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發(fā)光燈的制作方法與工藝

文檔序號:12910246閱讀:239來源:國知局
發(fā)光燈的制作方法與工藝
發(fā)光燈相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2012年4月19日在韓國提交的第10-2012-0036648號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán),該優(yōu)先權(quán)申請通過引用全文并入本申請(如同在本文中充分闡述)。技術(shù)領(lǐng)域?qū)嵤├婕鞍l(fā)光的燈。

背景技術(shù):
燈指的是針對具體用途而供給或調(diào)整光的設(shè)備??梢允褂冒谉霟簟晒鉄粢约澳藓鐭糇鳛闊舻墓庠?,并且近來使用發(fā)光二極管(LED)作為燈的光源。LED是使用化合物半導體的特性將電信號轉(zhuǎn)換為紫外光或可見光的裝置。不同于熒光燈,LED不使用有害的材料(諸如汞),并且因此產(chǎn)生最小限度的環(huán)境污染。此外,LED的使用壽命比白熾燈、熒光燈以及霓虹燈的使用壽命更長。此外,與白熾燈、熒光燈以及霓虹燈相比,LED具有如下優(yōu)點:諸如歸因于高色溫的很小的眩光和優(yōu)秀的能見度以及低耗能率。根據(jù)其用途,使用LED的燈可以用于背光、顯示器裝置、照明光、用于車輛的指示器燈以及前照燈。燈可以包括安裝在基板上的LED封裝。LED封裝可以包括封裝主體和布置在封裝主體上的發(fā)光芯片。當燈發(fā)射光時,發(fā)光芯片的溫度增加。因為發(fā)光芯片的特性(例如,亮度和波長)可能根據(jù)溫度的增加而改變,所以需要用于抑制發(fā)光芯片的溫度增加的熱耗散(heatdissipation)措施。

技術(shù)實現(xiàn)要素:
實施例提供了一種發(fā)光燈,該發(fā)光燈具有薄的輪廓、改進了產(chǎn)品設(shè)計的自由度和熱耗散效率、并且抑制了波長漂移和亮度降低。在一個實施例中,發(fā)光燈包括光源模塊,其包括布置在基體上的至少一個光源和布置在基體上的光導層,該光導層將至少一個光源掩埋;和容納光源模塊的殼體,其中,至少一個光源包括:具有空腔的主體;第一引線框架,其包括暴露于空腔的一端和穿過主體且暴露于主體的一個表面的另一端;第二引線框架,其包括暴露于主體的表面的一部分的一端、暴露于主體的表面的另一部分的另一端、以及暴露于空腔的中間部分;以及至少一個發(fā)光芯片,其包括第一半導體層、有源層以及第二半導體層,并且該發(fā)光芯片布置在第一引線框架上。第一引線框架可以包括:第一上表面部分,其暴露于空腔并且其上放置有至少一個發(fā)光芯片;和第一側(cè)表面部分,其從第一上表面部分的第一側(cè)向部分彎曲并且暴露于主體的表面。第一引線框架可以進一步包括鄰近第一上表面部分和第一側(cè)表面部分之間的邊界部分而形成的至少一個通孔(throughhole)。第一引線框架可以進一步包括連接第一上表面部分和第一側(cè)表面部分的連接部分,并且上述至少一個通孔位于該連接部分之間。在連接部分中,與至少一個發(fā)光芯片對準的第一連接部分的長度可以大于不與至少一個發(fā)光芯片對準的第二連接部分的長度,并且第一方向可以是XYZ坐標系統(tǒng)中的X軸方向。第二引線框架可以包括:第二上表面部分,其布置在第一上表面部分的至少一個側(cè)向部分附近并且暴露于主體的空腔;和第二側(cè)表面部分,其從第二上表面部分彎曲并且分別地暴露于主體的表面的一個部分和另一個部分。光源模塊可以進一步包括布置在基體下表面的熱耗散構(gòu)件。至少一個光源可以是側(cè)視型(sideviewtype)光發(fā)射裝置封裝?;w可以包括至少一個通路孔(viahole)。該光源模塊可以是面光源。光源模塊可以進一步包括布置在基板與光導層之間的反射片。光源模塊可以進一步包括布置在反射片上的反射圖案。光源模塊可以進一步包括布置在光導層上并且對從光導層所發(fā)射的光進行色散的第一光學片。光源模塊可以進一步包括布置在第一光學片上并且阻擋或反射從至少一個光源所發(fā)射的光的光學圖案。光源模塊可以進一步包括布置在第一光學片和光學圖案上的第二光學片。光源模塊可以進一步包括布置在第二光學片上的擴散板。光導層可以由包括低聚物的UV固化樹脂形成。UV固化樹脂可以包括從由聚氨酯丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚丁二烯丙烯酸酯以及有機硅丙烯酸酯構(gòu)成的組中所選擇的至少一個。光導層可以由熱固性樹脂形成,該熱固性樹脂包括從由聚酯多元醇樹脂、丙烯酸多元醇樹脂、羥基溶劑和/或酯基溶劑構(gòu)成的組中所選擇的至少一個。光導層可以包括用于使光擴散的擴散材料,該擴散材料包括從由硅、二氧化硅、玻璃泡、PMMA、聚氨酯、Zn、Zr、Al2O3以及丙烯醛基構(gòu)成的組中所選擇的至少一個。光源模塊可以進一步包括布置在基體上以電連接至外部的至少一個連接器。基板可以包括與外部耦接的耦接固定部件。發(fā)光燈可以進一步包括布置在擴散板上的多個透鏡?;蹇梢园娐穲D案和絕緣層,并且基體具有柔性。至少一個發(fā)光芯片可以發(fā)射具有600nm~690nm的波長范圍的紅光。附圖說明參照以下附圖可以對裝置和實施例進行詳細地描述,在附圖中相似的附圖標記指代相似的元件,并且其中:圖1是示出依照一個實施例的發(fā)光燈的透視圖;圖2至圖20是示出依照第一至第十九實施例圖1中所示的光源模塊的橫截面圖;圖21是示出依照一個實施例圖4中所示的反射圖案的圖;圖22是示出依照第二十實施例圖1中所示的光源模塊的橫截面圖;圖23是示出依照第二十一實施例圖1中所示的光源模塊的平面圖;圖24是沿線A-A’所截取的圖23中所示的光源模塊的橫截面圖;圖25是沿線B-B’所截取的圖23中所示的光源模塊的橫截面圖;圖26是沿線C-C’所截取的圖23中所示的光源模塊的橫截面圖;圖27是示出依照一個實施例的用于車輛的前照燈的傳輸圖;圖28是依照第一實施例的發(fā)光裝置封裝的透視圖;圖29是依照第一實施例的發(fā)光裝置封裝的頂視圖;圖30是依照第一實施例的發(fā)光裝置封裝的前視圖;圖31是依照第一實施例的發(fā)光裝置封裝的側(cè)視圖;圖32是示出圖28中所示的第一引線框架和第二引線框架的透視圖;圖33是示出圖32中所示的第一引線框架和第二引線框架的各個部分的尺寸的橫截面圖;圖34是示出圖33中所示的連接部分的放大圖;圖35至圖40是示出依照其它實施例的第一引線框架和第二引線框架的橫截面圖;圖41是依照另一實施例的發(fā)光裝置封裝的透視圖;圖42是圖41中所示的發(fā)光裝置封裝的頂視圖;圖43是圖41中所示的發(fā)光裝置封裝的前視圖;圖44是沿線c-d所截取的圖41中所示的發(fā)光裝置封裝的橫截面圖;圖45是示出圖41中所示的第一引線框架和第二引線框架的透視圖;圖46是示出依照實施例的發(fā)光裝置封裝的測量溫度的曲線圖;圖47是依照一個實施例的圖28中所示的發(fā)光裝置的橫截面視圖;圖48是依照另一實施例的發(fā)光燈的分解透視圖;圖49是示出為點光源的、用于車輛的普通前照燈的透視圖;圖50是示出依照一個實施例用于車輛的尾燈的透視圖;圖51是示出用于車輛的一般尾燈的透視圖;以及圖52A和52B是示出依照實施例、在用于車輛的尾燈中所使用的光源模塊的發(fā)光裝置封裝之間的間距的圖。具體實施方式在下文中,將參照附圖對實施例進行描述。將理解的是當元件被稱為在另一元件之“上”或“下”時,其可以直接地在另一元件之上/下,并且一個或更多個介于其間的元件也可以存在。當元件被稱為處在“上”或“下”時,基于該元件可以包括“在元件下”以及“在元件上”。為了描述的方便和明晰,在附圖中夸張、省略或示意地示出各個層的厚度或尺寸。此外,各自元件的尺寸不表示其實際尺寸。在下文中,將參照附圖對依照一個實施例的發(fā)光燈進行描述。圖1是示出依照一個實施例的發(fā)光燈1的透視圖。參照圖1,發(fā)光燈1包括為面光源的光源模塊100和容納光源模塊100的殼體150。光源模塊100包括至少一個發(fā)光裝置20,該發(fā)光裝置20發(fā)射光、使從發(fā)光裝置20所發(fā)出的點光擴散且色散以產(chǎn)生面光、以及具有柔性并且因此可以彎曲。殼體150保護光源模塊100免受沖擊,并且可以由將從光源模塊100所輻射的光進行透射(transmit)的材料(例如,丙烯酸樹脂)形成。此外,殼體150可以包括彎曲部分,并且具有柔性的光源模塊100可以容易地被容納在彎曲的殼體150中。圖2示出了依照第一實施例的在圖1中所示的光源模塊100-1。圖2是沿圖1的線A-B所截取的橫截面圖。參照圖2,光源模塊100-1包括柔性印刷電路板10、發(fā)光裝置20以及光導層40。柔性印刷電路板10可以是由具有柔性的絕緣材料所形成的印刷電路板。例如,柔性印刷電路板10可以包括基體構(gòu)件(例如,5)和布置在基體構(gòu)件(例如,5)的至少一個表面上的電路圖案(例如,6和7)?;w構(gòu)件(例如,5)可以是具有柔性和絕緣屬性的薄膜,例如,聚酚亞胺或環(huán)氧化物(例如,F(xiàn)R-4)。柔性印刷電路板10可以包括絕緣薄膜5(例如,聚酚亞胺或FR-4)、第一銅箔圖案6、第二銅箔圖案7以及通路(via)接觸8。第一銅箔圖案6形成在絕緣薄膜5的一個表面上(例如,上表面),第二銅箔圖案7形成在絕緣薄膜5的另一表面上(例如,下表面),以及通路接觸8可以穿過絕緣薄膜5并且連接第一銅箔圖案6與第二銅箔圖案7。一個或更多個發(fā)光裝置20被布置在柔性印刷電路板10上,并且發(fā)射光。例如,發(fā)光裝置20可以是側(cè)視型發(fā)光裝置封裝,該側(cè)視型發(fā)光裝置封裝被布置以使得所發(fā)射的光在光導層40的側(cè)向方向3上行進。在此,安裝在發(fā)光裝置封裝上的發(fā)光芯片可以是垂直型發(fā)光芯片(例如,圖47中所示的紅光發(fā)射芯片),但是本公開不限于此。光導層40可以被布置在柔性印刷電路板10和發(fā)光裝置20上以掩埋發(fā)光裝置20,并且其在朝向光導層40的一個表面(例如,上表面)的方向上對由發(fā)光裝置20在光導層40的側(cè)向方向3上所發(fā)射的光進行擴散以及引導。光導層40可以由可以對光進行擴散的材料的樹脂形成。例如,光導層40可以由包括低聚物的耐高溫UV固化樹脂形成。在此,低聚物可以具有40到50重量份的含量。此外,UV固化樹脂可以使用聚氨酯丙烯酸酯,但是本公開不限于此。即,除聚氨酯丙烯酸酯之外,UV固化樹脂可以使用環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚丁二烯丙烯酸酯以及有機硅丙烯酸酯中的至少一種材料。具體地,如果聚氨酯丙烯酸酯被用作低聚物,則可以混合兩種類型的聚氨酯丙烯酸酯以同時地實現(xiàn)不同的物理屬性。例如,在合成聚氨酯丙烯酸酯的處理期間使用異氰酸酯,并且聚氨酯丙烯酸酯的物理屬性(黃色著色屬性、耐候性、耐化學性等)可以由異氰酸酯所決定。在此,使用在其中異佛爾酮二異氰酸酯(IPD)或異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)的NCO具有37%的含量的聚氨酯丙烯酸酯類異氰酸酯(在下文中,被稱為“第一低聚物”),作為一種聚氨酯丙烯酸酯,并且使用在其中異佛爾酮二異氰酸酯(IPD)或異佛爾酮二異氰酸酯(IPDI)的NCO具有30~50%或25%~35%的含量的聚氨酯丙烯酸酯類異氰酸酯(在下文中,被稱為“第二低聚物”),作為另一種聚氨酯丙烯酸酯,從而依照本實施例形成構(gòu)成光導層40的低聚物。即,通過調(diào)整NCO的含量可以獲得具有不同物理屬性的第一低聚物和第二低聚物,并且可以將第一低聚物與第二低聚物混合以形成構(gòu)成光導層40的低聚物。在此,第一低聚物的重量比可以在15至20的范圍內(nèi),并且第二低聚物的重量比可以在25至35的范圍內(nèi)。光導層40可以進一步包括單體和感光啟始劑(photoinitiator)中的至少一個。在此,單體可以具有65至90重量份的含量,并且更具體地,單體可以由如下混合物形成:該混合物包括35~45重量份的丙烯酸異冰片酯(IBOA)、10~15重量份的甲基丙烯酸-2-羥基乙酯(2-HEMA)以及15~20重量份的丙烯酸-2-羥基丁酯(2-HBA)。此外,感光啟始劑(例如,1-羥基環(huán)己基苯基丙酮、聯(lián)苯(2,4,6-三甲基苯甲酰氧膦等)可以具有0.5~1重量份的含量。此外,光導層40可以由高耐熱性熱固性樹脂形成。更具體地,光導層40可以由包括聚酯多元醇樹脂、丙烯酸多元醇樹脂、羥基溶劑和/或酯基溶劑中的至少一個的熱固性樹脂形成。這樣的熱固性樹脂可以包括熱硬化劑以改進薄膜強度。相對于熱固性樹脂的總體重量,聚酯多元醇樹脂可以具有9~30%的含量。此外,相對于熱固性樹脂的總體重量,丙烯酸多元醇樹脂可以具有20~40%的含量。相對于熱固性樹脂的總體重量,羥基溶劑和/或酯基溶劑可以具有30~70%的含量。相對于熱固性樹脂的總體重量,熱硬化劑可以具有1~10%的含量。如果光導層40由上述材料形成,則光導層40具有增強的熱阻,并且即使光源模塊100-1用于發(fā)射高溫熱量的發(fā)光燈中,也可以使歸因于熱量的亮度降低最小化,以及因此提供了具有高可靠性的發(fā)光燈。另外,依照本實施例的光源模塊100-1使用上述材料以實現(xiàn)面光源,并且可以因此極大地減少光導層40的厚度,以及實現(xiàn)產(chǎn)品整體的薄的輪廓。另外,依照本實施例的光源模塊100-1是柔性的,并且其因此可以被容易地應(yīng)用至彎曲的表面、改進產(chǎn)品設(shè)計的自由度以及應(yīng)被用至其它柔性顯示器。光導層40可以包括設(shè)置有光闌(或孔)的擴散材料,并且擴散材料41可以與形成光導層40的樹脂混合或在形成光導層40的樹脂中擴散,以及用于改進光的反射和擴散屬性。例如,從發(fā)光裝置20發(fā)射至光導層40內(nèi)部的光由擴散材料41的光闌反射和傳輸,并且在光導層40中擴散和收集,所擴散和收集的光可以通過光導層40的一個表面(例如,上表面)而發(fā)射。在此,擴散材料41增加光的反射率和擴散率,并且改進通過光導層40的上表面所發(fā)射的光的數(shù)量和均勻性,因此改進了光源模塊100-1的亮度。可以適當?shù)卣{(diào)整擴散材料41的含量以獲得光擴散效果。更具體地,相對于光導層40的整體重量可以在0.01%~0.3%的范圍中調(diào)整擴散材料41的含量,但是本公開不限于此。擴散材料41可以包括從由硅、二氧化硅、玻璃泡、PMMA、聚氨酯、Zn、Zr、Al2O3(氧化鋁)以及丙烯醛基構(gòu)成的組中所選擇的至少一個所選擇的至少一個,并且可以具有1-20μm的粒子直徑,但是本公開不限于此。依照第一實施例,由于柔性印刷電路板10和光導層40的柔性,光源模塊100-1可以具有薄的輪廓,并且可以容易地安裝在彎曲的殼體上,因此改進了產(chǎn)品設(shè)計的自由度。圖3示出了依照第二實施例的圖1中所示的光源模塊100-2。盡管在不同的附圖中描述,但是以相同的附圖標記來表示與圖2中所示的第一實施例中的部件基本上相同的本實施例中的一些部件,并且將省略或簡要地提供對以上提及的描述中的部件的重復(fù)描述。參照圖3,除依照第一實施例的光源模塊100-1之外,依照第二實施例的光源模塊100-2可以進一步包括熱耗散構(gòu)件110,以改進熱耗散效率。熱耗散構(gòu)件110布置在柔性印刷電路板10的下表面,并且用于將從發(fā)光裝置20所生成的熱量耗散至外部。即,熱耗散構(gòu)件110可以改進將從作為光源的發(fā)光裝置20所生成的熱量耗散至外部的效率。例如,熱耗散構(gòu)件110可以布置在柔性印刷電路板10的下表面上的部件上。熱耗散構(gòu)件110可以包括多個熱耗散層(例如,110-1和110-2)。為了改進熱耗散效果,熱耗散層110-1和110-2可以與發(fā)光裝置20在垂直方向上部分地重疊。在此,垂直方向可以是從柔性印刷電路板10至光導層40的方向。熱耗散構(gòu)件110可以由具有高熱導率的材料(例如,鋁、鋁合金、銅或銅合金)形成。另外,熱耗散構(gòu)件110可以是金屬基印刷電路板(MCPCB)。熱耗散構(gòu)件110可以通過丙烯酸基粘合劑(未示出)而附接至柔性印刷電路板10的下表面。一般地,如果由于從發(fā)光裝置所生成的熱量而使發(fā)光裝置的溫度增加,則發(fā)光裝置的亮度可能降低并且所生成的熱量的波長漂移可能發(fā)生。具體地,如果發(fā)光裝置是紅色發(fā)光二極管(LED),則波長漂移和亮度降低是嚴重的。然而,光源模塊100-2在柔性印刷電路板10的下表面上包括熱耗散構(gòu)件110以有效地耗散從發(fā)光裝置20所生成的熱量,從而抑制發(fā)光裝置20的溫度的增加,并且因此抑制亮度的降低和波長漂移的產(chǎn)生。圖4示出了依照第三實施例的圖1中所示的光源模塊100-3。盡管在不同的附圖中描述,但是以相同的附圖標記來表示與圖3中所示的第一實施例中的部件基本上相同的本實施例中的一些部件,并且將省略或簡要地提供對以上提及的描述中的部件的重復(fù)描述。參照圖4,除依照第二實施例的光源模塊100-2之外,依照第三實施例的光源模塊100-3可以進一步包括反射片30、反射圖案31以及第一光學片52。反射片30布置在柔性印刷電路板10與光導層40之間,并且可以具有如下結(jié)構(gòu):發(fā)光裝置20能夠穿過的結(jié)構(gòu)。例如,反射片30可以位于柔性印刷電路板10的、除發(fā)光裝置20所位于的區(qū)域之外的區(qū)域。反射片30可以由具有高反射效率的材料形成。反射片30將從發(fā)光裝置20所輻射的光反射至光導層40的一個表面(例如,上表面),并且阻止光泄露至光導層40的另一表面(例如,下表面),從而減少光損耗。這樣的反射片30可以形成為薄膜類型,并且可以包括合成樹脂,該合成樹脂包含在樹脂中擴散以便實現(xiàn)光反射和擴散的加速的白色顏料。例如,氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、碳酸鉛、硫酸鋇或碳酸鈣可以用作白色顏料,并且聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚奈二甲酸二乙醇酯、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚烯烴、醋酸纖維素或耐候性氯乙烯可以用作合成樹脂,但是本公開不限于此。反射圖案31布置在反射片30的表面上,并且可以用于對入射光進行散射和色散。反射圖案31可以通過用反射性墨水(包括TiO2、CaCO3、BaSO4、Al2O3、硅以及聚苯乙烯(PS)中的一個)在反射片30的表面進行印刷而形成,但是本公開不限于此。另外,反射圖案31可以是多個規(guī)則的或非規(guī)則的突出圖案。為了增加光散射效果,反射圖案31可以具有棱柱形狀、雙凸透鏡形狀、透鏡形狀或其組合形狀,但是本公開不限于此。另外,在圖4中,反射圖案31的橫截面可以具有各種形狀,即諸如三角形形狀或矩形形狀的多邊形形狀、半圓形形狀、正弦波形狀等,并且從頂部看去反射圖案31的平面可以具有多邊形形狀(例如,六角形形狀)、圓形形狀、橢圓形形狀或半圓形形狀。圖21是示出依照一個實施例的圖4中所示的反射圖案的圖。參照圖21,根據(jù)離開發(fā)光裝置20的間隔距離,反射圖案31可以具有不同的直徑。例如,隨著反射圖案31接近于發(fā)光裝置20,反射圖按31的直徑變大。更具體地,反射圖案31的直徑可以按照第一反射圖案71、第二反射圖案72、第三反射圖案73以及第四反射圖案74的順序減少。然而,本公開不限于此。第一光學片52布置在光導層40上,并且傳輸從光導層40的一個表面(例如,上表面)所發(fā)射的光。第一光學片52可以由具有高光透射率的材料(例如,聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET))形成。圖5示出了依照第四實施例的圖1中所示的光源模塊100-4。參照圖5,依照第四實施例的光源模塊100-4可以進一步包括粘合構(gòu)件56、光屏蔽圖案60、第二光學片54以及擴散板70。第二光學片54布置在第一光學片52上。第二光學片54可以有具有高光透射率的材料(例如,PET)形成。粘合構(gòu)件56布置在第一光學片52與第二光學片54之間,并且使第一光學片52與第二光學片54彼此粘合。光學圖案60可以布置在第一光學片52的上表面和第二光學片54的下表面中的至少一個上。光學圖案60可以通過粘合構(gòu)件56而布置在第一光學片52的上表面和第二光學片54的下表面中的至少一個上。依照另一實施例,光源模塊100-4可以進一步在第二光學片56上包括一個或更多個光學片(未示出)。在此,包括第一光學片52、第二光學片54、粘合構(gòu)件56以及光學圖案60的結(jié)構(gòu)可以被限定為光學圖案層50-1。光學圖案60可以是光屏蔽圖案以阻止從發(fā)光裝置20所發(fā)射的光聚集。光學圖案60可以與發(fā)光裝置20對準,并且可以通過粘合構(gòu)件56而粘合至第一光學片52和第二光學片54。第一光學片52和第二光學片54可以由具有高光透射率的材料(例如,PET)形成。光學圖案60基本上用作阻止從發(fā)光裝置20所發(fā)射的光被聚集。即,光學圖案60連同上述的反射圖案31可以實現(xiàn)均勻的面光發(fā)射。光學圖案60可以是光屏蔽圖案以屏蔽從發(fā)光裝置20所發(fā)射的光的一部分,并且可以阻止歸因于過高的光強度的光學特性的退化或淡黃色光曝光。例如,光學圖案60可以用于阻止光聚集在鄰近發(fā)光裝置20的區(qū)域,并且可以用于對光進行色散。光學圖案60可以通過使用光屏蔽墨水在第一光學片52的上表面或第二光學片54的下表面上執(zhí)行印刷處理而形成??梢钥刂乒鈱W圖案60的密度和/或尺寸以執(zhí)行部分地屏蔽光的功能和對光進行色散的功能,而不是執(zhí)行完全地屏蔽光的功能,從而對光屏蔽的程度或光色散的程度進行調(diào)節(jié)。例如,為了改進光效率,可以控制光學圖案60以使得隨著光學圖案60越遠離發(fā)光裝置20,光學圖案60減少得越多,但是本公開不限于此。更具體地,光學圖案60可以實現(xiàn)為具有組合圖案的重疊印刷結(jié)構(gòu)。重疊印刷結(jié)構(gòu)是通過形成一個圖案并且在其上印刷另一個圖案而實現(xiàn)的結(jié)構(gòu)。例如,光學圖案60可以具有在其中擴散圖案與光屏蔽圖案重疊的結(jié)構(gòu)。例如,可以使用包括從由TiO2、CaCO3、BaSO4、Al2O3以及硅構(gòu)成的組中所選擇的一種或更多種材料的光屏蔽墨水,將擴散圖案形成在聚合物薄膜(例如,第二光學片54)的發(fā)光方向上的下表面上。另外,可以使用包括Al或Al和TiO2的混合物的光屏蔽墨水而將光屏蔽圖案形成在聚合物薄膜上。即,擴散圖案可以通過白印刷而被形成在聚合物薄膜的表面上,并且然后光屏蔽圖案可以形成在該擴散圖案上,或者反之亦然,以形成雙重結(jié)構(gòu)。當然,可以理解,可以考慮光效率、光強度以及光屏蔽率而對這些圖案的設(shè)計進行多方面地修改。另外,依照另一實施例,光學圖案60可以具有三重結(jié)構(gòu),該三重結(jié)構(gòu)包括第一擴散圖案、第二擴散圖案以及布置在第一擴散圖案與第二擴散圖案之間布置的光屏蔽圖案。在這樣的三重結(jié)構(gòu)中,可以選擇上述材料。例如,第一擴散圖案可以包括具有高折射率的TiO2,第二擴散圖案可以包括具有優(yōu)秀的光穩(wěn)定性和色感的CaCO3和TiO2,以及光屏蔽圖案可以包括具有高遮掩(concealing)功能的Al。本實施例可以通過具有這樣的三重結(jié)構(gòu)的光學圖案來獲得光效率和均勻性。具體地,CaCO3發(fā)揮了減少淡黃色光的曝光以最終產(chǎn)生白光并且因此更加穩(wěn)定地產(chǎn)生光的作用,并且除CaCO3之外,具有大的粒子尺寸和類似結(jié)構(gòu)的無機材料(諸如BaSO4、Al2O3以及硅)可以用作由擴散圖案所采用的擴散材料。粘合構(gòu)件56可以圍繞光學圖案60,并且可以將光學圖案60固定至第一光學片52和/或第二光學片54。在此,粘合構(gòu)件56可以使用熱固性PSA、熱固性粘合劑、或UV固化PSA類材料,但是本公開不限于此。擴散板70布置在光導層40上。擴散板70可以布置在光學圖案層50-1上,并且可以用于將經(jīng)由光導層40所發(fā)射的光均勻地擴散為遍及擴散板70的整個表面。擴散板70通??梢杂杀┧針渲纬?,但是本公開不限于此。即,除丙烯酸樹脂之外,擴散板70可以由執(zhí)行光擴散功能的材料(即高透過性的塑料(諸如,聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、環(huán)烯烴共聚物(COC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)以及樹脂))形成。氣隙80可以形成在擴散板70與光導層40之間。氣隙80可以增加提供至擴散板70的光的均勻性,并且因此增加經(jīng)由擴散板70所擴散和發(fā)射的光的均勻性。在此,為了使由光導層40所傳輸?shù)墓獾钠钭钚』?,第一氣?0的厚度可以在大于0mm且小于20mm的范圍中,但是本公開不限于此。即,可以按需要改變第一氣隙80的厚度。盡管未在附圖中示出,但是依照另一實施例,一個或更多個光學片可以布置在光學圖案層50-1上。圖6出了依照第五實施例的圖1中所示的光源模塊100-5。參照圖6,除依照第四實施例的光源模塊100-4之外,依照第五實施例的光源模塊100-5可以進一步包括第二氣隙81。即,依照第五實施例的光源模塊100-5可以包括在第一光學片52與第二光學片54之間的第二氣隙81。例如,第二氣隙81可以形成在粘合構(gòu)件56上。隔離空間(第二氣隙81)形成在粘合構(gòu)件56的光學圖案60附近,并且粘合材料被施加至剩余區(qū)域以將第一光學片52與第二光學片54彼此粘合。粘合構(gòu)件56可以具有在其中氣隙81位于光學圖案60周圍的結(jié)構(gòu)。另外,粘合構(gòu)件56可以具有如下結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中粘合構(gòu)件56圍繞光學圖案60的周圍并且第二氣隙81位于除光學圖案60的周圍之外的區(qū)域附近。第一光學片52和第二光學片54的粘合結(jié)構(gòu)也可以具有固定印刷的光學圖案60的功能。包括第一光學片52、第二光學片54、第二氣隙82、粘合構(gòu)件56以及光學圖案60的結(jié)構(gòu)可以被限定為光學圖案層50-2。因為第二氣隙81和粘合構(gòu)件56具有不同的折射率,所以第二氣隙81可以改進在從第一光學片52至第二光學片54的方向上行進的光的擴散和色散。因此,依照第五實施例的光源模塊100-5可以實現(xiàn)均勻的面光發(fā)射。圖7示出了依照第六實施例的圖1中所示的光源模塊100-6。參照圖7,除依照第五實施例的光源模塊100-5之外,依照第六實施例的光源模塊100-6可以包括光反射構(gòu)件160。光反射構(gòu)件160可以布置在光導層40的側(cè)向表面40-1的一部分或全部上,并且用作導向裝置(guide)以阻止從發(fā)光裝置20所發(fā)射的光通過光導層40的側(cè)向表面40-1泄露至外部。光反射構(gòu)件160可以由具有高的光反射率的材料(例如,白色防染)形成。另外,光反射構(gòu)件160可以由包含在樹脂中擴散的白色顏料的合成樹脂或包含具有優(yōu)秀光反射特性的金屬粒子的合成樹脂形成。在此,氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、碳酸鉛、硫酸鋇或碳酸鈣可以用作白色顏料。如果光反射構(gòu)件160包括金屬粉末,則可以使用具有優(yōu)秀反射率的Ag粉末。另外,光反射構(gòu)件160可以進一步包括熒光增白劑。光反射構(gòu)件160可以通過模塑而直接地連接至光導層40的側(cè)向表面40-1,或可以經(jīng)由分離的粘合材料(或粘合膠帶)附接至光導層40的側(cè)向表面40-1。依照第六實施例的光源模塊100-6可以阻止光泄露至光導層40的側(cè)向表面40-1,并且因此減少了光學損耗以及增加了光效率,以及可以改進相同功率下的亮度和發(fā)光強度。盡管未在附圖中示出,但是依照另一實施例的光源模塊,除依照第一至第四實施例的光源模塊100-1至100-4中的一個之外,可以進一步在光導層40的側(cè)向表面40-1上包括光反射構(gòu)件160。圖8示出了依照第七實施例的圖1中所示的光源模塊100-7。參照圖8,依照第七實施例的光源模塊100-7可以進一步包括依照第一實施例而設(shè)置在柔性印刷電路板10上的通路孔212和214以改進熱耗散。通路孔212和214可以穿過柔性印刷電路板10,并且暴露發(fā)光裝置20的某些部分或光導層40的某些部分。例如,通路孔212和214可以包括暴露發(fā)光裝置20的某些部分的第一通路孔212,和暴露光導層40的下表面的某些部分的第二通路孔214。從熱源(即,發(fā)光裝置20)所生成的熱量可以通過第一通路孔212直接地釋放至外部,并且從發(fā)光裝置20傳導至光導層40的熱量可以通過第二通路孔214直接地釋放至外部。依照第七實施例的光源模塊100-7經(jīng)由通路孔212和214將從發(fā)光裝置20所生成的熱量釋放至外部,因此改進熱耗散效率。第一通路孔212和第二通路孔214可以具有各種形狀,諸如多邊形形狀、圓形形狀、橢圓形形狀等。圖9示出了依照第八實施例的圖1中所示的光源模塊100-8。參照圖9,除依照第七實施例的光源模塊100-7之外,依照第八實施例的光源模塊100-8可以進一步包括反射片30、反射圖案31以及第一光學片52。依照第八實施例的光源模塊100-8可以憑借第一通路孔212和第二通路孔214來改進熱耗散效率。另外,所添加的元件30、31以及52可以與參照圖4所描述的元件相同。圖10示出了依照第九實施例的圖1中所示的光源模塊100-9。參照圖10,除依照第八實施例的100-8之外,依照第九實施例的光源模塊100-9可以進一步包括粘合構(gòu)件56、光屏蔽圖案60、第二光學片54以及擴散板70。所添加的元件54、56以及60可以與參照圖5所描述的元件相同。圖11示出了依照第十實施例的圖1中所示的光源模塊100-10。參照圖11,除依照第八實施例的100-8之外,依照第十實施例的光源模塊100-10可以進一步包括粘合構(gòu)件56、光屏蔽圖案60、第二光學片54、擴散板70以及第二氣隙81。第二氣隙81可以形成在依照第十實施例的光源模塊100-10的第一光學片52與第二光學片54之間,并且第二氣隙81可以與參照圖6所描述的相同。圖12示出了依照第十一實施例的圖1中所示的光源模塊100-11。參照圖12,除依照第十實施例的100-10之外,依照第十一實施例的光源模塊100-11可以進一步包括光反射構(gòu)件160。光反射構(gòu)件160可以布置在光導層40的側(cè)向表面40-1的一部分或全部上。盡管未在附圖中示出,但是除依照第七至第九實施例的光源模塊100-7至100-9中的一個之外,依照另一實施例的光源模塊可以進一步在光導層40的側(cè)向表面40-1上包括光反射構(gòu)件160。圖13示出了依照第十二實施例的圖1中所示的光源模塊100-12。盡管在不同的附圖中描述,但是以相同的附圖標記來表示與圖1中所示的第一實施例中的部件基本上相同的本實施例中的一些部件,并且將省略或簡要地提供對以上提及的描述中的部件的重復(fù)描述。參照圖13,不同于依照第一實施例的光源模塊100-1的熱耗散構(gòu)件110,光源模塊100-12的熱耗散構(gòu)件310包括布置在柔性印刷電路板的下表面上的下部熱耗散層310-1,以及穿過柔性印刷電路板10并且接觸發(fā)光裝置20的通過部件(throughpart)310-1。例如,通過部件310-1可以接觸發(fā)光裝置封裝200-1或200-2(將在下文中描述)的第一引線框架620或620’的第一側(cè)向表面部分714。依照第十二實施例的光源模塊100-12經(jīng)由通過部件310-1將從發(fā)光裝置20所生成的熱直接地傳輸至熱耗散構(gòu)件310,并且將熱釋放至外部,因此改進熱耗散效率。圖14示出了依照第十三實施例的圖1中所示的光源模塊100-13。參照圖14,除依照第十二實施例的光源模塊100-12之外,依照第十三實施例的光源模塊100-13可以進一步包括反射片30、反射圖案31以及第一光學片52。所添加的元件30、31以及52可以與參照圖4所描述的元件相同。圖15示出了依照第十四實施例的圖1中所示的光源模塊100-14。參照圖15,除依照第十三實施例的光源模塊100-13之外,依照第十四實施例的光源模塊100-14可以進一步包括粘合構(gòu)件56、光屏蔽圖案60、第二光學片54、擴散板70。所添加的元件54、56、60以及70可以與參照圖5所描述的元件相同。圖16示出了依照第十五實施例的圖1中所示的光源模塊100-15。參照圖15,除依照第十四實施例的光源模塊100-14之外,依照第十五實施例的光源模塊100-15可以進一步包括第二氣隙81。即,第二氣隙81可以形成在依照第十五實施例的光源模塊100-15的第一光學片52與第二光學片54之間,并且第二氣隙81可以與參照圖6所描述的氣隙相同。圖17示出了依照第十六實施例的圖1中所示的光源模塊100-16。參照圖17,除依照第十五實施例的光源模塊100-15之外,依照第十六實施例的光源模塊100-16可以進一步包括光反射構(gòu)件160。光反射構(gòu)件160可以布置在光導層40的側(cè)向表面40-1的一部分或全部上。盡管未在附圖中示出,但是除依照第十二至第十四實施例的光源模塊100-12至100-14之外,依照另一實施例的光源模塊可以進一步在光導層40的側(cè)向表面40-1上包括光反射構(gòu)件160。圖18示出了依照第十七實施例的圖1中所示的光源模塊100-17,圖19示出了依照第十八實施例的圖1中所示的光源模塊100-18,以及圖20示出了依照第十九實施例的圖1中所示的光源模塊100-19。圖18至圖20中所示的反射片30-1、第二光學片54-1以及擴散板70-1可以是圖6、圖11以及圖16中所示的反射片30、第二光學片54以及擴散板70的修改(modification)。粗糙R1、R2以及R3可以形成在反射片30-1、第二光學片54-1以及擴散板70-1中的至少一個的一個表面上。粗糙R1、R2以及R3用于形成通過反射或擴散入射光而被釋放至外部的光的幾何圖案。例如,第一粗糙R1可以形成在反射片30-1的一個表面上(例如,上表面),第二粗糙R2可以形成在第二光學片54-1的一個表面上(例如,上表面)以及第三粗糙R3可以形成在擴散板70-1的一個表面上(例如下表面)。這些粗糙R1、R2以及R3可以形成在具有多個規(guī)則或不規(guī)則圖案的結(jié)構(gòu)中,并且為了增加光反射和擴散效果,粗糙R1、R2以及R3可以具有棱柱形狀、雙凸透鏡形狀、凹透鏡形狀、凸透鏡形狀或其組合的形狀,但是本公開不限于此。另外,粗糙R1、R2以及R3的橫截面可以具有各種形狀(諸如,三角形形狀、矩形形狀、半圓形形狀、正弦波形狀等。另外,粗糙R1、R2以及R3的各個圖案的尺寸或密度可以根據(jù)離發(fā)光裝置20的距離而改變。粗糙R1、R2以及R3可以通過直接地對反射板54-1、第二光學片54-1以及擴散板70-1進行處理而形成,但是本公開不限于此。即,可以以已經(jīng)發(fā)展并且商業(yè)化的所有方法來形成粗糙R1、R2以及R3,諸如對設(shè)置有指定的圖案的薄膜進行粘合的方法,或根據(jù)將來技術(shù)發(fā)展而將實現(xiàn)的所有方法。依照這些實施例的光源模塊100-17、100-18以及100-19可以通過第一至第三粗糙R1、R2以及R3的圖案的組合容易地形成幾何光學圖案。依照另一實施例,粗糙可以形成在第一光學片52的一個表面或兩個表面上。然而,粗糙R1、R2以及R3不限于圖18至圖20的實施例,并且依照其它實施例,用于增加光反射和擴散效果的粗糙可以形成在反射片54、第一光學片52、第二光學片54以及擴散板70中的至少一個的一個表面或兩個表面上。圖22示出了依照第二十實施例的圖1中所示的光源模塊100-20。參照圖22,依照第二十實施例的光源模塊100-20包括面光發(fā)射部件1000和間接光發(fā)射部件1001。面光發(fā)射部件1000將光轉(zhuǎn)換為面光,并且然后將面光釋放至外部。另外,間接光發(fā)射部件1001反射由面光發(fā)射部件1000所輻射的光以生成反射光并且因此發(fā)揮光泄露效果(或眩光效果)。盡管圖22示例性地示出間接光發(fā)射部件1001為被形成在面光發(fā)射部件1000的所有側(cè)向表面上,但是間接光發(fā)射部件1001可以形成在面光發(fā)射部件1000的至少一些側(cè)向表面上。面光發(fā)射部件1000可以是依照上述實施例的光源模塊100-1至100-5、100-7至100-10、100-12至100-15以及100-17至100-19中的一個。間接光發(fā)射部件1001可以包括布置在面光發(fā)射部件1000的側(cè)向表面上的反射構(gòu)件1100。反射構(gòu)件1100可以與面光發(fā)射部件1000(例如,面光發(fā)射部件1000的光導層40)分開指定的距離M。第三氣隙83可以形成在面光發(fā)射部件1000與反射構(gòu)件1100之間。反射構(gòu)件1100反射從面光發(fā)射部件1000的光導層40的側(cè)向表面所發(fā)射的光,因此生成反射光(或間接光)。因此,出現(xiàn)眩光(flare)效果,在該眩光效果光通過光導層40的側(cè)向表面而損失的光由反射構(gòu)件1100再次反射并且被模糊地(dimly)散播,并且使用這樣的眩光效果可以獲得適用于室內(nèi)和室外設(shè)計以及車輛照明的各種照明效果。為了使眩光效果最大化,第三氣隙83可以形成在反射構(gòu)件1100與表面光發(fā)射部件1000之間。因此,氣隙83對從光導層40的側(cè)向表面所發(fā)射的光進行散射,并且散射光由反射構(gòu)件1100再次反射,從而使眩光效果最大化。反射構(gòu)件1100的材料可以與圖7中所示的反射構(gòu)件160的材料相同。反射構(gòu)件1100的高度可以等于光導層40、第一光學片52、第二光學片54以及擴散板70中的一個的高度,但是本公開不限于此。盡管圖22示例性地示出了反射構(gòu)件1100垂直于面光發(fā)射部件1000的水平表面(例如,光導層40的上表面),但是如果需要反射構(gòu)件1100可以相對于面光發(fā)射部件1000的水平表面以指定的角度傾斜。圖22中所示的光源模塊100-20可以進一步包括支撐構(gòu)件1200,該支撐構(gòu)件圍繞反射構(gòu)件1100的外部表面和面光發(fā)射部件1000的下表面。支撐構(gòu)件1200支撐并且保護面光發(fā)射部件1000和反射構(gòu)件1100,從而改進耐久性和可靠性。未對支撐構(gòu)件1200的材料進行限制。例如,支撐構(gòu)件1200可以由金屬形成或由塑料形成。另外,支撐構(gòu)件1200可以由具有指定的柔性的材料形成。圖23是示出了依照第二十一實施例的圖1中所示的光源模塊100-21的平面圖,圖24是圖23中所示、沿線A-A’所截取的光源模塊100-21的橫截面圖,圖25是圖23中所示、沿線B-B’所截取的光源模塊100-21的橫截面圖,圖26是圖23中所示、沿線C-C’所截取的光源模塊100-21的橫截面圖。參照圖23至圖26,光源模塊100-21包括多個子光源模塊101-1至101-n(n為大于1的自然數(shù)),并且多個子光源模塊101-1至101-n可以彼此分離和彼此組合。另外,組合后的多個子光源模塊101-1至101-n可以彼此電連接。子光源模塊101-1至101-n中的每個包括至少一個可連接至外部的連接器(例如,510、520以及530)。例如,第一子光源模塊101-1可以包括第一連接器510,第一連接器510包括至少一個端子(例如端子S1和S2)。第二子光源模塊101-2可以包括分別地連接至外部的第一連接器520和第二連接器530,第一連接器520可以包括至少一個端子(例如,端子P1和P2),并且第二連接器530可以包括至少一個端子(例如,端子Q1和Q2)。在此,第一端子S1、P1以及Q1是正(+)端子,并且第二端子S2、P2以及Q2是負(-)端子。盡管圖21示例性的示出了各個連接器(例如510、520以及530)包括兩個端子,但是端子的數(shù)目不限于此。圖24至圖26示出了在其中連接器510、520或530被添加至依照第五實施例的光源模塊100-5的結(jié)構(gòu),但是本公開不限于此。即,子光源模塊101-1至101-n中的每個可以具有如下結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中,連接器(例如例如510、520以及530)和耦接固定部件(例如,410-1、420-1或420-2)被添加至依照上述實施例的光源模塊101-1至100-20中的一個。參照圖24和圖25,子光源模塊101-1至101-n中的每個包括柔性印刷電路板10、發(fā)光裝置20、反射片30、反射圖案31、光導層40、第一光學片52、第二光學片54、粘合構(gòu)件56、光學圖案60、擴散板70、熱耗散構(gòu)件110、至少一個連接器510、520或530以及至少一個耦接固定部件410-1、420-1或420-2。盡管在不同的附圖中描述,但是以相同的附圖標記來表示與圖1中所示的第一實施例中的部件基本上相同的本實施例中的一些部件,并且將省略或簡要地提供對以上提及的描述中的部件的重復(fù)描述。與其它實施例相比,就發(fā)光裝置的尺寸和數(shù)目而言,依照第二十一實施例的各個子光源模塊101-1至101-n可以是不同的,但是這些子光源模塊可以具有除連接器和耦接固定部件之外的相同配置。第一子光源模塊101-1可以包括第一連接器510,第一連接器510被電連接至發(fā)光裝置20并且設(shè)置在柔性印刷電路板10上以電連接至外部。例如,第一連接器510可以以圖形化的形狀形成在柔性印刷電路板10上。另外,例如,第二子光源模塊101-2可以包括電連接至發(fā)光裝置20的第一連接器520和第二連接器530。第一連接器520可以設(shè)置在柔性印刷電路板10的一側(cè)以電連接至第一子光源模塊101-1的第一連接器510,并且第二連接器530可以設(shè)置在柔性印刷電路板的另一側(cè)以電連接至另一外部光源模塊(例如,第三子光源模塊的連接器(未示出))。耦接固定部件(例如,410-1、420-1以及420-2)用于將一個子光源模塊連接至另一外部子光源模塊,并且用于將兩個連接的子光源模塊彼此固定。耦接固定部件(例如,410-1、420-1以及420-2)可以是從光導層40的側(cè)向表面的部分突出的突起,或是在光導層40的側(cè)向表面的部分處形成的凹陷。參照圖26,第一子光源模塊101-1可以包括從光導層40的側(cè)向表面的一部分突出的第一耦接固定部件410-1。另外,第二子光源模塊101-2可以包括被壓入光導層40的側(cè)向表面的一部分的第一耦接固定部件420-1以及從光導層40的側(cè)向表面的另一部分突出的第二耦接固定部件420-2。第一子光源模塊101-1的第一耦接固定部件410-1和第二子光源模塊101-2的第二耦接固定部件420-1可以通過內(nèi)外螺紋(maleandfemale)連接而固定。盡管本實施例示出耦接固定部件(例如,410-1、420-1以及420-2)被實現(xiàn)為光導層40的部分,但是本公開不限于此。即,可以提供分離的耦接固定部件,并且耦接固定部件可以被修改為其它可連接的形狀。子光源模塊101-1至101-n(n為大于1的自然數(shù))可以具有指定的部分突出的形狀,但是本公開不限于此,并且子光源模塊101-1至101-n可以被實現(xiàn)為各種形狀。例如,從頂部看去的子光源模塊101-1至101-n的平面可以具有圓形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀、或其一部分在側(cè)向方向上突出的形狀。例如,第一子光源模塊101-1的一端可以包括在其中心處的突起540,第一連接器510可以設(shè)置在柔性電路板10上對應(yīng)于突起540的部分處,并且第一耦接固定部件410-1可以設(shè)置在光導層40上第一子光源模塊101-1的一端除突起540之外的剩余部分處。另外,第二子光源模塊101-2的一端可以包括在其中心處的凹陷545,第一連接器520可以設(shè)置在柔性電路板10上對應(yīng)于凹陷545的部分,并且第一耦接固定部件420-1可以設(shè)置在光導層40上第二子光源模塊101-2的一端除凹陷545之外的剩余部分處。第二子光源模塊101-2的另一端可以包括在其中心處的突起560,第二連接器530可以設(shè)置在柔性電路板10上對應(yīng)于突起560的部分處,并且第二耦接固定部件420-2可以設(shè)置在光導層40上第二子光源模塊101-2的另一端除突起560之外的的剩余部分處。子光源模塊101-1至101-n可以分別地用作獨立光源,可以對子光源模塊101-1至101-n的形狀進行各種修改,并且兩個或更多個子光源模塊可以通過耦接固定部件而組裝以及因此可以被用作獨立的光源。因此,本實施例可以改進產(chǎn)品設(shè)計的自由度。另外,如果組裝后的子光源模塊中的某些被損壞或破碎,則本實施例可以允許僅用新的子光源模塊替換被損壞的子光源模塊。上述光源模塊可以用于需要面光源的顯示器裝置、指示器裝置以及照明系統(tǒng)。具體地,依照實施例的光源模塊可以容易地安裝在如下地點(例如,具有彎曲部分的天花板或地板):需要照明但是設(shè)置有彎曲部分(在該部分上安裝照明設(shè)備)并且因此在其上不容易安裝照明設(shè)備的地點。例如,照明系統(tǒng)可以包括燈或街燈,并且燈可以是用于車輛的前照燈,但是本公開不限于此。圖27是示出依照一個實施例用于車輛的前照燈的透視圖,并且圖49是示出為點光源的用于車輛的普通前照燈的透視圖。參照圖27,用于車輛的前照燈900-1包括光源模塊910和照明殼體920。光源模塊910可以是依照上述實施例的光源模塊100-1至100-21中的一個。照明殼體920可以容納光源模塊910,并且由光透射材料形成。用于車輛的照明殼體920可以包括根據(jù)車輛區(qū)域(在其上安裝照明殼體920)和車輛設(shè)計的彎曲的部分。因為光源模塊910使用柔性電路板10和光導層40并且因此具有柔性,所以光源模塊910可以容易地安裝在用于車輛的具有彎曲部分的照明殼體920上。另外,因為光源模塊100-1至100-21具有改進的熱耗散效率的結(jié)構(gòu),因此依照本實施例的用于車輛的前照燈900-1可以阻止波長漂移和亮度降低的產(chǎn)生。圖49中所示的、用于車輛的普通前照燈是點光源,并且因此在發(fā)光期間可以在光發(fā)射表面上產(chǎn)生局部斑點。然而,依照本實施例、用于車輛的前照燈900-1是面光源,并且因此不生成斑點,而是在整個光發(fā)射表面上實現(xiàn)均勻的亮度和發(fā)光強度。圖28是依照第一實施例的發(fā)光裝置封裝200-1的透視圖,圖29是依照第一實施例的發(fā)光裝置封裝200-1的頂視圖,圖30是依照第一實施例的發(fā)光裝置封裝200-1的前視圖,以及圖29是依照第一實施例的發(fā)光裝置封裝200-1的側(cè)視圖。圖28中所示的發(fā)光裝置封裝200-1可以是依照上述實施例的光源模塊100-1至100-21中的一個中所包括的發(fā)光裝置封裝,但是本公開不限于此。參照圖28至圖31,發(fā)光裝置封裝200-1包括封裝主體610、第一引線框架620、第二引線框架630、發(fā)光芯片640、齊納(Zener)二極管645以及線650-1。封裝主體610可以由具有高絕緣性和熱傳導性的基板形成,諸如硅基晶圓級封裝、硅基板、碳化硅(SiC)基板或氮化鋁(AlN)基板,并且可以具有在其中多個襯底堆疊的結(jié)構(gòu)。然而,本公開不限于上述的封裝主體610的材料、結(jié)構(gòu)以及形狀。例如,封裝主體610在第一方向上(例如,在X軸方向上)的長度X1可以是5.95mm~6.05mm,并且封裝主體610在第二方向上(例如,在Y軸方向上)的長度Y1可以是1.35mm~1.45mm。封裝主體610在第三方向上(例如,在Z軸方向上)的長度Y2可以是1.6mm~1.7mm。例如,第一方向可以是與封裝主體610的長邊平行的方向。封裝主體610可以包括空腔601,空腔601設(shè)置有敞開的上部部分并且包括側(cè)壁602和底部603??涨?01可以形成為杯狀形狀和凹的容器形狀,并且空腔601的側(cè)壁602可以關(guān)于底部603垂直或傾斜。從頂部看去空腔601的形狀可以是圓形、橢圓形或多邊形(例如,矩形)。多邊形空腔601的拐角可以是彎曲的。例如,空腔601在第一方向上(例如,在X軸方向上)的長度X3可以是4.15mm~4.25mm,空腔601在第二方向上(例如,在Y軸方向上)的長度X4可以是0.64mm~0.9mm,以及空腔601的深度Y3(例如,空腔601在Z軸方向上的長度)可以是0.33mm~0.53mm。第一引線框架620和第二引線框架630可以布置在封裝主體610的表面上,以使得考慮到發(fā)光芯片640的熱釋放或安裝,第一和第二引線框架620和630彼此電隔離。發(fā)光芯片640電連接至第一引線框架620和第二引線框架630。發(fā)光芯片640的數(shù)目可以是一個或更多個。在指定的方向上反射從發(fā)光芯片640所發(fā)射的光的反射構(gòu)件(未示出)可以設(shè)置在封裝主體610的空腔601的側(cè)壁602上。第一引線框架620和第二引線框架630可以在封裝主體610的上表面中彼此分離。封裝主體610的一部分(例如,空腔601的底部603)位于第一引線框架620與第二引線框架630之間,并且可以因此使第一引線框架620與第二引線框架630彼此電隔離。第一引線框架620可以包括暴露于空腔601的一端(例如712)和穿過封裝主體610并且暴露于封裝主體610的一個表面的另一端(例如714)。另外,第二引線框架630可以包括暴露于封裝主體610的一個表面的一側(cè)的一端(例如744-1),暴露于封裝主體610的表面的另一側(cè)的另一端(例如744-2),以及暴露于空腔601的中間部分742-2。第一引線框架620與第二引線框架630之間的分離距離X2可以是0.1mm~0.2mm。第一引線框架620的上表面和第二引線框架630的上表面可以與空腔601的底部603共面。圖32是示出圖28中所示的第一引線框架620和第二引線框架630的透視圖,圖33是示出圖32中所示的第一引線框架620和第二引線框架630的各個部分的尺寸的橫截面圖,以及圖34是示出鄰近圖33中所示的第一上表面部分712與第一側(cè)向表面部分714之間的邊界部分801的第一引線框架620的連接部分732、734以及736。參照圖32至圖34,第一引線框架620包括第一上表面部分712和第二側(cè)向表面部分744,該第二側(cè)向表面部分744從第一上表面部分712的第一側(cè)向部分彎曲。第一上表面部分712可以與空腔601的底部603共面并且可以由空腔601暴露,并且發(fā)光芯片642和644可以布置在第一上表面部分712上。如在圖33中所示,第一上表面部分712的兩端可以包括相對于第一側(cè)向表面部分714在第一方向上(在X軸方向上)突出的突起S3。第一上表面部分712的突起S3可以支撐引線框架陣列的第一引線框架。第一上表面部分712的突起S3在第一方向上的長度可以是0.4mm~0.5mm。第一上表面部分712在第一方向上的長度K可以是3.45mm~3.55mm,并且第一上表面部分712在第二方向上的長度J1可以是0.6mm~0.7mm。第一方向可以是XYZ坐標系統(tǒng)中的X軸方向,并且第二方向可以是XYZ坐標系統(tǒng)中的Y軸方向。第一上表面部分712的第二側(cè)向部分可以包括至少一個凹陷701。在此,第一上表面部分712的第二側(cè)向部分可以與第一上表面部分712的第一側(cè)向部分相對立。例如,盡管第一上表面部分712的第二側(cè)向部分可以包括在其中心處的一個凹陷701,但是本公開不限于此,并且形成在側(cè)向表面部分上的凹陷的數(shù)目可以是兩個或更多個。凹陷701可以具有與設(shè)置在第二引線框架630上的突起702(將在下文中描述)對應(yīng)的形狀。盡管圖33中所示的凹陷701具有梯形形狀,但是本公開不限于此,并且凹陷701可以具有各種形狀,諸如圓形形狀、多邊形形狀、橢圓形形狀等。凹陷701在第一方向上的長度S2可以是1.15mm~1.25mm,并且凹陷701在第二方向上的長度S1可以是0.4mm~0.5mm。由凹陷701的底部701-1與側(cè)向表面701-2所形成的角度θ1可以是大于等于90°且小于180°。發(fā)光芯片642和633可以布置在第一上表面部分712上凹陷701的兩側(cè)處。第一側(cè)向表面部分714可以從第一上表面部分712的第一側(cè)向部分以指定的角度向下彎曲,并且可以從封裝主體610的一個側(cè)向表面暴露。例如,由第一上表面部分712與第一側(cè)向表面部分714所形成的角度可以是大于等于90°且小于180°。第一引線框架620可以在第一上表面部分712和第一側(cè)向表面部分714中的至少一個上包括一個或更多個通孔720。例如,第一引線框架620可以包括鄰近第一上表面部分712與第一側(cè)向表面部分714之間的邊界部分的一個或更多個通孔720。盡管圖32示出彼此分離的兩個通孔722和724位于第一上表面部分712與第一側(cè)向表面部分714之間的邊界部分處,但是本公開不限于此。一個或更多個通孔720可以形成在第一上表面部分712和第一側(cè)向表面部分714中的每個的一個區(qū)域(該區(qū)域鄰近第一上表面部分712與第一側(cè)向表面部分714之間的邊界部分)中。在此,可以連接形成在第一上表面部分712的一個區(qū)域中的通孔722-1和形成在第一側(cè)向表面部分714的一個區(qū)域中的通孔722-2。通孔720可以用于通過在通孔720中填充封裝主體610的部分來改進第一引線框架620與封裝主體610之間的耦接。另外,通孔720可以用于容易地形成第一上表面部分712與第一側(cè)向表面部分714之間的彎曲部分。然而,如果通孔720的尺寸過大或通孔720的數(shù)目過大,則當?shù)谝灰€框架620彎曲時可能將第一上表面部分712和第一側(cè)向表面部分714切斷,因此需要適當?shù)卣{(diào)整通孔720的尺寸和數(shù)目。另外,通孔720的尺寸與連接部分732、734以及736(將在下文中描述)的尺寸相關(guān),并且因此與發(fā)光裝置封裝的熱耗散相關(guān)。示出具有通孔的第一引線框架620和第二引線框架630(將在下文中描述)的尺寸的實施例可以考慮到與封裝主體610的耦接程度和彎曲的容易性來發(fā)揮最優(yōu)的熱耗散效率。為了改進與封裝主體610的耦接程度、促進第一引線框架620的彎曲以及防止在第一引線框架620彎曲期間對第一引線框架620造成的損傷,依照本實施例的發(fā)光裝置封裝可以包括第一通孔722和第二通孔724,第一通孔722在第一方向上的長度D11和第二通孔724在第一方向上的長度D12可以是0.58mm~0.68mm,并且第一和第二通孔722和724在第二方向上的長度D2可以是0.19mm~0.29mm。第一通孔722的面積可以等于第二通孔724的面積,但是本公開不限于此,并且第一和第二通孔722和724的面積可以不同。參照圖34,第一引線框架620可以包括連接部分732、734以及736,連接部分732、734以及736位于鄰近第一上表面部分712與第一側(cè)向表面714之間的邊界部分801、通過通孔720彼此分離并且將第一上表面部分712與第一側(cè)向表面部分714相連接。例如,連接部分732、734以及736可以分別地包括與第一上表面部分712的多個部分對應(yīng)的第一部分732-1、734-1、736-1,以及與第一上側(cè)向表面部分714的多個部分對應(yīng)的第二部分732-2、734-2、736-2。通孔720可以位于各個連接部分732、734以及736之間。第一引線框架620可以包括對應(yīng)于發(fā)光芯片642或644或與發(fā)光芯片622或644對準的至少一個連接部分。更具體地,第一引線框架可以包括第一至第三連接部分732、734以及736。第一連接部分732可以被定位以與第一發(fā)光芯片642對應(yīng)或與第一發(fā)光芯片642對準,并且第二連接部分734可以被定位以與第二發(fā)光芯片644對應(yīng)或與第二發(fā)光芯片644對準。第三連接部分736可以位于第一連接部分732與第二連接部分734之間,并且不與第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644對準。例如,第三連接部分736可以被定位以與第一引線框架620的凹陷701對應(yīng)或與第一引線框架620的凹陷701對準,但是本公開不限于此。第一連接部分732在第一方向上的長度C11和第二連接部分734在第一方向上的長度C2可以大于第三連接部分736在第一方向上的長度E。例如,第一連接部分732在第一方向上的長度C11和第二連接部分734在第一方向上的長度C2可以是0.45mm~0.55mm,并且第三連接部分736在第一方向上的長度E可以是0.3mm~0.4mm。第三連接部分736位于第一通孔722與第二通孔724之間的原因是防止在第一引線框架620的彎曲期間第一上表面部分712和第一側(cè)向表面部分714之間切斷。第三連接部分736在第一方向上的長度E與第一連接部分732在第一方向上的長度C11的比例可以是1:1.2~1.8。第一或第二通孔722或724的長度D11或D12與第一側(cè)向表面部分714的上端714-1的長度B1的比例可以是1:3.8。因為第一連接部分732與第一發(fā)光芯片642對準,并且第二連接部分734與第二發(fā)光芯片644對準,所以從第一發(fā)光芯片642所生成的熱可以主要通過第一連接部分732釋放至外部,并且從第二發(fā)光芯片644所生成的熱可以主要通過第二連接部分734釋放至外部。在本實施例中,因為第一連接部分732和第二連接部分734在第一方向上的長度C11和C2大于第三連接部分736在第一方向上的長度E,所以第一連接部分732和第二連接部分734的面積大于第三連接部分736的面積。因此,依照本實施例的發(fā)光裝置封裝可以通過增加與發(fā)光裝置20鄰近的連接部分732和734的面積來改善將從第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片642所生成的熱量進行釋放的效率。第一側(cè)向表面部分714可以被分為連接至第一上表面部分712的上端714-1和連接至上端714-1的下端714-2。即,上端714-1可以包括第一至第三連接部分732、734以及736的部分,并且下端714-2可以位于下端714-1下面。上端714-1在第三方向上的長度F1可以是0.6mm~0.7mm,并且下端714-2在第三方向上的長度F2可以是0.4mm~0.5mm。第三方向可以是XYZ坐標系統(tǒng)中的Z軸方向。為了改進與封裝主體610的耦接和氣密性以阻擋潮濕,上端714-1的側(cè)向表面和下端714-2的側(cè)向表面可以是階梯狀的。例如,下端714-2的兩側(cè)端可以相對于上端714-1的側(cè)向表面在側(cè)向方向上突出。上端714-1在第一方向上的長度B1可以是2.56mm~2.66mm,并且下端714-2在第一方向上的長度B2可以是2.7mm~3.7mm。第一引線框架620的厚度t1可以是0.1mm~0.2mm。第二引線框架630可以布置為圍繞第一引線框架620的至少一個側(cè)向部分。例如,第二引線框架620可以布置在除第一引線框剪630的第一側(cè)向表面部分714之外的剩余側(cè)向部分周圍。第二引線框架630可以包括第二上表面部分742和第二側(cè)向表面部分744。第二上表面部分742可以布置為圍繞除第一上表面部分712的第一側(cè)向部分之外的剩余側(cè)向部分。如在圖28和圖32中所示,第二上表面部分742可以與空腔601的底部603和第一上表面部分712共面,并且由空腔601暴露。第二引線框架630的厚度t2可以是0.1mm~0.2mm。根據(jù)圍繞第一上表面部分712的位置,第二上表面部分742可以分為第一部分742-1、第二部分742-2以及第三部分742-3。第二上表面部分742的第二部分742-2可以對應(yīng)于第一上表面部分712的第二側(cè)向部分,或與第一上表面部分712的第二側(cè)向部分相對立。第二上表面部分742的第一部分742-1可以連接至第二部分742-2的一端,并且可以對應(yīng)于第一上表面部分712的剩余側(cè)向部分中的一個,或與第一上表面部分712的剩余側(cè)向部分中的一個相對立。第二上表面部分742的第三部分742-3可以連接至第二部分742-2的另一端,并且可以對應(yīng)于第一上表面部分712的剩余側(cè)向部分中的另一個,或與第一上表面部分712的剩余側(cè)向部分中的另一個相對立。第一部分742-1和第三部分742-3在第二方向上的長度H1可以是0.65mm~0.75mm,并且第一部分742-1和第三部分742-3在第一方向上的長度H2可以是0.78mm~0.88mm。第二部分742-2在第一方向上的長度I可以是4.8mm~4.9mm。第二上表面部分742的第二部分742-2可以包括與第一上表面部分712的凹陷701對應(yīng)的突起702。例如,突起702的形狀可以與凹陷701的形狀匹配,并且突起702可以位于與凹陷701對準。突起702可以位于凹陷701中。突起702的數(shù)目可以等于凹陷701的數(shù)目。突起702和凹陷701可以彼此分離,并且封裝主體610的一部分可以位于它們之間。突起702是用于與第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644的引線接合的區(qū)域,并且位于第一發(fā)光芯片642與第二發(fā)光芯片644之間,因此幫助與第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644的引線接合。突起702在第一方向上的長度S5可以是0.85mm~0.95mm,突起702在第二方向上的長度S4可以是0.3mm~0.4mm,以及由突起702與第二部分742-2所形成的角度θ2可以是大于等于90°且小于180°。第二側(cè)向表面部分744可以從第二上表面部分742的至少一個側(cè)向部分彎曲。第二側(cè)向表面部分744可以從第二上表面部分742以指定的角度(例如90°)向下彎曲。例如,第二側(cè)向表面部分744可以包括從第二上表面部分742的第一部分742-1的一個側(cè)向部分彎曲的第一部分744-1,以及從第二上表面部分742的第三部分742-3的一個側(cè)向部分彎曲的第二部分744-2??梢詮澢诙?cè)向表面部分744的第一部分744-1和第二部分744-2以使其位于第二引線框架630的相同側(cè)向表面。第二側(cè)向表面部分744的第一部分744-1可以與第一側(cè)向表面部分744分離,并且可以位于第一側(cè)向表面部分714的一側(cè)(例如,左側(cè))。第二側(cè)向表面部分744的第二部分744-2可以與第一側(cè)向表面部分714分離,并且可以位于第一側(cè)向表面部分714的另一側(cè)(例如,右側(cè))。第一側(cè)向表面部分714和第二側(cè)向表面部分744可以彼此共面。因此,如在圖28中所示,第一側(cè)向表面部分714和第二側(cè)向表面部分744可以暴露于封裝主體610的相同的側(cè)向表面。第二側(cè)向表面744在第一方向上的長度A可以是0.4mm~0.5mm,第二側(cè)向表面部分744在第三方上的長度G可以是1.05mm~1.15mm。第二上表面部分742的第一部分742-1和第三部分742-3中的每個的一個側(cè)向表面可以具有階梯狀部分g1。例如,階梯狀部分g1可以鄰近第二上表面部分742的第一部分742-1的一個側(cè)向表面與第二側(cè)向表面部分744的第一部分744-1的一個側(cè)向表面交匯的區(qū)域而定位。因為第一上表面部分712和第一側(cè)向表面部分714的面積可以通過階梯狀部分g1而增加,所以依照本實施例的發(fā)光裝置封裝可以增加熱耗散區(qū)域,并且因此改進熱耗散效率。因為第一引線框架620的面積與從發(fā)光芯片642和644所生成的熱量的釋放相關(guān)。第二上表面部分742的第一部分742-1和第三部分742-3中的每個的另一側(cè)向表面可以具有階梯狀部分g2。形成階梯狀區(qū)域g2的原因是,當發(fā)光裝置封裝200-1鍵合至柔性印刷電路板10時,允許憑借裸眼容易地觀察到鍵合材料(例如,焊料)。依照實施例,第一引線框架620的第一側(cè)向表面部分714和第二引線框架630的第二側(cè)向表面部分744可以安裝在光源模塊100-1至100-21中的每個的印刷電路板10上,并且與光源模塊100-1至100-21中的每個的印刷電路板10相接觸,并且由此,發(fā)光芯片640可以使光在順著光導層40的側(cè)向表面的方向3上輻射。即,發(fā)光裝置封裝200-1可以具有側(cè)視型結(jié)構(gòu)。齊納二極管645可以布置在第二引線框架630上以改進發(fā)光裝置封裝200-1的耐受電壓。例如,齊納二極管645可以布置在第二引線框架630的第二上表面部分742上。第一發(fā)光芯片642可以通過第一線652而電連接至第二引線框架630,第二發(fā)光芯片644可以通過第二線654而電連接至第二引線框架630,以及齊納二極管645可以通過第三線656而電連接至第一引線框架620。例如,第一線652的一端可以連接至第一發(fā)光芯片642,并且第一線652的另一端可以連接至突起702。另外,第二線654的一端可以連接至第二發(fā)光芯片644,并且第二線654的另一端可以連接至突起702。發(fā)光裝置封裝200-1可以進一步包括填充空腔601的內(nèi)部以圍繞發(fā)光芯片640的樹脂層(未示出)。樹脂層可以由無色透明聚合物樹脂材料(諸如環(huán)氧物或硅)形成。發(fā)光裝置封裝200-1可以在不使用磷光劑的情況下僅使用紅光發(fā)射芯片來產(chǎn)生紅光,但是本公開不限于此。樹脂層可以包括磷光劑以改變從發(fā)光芯片640所發(fā)射的光的波長。例如,盡管使用發(fā)射除紅光之外的有色光的發(fā)光芯片,但是通過使用磷光劑改變光的波長來發(fā)射所期望的有色光的發(fā)光裝置封裝可以實現(xiàn)。圖35示出了依照另一實施例的第一引線框架620-1和第二引線框架630。盡管在不同的附圖中描述,但是以相同的附圖標記來表示與圖32中所示的部件基本上相同的本實施例中的一些部件,并且將省略或簡要地提供對以上提及的描述中的部件的重復(fù)描述。參照圖35,第一引線框架620-1具有如下結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中,第三連接部件736被從圖32中所示的第一引線框架620中移除。即,第一引線框架620-1可以包括鄰近第一上表面部分712和第一側(cè)向表面部分714’之間的邊界部分的一個通孔720-1。第一連接部分732可以位于通孔720-1的一側(cè),并且第二連接部分734可以位于通孔720-1的另一側(cè)。圖36示出了依照另一實施例的第一引線框架620-2和第二引線框架630-1。盡管在不同的附圖中描述,但是以相同的附圖標記來表示與圖32中所示的部件基本上相同的本實施例中的一些部件,并且將省略或簡要地提供對以上提及的描述中的部件的重復(fù)描述。參照圖36,第一引線框架620-1的第一上表面部分712’可以具有如下結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中,凹陷701被從圖32所示的第一引線框架620的第一上表面部分712中省略。另外,第二引線框架630-1的第二上表面部分742’的第二部分742-2’可以具有如下結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中,突起702被從圖32中所示的第二引線框架630的第二上表面部分742的第二部分742-2中省略。依照本實施例的其它元件可以與圖32中所示的那些相同。圖37示出了依照另一實施例的第一引線框架620-3和第二引線框架630。盡管在不同的附圖中描述,但是以相同的附圖標記來表示與圖32中所示的部件基本上相同的本實施例中的一些部件,并且將省略或簡要地提供對以上提及的描述中的部件的重復(fù)描述。參照圖37,第一引線框架620-3可以具有如下結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中,穿過第一引線框架620的精細通孔h1、h2以及h3形成在圖32中所示的第一引線框架620的連接部分732、734以及736中的至少一個上。第一引線框架620-3的連接部分732-1、734-1以及746-1中的至少一個包括形成在第一上表面部分712與第一側(cè)向表面部分714之間的邊界部分的精細通孔h1、h2以及h3。在此,精細通孔h1、h2以及h3的直徑可以小于通孔722和724在第一方向上的長度D11或D12,或可以小于通孔722和724在第二方向上的長度D2。形成在第一連接部分732-1和第二連接部分734-1處的精細通孔h1和h2的數(shù)目可以大于形成在第三連接部分736-1處的精細通孔734-1的數(shù)目,但是本公開不限于此。另外,精細通孔h1、h2以及h3可以具有圓形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀。精細通孔h1、h2以及h3可以改進第一引線框架620-3與封裝主體610之間的耦接力以及幫助第一引線框架620-3的彎曲。圖38示出了依照另一實施例的第一引線框架620-4和第二引線框架630。盡管在不同的附圖中描述,但是以相同的附圖標記來表示與圖32中所示的部件基本上相同的本實施例中的一些部件,并且將省略或簡要地提供對以上提及的描述中的部件的重復(fù)描述。參照圖38,第一引線框架620-4包括第一上表面部分712”和第一側(cè)向表面714”。第一上表面部分712”和第一側(cè)向表面部分714”是圖32中所示的第一上表面部分712和第一側(cè)向表面部分714的修改。即,第一引線框架620-4具有如下結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中,通孔722和724被從圖32中所示的第一引線框架620的第一上表面部分712和第一側(cè)向表面部分714中省略,并且彼此分離的多個精細通孔h4形成在第一上表面部分721”與第一側(cè)向表面714”之間的邊界部分Q的一個區(qū)域Q2處。第一上表面部分721”與第一側(cè)向表面714”之間的邊界部分Q可以被劃分為第一邊界區(qū)域Q1、第二邊界區(qū)域Q2以及第三邊界區(qū)域Q3。第一邊界區(qū)域Q1可以對應(yīng)于第一發(fā)光芯片642,或與第一發(fā)光芯片642對準,第三邊界區(qū)域Q3可以對應(yīng)于第二發(fā)光芯片644或與第二發(fā)光芯片644對準,以及第二邊界區(qū)域Q可以位于第一邊界區(qū)域Q1與第三邊界區(qū)域Q3之間。第一邊界區(qū)域Q1和第三邊界區(qū)域Q3可以用作傳輸從第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644所生成的光的路徑,并且多個精細通孔h4可以用于幫助第一上表面部分712”與第一側(cè)向表面部分714”之間的彎曲。盡管圖38示出多個精細通孔h4具有相同的直徑和分離距離,但是本公開不限于此。即,依照其它實施例,多個精細通孔h4中的至少一個可以具有不同的直徑,或多個精細通孔h4之間的分離距離可以不同。圖39示出了依照另一實施例的第一引線框架620和第二引線框架630-2。圖39中所示的第二引線框架630-2可以是圖32中所示的第二引線框架630的修改。盡管在不同的附圖中描述,但是以相同的附圖標記來表示本實施例中的與圖32中所示的部件基本上相同的一些部件,并且將省略或簡要地提供對以上提及的描述中的部件的重復(fù)描述。參照圖39,不同于圖32中所示的第二上表面部分742的第二部分742-2,圖39中所示的第二部分的742”的第二部分742-2”具有切斷結(jié)構(gòu),并且不連接第一部分742-1和第三部分742-3。第二引線框架630-2的第二上表面部分742”可以包括第一部分742-1、第二部分742-2”以及第三部分742-3。第一部分742-1、第二部分742-2”以及第三部分742-3可以位于第一引線框架620的第一上表面部分712的相應(yīng)的一個側(cè)向部分附近。第二上表面部分742”的第二部分742-2”可以包括連接至第一部分742-1的第一區(qū)域704和連接至第三部分742-3且與第一區(qū)域704相分離的第二區(qū)域705。因為第一區(qū)域704與第二區(qū)域705之間的分離空間706由封裝主體610所填充,所以封裝主體610與第二引線框架630-2之間的耦合力可以被改進。圖39中所示的第二引線框架630-2可以分為可以彼此電隔離的第一子框架744-1、744-2以及704和第二子框架744-2、742-3以及705。圖40示出了依照另一實施例的第一引線框架810和第二引線框架820。參照圖40,第一引線框架810可以包括第一上表面部分812,以及從第一上表面部分812的第一側(cè)向部分彎曲的第一側(cè)向表面部分814和第二側(cè)向表面部分816。發(fā)光芯片642和644可以布置在第一上表面部分812上。第一上表面部分812的第二側(cè)向部分可以包括一個或更多個第一凹陷803和804以及第一突起805。在此,第一上表面部分812的第二側(cè)向表面可以與第一上表面部分812的第一側(cè)向部分相對立。例如,第一上表面部分812的第二側(cè)向部分可以包括兩個第一凹陷803和804,以及位于第一凹陷803與804之間的一個第一突起805,但是本公開不限于此。第一凹陷803和804可以具有對應(yīng)于設(shè)置在第二引線框架820(下文將描述)上的第二凹陷815的形狀。盡管圖40中所示的第一凹陷803和804以及第一突起805具有矩形形狀,但是本公開不限于此,并且第一凹陷803和804以及第一突起805可以具有各種形狀,諸如圓形形狀、多邊形形狀、橢圓形形狀等。發(fā)光芯片642和644可以布置在第一上表面部分812上第一凹陷803和804的兩側(cè)處。第一側(cè)向表面部分814可以連接至第一側(cè)向表面部分712的第一側(cè)向部分的一個區(qū)域,第二側(cè)向表面部分816可以連接至第一側(cè)向表面部分712的第一側(cè)向部分的另一區(qū)域,并且第一側(cè)向表面部分814和第二側(cè)向表面部分816可以彼此分離。第一側(cè)向表面部分814和第二側(cè)向表面部分816可以從封裝主體610的一個側(cè)向表面暴露。第一引線框架610可以包括形成在第一上表面部分812和第一側(cè)向表面部分814中至少一個上的一個或更多個通孔840。例如,第一引線框架610可以包括鄰近第一上表面部分812與第一側(cè)向表面部分814之間的邊界部分而形成的一個或更多個通孔840。通孔840可以具有與圖32和34中所示的通孔720相同的結(jié)構(gòu)和功能。第一引線框架810可以包括鄰近第一上表面部分812與第一側(cè)向表面部分814之間的邊界部分定位的、通過通孔840而彼此分離的以及將第一上表面部分812和第二側(cè)向表面814連接的連接部分852、854以及856。連接部分852、854以及856的結(jié)構(gòu)和功能可以與圖32和34中所示的通孔720的結(jié)構(gòu)和功能相同。第一引線框架810可以包括對應(yīng)于發(fā)光芯片642或644、或鄰近發(fā)光芯片642或644定位的的至少一個連接部分。對應(yīng)于發(fā)光芯片642和644、或鄰近發(fā)光芯片642和644定位的連接部分(例如,852和854)在第一方向上的長度可以大于不對應(yīng)于發(fā)光芯片642和644、或不鄰近發(fā)光芯片642和644定位的連接部分(例如,856)在第一方向上的長度。為了改進與封裝主體610的耦接和氣密性以阻擋潮濕,第二側(cè)向表面部分816的側(cè)向表面的下部部分可以在側(cè)向方向上突出。第二引線框架820可以布置在第一引線框架810的至少側(cè)向部分附近。第二引線框架820可以包括第二上表面部分822和第三側(cè)向表面部分824。根據(jù)布置在第一上表面部分812周圍的位置,第二上表面部分822可以被分為第一部分832和第二部分834。第二上表面部分822的第二部分834可以與第一上表面部分812的第二側(cè)向部分相對立。第二上表面部分822的第一部分832可以連接至第二部分834的一端,并且可以對應(yīng)于第一上表面部分812的第三側(cè)向部分或與第一上表面部分812的第三側(cè)向部分相對立。第三側(cè)向表面部分可以垂直于第一側(cè)向部分或第二側(cè)向部分。第二上表面部分822的第二部分834可以包括對應(yīng)于第一凹陷803和804的第二突起813和814。第二突起813和814是用于與第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644引線接合的區(qū)域,并且第二突起813和814位于第一發(fā)光芯片642與第二發(fā)光芯片644之間,因此幫助與第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644的引線接合。第三側(cè)向表面部分824可以從第二上表面部分822以指定的角度(例如90°)向下彎曲。例如,第三側(cè)向表面部分824可以從第二上表面部分822的第一部分832的一個側(cè)向部分彎曲。第二側(cè)向表面部分816和第三側(cè)向表面部分824可以相對于第一側(cè)向表面部分814對稱。為了改進與封裝主體610的耦接和氣密性以阻擋潮濕,第三側(cè)向表面部分824的側(cè)向表面的下端部分可以在側(cè)向方向上突出。第一側(cè)向表面部分814、第二側(cè)向表面部分816以及第三側(cè)向表面部分824可以暴露于封裝主體610的相同的側(cè)向表面。圖41是依照另一實施例的發(fā)光裝置封裝200-2的透視圖,圖42是圖41中所示的發(fā)光裝置封裝200-2的頂視圖,圖43是圖41中所示的發(fā)光裝置封裝200-2的前視圖,圖44是沿線c-d所截取的、圖41中所示的發(fā)光裝置封裝200-2的橫截面圖,以及圖45是示出圖41中所示的第一引線框架620’和第二引線框架630’的透視圖。盡管在不同的附圖中描述,但是以相同的附圖標記來表示本實施例中的與圖28至圖32中所示的部件基本上相同的一些部件,并且將省略或簡要地提供對以上提及的描述中的部件的重復(fù)描述。參照圖41至圖45,發(fā)光裝置封裝200-2的第一引線框架620’可以包括第一上表面部分932和第一側(cè)向表面部分934。不同于圖32中所示的第一上表面部分712,圖45中所示的第一上表面部分932不包括凹陷。另外,第二引線框架630’的第二上表面部分942可以具有與如下結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中,省略了圖32中所示的第二上表面部分742的第二部分742-2。第一側(cè)向表面部分934可以具有與圖32中所示的第一側(cè)向表面部分714相同的結(jié)構(gòu)。第一上表面部分932在第一方向上的長度P1可以小于圖32中所示的第一上表面部分712的長度,并且第一上表面932在第二方向上的長度J2可以大于第一上表面部分712的長度J1。例如,第一上表面部分932在第一方向上的長度P1可以是4.8mm~4..9mm,并且第一上表面部分932在第二方向上的長度J2可以是0.67mm~0.77mm。因此,因為圖41中所示的第一上表面部分932的面積大于圖32中所示的第一上表面部分712的面積,所以依照圖41的實施例的發(fā)光裝置封裝200-2可以安裝具有較大尺寸的發(fā)光芯片。第一側(cè)向表面部分944、通孔722和724以及連接部分的尺寸可以等于圖33中所示的尺寸。第二引線框架630’可以包括第二上表面部分942和第二側(cè)向表面部分944。第二上表面部分942可以包括布置在第一上表面部分932的第三側(cè)向部分附近的第一部分942-1和布置在第一上表面部分932的第四側(cè)向部分附近的第二部分942-2。第一上表面部分932的第三側(cè)向部分可以是與第一上表面部分932的第一側(cè)向部分垂直的側(cè)向部分,或第一上表面部分932的第四側(cè)向部分可以是與第一上表面部分932的第三側(cè)向部分相對立的側(cè)向部分。第二上表面部分942的第一部分942-1和第二部分942-2可以彼此分離,并且可以彼此電隔離。第二側(cè)向表面部分944可以包括連接至第二上表面部分942的第一部分942-1的第一部分944-1,和連接至第二上表面部分942-2的第二部分942-2的第二部分944-2。然而,第二上表面部分942的第一部分942-1和第二部分942-2在第一方向上的長度P2可以大于圖32中所示的第二上表面部分742的第一部分742-1和第三部分742-3在第一方向上的長度H2。例如,第二上表面部分942的第一部分942-1和第二部分942-2在第一方向上的長度P2可以是1.04mm~1.14mm,并且第二上表面部分942的第一部分942-1和第二部分942-2在第二方向上的長度P2可以是0.45mm~0.55mm。第一上表面部分932的、用于突出以支撐引線框架陣列的第一引線框架620’的突起在第一方向上的長度S22可以是0.14mm~0.24mm。第一發(fā)光芯片642可以通過第一線653而電連接至第二上表面部分942的第一部分942-1,并且第二發(fā)光芯片644可以通過第二線655而電連接至第二上表面部分942的第二部分942-2。第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644可以發(fā)射具有相同波長的光。例如,第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644可以是發(fā)射紅色光的紅光發(fā)射芯片。另外,第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644可以發(fā)射具有不同波長的光。例如,第一發(fā)光芯片642可以是紅光發(fā)射芯片,第二發(fā)光芯片644可以是黃色光發(fā)射芯片,以及可以對依照本實施例安裝在發(fā)光裝置封裝200-2上的第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644獨立地進行操作。第一電源(例如,負(-)電源)可以被供給至第一引線框架620’,并且第二電源(例如,正(+)電源)可以被供給至第二引線框架630’。因為第二引線框架630’被分為彼此電隔離的兩部分(942-1、944-1和942-2、944-2),所以第一引線框架620’被用作公用電極,并且第二電源被獨立地供給至第二引線框架630’的第二上表面部分942的第一部分942-1和第二部分942-2,從而對第一發(fā)光芯片642和第二發(fā)光芯片644獨立地進行操作。因此,如果圖41中所示的發(fā)光裝置封裝200-2被安裝在依照上述實施例的光源模塊100-1至100-21上,則光源模塊100-1至100-21可以生成各種顏色的面光。例如,如果僅第一發(fā)光芯片642被操作,則依照上述實施例的光源模塊100-1至100-21可以生成紅色面光,并且如果僅第二發(fā)光芯片644被操作,則依照上述實施例的光源模塊100-1至100-21可以生成黃色面光。圖46是示出依照實施例的發(fā)光裝置封裝200-1和200-2的測量溫度的曲線圖。圖46中所示的所測量溫度代表當發(fā)光裝置封裝200-1和200-2發(fā)光時發(fā)光芯片的溫度。情況1代表如果第一引線框架的第一部分和第二部分在第一方向上的長度等于第三部分的長度時,發(fā)光芯片的測量溫度,情況2代表圖26中所示的發(fā)光芯片的測量溫度,以及情況3代表圖39中所示的發(fā)光芯片的測量溫度。參照圖46,情況1的測量溫度t1為44.54℃,情況2的測量溫度t2為43.66℃,以及情況3的測量溫度t3為43.58℃。因此,因為依照實施例的光源模塊通過改變第一引線框架620的第一側(cè)向表面部分714的連接部分732、734以及736的設(shè)計而改進了熱耗散效果,所以當發(fā)光裝置封裝200-1和200-2發(fā)射光時,可以抑制安裝在發(fā)光裝置封裝200-1和200-2上的發(fā)光芯片640的溫度的上升,從而阻止亮度下降和波長漂移的產(chǎn)生。圖47是依照一個實施例在圖28中所示的發(fā)光芯片640的橫截面圖。圖47中所示的發(fā)光芯片640可以是垂直類型芯片,其發(fā)射具有例如600-690nm的波長范圍的紅光。參照圖47,發(fā)光芯片640包括第二電極層1801、反射層1825、發(fā)光結(jié)構(gòu)1840、鈍化層1850以及第一電極層1860。第二電極層1801連同第一電機層1860一起將電源提供至發(fā)光結(jié)構(gòu)1840。第二電極層1801可以包括用于注入電流的電極材料層1810、位于電極材料層1810上的支撐層1815、以及位于支撐層1815上的鍵合層1820。第二電極層1801可以被鍵合至圖32中所示的發(fā)光裝置封裝200-1的第一引線框架620,例如第一上表面部分712。電極材料層1801可以由Ti/Au形成,并且支撐層1815可以由金屬或半導體材料形成。另外,支撐層1815可以由具有高電導性和高熱導性的材料形成。例如,支撐層1815可以由包括銅(Cu)、銅合金、金(Au)、鎳(Ni)、鉬(Mo)以及銅-鎢(Cu-W)中的至少一個的金屬,或包括Si、Ge、GaAs、ZnO以及SiC中的至少一個的半導體形成。鍵合層1820布置在支撐層1815與反射層1835之間,并且用于將支撐層1815鍵合至反射層1825。鍵合層1820可以包括鍵合金屬材料,例如,In、Sn、Ag、Nb、Pd、Ni、Au以及Cu中的至少一個。因為形成鍵合層1820以將支撐層1815鍵合至反射層1825,所以如果通過電鍍(plate)或沉積來形成支撐層1815,則可以省略鍵合層1820。反射層1825可以布置在鍵合層1820上。反射層1825可以將從發(fā)光結(jié)構(gòu)1840所入射的光進行反射,因此改進光抽取效率。反射層1825可以由反射金屬材料(例如,包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf中的至少一個的金屬)或它們的合金形成。另外,可以使用導電性氧化物層(例如,氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)以及氧化銻錫(ATO))將反射層1825形成為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。另外,反射層1825可以形成為包括金屬和半導體氧化物(諸如IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni以及AZO/Ag/Ni)的多層結(jié)構(gòu)。歐姆區(qū)域1830可以位于反射層1825與發(fā)光結(jié)構(gòu)1840之間。歐姆區(qū)域1830是與發(fā)光結(jié)構(gòu)1840為歐姆接觸的區(qū)域,并且歐姆區(qū)域1830用于有效地將電源供給至發(fā)光結(jié)構(gòu)1840。歐姆區(qū)域1830可以通過發(fā)光結(jié)構(gòu)1840與歐姆接觸材料(例如,包括Be、Au、Ag、Ni、Cr、Ti、Pd、Ir、Sn、Ru、Pt以及Hf中的至少一個的材料)之間的歐姆接觸而形成。例如,形成歐姆區(qū)域1830的材料可以包括AuBe、并且可以被設(shè)置為點狀。發(fā)光結(jié)構(gòu)1840可以包括窗口層1842、第二半導體層1844、有源層1846以及第一半導體層1848。窗口層1842可以是布置在反射層1825上的半導體層,并且可以由GaP形成。第二半導體層1844被布置在窗口層1842上。第二半導體層1844可以由III-V族或II-VI族化合物半導體形成,并且可以用第二導電類型的摻雜劑對其進行摻雜。例如,第二半導體層1844可以由AlGaInP、GaInP、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs以及GaAsP中的一個形成,并且可以用p型摻雜劑(例如,Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)對其進行摻雜。有源層1846可以布置在第二半導體層1844與第一半導體層1848之間,并且可以使用在由第二半導體層1844和第一半導體層1848所提供的電子和空穴的復(fù)合期間所生成的能量來生成光。有源層1846可以由III-V族或II-VI族化合物半導體形成,并且可以形成為單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或量子點結(jié)構(gòu)。例如,有源層1846可以形成為包括阱層和勢壘層的單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。阱層可以由具有比勢壘層更低的能帶隙的材料形成。例如,有源層1846可以由AlGaInP或GaInP形成。第一半導體層1848可以由化合物半導體形成。第一半導體層1848可以由III-V族或II-VI族化合物半導體形成,并且可以用第一導電類型的摻雜劑對其進行摻雜。例如,第一半導體層1848可以由AlGaInP、GaInP、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs以及GaAsP中的一個形成,并且可以用N型摻雜劑(例如,Si、Ge或Sn)對其進行摻雜。發(fā)光結(jié)構(gòu)1840可以發(fā)射具有600nm~690nm的波長范圍的紅色光,并且第一半導體層1848、有源層1846以及第二半導體層1844可以具有可以發(fā)射紅色光的構(gòu)成。為了增加光抽取效率,粗糙1870可以形成在第一半導體層1848的上表面上。鈍化層1850布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)1840的側(cè)向表面上。鈍化層1850用于對發(fā)光結(jié)構(gòu)1840進行電保護。鈍化層1850可以由絕緣材料(例如,SiO2、SiOx、SiOxNy或Al2O3)形成。鈍化層1850可以布置在第一半導體層1848的上表面的至少一部分上。第一電極層1860可以布置在第一半導體層1848上,并且可以具有指定的圖案。第一電極層1860可以形成為單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。例如,第一電極層1860可以包括按順序堆疊的第一層1862、第二層1864以及第三層1866。第一層1862可以與第一半導體層1848處于歐姆接觸狀態(tài),并且可以由GaAs形成。第二層1864可以由AuGe/Ni/Au合金形成。第三層1866可以由Ti/Au合金形成。如在圖28和41中所示,第一電極層1860可以通過線652、653、654或655電地鍵合至第二引線框架630或630’。一般地,當發(fā)光芯片的溫度上升時,產(chǎn)生波長漂移并且亮度降低。與發(fā)射藍光的藍色LED和發(fā)射黃光的琥珀色LED相比,發(fā)射紅光的紅光LED根據(jù)溫度上升而產(chǎn)生更嚴重的波長漂移和亮度下降。因此,在使用紅光發(fā)射芯片的發(fā)光裝置封裝和光源模塊中,重要的是采取熱耗散措施以抑制發(fā)光芯片的溫度的上升。如上所述,依照實施例在發(fā)光燈1中所包括的光源模塊100-1至100-21和發(fā)光裝置封裝200-1和200-2可以改進光耗散效率,并且因此即使當使用紅光發(fā)射芯片時也可以抑制發(fā)光芯片的溫度的上升,從而抑制波長漂移和亮度下降。圖48是依照另一實施例的發(fā)光燈2的分解透視圖。參照圖48,發(fā)光燈2包括殼體1310、光源模塊1320、擴散板1330以及微透鏡陣列1340。殼體1310可以容納光源模塊1320、擴散板1330以及微透鏡陣列1340,并且可以由光透射材料形成。光源模塊1320可以是依照上述實施例的光源模塊100-1至100-21中的一個。另外,光源模塊1320可以是依照上述實施例的光源模塊100-1至100-21中不包括擴散板70的光源模塊100-1至100-3、100-7和100-8、100-12和100-13以及100-20中的一個。另外,光源模塊1320可以具有如下結(jié)構(gòu):在該結(jié)構(gòu)中,擴散板70被從光源模塊100-4至100-6、100-9至100-11以及100-14至100-21中省略。擴散板1330可以用于將穿過光源模塊1320的光在整個平面上均勻地擴散。擴散板1330可以由與擴散板70相同的材料形成,但是本公開不限于此。依照另一實施例,可以省略擴散板1330。微透鏡陣列1340可以具有在其中多個微透鏡1344布置在基體薄膜1342上的結(jié)構(gòu)。各個微透鏡1344可以以預(yù)定的間距彼此分離。各個微透鏡1344之間的基體薄膜1342可以是平的,并且各個微透鏡1344可以以50~500μm的間距彼此分離。盡管圖48示出擴散板1330和微透鏡陣列1340為分離地設(shè)置,但是另一實施例可以描述擴散板1330和微透鏡陣列1340被整合。圖50示出了依照一個實施例、用于車輛的尾燈900-2,并且圖51示出了用于車輛的普通尾燈。參照圖50,用于車輛的尾燈900-2可以包括第一光源模塊952,第二光源模塊954,第三光源模塊956以及殼體970。第一光源模塊952可以是用作方向指示燈的光源,第二光源模塊954可以是用作車輛側(cè)向燈的光源,第三光源模塊956可以是用作停止燈的光源,但是本公開不限于此并且其功能可以調(diào)換。殼體970容納第一至第三光源模塊952、954以及956,并且可以由光透射材料形成。殼體970可以根據(jù)車輛主體的設(shè)計而彎曲。第一至第三光源模塊952、954以及956中的至少一個可以是依照上述實施例的光源模塊100-1至100-21中的一個。在尾燈的情況下,僅當在車輛的停止期間光強度大于110cd時,駕駛員可以看見前方較長的距離,并且尾燈通常需要大于這樣的強度30%的光強。另外,為了輸出大于這樣的光強30%的光強,應(yīng)用至光源模塊952、954或956的發(fā)光裝置封裝的數(shù)目需要增加25%~35%,或各個發(fā)光裝置封裝的輸出需要增加25%~35%。如果發(fā)光裝置封裝的數(shù)量增加,則由于布置空間的限制可能難以制造光源模塊。因此,通過增加安裝在光源模塊上的各個發(fā)光裝置封裝的輸出,可以以小數(shù)量的發(fā)光裝置封裝來獲得期望的光強度(例如,110cd或更大)。一般地,因為通過將發(fā)光裝置封裝的每個的輸出W與發(fā)光裝置封裝的數(shù)目N相乘所獲得的值為光源模塊的總輸出,所以為了獲得期望的光強度,可以根據(jù)光源模塊的面積來設(shè)置發(fā)光裝置封裝的適當?shù)妮敵龊蛿?shù)目。例如,在具有0.2瓦特(watt)的電源消耗和13lm的輸出的發(fā)光裝置封裝的情況下,37-42個發(fā)光裝置封裝可以布置在指定的區(qū)域以生成大約100cd的光強。然而,在具有0.5watt電源消耗和30lm的輸出的發(fā)光裝置封裝的情況下,僅13-15個發(fā)光裝置可以布置在相同的區(qū)域以生成相似的光強。布置在具有指定的面積的光源模塊上以獲得指定的輸出的發(fā)光裝置封裝的數(shù)目可以由布置間距、光導層中的光擴散材料的組分以及反射層的圖案形狀來確定。在此,間距可以是從兩個鄰近的發(fā)光裝置封裝中的一個發(fā)光裝置封裝的中心點到該兩個臨近發(fā)光裝置封裝中的另一個發(fā)光裝置封裝的中心點的距離。當發(fā)光裝置封裝布置在光源模塊中時,發(fā)光裝置封裝以指定的間隔彼此分離。在此,在高輸出發(fā)光裝置封裝的情況下,要布置的發(fā)光裝置封裝的數(shù)目可以相對地減少,并且發(fā)光裝置封裝可以以其之間的大的間距來布置,因此空間可以被有效地使用。另外,如果高輸出發(fā)光裝置封裝以其之間的大的間距來布置,則與以其之間的大的間距布置高輸出發(fā)光裝置封裝相比,可以獲得較高的光強。圖52A和圖52B示出了在依照實施例、用于車輛的尾燈中所使用的光源模塊的發(fā)光裝置封裝之間的間距。例如,圖52A可以示出圖50中所示的第一光源模塊952,并且圖52B可以示出圖50中所示的第二光源954。參照圖52A和圖52B,彼此分離的發(fā)光裝置封裝99-1至99-n(n為大于1的自然數(shù))或98-1至98-m(m為大于1的自然數(shù))可以被布置在基底10-1或10-2上。兩個鄰近發(fā)光裝置封裝之間的間距(例如,ph1,ph2以及ph3,或pc1,pc2以及pc3)可以不同,并且可以在8~30mm的范圍中。上述情況的原因是如果布置間距(例如,ph1,ph2以及ph3,或pc1,pc2以及pc3)小于8mm,則盡管布置間距可以依照發(fā)光裝置封裝99-1至99-n或98-1至98-m的消耗功率而改變,但是來自鄰近發(fā)光裝置封裝(例如,99-3或99-4)的光的干擾發(fā)生并且可見光區(qū)域可能生成。另外,如果布置間距(例如,ph1,ph2以及ph3,或pc1,pc2以及pc3)大于30mm,則由于光無法到達的區(qū)域因此可以生成暗區(qū)域。如上所述,因為光源模塊100-1至100-21具有柔性并且可以容易地安裝在彎曲殼體970上,所以依照實施例、用于車輛的尾燈900-2可以改善設(shè)計的自由度。另外,因為光源模塊100-1至100-21具有被改進了熱耗散效率的結(jié)構(gòu),所以依照實施例、用于車輛的尾燈900-2可以阻止波長漂移和亮度降低的產(chǎn)生。圖51中所示用于車輛的普通尾燈是點光源,并且因此可以在發(fā)光期間、在發(fā)光表面上生成局部斑點962和964,但是依照實施例用于車輛的尾燈900-2是面光源并且可以因此獲得在整個發(fā)光表面上均勻的亮度和發(fā)光強度。如從上述描述中明顯的,依照一個實施例的發(fā)光燈可以獲得薄的輪廓、改進產(chǎn)品設(shè)計的自由度和熱耗散效率、以及抑制波長漂移和亮度降低。盡管參照一些示例性的實施例描述了實施例,但是應(yīng)當理解由本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員所想到的許多其它修改和實施例將落入本公開的原理的精神和范圍之中。更具體地,在本公開、附圖以及附屬權(quán)利要求的范圍內(nèi)的子組合布置的組件部件和/或布置中的各種變型和修改是可能的。除組件部件和/或布置中的各種變型和改變之外,替選用法對于本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員也是明顯的。
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