用于轉(zhuǎn)變無機層的基板、有機發(fā)光裝置及其制備方法本申請要求于2012年3月5日提交到韓國知識產(chǎn)權局的第10-2012-0022519號韓國專利申請的優(yōu)先權及其權益，該申請的內(nèi)容通過引用全部包含于此。技術領域本發(fā)明的實施例涉及一種制備有機發(fā)光裝置的方法，用于轉(zhuǎn)變無機層的基板以及有機發(fā)光裝置。

背景技術：
作為自發(fā)射裝置的有機發(fā)光裝置具有諸如寬視角、優(yōu)異的對比度、快速的響應、高亮度。優(yōu)異的驅(qū)動電壓特性的優(yōu)點，并且可顯示多彩的圖像。有機發(fā)光裝置包括有機發(fā)射單元，有機發(fā)射單元包括第一電極、有機層以及第二電極。由于有機發(fā)射單元對于諸如氧和濕氣的外部環(huán)境來說是脆弱的，所以使用了使有機發(fā)射單元相對于外部環(huán)境密封的密封結構。同時，需要開發(fā)薄的有機發(fā)光裝置和/或柔性的有機發(fā)光裝置。

技術實現(xiàn)要素：
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，提供一種制備有機發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括下述步驟：在第二基板上形成包含低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT）無機材料的至少一個預無機層；在第一基板上形成至少一個有機發(fā)射單元；將粘合劑施加到第二基板和第一基板中的至少一個基板的邊緣部分；利用粘合劑使第二基板與第一基板結合，以使預無機層與有機發(fā)射單元彼此面對；通過在大于LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度條件下對預無機層執(zhí)行復原工藝，使預無機層轉(zhuǎn)變?yōu)闊o機層，以覆蓋有機發(fā)射單元。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種制備有機發(fā)光裝置的方法，該方法包括下述步驟：在第二基板上形成包含低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT）無機材料的預無機層；在第一基板上形成至少一個有機發(fā)射單元；在第一基板以及有機發(fā)射單元上形成至少一個第一有機層，以覆蓋有機發(fā)射單元；將粘合劑施加到第二基板和第一基板中的至少一個基板的邊緣部分；利用粘合劑使第二基板與第一基板結合，使得預無機層和第一有機層彼此面對；通過在大于LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度條件下對預無機層執(zhí)行復原工藝，使預無機層轉(zhuǎn)變?yōu)闊o機層，以覆蓋第一有機層。所述方法還可包括將無機層與第二基板分開的步驟。第二基板可包含玻璃、塑料或金屬。形成有機層的步驟和/或形成第一有機層的步驟可包括提供可固化前驅(qū)物并使可固化前驅(qū)物固化。可利用閃蒸器來執(zhí)行提供可固化前驅(qū)物的步驟?？赏ㄟ^使用UV線、紅外線和激光束來執(zhí)行使可固化前驅(qū)物固化的步驟。形成預無機層的步驟可包括：將包含LVT無機材料粉體的糊施加到第二基板；對糊進行燒結。形成預無機層的步驟可包括：通過噴涂將包含LVT無機材料的粉體的分散體系施加到基板；對分散體系進行熱處理?？稍谡婵罩?、在減小的壓強條件下或者在基本去除了濕氣或氧的影響的不活潑氣氛中執(zhí)行使第二基板與第一基板結合的步驟，從而第二基板與第一基板之間的空間基本保持為真空。LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可以是能夠向LVT無機材料提供流動性的最低溫度。LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可小于有機發(fā)射單元中包含的材料的變性溫度的最小值。LVT無機材料可包含錫的氧化物。LVT無機材料可包括從由磷的氧化物、硼的磷酸鹽、錫的氟化物、鈮的氧化物以及鎢的氧化物組成的組中選擇的至少一種。LVT無機材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3。可通過在LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度與有機發(fā)射單元中包含的材料的變性溫度的最小值之間的溫度條件下對預無機層進行熱處理來執(zhí)行轉(zhuǎn)變的步驟。轉(zhuǎn)變的步驟可包括在大約80℃至大約132℃的溫度條件下對預無機層進行熱處理長達大約1小時至3小時?？稍谡婵罩谢蛟诓换顫姎怏w氣氛中執(zhí)行轉(zhuǎn)變的步驟。轉(zhuǎn)變的步驟可包括在利用激光束照射預無機層的同時掃描預無機層。所述方法還可包括在第二基板和預無機層之間形成至少一個第二有機層的步驟。使無機層與第二基板分開的步驟可包括通過利用激光束照射第二有機層來使第二有機層與第二基板分開。第二有機層可覆蓋無機層的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種用于轉(zhuǎn)變無機層的基板，所述基板包括：基底；至少一個無機層，形成在基底的一個表面上，并且包含低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT）無機材料。所述基板還可包括在無機層和基底之間的至少一個有機層。有機層可包含耐熱有機材料。LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可以是能夠向LVT無機材料提供流動性的最小溫度。LVT無機材料可包含錫的氧化物。LVT無機材料可包括從由磷的氧化物、硼的磷酸鹽、錫的氟化物、鈮的氧化物以及鎢的氧化物組成的組中選擇的至少一種。LVT無機材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3。第二基板可包含玻璃、塑料或金屬。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種有機發(fā)光裝置，所述有機發(fā)光裝置包括：第一基板；有機發(fā)光單元，在第一基板的一個表面上；無機層，包括低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT）無機材料并覆蓋有機發(fā)射單元；第二基板，在無機層上，與無機層接觸并面對第一基板。有機發(fā)光裝置還可包括在無機層和有機發(fā)射單元之間的第一有機層。無機層可轉(zhuǎn)變到有機發(fā)射單元上，以覆蓋有機發(fā)射單元。有機發(fā)光裝置還可包括在第二基板和無機層之間的第二有機層。有機發(fā)光裝置還可包括在第一基板和第二基板之間并設置在有機發(fā)光單元外部的粘合劑。LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可以是能夠向LVT無機材料提供流動性的最小溫度。LVT無機材料可包含錫的氧化物。LVT無機材料可包括從由磷的氧化物、硼的磷酸鹽、錫的氟化物、鈮的氧化物以及鎢的氧化物組成的組中選擇的至少一種。LVT無機材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3。第二基板可包含玻璃、塑料或金屬。附圖說明通過參照附圖詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例，本發(fā)明的上述和其它特征和方面將變得明顯，在附圖中：圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖2是圖1的部分II的剖視圖；圖3是圖1的部分III的剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖6A至圖6J是描述圖1的有機發(fā)光裝置的制備方法的圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖10A至圖10H是描述圖9的有機發(fā)光裝置的制備方法的圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖14A至圖14I是描述圖13的有機發(fā)光裝置的制備方法的圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖18A至圖18H是描述圖17的有機發(fā)光裝置的制備方法的圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖。具體實施方式在下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例。如在這里使用的，術語“和/或”包括一個或多個相關所列項的任意組合和全部組合。當諸如“至少一個”的描述引導一列元件時，其修飾整列的元件，而不修飾該列中的單個元件。圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光裝置的示意性剖視圖。圖2是圖1的部分II的剖視圖，圖3是圖1的部分III的剖視圖。參照圖1至圖3，有機發(fā)射單元2形成在第一基板1的一個表面上，有機層3和無機層4的層疊件形成在基板1上，使得該層疊件覆蓋有機發(fā)射單元2。第一基板1由玻璃形成，然而不限于此。第一基板1還可由金屬或塑料形成。第一基板1可以是能夠彎曲的柔性基板。在一個實施例中，第一基板1的彎曲半徑可以是10cm或更小。如圖2中所示，形成在第一基板1上的有機發(fā)射單元2包括層疊件，該層疊件包括第一電極21、第二電極22以及設置在第一電極21和第二電極22之間的有機發(fā)射層。雖然未在這里示出，但是有機發(fā)射單元2包括多個像素，并且每個像素包括一個像素電路，像素電路可包括至少一個薄膜晶體管（TFT）（未示出）和電容器（未示出）。第一電極21電連接到TFT。第一電極21和第二電極22彼此面對并且通過有機發(fā)射層23彼此絕緣。第一電極21的邊緣可由像素限定層24覆蓋，有機發(fā)射層23和第二電極22形成在像素限定層24和第一電極21上。第二電極22可以是用于覆蓋全部像素的共電極，第一電極21可形成在彼此獨立的每個像素中。第一電極21可通過在基板1上沉積或濺射用于形成第一電極21的材料來形成。當?shù)谝浑姌O21是陽極時，用于形成第一電極21的材料可以是高功函數(shù)材料，以有助于空穴注入。第一電極21可以是反射電極、半透明電極或透明電極。透明且導電的材料可被用于形成第一電極21，例如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化錫（SnO2）和氧化鋅（ZnO）?？墒褂面V（Mg）、鋁（Al）、鋁-鋰（Al-Li）、鈣（Ca）、鎂-銦（Mg-In）或鎂-銀（Mg-Ag）等來將第一電極21形成為反射電極。第一電極21可具有單層或多層結構。例如，第一電極21可具有ITO/Ag/ITO的三層結構，然而不限于此。有機發(fā)射層23形成在第一電極21上。有機發(fā)射層23可包括從由空穴注入層、空穴傳輸層、同時具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層、緩沖層、電子阻擋層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層組成的組中選擇的至少一個層。例如，有機發(fā)射層23可包括下面的化合物301、311或321中的至少一種。第二電極22形成在有機發(fā)射層23上。第二電極22可以是作為電子注入電極的陰極。用于形成第二電極22的材料可以是具有低功函數(shù)的金屬、合金、導電化合物或它們的混合物。例如，第二電極22可以是通過利用鋰（Li）、鎂（Mg）、鋁（Al）、鋁-鋰（Al-Li）、鈣（Ca）、鎂-銦（Mg-In）或鎂-銀（Mg-Ag）等形成的薄膜的反射電極、透明電極或半透明電極。為了制造頂部發(fā)射式有機發(fā)光裝置，可使用由ITO或IZO形成的透明第二電極22，并可對此進行各種修改。在朝第一基板1形成圖像的底部發(fā)射式有機發(fā)光裝置中，第二電極22可以相對厚，從而可提高朝第一基板1的發(fā)射效率。在朝第二基板電極22形成圖像的頂部發(fā)射式有機發(fā)光裝置中，第二電極22可以相對薄，從而第二電極22可以是反射層，或者可由透明導電材料形成第二電極22。在這種情況下，第一電極21還可包括反射層。雖然未在圖1至圖3中示出，但是可在第二電極22上形成保護層。例如，保護層可由LiF、羥基喹啉鋰或Alg3等形成。根據(jù)參照圖1至圖3描述的實施例，有機發(fā)射單元2覆蓋有順序地堆疊的第一有機層31、無機層4和第二有機層32的層疊件，因此有機發(fā)射單元2通過層疊件而被相對于外部空氣進行了密封。這樣，如圖3中所示，層疊件與環(huán)境元件51或51'接觸，以圍繞環(huán)境元件51或51'中的至少一個的邊界。環(huán)境元件51或51'可以是在形成有機發(fā)光顯示裝置的過程中附著的不期望的顆粒，并且可包括有機材料和/或無機材料。例如，環(huán)境元件51或51'可以是來自外部環(huán)境的微小顆粒（例如，外部環(huán)境中存在的灰塵和塵埃），或者用于形成有機發(fā)射單元2并且殘留在有機發(fā)射單元2上的材料的微小顆粒（例如，由用于形成第二電極22并且在形成第二電極22之后殘留的材料形成的微小顆粒）等。環(huán)境元件51或51'可包括各種有機材料、無機材料和有機/無機復合物。在圖3中，環(huán)境元件51或51'可設置在第二電極22上。雖然未在這里示出，但是其它環(huán)境元件可設置在第二電極22中或第二電極22下。有機發(fā)射單元2的上表面可具有彎曲部分。雖然未在這里示出，但是其它環(huán)境元件可形成在第一有機層31的上表面301上。在形成有機發(fā)射單元2之后，環(huán)境元件51或51'不能通過諸如洗滌的濕法工藝去除。環(huán)境元件51或51'的尺寸在1μm至5μm的范圍內(nèi)。小于環(huán)境元件51的環(huán)境元件51′可被第一有機層31覆蓋，環(huán)境元件51可通過第一有機層31暴露。在圖3中，為了便于描述，將環(huán)境元件51或51'概念性地示出為兩個具有不同尺寸的球形顆粒。無機層4可覆蓋因環(huán)境元件51的厚度大于第一有機層31的厚度而未被第一有機層31覆蓋并且通過第一有機層31暴露的環(huán)境元件51。第一有機層31可由聚合物材料形成。聚合物材料可包括丙烯酸材料（acrylicmaterial）。如圖2中所示，第一有機層31的上表面301可為基本平坦的。這里，第一有機層31的下表面302由于像素限定層24的彎曲部分而可以是不平坦的?；酒教沟纳媳砻?01和不平坦的下表面302是第一有機層31的相對的表面。由于第一有機層31的上表面301是基本平坦的，所以第一有機層31的在環(huán)境元件51的周圍的厚度t31與有機層31的在遠離環(huán)境元件51的部分處的厚度t32基本相同，如圖3中所示。這表明除了如圖2中所示的下表面302的彎曲部分之外，有機層3可具有均勻的厚度。因此，有機發(fā)射單元2的整個表面可被均勻地保護。無機層4形成在有第一有機層31上，因此，無機層4沿平面方向與第一有機層31接觸。無機層4可包括低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT）無機材料。可通過熔化并固化來形成無機層4，這將在后面進行描述。LVT無機材料是具有低的粘度轉(zhuǎn)變溫度的無機材料。如在這里使用的，“粘度轉(zhuǎn)變溫度”不是LVT無機材料的相從固相完全改變?yōu)橐合嗟臏囟?，而是使LVT無機材料具有流動性的最低溫度，即，使LVT無機材料的粘度改變的最低溫度。LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可小于有機發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度。例如，LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可小于有機發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度的最小值。“有機發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度”表示能夠?qū)е掠袡C發(fā)射單元2中包含的材料發(fā)生化學和/或物理變性的溫度，根據(jù)包含在其中的材料的種類和數(shù)量，該材料可具有多個變性溫度。例如，“LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度”和“有機發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度”可指LVT無機材料和有機發(fā)射單元2的有機層23中包含的有機材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg。可通過對LVT無機材料和有機發(fā)射單元2的有機層23中包含的有機材料進行熱重分析（TGA）來測量Tg。例如，可通過在N2氣氛下的TGA和差式掃描量熱法（DSC）對有機發(fā)射單元2中包含的材料進行熱分析來獲得Tg，其中，對于TGA來說，溫度范圍為從室溫至大約600℃（10℃/分鐘），對DSC來說，溫度范圍為從室溫至大約400℃（盤類型（PanType）：一次性Al盤（AlPan）中的Pt盤（PtPan）（TGA）、一次性Al盤（AlPan）（DSC）），這些條件是本領域普通技術人員應當理解的。有機發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度可以是但不限于大于大約130℃，并可如上所述地通過對有機發(fā)射單元2中包含的材料的TGA分析來有效地測量?；?中包含的材料的變性溫度的最小值可在大約130℃至大約140℃的范圍內(nèi)。有機發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度的最小值可以是但不限于大約132℃，并且通過如上所述的經(jīng)對有機發(fā)射單元2中包含的材料的TGA分析來測量該材料的Tg、并選擇最小的Tg，可以進行有效地確定。例如，LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可為大約80℃或更高，例如，在大約80℃至大約132℃的范圍內(nèi)，然而不限于此。例如，LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可以在大約80℃至大約120℃的范圍內(nèi)，或可以在大約100℃至大約120℃的范圍內(nèi)，然而不限于此。例如，LVT無機材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可為大約110℃。LVT無機材料可以是單種化合物或者至少兩種化合物的混合物。LVT無機材料可包括諸如SnO或SnO2的錫的氧化物。如果LVT無機材料包括SnO，則SnO的含量可在按重量計大約20%至按重量計大約100%的范圍內(nèi)。在一個實施例中，LVT無機材料還可包括從由磷的氧化物（例如P2O5）、硼的磷酸鹽（例如BPO4）、錫的氟化物（例如SnF2）、鈮的氧化物（例如NbO）以及鎢的氧化物（例如WO3）組成的組中選擇的至少一種，然而不限于此。在多種實施例中，LVT無機材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3，然而不限于此。在多種實施例中，LVT無機材料可包括下面的成分，然而不限于此。SnO（100wt%）；SnO（80wt%）和P2O5（20wt%）；SnO（90wt%）和BPO4（10wt%）；SnO（20-50wt%）、SnF2（30-60wt%）和P2O5（10-30wt%），其中，SnO、SnF2、和P2O5的重量百分比的和為100wt%；SnO（20-50wt%）、SnF2（30-60wt%）、P2O5（10-30wt%）和NbO（1-5wt%）,其中，SnO、SnF2、P2O5和NbO的重量百分比的和為100wt%；或者SnO（20-50wt%）、SnF2（30-60wt%）、P2O5（10-30wt%）和WO3（1-5wt%）,其中，SnO、SnF2、P2O5和WO3的重量百分比的和為100wt%。在多種實施例中，LVT無機材料可包括SnO（42.5wt%）、SnF2(40wt%）、P2O5（15wt%）和WO3（2.5wt%），然而不限于此。如果無機層4具有上述成分，則粘度轉(zhuǎn)變溫度可保持為低于有機發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度，從而可以通過復原（healing）工藝來糾正可在無機層4中形成的各種缺陷，這將在下面描述。如圖3中所示，無機層4可包括膜形成元件52。膜形成元件52可以是在無機層4的形成過程中沉積在第一有機層31上的無機材料的顆粒，并且膜形成元件52可通過將在下面描述的復原工藝來糾正，從而構成無機層4的一部分。如圖3中所示，環(huán)境元件51由無機層4圍繞，因此，無機層4的下表面402可以是不平坦的。更具體地說，無機層4的上表面401是基本平坦的。這是由于無機層4是這樣形成的，即，通過在復原工藝過程中使無機層4具有流動性，并使無機層4固化。因此，基本平坦的上表面401和不平坦的下表面402是無機層4的相對表面。由于無機層4的上表面401基本平坦，所以無機層4的在環(huán)境元件51附近的厚度t41與無機層4的在遠離環(huán)境元件51的部分處的厚度t42基本相同，如圖3中所示。這表示除了如圖3中所示的下表面402的彎曲部分之外，無機層4可具有均勻的厚度。因此，有機發(fā)射單元2的整個表面可以被均勻地保護。如圖1中所示，無機層4可具有比第一有機層31的面積大的面積，從而無機層4的所有邊緣均與第一基板1接觸。因此，第一有機層31完全被無機層4覆蓋。這里，由于無機層4與第一基板1接觸，所以提高了無機層4和第一基板1之間的粘合強度，并且可以更有效地阻擋或減少外部空氣滲透到有機發(fā)射單元2中。雖然未在這里示出，但是有機發(fā)射單元2還可包括如上所述的包括TFT的像素電路，無機層4可接觸像素電路（例如TFT）的任意絕緣層。例如，在TFT的層中，從柵極絕緣層延伸的部分可與無機層4接觸。這樣，由于構成TFT的絕緣層是諸如氧化硅層、氮化硅層或氮氧化硅層的無機絕緣層，所以它們的特性可以與當無機層4與第一基板1接觸時的特性相同或相似。無機層4的至少一部分被第二有機層32覆蓋。第一有機層31和第二有機層32可由相同的有機材料形成。然而，本發(fā)明不限于此，第二有機層32可包括耐熱有機材料。這樣，耐熱有機材料可具有與第一有機層31的組成相同或相似的組成。第二有機層32的結構可被形成為覆蓋無機層4的上表面，如圖1中所示，然而不限于此。在一個實施例中，如圖4中所示，第二有機層32'可被形成為覆蓋無機層4的整個表面。這樣，如圖4中所示，第二有機層32'可以不覆蓋無機層4的邊緣的一部分，然而本發(fā)明不限于此。第二有機層32'可以完全地覆蓋無機層4，包括其邊緣。在一個實施例中，如圖5中所示，第二有機層32″可被形成為覆蓋無機層4的上表面以及側部的一部分。如圖1、圖4和圖5中分別示出的第二有機層32、32'和32″可保護無機層免受外部沖擊等的影響，并且可補償無機層4的彎曲特性。雖然沒有在此示出，但是還可形成至少一個無機層和/或無機層/有機層的堆疊件，以覆蓋第二有機層32、32'和32″?？赏ㄟ^復原工藝利用LVT無機材料來形成無機層，然而不限于此。也可應用與無機層4不同的無機材料，例如基于硅的氧化物、基于硅的氮化物、基于鋁的氧化物和/或基于鋁的氮化物。將參照圖6A至圖6J描述制備圖1的有機發(fā)光裝置的方法。首先，在第二基板11上形成至少一個第二有機層32。在圖6A中，三個第二有機層32形成在第二基板11上，然而本發(fā)明不限于此，只要在第二基板11上形成至少一個第二有機層32即可。如果在第二基板11上形成多個第二有機層32，則可同時地制備多個有機發(fā)光裝置，從而提高生產(chǎn)率。第二基板11可以是透明玻璃基板，然而不限于此，其也可為塑料基板。利用諸如絲網(wǎng)印刷或狹縫涂覆工藝在第二基板11的預選的或預定的區(qū)域上形成第二有機層32。第二有機層32可由透明的丙烯酸（acrylic）或耐熱聚合物形成為具有范圍在大約1μ...