/ITO/ Li:NiO/Li2C03:Alq3/PBD/DCJTB:Alq 3/CuPc/Ag 的倒置型有機電致發(fā)光器件。
[0098] 實施例2
[0099] 結(jié)構(gòu)為 Glass/AZO/Cs:NiO/CsN3:Bphen/BCP/Rubrene/ZnPc/Au 的倒置型有機電致 發(fā)光器件的制備
[0100] (1)提供透明的玻璃基板，表示為Glass。將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水 中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣 吹干；
[0101] (2)在真空度為5X 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中將鋁鋅氧化物（ΑΖ0)濺射至潔凈、干 燥的玻璃基板上，在玻璃基板上形成陰極，表示為ΑΖ0。陰極的厚度為70納米；
[0102] (3)在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)同時蒸發(fā)氧化 鎳（NiO)和疊氮化銫（CsN 3)，得到金屬Cs摻雜的NiO薄膜，形成層疊于陰極上的p型層。p 型層表示為Cs:NiO,其中Cs占p型層的質(zhì)量百分數(shù)為1%，p型層的厚度為2nm ;
[0103] (4)在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍堿金屬化 合物疊氮化銫（CsN 3)和有機物4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)，形成層疊于p型層上的η 型層。η型層由疊氮化銫（CsN3)摻雜于4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)中形成，表示為 CsN3:Bphen，其中疊氮化銫（CsN3)占η型層的質(zhì)量百分數(shù)為5%，厚度為5nm，p型層和η型 層形成層疊于陰極上的ρη結(jié)層；
[0104] (5)在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用真空蒸鍍在η型層上依次形 成電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層。電子傳輸層由2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰 二氮雜菲（BCP)形成，電子傳輸層的厚度為60納米；發(fā)光層由5, 6, 11，12-四苯基萘并萘 (Rubrene)形成，發(fā)光層的厚度為10納米；空穴傳輸層由酞菁鋅（ZuPc)形成，空穴傳輸層 的厚度為60納米，依次層疊的電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層形成有機發(fā)光功能層，表 不為 BCP/Rubrene/ZnPc ;
[0105] (6)在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)在空穴傳輸層上形成陽 極。陽極由金（Au)形成，陽極的厚度為100納米。
[0106] 依次層疊的基板、陰極、pn結(jié)層、有機發(fā)光功能層和陽極，得到結(jié)構(gòu)為Glass/AZO/ Cs:NiO/CsN 3:Bphen/BCP/Rubrene/ZnPc/Au 的倒置型有機電致發(fā)光器件。
[0107] 實施例3
[0108] 結(jié)構(gòu)為 Glass/GZO/Li : NiO/LiBH4: TPBi/TAZ/Ir (ppy) 3: TPBi/2-TNATA/Al 的倒置 型有機電致發(fā)光器件的制備
[0109] (1)提供透明的玻璃基板，表示為Glass。將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水 中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣 吹干；
[0110] (2)在真空度為5X 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中將鎵鋅氧化物（GZ0)濺射至潔凈、干 燥的玻璃基板上，在玻璃基板上形成陰極，表示為GZ0。陰極的厚度為200納米；
[0111] ⑶在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)同時蒸發(fā)氧化 鎳（NiO)和疊氮化鋰（LiN3)，得到金屬Li摻雜的NiO薄膜，形成層疊于陰極上的p型層。p 型層表示為Li:Ni0,其中Li占p型層的質(zhì)量百分數(shù)為10%，p型層的厚度為15nm ;
[0112] (4)在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍堿金屬化 合物硼氫化鋰（LiBH4)和有機物1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)，形成 層疊于P型層上的η型層。η型層由硼氫化鋰（LiBH4)摻雜于1，3,5_三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯（TPBi)中形成，表示為LiBH 4:TPBi，其中硼氫化鋰（LiBH4)占η型層的 質(zhì)量百分數(shù)為30%，厚度為20nm，ρ型層和η型層形成層疊于陰極上的pn結(jié)層；
[0113] (5)在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用真空蒸鍍在η型層上依次形成 電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層。電子傳輸層由1，2, 4-三唑衍生物形成（ΤΑΖ)形成，電子 傳輸層的厚度為10納米；發(fā)光層由三（2-苯基吡啶）合銥（(Ir (ppy) 3))摻雜于1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)中形成，表示為Ir(ppy)3:TPBi，其中Ir(ppy) 3 占發(fā)光層的質(zhì)量百分數(shù)為15%，發(fā)光層的厚度為10納米；空穴傳輸層由4, 4'，4' 三（2-萘 基苯基氨基）三苯基胺（2-TNATA)形成，空穴傳輸層的厚度為20納米，依次層疊的電子傳 輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層形成有機發(fā)光功能層，表示為TAZ/Ir(ppy)3:TPBi/2-TNATA ;
[0114] (6)在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)在空穴傳輸層上形成陽 極。陽極由鋁（A1)形成，陽極的厚度為200納米。
[0115] 依次層疊的基板、陰極、pn結(jié)層、有機發(fā)光功能層和陽極，得到結(jié)構(gòu)為Glass/GZO/ Li : NiO/LiBH4: TPBi/TAZ/Ir (ppy) 3: TPBi/2-TNATA/Al 的倒置型有機電致發(fā)光器件。
[0116] 實施例4
[0117] 結(jié)構(gòu)為 Glass/IZ0/Li:Ni0/RbC03:BCP/BCP/Ir(MDQ)2(acac) :NPB/m-MTDATA/Pt 的 倒置型有機電致發(fā)光器件的制備
[0118] (1)提供透明的玻璃基板，表示為Glass。將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水 中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣 吹干；
[0119] (2)在真空度為5X 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中將銦鋅氧化物（ΙΖ0)濺射至潔凈、干 燥的玻璃基板上，在玻璃基板上形成陰極，表示為ΙΖ0。陰極的厚度為200納米；
[0120] (3)在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)同時蒸發(fā)氧化 鎳（NiO)和疊氮化鋰（LiN 3)，得到金屬Li摻雜的NiO薄膜，形成層疊于陰極上的p型層。p 型層表示為Li:NiO,其中Li占p型層的質(zhì)量百分數(shù)為5%，p型層的厚度為10nm ;
[0121] (4)在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍堿金屬化 合物碳酸銣（Rb 2C03)和有機物2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)，形成層疊 于P型層上的η型層。η型層由碳酸銣（Rb2C0 3)摻雜于2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰 二氮雜菲（BCP)中形成，表示為RbC03:BCP，其中碳酸銣（Rb2C0 3)占η型層的質(zhì)量百分數(shù)為 15%，厚度為20nm，ρ型層和η型層形成層疊于陰極上的pn結(jié)層；
[0122] (5)在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用真空蒸鍍在η型層上依次形成 電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層。電子傳輸層由2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜 菲（BCP)形成，電子傳輸層的厚度為10納米；發(fā)光層由二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉） (乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ) 2(acac))摻雜于N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4,4'-二胺（咿8)中形成，表示為11'(1?〇) 2^&(3):咿8，其中11'(1^)2^ &(3)占發(fā)光 層的質(zhì)量百分數(shù)為8%，發(fā)光層的厚度為10納米；空穴傳輸層由4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基 苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)形成，空穴傳輸層的厚度為20納米，依次層疊的 電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層形成有機發(fā)光功能層，表不為BCP/Ir(MDQ) 2(acac) :NPB/ m-MTDATA ；
[0123] (6)在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)在空穴傳輸層上形成陽 極。陽極由鉬（Pt)形成，陽極的厚度為70納米。
[0124] 依次層疊的基板、陰極、pn結(jié)層、有機發(fā)光功能層和陽極，得到結(jié)構(gòu)為Glass/IZO/ Li : Ni0/RbC03: BCP/BCP/Ir (MDQ) 2 (acac) : NPB/m-MTDATA/Pt 的倒置型有機電致發(fā)光器件。
[0125] 實施例5
[0126] 結(jié)構(gòu)為 Glass/AZO/Li:NiO/LiF:TAZ/BPhen/Ir(MDQ)2(acac) :NPB/NPB/Al-Ag 的倒 置型有機電致發(fā)光器件的制備
[0127] (1)提供透明的玻璃基板，表示為Glass。將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水 中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣 吹干；
[0128] (2)在真空度為5X 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中濺射鋁鋅氧化物（ΑΖ0)至潔凈、干燥 的玻璃基板上，在玻璃基板上形成陰極，表示為ΑΖ0。陰極的厚度為100納米；
[0129] (3)在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)同時蒸發(fā)氧化 鎳（NiO)和疊氮化鋰（LiN 3)，得到金屬Li摻雜的NiO薄膜，形成層疊于陰極上的p型層。p 型層表示為Li:NiO,其中Li占p型層的質(zhì)量百分數(shù)為5%，p型層的厚度為5nm ;
[0130] (4)在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍堿金屬化 合物氟化鋰（LiF)和有機物1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)，形成層疊于p型層上的η型層。η 型層由氟化鋰（LiF)摻雜于1，2,4-三唑衍生物（ΤΑΖ)中形成，表示為RbC0 3:BCP，其中氟化 鋰（LiF)占η型層的質(zhì)量百分數(shù)為10%，厚度為10nm，p型層和η型層形成層疊于陰極上的 ρη結(jié)層；
[0131] (5)在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用真空蒸鍍在η型層上依次形成 電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層。電子傳輸層由4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)形成， 電子傳輸層的厚度為20納米；發(fā)光層由二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮） 合銥（Ir (MDQ) 2 (acac))摻雜于 Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺 (ΝΡΒ)中形成，表示為Ir(MDQ)2(acac):NPB，其中Ir(MDQ)2(acac)占發(fā)光層的質(zhì)量百分數(shù)為 8%，發(fā)光層的厚度為10納米；空穴傳輸層由Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián) 苯-4, 4'-二胺（ΝΡΒ)形成，空穴傳輸層的厚度為30納米，依次層疊的電子傳輸層、發(fā)光層 和空穴傳輸層形成有機發(fā)光功能層，表示為BPhen/Ir(MDQ) 2(acac) :ΝΡΒ/ΝΡΒ ;
[0132] (6)在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)在空穴傳輸層上形成陽 極。陽極由鋁-銀（Al-Ag)形成，陽極的厚度為100納米。
[0133] 依次層疊的基板、陰極、ρη結(jié)層、有機發(fā)光功能層和陽極，得到結(jié)構(gòu)為Glass/AZO/ Li : NiO/LiF: TAZ/BPhen/Ir (MDQ) 2 (acac) : NPB/NPB/Al-Ag 的倒置型有機電致發(fā)光器件。
[0134] 對比例1
[0135] 結(jié)構(gòu)為：GlaSS/ITO/PBD/DCJTB :Alq3/CuPc/Ag的倒置型有機電致發(fā)光器件的制備
[0136] (1)提供透明的玻璃基板，表示為Glass。將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水 中進行超聲清洗，清洗干凈后依次用異丙醇、丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣 吹干；
[0137] (2)在真空度為5X 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中濺射氧化銦錫（ΙΤ0)至潔凈、干燥的 玻璃基板上，在玻璃基板上形成陰極，表示為ΙΤ0。陰極的厚度為100納米；
[0138] (3)在真空度為5Xl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用真空蒸鍍在陰極上依次形 成電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層。電子傳輸層由2-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔丁基） 苯基_1，3, 4-噁二唑（PBD)形成，電子傳輸層的厚度為10納米；發(fā)光層由4-(二腈甲 基）-2_ 丁基_6-(1，1，7,7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB)摻雜于（8-羥基 喹啉）_鋁（Alq3)中形成，表示為DCJTB:Alq 3，其中DCJTB占發(fā)光層的質(zhì)量百分數(shù)為1%，發(fā) 光層的厚度為20納米；空穴傳輸層由酞菁銅（CuPc)形成，空穴傳輸層的厚度為30納米，依 次層疊的電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層形成有機發(fā)光功能層，表不為PBD/DCJTB: Alq3/ CuPc ；
[0139] (4)在真空度為5 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱蒸發(fā)在空穴傳輸層上形成陽 極。陽極由銀（Ag)形成，陽極的厚度為100納米。
[0140] 依次層疊的基板、陰極、pn結(jié)層、有機發(fā)光功能層和陽極，得到結(jié)構(gòu)為Glass/ITO/ PBD/DCJTB:Alq 3/CuPc/Ag的倒置型有機電致發(fā)光器件。
[0141] 表1是實施例1?5和對比例1的倒置型有機電致發(fā)光器件的發(fā)光性能數(shù)據(jù)，從 表1可以看出，實施例1?5的倒置型有機電致發(fā)光器件與對比例1的倒置型有機電致發(fā) 光器件相比，由于電子的注入勢壘降低，因此可以提高電子的注入效率，從而獲得較低的啟 動電壓和較高的發(fā)光效率。
[0142] 表1實施例1?5及對比例1的倒置型有機電致發(fā)光器件的發(fā)光性能數(shù)據(jù)
[0143]

【權(quán)利要求】
1. 一種倒置型有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陰極、有機發(fā)光功能層和陽 極，其特征在于，還包括設(shè)置于所述陰極和有機發(fā)光功能層之間的pn結(jié)層，所述pn結(jié)層包 括依次層疊于所述陰極上的P型層和η型層；其中，所述p型層由鋰或銫摻雜于氧化鎳中形 成，所述η型層由堿金屬化合物摻雜于有機物中形成，所述堿金屬化合物為碳酸鋰、疊氮化 銫、硼氫化鋰、氟化鋰或碳酸銣，所述有機物為（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、 1，3,5_三（1-苯基-1Η-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲 或1，2, 4-三唑衍生物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鋰或銫占所述ρ 型層的質(zhì)量百分比為1?10%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述堿金屬化合物 占所述η型層的質(zhì)量百分比為5?30%。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述ρ型層的厚度為 2?15納米。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述η型層的厚度為 5?20納米。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極由銦錫氧 化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或鎵鋅氧化物形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機發(fā)光功能 層包括依次層疊于所述η型層上的電子傳輸層、發(fā)光層和空穴傳輸層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層由 2-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三 唑衍生物形成； 所述發(fā)光層由發(fā)光材料形成，或由發(fā)光材料摻雜于電子傳輸材料或空穴傳輸材料中 形成，所述發(fā)光材料為4-(二腈甲基）-2- 丁基-6-(1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、雙 (4, 6-二氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙 酰丙酮）合銥或三（1-苯基-異喹啉）合銥或三（2-苯基吡啶）合銥； 所述空穴傳輸層由酞菁鋅、酞菁銅、4, 4'，4''_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺、 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺或 4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯 基-Ν-苯基氨基）二苯胺形成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的倒置型有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的 厚度為10?60納米，所述發(fā)光層的厚度為10?20納米，所述空穴傳輸層的厚度為20? 60納米。
10. -種倒置型有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供基板，采用真空濺射在所述基板上形成陰極； 采用電子束蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍氧化鎳和疊氮化鋰，或同時蒸發(fā)氧化鎳和疊氮化銫，在 所述陰極上形成Ρ型層，所述Ρ型層由鋰或銫摻雜于氧化鎳中形成； 采用熱蒸發(fā)技術(shù)同時蒸鍍堿金屬化合物和有機物，在所述Ρ型層上形成η型層，所述ρ 型層和η型層形成層疊于所述陰極上的pn結(jié)層；其中，所述η型層由所述堿金屬化合物摻 雜于所述有機物中形成，所述堿金屬化合物為碳酸鋰、疊氮化銫、硼氫化鋰、氟化鋰或碳酸 銣，所述有機物為（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1Η-苯 并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4-三唑衍生物； 采用真空蒸鍍在所述η型層上形成有機發(fā)光功能層； 采用熱蒸發(fā)技術(shù)在所述有機發(fā)光功能層上形成陽極，得到有機電致發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L51/52GK104051653SQ201310076703
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月11日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 馮小明, 張娟娟 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司