一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。采用折射率大于1.8的光學(xué)玻璃作為基底，并且在玻璃基底背面制備與之相匹配的光取出層，采用金屬酞菁化合物與折射率大于2.0的金屬氧化物形成的混合物作為光取出層材質(zhì)，光取出層對光具有良好的散射作用，可減少光從玻璃基底向空氣中出射時的全反射，使光能夠有效地出射到空氣中。本發(fā)明制備方法簡單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是一種以有機(jī)材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉(zhuǎn)化為光能的能量轉(zhuǎn)化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應(yīng)快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等領(lǐng)域有著極為廣泛的應(yīng)用前景。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為三明治結(jié)構(gòu)，在陰極和導(dǎo)電陽極之間夾有一層或多層有機(jī)薄膜。在含多層結(jié)構(gòu)的器件中，兩極內(nèi)側(cè)主要包括發(fā)光層、注入層及傳輸層。有機(jī)電致發(fā)光器件是載流子注入型發(fā)光器件，在陽極和陰極加上工作電壓后，空穴從陽極，電子從陰極分別注入到工作器件的有機(jī)材料層中，兩種載流子在有機(jī)發(fā)光材料中形成空穴-電子對發(fā)光，然后光從電極發(fā)出。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般都是以氧化銦錫透明導(dǎo)電薄膜(ITO)玻璃基底為出光面，這種結(jié)構(gòu)中，光的出射會先經(jīng)過ITO導(dǎo)電材料的吸收反射，再進(jìn)行一次玻璃基底的吸收和反射，最后才 能出射到空氣中，但是玻璃和ITO界面之間存在折射率差，會使光從ITO到達(dá)玻璃時發(fā)生全反射，造成出光的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明旨在提供一種具有較高出光效率的有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的光取出層、玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極；所述光取出層的材質(zhì)為金屬酞菁化合物按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)10-40%摻雜到折射率大于2.0的金屬氧化物中形成的混合物。
[0007]在清潔的玻璃基底兩面分別設(shè)置光取出層和陽極。
[0008]優(yōu)選地，玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，且對可見光的透過率大于90%。
[0009]優(yōu)選地，玻璃基底選用的玻璃牌號為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44。
[0010]該牌號為德國肖特牌號(SCH0TT)，其中，N-LAF36玻璃的國際玻璃碼是800424.443，N-LASF31A玻璃的國際玻璃碼是883408.551，N-LASF41玻璃的國際玻璃碼是835431.485，N-LASF44 玻璃的國際玻璃碼是 804465.444。
[0011]光取出層的材質(zhì)為金屬酞菁化合物摻雜到折射率大于2.0的金屬氧化物中形成的混合物，其中，金屬酞菁化合物為客體，折射率大于2.0的金屬氧化物為主體，金屬酞菁化合物的質(zhì)量為折射率大于2.0的金屬氧化物質(zhì)量的10-40%。
[0012]優(yōu)選地,金屬酞菁化合物為酞菁銅(CuPc)、酞菁鎂(MgPc)、酞菁鋅(ZnPc)或酞菁IJi(VPc)0
[0013]優(yōu)選地，折射率大于2.0的金屬氧化物為五氧化二鉭(Ta205)、五氧化二鈮(Nb2O5)或二氧化釩(VO2)。
[0014]優(yōu)選地，光取出層的厚度為5(T500nm。
[0015]當(dāng)光從玻璃透射出來抵達(dá)光取出層時，由于光取出層的材質(zhì)對光具有散射作用，且與玻璃基底的折射率能很好的匹配，使兩者間光的全反射減少，可以將光散射到空氣中。金屬酞菁化合物是多晶結(jié)構(gòu)，在結(jié)晶后形成的晶體結(jié)構(gòu)可以對光具有很強(qiáng)的散射作用，改變側(cè)向發(fā)射的光，使光朝器件中部發(fā)射，提高器件出光效率。
[0016]優(yōu)選地，陽極的材質(zhì)為透明導(dǎo)電薄膜，選自銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)。更優(yōu)選地，陽極的材質(zhì)為ΙΤ0。
[0017]優(yōu)選地，陽極的厚度為8(T300nm。更優(yōu)選地，陽極的厚度為120nm。
[0018]在陽極上依次設(shè)置空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。
[0019]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)0更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為W03。
[0020]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm。更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為30nm。
[0021]優(yōu)選地,空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N, N，- 二苯基-N，N，- 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB。
[0022]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0023]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二( β -萘基)蒽(ADN)、4，4，-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。更優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi0
[0024]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5~40nm。更優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為35nm。
[0025]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
[0026]更優(yōu)選地，I，2，4-三唑衍生物為3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4_叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)。更優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen。
[0027]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為4(T250nm。更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為80nm。
[0028]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)。更優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為招。
[0029]優(yōu)選地，陰極的厚度為8(T250nm。更優(yōu)選地，陰極的厚度為150nm。
[0030]第二方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0031]提供清潔的玻璃基底；
[0032]在所述玻璃基底的一面熱阻蒸鍍制備光取出層，之后進(jìn)行保溫退火處理；所述光取出層的材質(zhì)為金屬酞菁化合物按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)10-40%摻雜到折射率大于2.0的金屬氧化物中形成的混合物，所述熱阻蒸鍍的條件為壓強(qiáng)5X10_5~2X10_3Pa，速度f 10nm/S ；
[0033]再在所述玻璃基底另一面磁控濺射制備陽極，所述磁控濺射的條件為加速電壓300~800V，磁場50~200G，功率密度I~40W/cm2 ；
[0034]在陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，所述熱阻蒸鍍條件為壓強(qiáng)5父10-5~2父10-^1，速度0.rinm/s ；[0035]在所述電子傳輸層上熱阻蒸鍍制備金屬陰極，所述熱阻蒸鍍條件為壓強(qiáng)5 X I(T5~2 X 10?,速度 I~IOnm/s。
[0036]通過對玻璃基底的清洗，除去玻璃基底表面的有機(jī)污染物。
[0037]具體地，玻璃基底的清潔操作為:將玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇沖洗，然后放在異丙醇中浸泡過夜，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，得到清潔的玻璃基底。
[0038]優(yōu)選地，玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，且對可見光的透過率大于90%。
[0039]優(yōu)選地，玻璃基底選用的玻璃牌號為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44。
[0040]該牌號為德國肖特牌號(SCHOTT),其中，N-LAF36玻璃的國際玻璃碼是800424.443，N-LASF31A玻璃的國際玻璃碼是883408.551，N-LASF41玻璃的國際玻璃碼是835431.485，N-LASF44 玻璃的國際玻璃碼是 804465.444。
[0041]光取出層通過熱阻蒸鍍的方法設(shè)置在玻璃基底的一面，陽極通過磁控濺射的方法設(shè)置在玻璃基底的另一面。其中，熱阻蒸鍍的條件為壓強(qiáng)5X10_5~2X10_3Pa，速度flOnm/s，磁控濺射的條件為加速電壓30(T800V，磁場5(T200G，功率密度f40W/cm2。
[0042]優(yōu)選地，熱阻蒸鍍光取出層的條件為壓強(qiáng)4\10-4~5父10、&，速度3~6nm/s。
[0043]優(yōu)選地，磁控濺射陽極的條件為加速電壓35(T400V，磁場10(T150G，功率密度20W/cm2。 [0044]光取出層的材質(zhì)為金屬酞菁化合物摻雜到折射率大于2.0的金屬氧化物中形成的混合物，其中，金屬酞菁化合物為客體，折射率大于2.0的金屬氧化物為主體，金屬酞菁化合物的質(zhì)量為折射率大于2.0的金屬氧化物質(zhì)量的10-40%。
[0045]優(yōu)選地,金屬酞菁化合物為酞菁銅(CuPc)、酞菁鎂(MgPc)、酞菁鋅(ZnPc)或酞菁IJi(VPc)0
[0046]為了使金屬酞菁類化合物結(jié)晶，熱阻蒸鍍制備之后要進(jìn)行保溫退火處理。
[0047]優(yōu)選地，保溫退火處理?xiàng)l件為溫度50~300° C，時間l(T60min。
[0048]優(yōu)選地，折射率大于2.0的金屬氧化物為五氧化二鉭(Ta205)、五氧化二鈮(Nb2O5)或二氧化釩(VO2)。
[0049]優(yōu)選地，光取出層的厚度為5(T500nm。
[0050]當(dāng)光從玻璃透射出來抵達(dá)光取出層時，由于光取出層的材質(zhì)對光具有散射作用，且與玻璃基底的折射率能很好的匹配，使兩者間光的全反射減少，可以將光散射到空氣中。金屬酞菁化合物是多晶結(jié)構(gòu)，在結(jié)晶后形成的晶體結(jié)構(gòu)可以對光具有很強(qiáng)的散射作用，改變側(cè)向發(fā)射的光，使光朝器件中部發(fā)射，提高器件出光效率。
[0051]優(yōu)選地，陽極的材質(zhì)為透明導(dǎo)電薄膜，選自銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)。更優(yōu)選地，陽極的材質(zhì)為ΙΤ0。
[0052]優(yōu)選地，陽極的厚度為8(T300nm。更優(yōu)選地，陽極的厚度為120nm。
[0053]在陽極上依次設(shè)置空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。
[0054]優(yōu)選地，熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層時的條件為壓強(qiáng)4 X I(T4~5 X I(T4Pa,速度 0.3~0.6nm/s。
[0055]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)0更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為W03。
[0056]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm。更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為30nm。[0057]優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N, N，- 二苯基-N，N，- 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB。
[0058]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0059]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二( β -萘基)蒽(ADN)、4，4，-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。更優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi0
[0060]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?40nm。更優(yōu)選地,發(fā)光層的厚度為35nm。
[0061]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
[0062]更優(yōu)選地，I，2，4-三唑衍生物為3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4_叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)。更優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen。
[0063]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為4(T250nm。更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為80nm。
[0064]陰極通過熱阻蒸鍍設(shè)置在電子傳輸層上。
[0065]優(yōu)選地，熱阻蒸鍍陰極時的條件為壓強(qiáng)4\10-4?5父10、&，速度3?6nm/s。
[0066]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al) JS(Pt)或金(Au)。更優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為招。
[0067]優(yōu)選地，陰極的厚度為8(T250nm。更優(yōu)選地，陰極的厚度為150nm。
[0068]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0069](I)本發(fā)明制備的有機(jī)電致發(fā)光器件在玻璃基底兩面分別設(shè)置光取出層和陽極，采用折射率大于1.8的光學(xué)玻璃作為基底，消除玻璃基底與陽極之間的全反射，使光有效地抵達(dá)光取出層。
[0070](2)采用金屬酞菁化合物與折射率大于2.0的金屬氧化物形成的混合物作為光取出層材質(zhì)，當(dāng)光從玻璃透射出來抵達(dá)光取出層時，由于光取出層的材質(zhì)對光具有散射作用，且與玻璃基底的折射率能很好的匹配，使兩者間光的全反射減少，可以將光散射到空氣中。金屬酞菁化合物是多晶結(jié)構(gòu)，在結(jié)晶后形成的晶體結(jié)構(gòu)可以對光具有很強(qiáng)的散射作用，改變側(cè)向發(fā)射的光，使光朝器件中部發(fā)射，提高器件出光效率。
[0071 ] ( 3 )本發(fā)明制備方法簡單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0072]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0073]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0074]圖2是本發(fā)明實(shí)施例1提供的有機(jī)電致發(fā)光器件與現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖。【具體實(shí)施方式】
[0075]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0076]實(shí)施例1
[0077]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0078](I)將N-LASF44玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0079](2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)中，壓強(qiáng)為5X10_4Pa的條件下，以3nm/s的蒸鍍速率在清潔的玻璃基底的一面熱阻蒸鍍Ta2O5 = CuPc混合物制備光取出層，厚度為400nm，之后在200° C條件下進(jìn)行保溫退火處理30min，其中Ta2O5 = CuPc混合物為將CuPc按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)20%摻雜到Ta2O5中形成的混合物；
[0080](3)在加速電壓400V，磁場100G，功率密度20W/cm2的條件下，在玻璃基底另一面磁控濺射制備ITO陽極，厚度為120nm ；
[0081](4)在壓強(qiáng)為5X KT4Pa的條件下，以0.3nm/s的蒸鍍速率在陽極表面依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，以3nm/s的蒸鍍速度在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0082]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為WO3，厚度為30nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為40nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，厚度為35nm ；電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen，厚度為80nm ;陰極的材質(zhì)為招,厚度為150nm。
[0083]以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:Ta205:CUPc/N-LASF44 玻璃 /ITO/TO3/NPB/BCzVBi/Bphen/Al。
[0084]利用美國吉時利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，色度計(jì)(日本柯尼卡美能達(dá)公司，型號:CS-100A)測試亮度和色度，光纖光譜儀(美國海洋光學(xué)公司，型號:USB4000)測試電致發(fā)光光譜。
[0085]圖1是本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括依次層疊的光取出層101、玻璃基底102、陽極103、空穴注入層104、空穴傳輸層105、發(fā)光層106、電子傳輸層107和陰極108。
[0086]圖2是本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件與現(xiàn)有發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖。其中，曲線I為本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖；曲線2為現(xiàn)有發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖。
[0087]從圖2中可以看到，在不同電流密度下，本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的電流效率都比現(xiàn)有發(fā)光器件的要大，最大的電流效率為lOcd/A，而現(xiàn)有發(fā)光器件的僅為6.4cd/A，而且現(xiàn)有發(fā)光器件的電流效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，光取出層的材質(zhì)對光具有散射作用，且與玻璃基底的折射率能很好的匹配，使兩者間光的全反射減少，可以將光散射到空氣中。金屬酞菁化合物在結(jié)晶后形成的晶體結(jié)構(gòu)可以對光具有很強(qiáng)的散射作用，改變側(cè)向發(fā)射的光，使光朝器件中部發(fā)射，提高器件出光效率。
[0088]實(shí)施例2[0089]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0090](I)將N-LASF36玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0091](2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)中，壓強(qiáng)為2X10_3Pa的條件下，以lnm/s的蒸鍍速率在清潔的玻璃基底的一面熱阻蒸鍍Nb2O5 = ZnPc混合物制備光取出層，厚度為50nm，之后在50° C條件下進(jìn)行保溫退火處理60min，其中Nb2O5 = ZnPc混合物為將ZnPc按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)10%摻雜到Nb2O5中形成的混合物；
[0092](3)在加速電壓300V，磁場50G，功率密度lW/cm2的條件下，在玻璃基底另一面磁控濺射制備IZO陽極，厚度為80nm ；
[0093](4)在壓強(qiáng)為2X 10_3Pa的條件下，以0.lnm/s的蒸鍍速率在陽極表面依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，以lnm/s的蒸鍍速度在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0094]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為WO3，厚度為40nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為45nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為5nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，厚度為65nm ;陰極的材質(zhì)為Pt,厚度為80nm。
[0095]以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:Nb205:ZnPc/N-LASF36 玻璃 /IZ0/W03/TCTA/DCJTB/TAZ/Pt。
[0096]實(shí)施例3
[0097](I)將N-LASF31A玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0098](2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)中，壓強(qiáng)為5X10_5Pa的條件下，以lOnm/s的蒸鍍速率在清潔的玻璃基底的一面熱阻蒸鍍VO2 = MgPc混合物制備光取出層，厚度為500nm，之后在300 ° C條件下進(jìn)行保溫退火處理IOmin，其中VO2: MgPc混合物為將MgPc按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)10%摻雜到VO2中形成的混合物；
[0099](3)在加速電壓800V，磁場200G，功率密度40W/cm2的條件下，在玻璃基底另一面磁控濺射制備AZO陽極，厚度為300nm ；
[0100](4)在壓強(qiáng)為5X 10_5Pa的條件下，以lnm/s的蒸鍍速率在陽極表面依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，以10nm/s的蒸鍍速度在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0101]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為V2O5，厚度為20nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB,厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN,厚度為IOnm ；電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen,厚度為250nm ;陰極的材質(zhì)為Au,厚度為lOOnm。
[0102]以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:V02:MgPc/N-LASF31A 玻璃 /AZ0/V205/NPB/ADN/Bphen/Au。
[0103]實(shí)施例4
[0104](I)將N-LASF41玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0105](2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)中，壓強(qiáng)為4X10_4Pa的條件下，以6nm/s的蒸鍍速率在清潔的玻璃基底的一面熱阻蒸鍍Ta2O5 = VPc混合物制備光取出層，厚度為250nm，之后在150° C條件下進(jìn)行保溫退火處理40min，其中Ta2O5 = VPc混合物為將VPc按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)10%摻雜到Ta2O5中形成的混合物；
[0106](3)在加速電壓350V，磁場150G，功率密度20W/cm2的條件下，在玻璃基底另一面磁控濺射制備ITO陽極，厚度為180nm ；
[0107](4)在壓強(qiáng)為4X 10_4Pa的條件下，以0.6nm/s的蒸鍍速率在陽極表面依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，以6nm/s的蒸鍍速度在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0108]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為WO3，厚度為80nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為20nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3,厚度為40nm ；電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，厚度為40nm ;陰極的材質(zhì)為Ag,厚度為250nm。
[0109]以上步驟完成后，得到一種有機(jī)電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:Ta205:VPc/N-LASF41 玻璃 /IT0/W03/TAPC/Alq3/TAZ/Ag。
[0110]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的光取出層、玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極；所述光取出層的材質(zhì)為金屬酞菁化合物按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)10-40%摻雜到折射率大于2.0的金屬氧化物中形成的混合物。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鎂、酞菁鋅或酞菁釩。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述折射率大于2.0的金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，所述光學(xué)玻璃對可見光的透過率大于90%。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述光取出層的厚度為50~500nm。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的玻璃基底； 在所述玻璃基底的一面熱阻蒸鍍制備光取出層，之后進(jìn)行保溫退火處理；所述光取出層的材質(zhì)為金屬酞菁化合物按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)10-40%摻雜到折射率大于2.0的金屬氧化物中形成的混合物，所述熱阻蒸鍍的條件為壓強(qiáng)5Χ 10_5~2X 10_3Pa，速度f 10nm/S ； 再在所述玻璃基底另一面磁控濺射制備陽極，所述磁控濺射的條件為加速電壓300~800V，磁場50~200G，功率密度I~40W/cm2 ； 在陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，所述熱阻蒸鍍條件為壓強(qiáng)5父10-5~2父10-^1，速度0.rinm/s ； 在所述電子傳輸層上熱阻蒸鍍制備金屬陰極，所述熱阻蒸鍍條件為壓強(qiáng)5 X I(T5~2 X 10?,速度 I~IOnm/s。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鎂、酞菁鋅或酞菁釩。
8.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述折射率大于2.0的金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩。
9.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，所述光學(xué)玻璃對可見光的透過率大于90%。
10.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述光取出層的厚度為50~500nm。
【文檔編號】H01L51/52GK104009183SQ201310060357
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司