本公開總體上涉及一種顯示設備。更具體地，本公開涉及一種采用發(fā)光器件的顯示設備以及涉及一種用于制造顯示設備的方法。

背景技術：
近年來，照明設備和有機電致發(fā)光顯示設備已變得流行。照明設備和有機電致發(fā)光顯示設備是采用有機電致發(fā)光器件作為發(fā)光器件的設備。在以下描述中，有機電致發(fā)光器件簡稱為有機EL器件，而有機電致發(fā)光顯示設備簡稱為有機EL顯示設備。另外，在有機EL顯示設備領域中，對開發(fā)用于高度有效地獲取光的技術具有強烈需求。若獲取光的效率低，則無法有效利用實際從有機EL器件發(fā)出的光的量。因此，有機EL顯示設備在功耗等方面會導致重大損失。為提高光獲取效率，已提供了一種具有反射器的有機EL顯示設備，如日本專利公開第2007-248484號（以下稱為專利文獻1）中所公開。專利文獻1中所公開的有機EL顯示設備包括在密封基板30上面向用作發(fā)光器件20的每個顯示器件的導光部50。導光部50用作反射器。導光部50具有面向發(fā)光器件20的光入射面51和與光入射面51相對的一側(cè)上的光出射面52。另外，導光部50通常具有在一定方向上從光入射面51向光出射面52擴展的梯形橫截面。在導光部50的側(cè)面53上，形成有反光膜54。反光膜54是由金屬單質(zhì)、金屬合金或衍生材料制成的多層膜。金屬的典型實例是鋁（Al）和銀（Ag）。另外，由彼此相鄰的導光部50的反光膜54圍成的空間可用空氣填充或者該空間的至少一部分可用中間層40填充。顯示器件20設置在驅(qū)動基板10上，而導光部50設置在密封基板30上。通過利用通常由熱硬化樹脂或紫外線硬化樹脂制成的粘合劑層41將驅(qū)動基板10貼在密封基板30上。以使顯示器件20暴露于導光部50的這一方式將驅(qū)動基板10貼在密封基板30上。另外，可以通過設置導光部50內(nèi)側(cè)與導光部50外側(cè)之間的折射率差，使光在側(cè)面53上全反射。應注意，在以下描述中，為方便起見，上述現(xiàn)有反射器結(jié)構被稱為面反射器結(jié)構。

技術實現(xiàn)要素：
如上所述，在專利文獻1所公開的有機EL顯示設備中，顯示器件20由粘合劑層41覆蓋。也就是說，粘合劑層41存在于顯示器件20與導光部50之間的空間。因此，由顯示器件20發(fā)出的光在顯示器件20與粘合劑層41之間的界面上被完全反射。因此，擔心光獲取效率在某些情況下可能會降低。光獲取效率是由顯示器件20發(fā)出的光在顯示器件20外部被有效使用的效率。另外，在某些情況下，源自顯示器件20并通過粘合劑層41的光不會傳播到用于顯示器件20的導光部50的反光膜54。相反，該光不經(jīng)意地進入由相鄰導光部50的反光膜54圍成的一部分中。最重要的是，即使可以設定導光部50內(nèi)側(cè)與導光部50外側(cè)之間的折射率差以提供光在側(cè)面53上的全反射，專利文獻1也不包括關于應將折射率差設定為何值的任何具體描述。因此，需要提供一種能進一步提高獲取由發(fā)光器件發(fā)射到外部的光的效率的顯示設備和用于制造該設備的方法。另外，還期望提供一種用于制造能進一步提高獲取由發(fā)光器件發(fā)射到外部的光的效率的簡單顯示設備的方法以及用于制造該設備的方法。為實現(xiàn)上述第一要求，在一種實施方式中，提供了一種顯示裝置，包括多個發(fā)光器件，形成在基板上；多個第一構件，與發(fā)光器件相對應并直接形成在相應的發(fā)光器件的一部分上；以及多個第二構件，形成在相鄰第一構件之間的區(qū)域中。第一構件和第二構件被配置為反射和引導從發(fā)光部發(fā)出的通過第一構件的光的至少一部分。在另一實施方式中，提供了一種電子設備，包括顯示裝置，所述顯示裝置包括多個發(fā)光器件，形成在基板上；多個第一構件，與發(fā)光器件相對應并直接形成在相應的發(fā)光器件的一部分上；以及多個第二構件，形成在相鄰第一構件之間的區(qū)域中。在該實施方式中，第一構件和第二構件被配置為反射和引導從發(fā)光部發(fā)出的通過第一構件的光的至少一部分。在另一實施方式中，提供了一種制造顯示裝置的方法。該方法包括：在基板上形成多個發(fā)光器件；在相應的發(fā)光器件的一部分上直接形成與發(fā)光器件相對應的多個第一構件；以及形成在相鄰第一構件之間的區(qū)域中形成的多個第二構件。在該實施方式中，第一構件和第二構件被配置為反射和引導從發(fā)光部發(fā)出的通過第一構件的光的至少一部分。在另一實施方式中，提供了一種顯示裝置，包括多個發(fā)光器件，形成在基板上；多個第一構件，與發(fā)光器件相對應，每個第一構件形成在發(fā)光器件中的相應的一個上；以及多個第二構件，形成在相鄰第一構件之間的區(qū)域中。在該實施方式中，第一構件的折射率值n1與第二構件的折射率值n2不同。根據(jù)該實施方式，即便未在第一與第二構件之間的界面上設置反光構件等，也可以進一步提高獲取由發(fā)光器件發(fā)射到外部的光的效率。另外，根據(jù)由第一方法實施方式提供以用作用于制造顯示設備的方法的所述方法，第一構件直接構建在第二電極上方。因此，與現(xiàn)有技術不同，從由發(fā)光器件發(fā)出的光中獲取的光不存在損失。另外，由于在第二電極與反射器之間的位置處存在粘合劑層，所以將導致這種損失。最重要的是，根據(jù)由第二方法實施方式提供以用作用于制造顯示設備的方法的所述方法，通過利用沖壓模，可以獲得包括用作第二構件的粘合劑層和用作第一構件的樹脂材料層的反光層。因此，通過采用這種簡單的制造方法，可以制造一種能提高獲取由發(fā)光器件發(fā)射到外部的光的效率的顯示設備。附圖說明圖1是示出根據(jù)第一實施方式的顯示設備的剖面的一部分的模型圖；圖2A和圖2B分別是示出根據(jù)第一至第五實施方式的顯示設備中的子像素矩陣的模型圖；圖3是示出表示根據(jù)第一實施方式的顯示設備和典型對比顯示設備1’中的亮度的輻射角分布的模擬結(jié)果的曲線的示意圖；圖4A和圖4B是示出根據(jù)第三實施方式的顯示設備和典型對比顯示設備3中的光束的輸入/輸出狀態(tài)的模擬結(jié)果的示意圖；圖5A是示出根據(jù)第三實施方式的顯示設備、典型對比顯示設備3和典型對比顯示設備3’中的亮度的輻射角分布的模擬結(jié)果的示意圖，而圖5B是示出表示根據(jù)采用來自發(fā)光器件的光的視場角作為參數(shù)的第三實施方式的顯示設備的第一構件中的能量分布的曲線的示意圖；圖6是示出根據(jù)第四實施方式的顯示設備的剖面的一部分的模型圖；圖7是示出根據(jù)第四實施方式4B的顯示設備中的亮度的輻射角分布的模擬結(jié)果的示意圖；圖8是示出根據(jù)第五實施方式的顯示設備的剖面的一部分的模型圖；圖9A至圖9F是分別示出第一基板等的剖面的一部分以及分別用作在用于制造根據(jù)第一實施方式的顯示設備的方法（即，由本公開的第一方法實施方式提供以用作用于制造顯示設備的一種方法的方法）的概要描述中參照的說明圖的示意圖；圖10A至圖10D是分別示出玻璃基板等的剖面的一部分以及分別用作在用于制造根據(jù)第一實施方式的顯示設備的另一方法（即，由本公開的第二方法實施方式提供以用作用于制造顯示設備的另一方法的方法）的概要描述中參照的說明圖的示意圖；圖11是示出通過修改根據(jù)第四實施方式的顯示設備而獲得的典型修改版的剖面的一部分的模型圖。具體實施方式接下來，下文將通過參照示意圖來闡述本公開的實施方式。然而，本公開的實施決不限于所述實施方式。也就是說，所述實施方式中使用的各種數(shù)字以及所述實施方式中使用的各種材料僅是典型的。應注意，本公開的說明被分為按照以下順序排列的主題。1：對根據(jù)本公開的顯示設備以及由本公開的第一和第二方法實施方式提供以用作分別用于制造顯示設備而采用的方法的方法的一般性描述2：第一實施方式（根據(jù)本公開的顯示設備以及由本公開的第一和第二方法實施方式提供以用作分別用于制造顯示設備而采用的方法的方法）3：第二實施方式（第一實施方式的一種修改版）4：第三實施方式（第一實施方式的另一修改版）5：第四實施方式（第一實施方式的又一修改版）6：第五實施方式（第一實施方式的再一修改版）及其他根據(jù)本公開的顯示設備以及由本公開的第一和第二方法實施方式提供以用作分別用于制造顯示設備而采用的方法的方法的一般性描述在以下描述中，根據(jù)本公開的顯示設備以及通過采用由本公開的第一或第二方法實施方式提供以用作用于制造顯示設備的方法的方法制造的顯示設備在某些情況下一般可簡稱為由本公開提供的顯示設備?？善谕谟杀竟_提供的顯示設備或通過采用由本公開的第二方法實施方式提供以用作用于制造顯示設備的方法的方法制造的顯示設備中，發(fā)光器件與第一構件彼此相鄰。因此，由發(fā)光部發(fā)出的光總是直接傳播到第一構件。因此，光獲取效率決不降低?？蓪⒂杀竟_提供以用作包括上述可取配置的顯示設備的顯示設備設定為用于輸出由每個發(fā)光器件通過第二基板發(fā)射到外部的光的實施方式。應注意，該顯示設備在某些情況下可被稱為具有頂部發(fā)光型的顯示設備。然而，根據(jù)本公開的顯示設備決不限于具有頂部發(fā)光型的顯示設備。例如，還可以采用將由每個發(fā)光器件發(fā)出的光通過第一基板輸出至外部的結(jié)構。應注意，具有用于將由每個發(fā)光器件發(fā)出的光通過第一基板輸出到外部的結(jié)構的顯示設備在某些情況下可被稱為具有底部發(fā)光型的顯示設備。在實施具有頂部發(fā)光型的顯示設備的可取實施方式中，保護膜和密封材料層進一步形成在反光層上。在該情況下，可期望提供一種配置，其中，以下關系式適用：|n3-n4|≤0.3。作為一種替代，可期望提供一種配置，其中，下文刻意給出的關系式適用：|n3-n4|≤0.2。在上述關系式中，參考符號n3和n4分別表示保護膜和密封材料層的折射率。因此，可以有效防止光在保護膜與密封材料層之間的界面上被反射和散射。應注意，一種配置也可被設置為用作第一構件和保護膜同時被構建且彼此結(jié)合以形成結(jié)合體的配置。另外，在包括該可取配置的頂部發(fā)光型顯示設備中，可將由發(fā)光器件發(fā)出并通過第一構件和第二基板輸出至外部的光的量設定為1.5至2.0范圍內(nèi)的值，其中，值1表示從發(fā)光器件的中心發(fā)出的光的量。若顯示設備是彩色顯示設備，則彩色顯示設備中的一個像素被配置為包括三個子像素或至少四個像素。三個子像素是用于發(fā)出具有紅色的光的紅色發(fā)光子像素、用于發(fā)出具有綠色的光的綠色發(fā)光子像素和用于發(fā)出具有藍色的光的藍色發(fā)光子像素。在該彩色顯示設備中，可以提供一種如下所述的配置。紅色發(fā)光子像素由用于發(fā)出具有紅色的光的發(fā)光器件配置，綠色發(fā)光子像素由用于發(fā)出具有綠色的光的發(fā)光器件配置，而藍色發(fā)光子像素由用于發(fā)出具有藍色的光的發(fā)光器件配置。在包括該可取配置的頂部發(fā)光型顯示設備中，第二基板可被配置為包括濾色片，而發(fā)光器件可被配置為發(fā)出具有白色的光。另外，每個彩色發(fā)光子像素可由用于發(fā)出具有白色的光的發(fā)光器件和濾色片的結(jié)合來配置。在該配置中，第二基板可被配置為包括稱為黑色矩陣的擋光膜。出于同樣原因，在底部發(fā)光型的顯示設備中，第一基板可被配置為包括濾色片和稱為黑色矩陣的擋光膜。在具有如上所述的根據(jù)本公開實施方式的可取配置的顯示設備中，像素或子像素可由發(fā)光器件來配置。在該情況下，第一構件可被構建為具有滿足以下關系式的圓臺（或無頭旋轉(zhuǎn)體）的形狀：0.5≤R1/R2≤0.8以及0.5≤H/R1≤2.0。在上述關系式中，參考符號R1表示第一構件的光入射面的直徑，參考符號R2表示第一構件的光出射面的直徑，而參考符號H表示第一構件的高度。應注意，圓臺的傾斜面的截面形狀可以是直線、多條線段的組合或曲線。還應牢記，圓臺的截面形狀是通過在包括圓臺的軸線的虛擬平面上方切割圓臺而獲得的截面的形狀。該技術術語“截面形狀”在以下描述中以相同含義來使用。另外，可期望滿足以下關系式：0.5≤R0/R1≤1.0。在上述關系式中，參考符號R0表示發(fā)光部的直徑。作為一種替代，在具有如上所述的根據(jù)本公開實施方式的可取配置的顯示設備中，像素或子像素可被配置為包括聚集以形成一組的多個發(fā)光器件。在該情況下，第一構件可被構建為具有滿足以下關系式的圓臺（或無頭旋轉(zhuǎn)體）的形狀：0.5≤R1/R2≤0.8以及0.5≤H/R1≤2.0。在上述關系式中，參考符號R1表示第一構件的光入射面的直徑，參考符號R2表示第一構件的光出射面的直徑，而參考符號H表示第一構件的高度?？蓪⒕奂孕纬上袼鼗蜃酉袼氐陌l(fā)光器件的數(shù)量設定為3至1,000的典型范圍內(nèi)的值。應注意，圓臺的傾斜面的截面形狀可以是直線、多條線段的組合或曲線。另外，可期望滿足以下關系式：0.5≤R0/R1≤1.0。在上述關系式中，參考符號R0表示發(fā)光部的直徑。最重要的是，在具有如上所述的根據(jù)本公開實施方式的可取配置的顯示設備中，用于制作第一構件的材料可以是Si1-xNx、ITO（銦錫氧化物）、IZO（銦鋅氧化物）、TiO2、Nb2O5、含Br（溴）聚合物、含S（硫）聚合物、含鈦聚合物或含鋯聚合物等。另一方面，用于制作第二構件的材料可以是SiO2、MgF、LiF、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、含氟樹脂、硅樹脂、氟系聚合物或硅系聚合物等。由本公開提供以包括上文闡述的所需實施和所需配置的顯示設備等在下文也可被稱為用作對于顯示設備的通用技術術語的目前公開的顯示設備。該顯示設備還可包括在第一與第二構件或有機層之間構建第二電極以及在第一與第二構件之間構建第二電極的實施。在該情況下，在第二構件與第二電極之間的界面上或在第二構件與有機層之間的界面上，反射傳播過第一構件的光的至少一部分。這些實施也包括在其中在第二構件的面向第一構件的表面上反射傳播過第一構件的光的至少一部分的該實施中。在目前公開的顯示設備中，像素或子像素可由一個發(fā)光器件來配置。然而，本公開的實施決不限于像素或子像素由一個發(fā)光器件配置的實施方式。在該情況下，像素或子像素可被布局為形成條狀陣列、對角陣列、三角陣列或矩形陣列等。另外，本公開的實施決不限于像素或子像素由多個聚集的發(fā)光器件配置的實施方式。在該情況下，像素或子像素可被布局為形成條狀陣列。在以下描述中，為方便起見，頂部發(fā)光型的顯示設備中的第一電極和底部發(fā)光型的顯示設備中的第二電極在某些情況下也被稱為反光電極。反光電極由能用作反光材料的材料制成。采用用作陽極的反光電極，該反光電極由金屬或合金制成。金屬和合金具有較高的功函數(shù)值。該金屬的典型實例是鉑（Pt）、金（Au）、銀（Ag）、鉻（Cr）、鎢（W）、鎳（Ni）、銅（Cu）、鐵（Fe）、鈷（Co）和鉭（Ta）等，而合金的典型實例是Ag-Pd-Cu合金和Al-Pd合金。Ag-Pd-Cu合金包含作為主要成分的銀（Ag），具有0.3%-1%范圍內(nèi)的質(zhì)量的鈀（Pd）和具有0.3%-1%范圍內(nèi)的質(zhì)量的銅（Cu）。另外，材料可以是鋁（Al）或包括鋁（Al）的合金。在該情況下，若鋁（Al）的功函數(shù)的值或包括鋁（Al）等的合金的功函數(shù)的值較小且材料具有較高的光反射率，則通?？赏ㄟ^設置合適的空穴注入層來提高空穴注入特性。通過提高空穴注入特性，反光電極可用作陽極。反光電極可具有0.1μm至1μm范圍內(nèi)的典型厚度。作為一種替代，還可以采用分別具有良好空穴注入特性的透明導電材料被設置為在具有良好光反射特性的介電多層膜或反光膜上形成堆疊的結(jié)構。該反光膜的典型實例是鋁（Al），而該透明導電材料的典型實例是ITO（銦錫氧化物）和IZO（銦鋅氧化物）。另一方面，采用用作陰極的反光電極，可期望反光電極由具有較小功函數(shù)值和較高光反射率的導電材料制成。然而，若通常通過在用于制造陽極的作為具有較高光反射率的材料的導電材料上設置合適的電子注入層來提高電子注入特性，則反光電極也可用作陰極。在以下描述中，為方便起見，頂部發(fā)光型的顯示設備中的第二電極和底部發(fā)光型的顯示設備中的第一電極在某些情況下也被稱為半透光式電極。用于制作半透光式電極的材料可以是半透光式材料或透光式材料。采用用作陰極的半透光式電極，可期望用于制作半透光式電極的材料是傳輸發(fā)出的光且具有較小的功函數(shù)值的導電材料，使得電子可以高度有效地注入有機層中。該材料的典型實例是具有較小功函數(shù)值的金屬和合金。具有較小功函數(shù)值的金屬的典型實例是鋁（Al）、銀（Ag）、鎂（Mg）、鈣（Ca）、鈉（Na）和鍶（Sr）等。另一方面，具有較小功函數(shù)值的合金的典型實例是堿金屬或堿土金屬與銀（Ag）的合金、鎂（Mg）的合金、鋁（Al）和鋰（Li）的合金。堿金屬或堿土金屬與銀（Ag）的合金的典型實例是Mg-Ag合金，它是鎂（Mg）和銀（Ag）的合金，而鎂（Mg）的合金的典型實例是Mg-Ca合金。另一方面，鋁（Al）和鋰（Li）的合金被稱為Al-Li合金。在金屬和合金之中，Mg-Ag合金是最可取的。在該合金中，可將表示鎂的體積與銀的體積之比的Mg:Ag比設定為5:1至30:1范圍內(nèi)的典型值。另一方面，在Mg-Ca合金的情況下，可將表示鎂的體積與鈣的體積之比的Mg:Ca比設定為2:1至10:1范圍內(nèi)的典型值?？蓪胪腹馐诫姌O的厚度設定為4nm至50nm范圍內(nèi)的典型值，4nm至20nm范圍內(nèi)的可取值或6nm至12nm范圍內(nèi)的更可取值。作為一種替代，半透光式電極還可被設計為包括先前闡述的材料層和所謂的透明電極的疊層結(jié)構，材料層和透明電極從有機層側(cè)開始順序排列。通常由ITO或IZO制成，透明電極具有3×10-8m至1×10-6m范圍內(nèi)的典型厚度。若半透光式電極被設計為該疊層結(jié)構，則可將先前闡述的材料層的厚度減少為1nm至4nm范圍內(nèi)的值。另外，半透光式電極還可僅由透明電極來配置。作為一種替代，可為半透光式電極設置用作輔助電極的總線電極。通過由具有小電阻的材料制成總線電極，可降低整個半透光式電極的電阻。具有小電阻的材料的典型實例是鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金和金合金等。另一方面，若半透光式電極用作陽極，則可期望半透光式電極由傳輸發(fā)出的光且具有較大的功函數(shù)值的材料制成。用于構建第一和第二電極的方法通常可以是蒸發(fā)法（諸如電子束蒸發(fā)法、加熱絲蒸發(fā)法或真空蒸發(fā)法、濺射法、化學真空淀積（CVD）法、MOCVD法、離子鍍法與刻蝕法的組合、多種印刷法（諸如絲網(wǎng)印刷法、噴墨打印法和金屬掩膜印刷法）中的任一種、鍍層（plating）法（諸如電鍍法或非電解鍍法、剝離法、激光磨削法或溶膠-凝膠法）等。通過采用印刷法中的一種或鍍層法中的一種，可以直接構建分別具有所需形狀或所需圖案的第一和第二電極。應注意，在構建有機層之后為構建第一和第二電極，尤其推薦成膜法，因為成膜法能夠防止有機層被損壞。在該情況下，膜構建法可以是利用成膜顆粒的小能量的真空蒸發(fā)法或MOCVD法。這是因為，若有機層被損壞，則擔心構建出不發(fā)光像素或不發(fā)光子像素。不發(fā)光像素和不發(fā)光子像素不發(fā)光，因為漏電流會因損壞的有機層而流動。不發(fā)光像素和不發(fā)光子像素分別被稱為消失點。另外，在不將工藝暴露于大氣的情況下可進行一系列工藝的這一事實是可期望的，因為可防止有機層被大氣中的水分損壞。在該情況下，工藝范圍從構建有機層的工藝到構建有機層的電極的工藝。在某些情況下，可從構建第一和第二電極中的一個的工藝中去除圖案化處理。在由本公開提供的顯示設備中，在第一基板上構建多個發(fā)光器件。在該情況下，第一或第二基板可以是高度失真點玻璃基板、蘇打玻璃（Na2O·CaO·SiO2）基板、硼硅玻璃（Na2O·B2O3·SiO2）基板、鎂橄欖石（2MgO·SiO2）基板、鉛玻璃（Na2O·PbO·SiO2）基板、分別具有在其表面上形成的絕緣膜的各種玻璃基板、石英基板、具有在其表面上形成的絕緣膜的石英基板、具有在其表面上形成的絕緣膜的硅基板或有機聚合物基板等。有機聚合物基板的典型實例是聚甲基丙烯酸甲酯基板（也稱為聚甲基丙烯酸甲酯酸（PMMA）基板）、聚乙烯醇（PVA）基板、聚乙烯酚（PVP）基板、聚醚砜（PES）基板、聚酰亞胺基板、聚碳酸酯基板和聚對苯二甲酸乙二醇脂（PET）基板等。有機聚合物是用于制作塑料膜、塑料薄片或塑料基板的高分子材料的形式，塑料膜、塑料薄片和塑料基板由高分子材料配置以表現(xiàn)出可燃特性。用于制作第一基板的材料可與用于制作第二基板的材料相同或不同。然而，在具有底部發(fā)光型的顯示設備的情況下，需要用于制作第一基板的材料對由發(fā)光器件發(fā)出的光可透。有機EL顯示設備（也稱為有機電致發(fā)光顯示設備）可作為由本公開提供的顯示設備的典型實例給出。若有機EL顯示設備是彩色有機EL顯示設備，如前所述，則每個子像素由形成有機EL設備的有機EL器件中的一個來配置。在該情況下，一個像素通常包括三個不同子像素，這三個不同子像素通常是用于發(fā)出具有紅色的光的紅色發(fā)光子像素、用于發(fā)出具有綠色的光的綠色發(fā)光子像素和用于發(fā)出具有藍色的光的藍色發(fā)光子像素。因此，若形成有機EL設備的有機EL器件的數(shù)量在該配置中是N×M，則像素的數(shù)量是(N×M)/3。有機EL顯示設備通常可用作嵌入個人計算機、TV接收機、手機、個人數(shù)字助理（PDA）、游戲機等中的顯示設備。作為一種替代，可在電子取景器（EVF）和頭戴式顯示器（HMD）中使用有機EL顯示設備。由本公開提供的顯示設備的另一典型實例是包括用于液晶顯示設備的背光源和用于液晶顯示設備的平面光源的照明設備。有機層包括通常由有機發(fā)光材料制成的發(fā)光層。具體而言，有機層通?？捎砂昭ㄝ斔蛯?、發(fā)光層和電子輸送層的疊層結(jié)構、包括空穴輸送層和同樣用作電子輸送層的發(fā)光層的疊層結(jié)構以及包括空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層和電子注入層的疊層結(jié)構來配置。將這些疊層結(jié)構中的每一個被稱為串聯(lián)單元。在該情況下，認為有機層具有包括形成堆疊的第一串聯(lián)單元、連接層和第二串聯(lián)單元的兩級串聯(lián)結(jié)構。事實上，有機層可被配置為由形成堆疊的三個以上的串聯(lián)單元構成的多級串聯(lián)結(jié)構。在這些情況下，發(fā)射光的顏色針對串聯(lián)單元而變?yōu)榧t色、綠色或藍色，以提供整體發(fā)出白色光的有機層。用于構建有機層的方法的典型實例是物理氣相淀積（PVD）法（諸如真空蒸發(fā)法）、印刷法（諸如絲網(wǎng)印刷法或噴墨打印法）、激光傳輸法和各種涂布法。激光傳輸法是用于傳輸有機層的方法。根據(jù)激光傳輸法，將激光束照射到包括激光吸收層和有機層的疊層結(jié)構以將有機層與激光吸收層分開，激光吸收層和有機層被構建在傳輸基板上。若通過采用真空蒸發(fā)法來構建有機層，例如，則淀積通過設置在真空蒸發(fā)法中采用的所謂的金屬掩膜上的孔隙的材料以獲得有機層。作為一種替代，在無需進行圖案化工藝的情況下，在整個表面上構建有機層。在頂部發(fā)光型的顯示設備中，第一電極通常設置在層間絕緣層上。另外，該層間絕緣層覆蓋在第一基板上構建的發(fā)光器件驅(qū)動部。發(fā)光器件驅(qū)動部被配置為包括一個薄膜晶體管（TFT）或多個TFT。TFT與第一電極通過設置在層間絕緣層上的接觸插頭彼此電連接。用于制作層間絕緣層的材料的典型實例是SiO2、BPSG、PSG、BSG、AsSg、PbSg、SiON、旋涂式玻璃層（SOG）、具有低熔點的玻璃、被稱為玻璃漿料的SiO2系材料、SiN系材料和各種絕緣樹脂材料。樹脂絕緣材料包括聚酰亞胺樹脂、酚醛清漆系樹脂、丙烯酸系樹脂和聚苯并惡唑樹脂。若層間絕緣層由絕緣樹脂制成，則可使用單一絕緣樹脂材料自身或者適當組合多種絕緣樹脂材料以產(chǎn)生用于制作層間絕緣層的材料?？赏ㄟ^進行公知工藝（通常采用CVD法、涂布法、濺射法或各種印刷法中的任何一種）來構建層間絕緣層。在具有由發(fā)光器件發(fā)出的光通過層間絕緣層的配置/結(jié)構的底部發(fā)光型顯示設備中，需要層間絕緣層由對由發(fā)光器件發(fā)出的光可透過的材料制成。另外，還需要以使發(fā)光器件驅(qū)動部不阻擋由發(fā)光器件發(fā)出的光的這一方式來構建發(fā)光器件驅(qū)動部。在具有底部發(fā)光型的顯示設備中，發(fā)光器件驅(qū)動部可被設置在第二電極上方。如前所述，可期望絕緣或?qū)щ姳Ｗo膜設置在有機層上方以保護有機層免受水分危害。也期望通過采用膜構建法而利用特別小的成膜顆粒能量來形成保護膜，如采用真空蒸發(fā)法或采用膜構建法（諸如CVD法或MOCVD法）的情況。這是因為，通過以此方式形成保護膜，可降低對基礎層的影響。作為一種替代，可期望為防止亮度由于有機層的劣化而降低，將成膜溫度設定為正常溫度，且為防止保護膜脫落，在最小化保護膜應力的條件下形成保護膜。另外，也期望通過將已構建的電極不暴露于大氣來形成保護膜。通過以此方式形成保護膜，可以防止有機層由于大氣中的水分和/或大氣中的氧氣而劣化。最重要的是，還可期望在具有頂部發(fā)光型的顯示設備的情況下，保護膜由以至少80%的透光率透過由有機層生成的光的材料形成。具體而言，可期望保護膜由具有無機非晶特性的絕緣材料形成。下文將給出該絕緣材料的典型實例。由于具有無機非晶特性的絕緣材料不生成顆粒，所以材料的透水性較低且該材料可用于制作良好的保護膜。具體而言，可期望用于制作保護膜的材料是對由發(fā)光層發(fā)出的光可透過但完善地阻止水分的材料。具體而言，該絕緣材料的典型實例是非晶硅（α-Si）、非晶碳化硅（α-SiC）、非晶氮化硅（(α-Si1-xNx）、非晶氧化硅（α-Si1-yOy）、非晶碳（α-C）、非晶硅氧氮化物（α-SiON）和AL2O3等。應注意，若用于制作保護膜的材料是導電材料，則保護膜可由透明導電材料（諸如ITO和IZO）制成。為進一步提高光獲取效率，由本公開提供的顯示設備可設置有諧振器結(jié)構。具體而言，讓第一界面是第一電極與有機層之間的界面，而第二界面是第二電極與有機層之間的界面。在該情況下，可以提供一種配置，其中，由發(fā)光層發(fā)出的光在第一界面與第二界面之間諧振，且光的一部分從第二電極輸出。應注意，在以下描述中，為方便起見，該顯示設備被稱為由本公開提供的A顯示設備。另外，讓參考符號L1表示從發(fā)光層上的最大發(fā)光位置到第一界面的距離，參考符號OL1表示光學距離，參考符號L2表示從發(fā)光層上的最大發(fā)光位置到第二界面的距離，參考符號OL2表示光學距離，而參考符號m1和m2分別表示整數(shù)。在該情況下，下文給出的關系式（1-1）、（1-2）、（1-3）和（1-4）適用。0.7{-Φ1/(2π)+m1}≤2×OL1/λ≤1.2{-Φ1/(2π)+m1}（1-1）0.7{-Φ2/(2π)+m2}≤2×OL2/λ≤1.2{-Φ2/(2π)+m2}（1-2）L1<L2（1-3）m1<m2（1-4）在上述關系式中，使用以下參考符號：λ表示由發(fā)光層發(fā)出的光的光譜的最大峰值波長或表示由發(fā)光層發(fā)出的光中的期望波長。Φ1表示在第一界面上生成的反射光相移的量。反射光相移的量用弧度表示且具有以下-2π<Φ1≤0范圍內(nèi)的值。Φ2表示在第二界面上生成的反射光相移的量。反射光相移的量用弧度表示且具有以下-2π<Φ2≤0范圍內(nèi)的值。應注意，從發(fā)光層上的最大發(fā)光位置到第一界面的距離L1是從發(fā)光層上的最大發(fā)光位置到第一界面的實際距離或物理距離。出于同樣原因，從發(fā)光層上的最大發(fā)光位置到第二界面的距離L2也是從發(fā)光層上的最大發(fā)光位置到第二界面的實際距離或物理距離。另一方面，光學距離OL一般是由通過具有折射率n的介質(zhì)傳播物理距離L的光束走過的光程的長度，也稱為光程長度。因此，光學距離OL等于n×L（即，OL=n×L）。該等式對于如下光學距離OL適用：OL1=L1×n0OL2=L1×n0在上述等式中，參考符號n0表示有機層的平均折射率。通過求出折射率與構成有機層的層厚度的積的和并隨后將該和除以有機層的厚度來計算出平均折射率。在由本公開提供的A顯示設備中，可期望第一電極的平均光反射率具有不小于50%的值，或理想地具有不小于80%的值。另一方面，期望第二電極的平均光反射率具有50%-90%范圍內(nèi)的值，或理想地具有60%-90%范圍內(nèi)的值。應注意，通過將上述描述中使用的技術術語“第一電極”解釋為第二電極且通過將上述描述中使用的技術術語“第二電極”解釋為第一電極，上述描述可被視為由本公開提供的B顯示設備的描述。后續(xù)將單獨闡述由本公開提供的B顯示設備。另外，由本公開提供的A顯示設備可具有一種配置，其中，第一電極由反光材料制成，第二電極由半透光式材料制成且分別將常數(shù)m1和m2設定為0和1（即，m1=0且m2=1），這提供了最高的光獲取效率。從上述描述可明顯看出，由本公開提供的顯示設備包括由本公開提供的A顯示設備?？善谕谟杀竟_提供的顯示設備中，空穴輸送層或空穴供給層的厚度約等于電子輸送層或電子供給層的厚度。作為一種替代，使電子輸送層或電子供給層分別比空穴輸送層或空穴供給層厚，使得可以利用較低的驅(qū)動電壓為發(fā)光層提供用于提高效率的必要且足夠的電子。也就是說，通過在用作陽極的第一電極與發(fā)光層之間的位置設置空穴輸送層且通過將空穴輸送層的厚度設定為小于電子輸送層的厚度的值，可增加供給空穴的數(shù)量。另外，在該配置中，在未出現(xiàn)空穴和電子供給過量或不足的情況下，可以獲得保證載流子充分大量供給的載流子平衡。因此，可獲得較高的發(fā)光效率。最重要的是，由于供給空穴和供給電子不過量或未不足，所以可以使載流子平衡幾乎不活動（collapsible），抑制驅(qū)動劣化并延長發(fā)光壽命。如上所述，為進一步提高光獲取效率，由本公開提供的顯示設備可設置有諧振器結(jié)構。具體而言，讓第一界面是第一電極與有機層之間的界面，而第二界面是第二電極與有機層之間的界面。在該情況下，可以提供一種配置，其中，由發(fā)光層發(fā)出的光在第一界面與第二界面之間諧振，且光的一部分從第一電極輸出。應注意，在以下描述中，為方便起見，該顯示設備被稱為由本公開提供的B顯示設備。另外，讓參考符號L1表示從發(fā)光層上的最大發(fā)光位置到第一界面的距離，參考符號OL1表示光學距離，參考符號L2表示從發(fā)光層上的最大發(fā)光位置到第二界面的距離，參考符號OL2表示光學距離，而參考符號m1和m2分別表示整數(shù)。在該情況下，下文給出的關系式（2-1）、（2-2）、（2-3）和（2-4）適用。0.7{-Φ1/(2π)+m1}≤2×OL1/λ≤1.2{-Φ1/(2π)+m1}（2-1）0.7{-Φ2/(2π)+m2}≤2×OL2/λ≤1.2{-Φ2/(2π)+m2}（2-2）L1>L2（2-3）m1>m2（2-4）在上述關系式中，使用以下參考符號：λ表示由發(fā)光層發(fā)出的光的光譜的最大峰值波長或表示由發(fā)光層發(fā)出的光中的期望波長。Φ1表示在第一界面上生成的反射光相移的量。反射光相移的量用弧度表示且具有以下-2π<Φ1≤0范圍內(nèi)的值。Φ2表示在第二界面上生成的反射光相移的量。反射光相移的量用弧度表示且具有以下-2π<Φ2≤0范圍內(nèi)的值。另外，由本公開提供的B顯示設備可具有一種配置，其中，第一電極由半透光式材料制成，第二電極由反光材料制成且分別將常數(shù)m1和m2設定為1和0（即，m1=1且m2=0），這提供了最高的光獲取效率。從上述描述可明顯看出，由本公開提供的顯示設備包括由本公開提供的B顯示設備。可期望在由本公開提供的顯示設備中，空穴輸送層或空穴供給層的厚度約等于電子輸送層或電子供給層的厚度。作為一種替代，使電子輸送層或電子供給層分別比空穴輸送層或空穴供給層厚，使得可以利用較低的驅(qū)動電壓為發(fā)光層提供用于提高效率的必要且足夠的電子。也就是說，通過在用作陽極的第二電極與發(fā)光層之間的位置處設置空穴輸送層且通過將空穴輸送層的厚度設定為小于電子輸送層的厚度的值，可增加供給空穴的數(shù)量。另外，在該配置中，在未出現(xiàn)空穴和電子供給過量或不足的情況下，可以獲得保證載流子充分大量供給的載流子平衡。因此，可獲得較高的發(fā)光效率。最重要的是，由于供給空穴和供給電子不過量或未不足，所以可以使載流子平衡幾乎不活動，抑制驅(qū)動劣化并延長發(fā)光壽命。第一和第二電極吸收一部分入射光并反射剩余的光。因此，在反射光中產(chǎn)生相移?？苫谥瞥傻谝缓偷诙姌O的材料的復折射率的實部和虛部的測量值通過計算來求出相移量Φ1和Φ2。實部和虛部的值通常通過利用橢偏儀來測量。有關更多信息，請參閱參考文獻（諸如“PrinciplesofOptic,”MaxBornandEmilWolf，1974(PergamonPress)）。應注意，有機層和其他層的折射率也可通過利用橢偏儀來測量。在由本公開提供的可以是由本公開提供的A顯示設備或由本公開提供的B顯示設備的顯示設備中，第一構件由旋轉(zhuǎn)體的一部分配置。旋轉(zhuǎn)體的一部分的典型實例是無頭旋轉(zhuǎn)體。在該情況下，旋轉(zhuǎn)體的旋轉(zhuǎn)軸用作第一構件的軸。讓參考符號z表示旋轉(zhuǎn)體的旋轉(zhuǎn)軸或第一構件的軸并讓第一構件的截面形狀通過在包括z軸的虛擬平面上方切割第一構件而獲得。在該情況下，第一構件的截面形狀是梯形或拋物線的一部分的形狀。作為一種替代，第一構件的截面形狀也可以是除梯形或拋物線的一部分的形狀之外的其他形狀。旋轉(zhuǎn)體的表面的典型實例是球體的表面、旋轉(zhuǎn)橢圓的表面、旋轉(zhuǎn)拋物面的表面和通過使曲線的一部分旋轉(zhuǎn)而獲得的曲面。曲線的典型實例是至少三階的多項式線、兩葉線、三葉線、四葉線、雙紐線（lemniscafeline）、耳蝸線、鉛直線、貝殼狀線、蔓葉線、似然線、曳物線、懸掛線、擺線、次擺線、星形線、三階半拋物線、利薩如曲線、阿涅西箕舌線、外擺線、心形線、內(nèi)擺線、回旋曲線和螺旋線等。另外，在某些情況下，還可以利用通過組合多條線段或組合多條線段與多條曲線并隨后旋轉(zhuǎn)該組合而獲得的表面。第一實施方式第一實施方式實施由本公開提供的顯示設備，或者更具體地，是有機EL顯示設備。另外，第一實施方式也實施由本公開提供以用作用于制造根據(jù)第一實施方式的顯示設備的方法的第一和第二方法實施方式的第一和第二方法實施方式。圖1是示出根據(jù)第一實施方式的顯示設備的剖面的一部分的模型圖，而圖2A是示出顯示設備中的子像素矩陣的模型圖。在以下描述中，根據(jù)第一實施方式的顯示設備在某些情況下也簡稱為有機EL顯示設備。根據(jù)第一實施方式的有機EL顯示設備是用于顯示彩色圖像的有源矩陣有機EL顯示設備。根據(jù)第一實施方式的有機EL顯示設備是具有頂部發(fā)光型的顯示設備。也就是說，光通過第二電極輸出。如圖1所示，根據(jù)第一實施方式或后續(xù)將描述的第二至第五實施方式的有機EL顯示設備包括：（A）第一基板11，在第一基板11上構建有分別具有包括第一電極21、被配置為具有通常包括由有機發(fā)光材料制成的發(fā)光層的有機層23的發(fā)光部24和第二電極22的堆疊層的多個發(fā)光器件10；以及（B）設置在第二電極22上方的第二基板34。在以下描述中，發(fā)光器件10也稱為有機EL器件。根據(jù)第一實施方式或后續(xù)將描述的第二至第四實施方式的有機EL顯示設備中采用的發(fā)光器件10包括：（a）第一電極21；（b）具有其底部暴露于第一電極21的孔徑25的第二構件52；（c）有機層23，其至少置于暴露于孔徑25的底部的第一電極21的一部分上方并通常設置有由有機發(fā)光材料制成的發(fā)光層；以及（d）構建在有機層23上的第二電極22。另外，根據(jù)第一實施方式或后續(xù)將描述的第二至第五實施方式的有機EL顯示設備中采用的第一基板11具有反光層50，該反光層50包括：第一構件51，用于傳播由發(fā)光器件10發(fā)出的光并將光輸出至外部；以及填充相鄰第一構件51之間的空間的第二構件52。根據(jù)第一實施方式或后續(xù)將描述的第二、第四和第五實施方式的有機EL顯示設備是適用于電子取景器（EVF）或頭戴式顯示器（HMD）的高清顯示設備。另一方面，根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備是具有大于根據(jù)第一實施方式或第二、第四和第五實施方式的有機EL顯示設備的尺寸的大尺寸有機EL顯示設備。通常，根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備適用于電視接收機。另外，一個像素被配置為包括三個子像素。三個子像素是用于發(fā)出具有紅色的光的紅色發(fā)光子像素、用于發(fā)出具有綠色的光的綠色發(fā)光子像素和用于發(fā)出具有藍色的光的藍色發(fā)光子像素。最重要的是，第二基板34設置有濾色片33，而發(fā)光器件10發(fā)出具有白色的光。在該情況下，彩色發(fā)光子像素由發(fā)出具有白色的光的發(fā)光器件10和濾色片33的組合配置。濾色片33由發(fā)出具有紅色的光的區(qū)域、發(fā)出具有綠色的光的區(qū)域或發(fā)出具有藍色的光的區(qū)域來配置。然而，濾色片33的配置決不限于該結(jié)構。例如，可以采用包括形成堆疊的兩個串聯(lián)單元的兩級串聯(lián)結(jié)構。在該情況下，整個有機層23具有發(fā)出具有白色的光的結(jié)構。串聯(lián)單元通常由包括空穴輸送層和同樣用作電子輸送層的發(fā)光層的疊層結(jié)構來配置。另外，還可以在相鄰濾色片33之間設置被稱為黑色矩陣的擋光膜。若像素的數(shù)量是2,048×1,236且一個發(fā)光器件10形成一個子像素，則發(fā)光器件10的數(shù)量是像素數(shù)量的三倍。在根據(jù)第一實施方式或后續(xù)將描述的第二、第四和第五實施方式的有機EL顯示設備中，如圖2A所示，子像素的陣列是偽三角陣列，其中，由實線圍成的像素的尺寸是5μm×5μm。應注意，圖2A示出了四個像素。在圖2A和圖2B中，參考符號R、G和B分別表示紅色發(fā)光子像素、綠色發(fā)光子像素和藍色發(fā)光子像素。在這種配置中，使發(fā)光器件10與第一構件51彼此接觸。具體而言，使第二電極22與第一構件51彼此直接接觸。另外，第一構件51被構建為具有滿足以下關系式的圓臺（或無頭旋轉(zhuǎn)體）的形狀：0.5≤R1/R2≤0.8以及0.5≤H/R1≤2.0。在上述關系式中，參考符號R1表示第一構件51的光入射面的直徑，參考符號R2表示第一構件51的光出射面的直徑，而參考符號H表示第一構件51的高度。在第一實施方式中，第一構件51的光入射面是暴露于第一基板11的面，而第一構件51的光出射面是暴露于第二基板34的面。這些符號的值在下文的表1中示出。應注意，第一構件51的傾斜面的截面形狀是直線，該傾斜面是圓臺。另外，圓臺的截面形狀是通過在包括圓臺的軸線的虛擬平面上方切割圓臺而獲得的截面的形狀。圓臺的截面形狀（即，第一構件51的截面形狀）是梯形。在根據(jù)第一實施方式或后續(xù)將描述的第二、第三和第四實施方式的有機EL顯示設備中，第一電極21用作陽極，而第二電極22用作陰極。第一電極21由反光材料制成。具體而言，第一電極21由Al-Nd合金制成。另一方面，第二電極22由半透光式材料制成。具體而言，第二電極22由包括鎂（Mg）的導電材料制成。更具體而言，第二電極22由具有10nm厚度的Mg-Ag合金制成。通過采用真空蒸發(fā)法和刻蝕法的結(jié)合來構建第一電極21。另一方面，通過采用具有特別小的成膜顆粒的能量的成膜法來構建第二電極22。具有特別小的成膜顆粒的能量的成膜法的典型實例是真空蒸發(fā)法。在無需進行圖案化工藝的情況下構建第二電極22。表2中示出了測量第一電極21和第二電極22的折射率的結(jié)果。對530nm的波長進行測量。另一方面，測量第一電極21和第二電極22的光反射率的結(jié)果給出如下。第一電極21的光反射率是85%。第二電極22的光反射率是57%。在根據(jù)第一實施方式或后續(xù)將描述的第二至第五實施方式的有機EL顯示設備中，有機EL器件的第一電極21設置在由SiON制成并通過采用CVD法構建的層間絕緣層16上。具體而言，第一電極21設置在上層的層間絕緣層16B上。層間絕緣層16覆蓋在第一基板11上構建的有機EL器件驅(qū)動部。有機EL器件驅(qū)動部被配置為采用多個TFT。這些TFT通過設置在層間絕緣層16（或者嚴格地說，上層的層間絕緣層16B）上的接觸插頭18、導線17和接觸插頭17A分別與第一電極21電連接。應注意，圖1示出了針對每個有機EL器件驅(qū)動部的一個TFT。該TFT包括柵電極12、柵絕緣膜13、源極和漏極區(qū)14以及溝道構建區(qū)15。在第一基板11上構建柵電極12。在第一基板11和柵電極12上構建柵絕緣膜13。在構建在柵絕緣膜13上的半導體層上設置源極和漏極區(qū)14。在源極和漏極區(qū)14之間構建溝道構建區(qū)15。溝道構建區(qū)15與位于柵電極12上方的半導體層部分相對應。在圖中所示的典型配置中，將TFT構建為底柵型晶體管。然而，應注意，還可將TFT構建為頂柵型晶體管。TFT的柵電極12與圖中未示出的掃描電路連接。在根據(jù)第一實施方式或后續(xù)將描述的第二、第四和第五實施方式的有機EL顯示設備中，第一基板11由硅基板配置，而第二基板由無堿玻璃或石英玻璃制成。另一方面，在后續(xù)將描述的第三實施方式以及后續(xù)還將描述的實施方式4A至4D的情況下，第一基板11和第二基板由無堿玻璃或石英玻璃制成。另外，在根據(jù)第一實施方式或后續(xù)將描述的第二至第五實施方式的有機EL顯示設備中，第一構件51由Si1-xNx制成，而第二構件52由SiO2制成。第一構件51的折射率n1和第二構件52的折射率n2滿足以下關系式。1.1≤n1≤1.8(n1-n2)≥0.20。另外，在第二構件52的面向第一構件51的表面上，即在第一構件51與第二構件52之間的界面上，反射傳播過第一構件51的光的至少一部分。更具體而言，由于在第一構件51與第二構件52之間構建了有機層23和第二電極22，所以在第二構件52與有機層23之間的界面上反射傳播過第一構件51的光的至少一部分。在該情況下，第二構件52的面向第一構件51的表面與反光部（反射器）53相對應。應注意，為方便起見，該結(jié)構在以下描述中被稱為陽極反射器結(jié)構。最重要的是，在根據(jù)第一實施方式或后續(xù)將描述的第二至第四實施方式的有機EL顯示設備中，保護膜31和密封材料層32進一步被設置在反光層50上。保護膜31由Si1-yNy制成，而密封材料層32由環(huán)氧樹脂制成。保護膜31的折射率n3和密封材料層32的折射率n4滿足以下關系式：|n3–n4|≤0.3且在下文的表2中示出。通過采用等離子體CVD法來構建保護膜31以便防止水分到達有機層23。應注意，還可同時構建第一構件51和保護膜31，使得第一構件51和保護膜31可被集成到單體結(jié)構中。另外，在圖1所示的配置中，將第一構件51的頂面設定為與第二電極22在第二構件52上的頂面相同的水平。然而，第一構件51可覆蓋第二構件52上的第二電極22。也就是說，第一構件51可覆蓋整個表面。表1表2實部虛部第一電極21的折射率0.7555.466第二電極22的折射率0.6173.904有機層23的折射率n01.850由Si1-yNy制成的第一構件51的折射率n11.810由SiO2制成的第二構件52的折射率n21.460由Si1-yNy制成的保護膜31的折射率n31.810密封材料層32的折射率n41.650圖3是示出表示典型對比顯示設備1、根據(jù)第一實施方式的顯示設備和典型對比顯示設備1’中的亮度的輻射角分布的模擬結(jié)果的曲線的示意圖。典型對比顯示設備1是在第二構件的面向第一構件的表面上（即在第一構件與第二構件之間的界面上）構建用作反光層的Al膜的顯示設備。根據(jù)第一實施方式的顯示設備是具有為第一實施方式設計的配置和結(jié)構的有機EL顯示設備。在根據(jù)第一實施方式的該顯示設備中，等式(n1–n2)=0.20適用。典型對比顯示設備1’是具有與根據(jù)第一實施方式的有機EL顯示設備相同的配置和相同的結(jié)構的有機EL顯示設備，除了構建SiO2層來代替反光層50之外。應注意，圖3的橫軸表示用度表示的視場角，而豎軸表示亮度相對值，該亮度相對值是通過將針對典型對比顯示設備1’的0度視場角的亮度設定為1而歸一化的值。圖3未示出在根據(jù)第一實施方式的有機EL顯示設備與用作典型對比顯示設備1的有機EL顯示設備之間的亮度的輻射角分布的差異。如上所述，根據(jù)第一實施方式的顯示設備具有為第一實施方式設計的配置和結(jié)構，并滿足等式(n1-n2)=0.20。另一方面，在典型對比顯示設備1中，在第二構件的面向第一構件的表面上構建用作反光層的Al膜。換句話說，若滿足等式(n1–n2)≥0.20，則可以獲得與典型對比顯示設備1相同的亮度增加效果，其中，在第二構件的面向第一構件的表面上構建用作反光層的Al膜。接下來，通過參照圖9A至圖9F，以下描述對根據(jù)本公開的第一方法實施方式的制造方法進行概括說明。根據(jù)第一方法實施方式的制造方法是用于制造根據(jù)第一實施方式的有機EL顯示設備的方法。工藝100首先，通過采用眾所周知的方法在第一基板11上為每個子像素構建TFT。TFT包括柵電極12、柵絕緣膜13、源極和漏極區(qū)14以及溝道構建區(qū)15。在第一基板11上構建柵電極12。在第一基板11和柵電極12上構建柵絕緣膜13。在構建在柵絕緣膜13上的半導體層上設置源極和漏極區(qū)14。在源極和漏極區(qū)14之間構建溝道構建區(qū)15。溝道構建區(qū)15與位于柵電極12上方的半導體層部分相對應。在圖中所示的典型配置中，將TFT構建為底柵型晶體管。然而，應注意，還可將TFT構建為頂柵型晶體管。TFT的柵電極12與圖中未示出的掃描電路連接。隨后，在第一基板11上，通過采用CVD法將由SiO2制成的下層的層間絕緣層16A構建為覆蓋TFT。在構建了下層的層間絕緣層16A之后，基于光刻技術和刻蝕技術在下層的層間絕緣層16A上構建孔徑16’。有關該工藝的更多信息，請參照圖9A。工藝110隨后，通過采用真空蒸發(fā)法和刻蝕法的結(jié)合在下層的層間絕緣層16A上構建由鋁制成的導線17。應注意，導線17通過設置在孔徑16’內(nèi)側(cè)的接觸插頭17A與TFT的源極和漏極區(qū)14電連接。導線17也與圖中未示出的信號供給電路電連接。隨后，通過采用CVD法在整個表面上構建由SiO2制成的上層的層間絕緣層16B。隨后，基于光刻技術和刻蝕技術在上層的層間絕緣層16B上構建孔徑18’。有關該工藝的更多信息，請參照圖9B。工藝120之后，通過采用真空蒸發(fā)法和刻蝕法的結(jié)合在上層的層間絕緣層16B上構建由Al-Nd合金制成的第一電極21。有關該工藝的更多信息，請參照圖9C。應注意，第一電極21通過設置在孔徑18’內(nèi)側(cè)的接觸插頭18與導線17電連接。工藝130隨后，構建第二構件52。具體而言，通過采用CVD法在整個表面上構建由SiO2制成的第二構件配置層52A，且隨后，在第二構件配置層52A上構建抗蝕劑材料層52B。隨后，使抗蝕劑材料層52B經(jīng)歷曝光和顯影工藝以在抗蝕劑材料層52B上構建孔徑52C。為闡明，請參照圖9D。隨后，通過采用RIE法來刻蝕抗蝕劑材料層52B和第二構件配置層52A以賦予第二構件配置層52A錐形，如圖9E所示。最后，可以獲得與孔徑25共享傾斜側(cè)壁的第二構件52，如圖9F所示。應注意，通過控制刻蝕條件，可為第二構件配置層52A賦予錐形。然而，用于構建第二構件52的方法決不限于該方法。例如，在整個表面上已構建由SiO2或聚酰亞胺樹脂制成的第二構件配置層之后，圖9F中所示的第二構件52還可基于光刻技術和濕法刻蝕技術來構建。工藝140隨后，在包括暴露于孔徑25底部的第一電極21的一部分上的部分的第二構件52上構建有機層23。也就是說，在整個表面上構建有機層23。應注意，有機層23是通常通過依次構建空穴輸送層和還用作由有機材料形成的電子輸送層的發(fā)光層而構造的堆疊層?；陔娮杓訜嵬ㄟ^對有機材料進行真空淀積工藝可獲得有機層23。工藝150之后，在顯示區(qū)的整個表面上構建第二電極22。第二電極22覆蓋形成N×M個有機EL像素的有機層23的整個表面。第二電極22通過第二構件52和有機層23與第一電極21絕緣。通過采用真空淀積法構建第二電極22，該真空淀積法是成膜顆粒的能量非常小以致不會對有機層23產(chǎn)生影響的成膜法。另外，恰在與有機層23相同的真空蒸發(fā)設備中構建有機層23之后，構建第二電極22，而不將有機層23暴露于大氣中。因此，可以防止有機層23因大氣中含有的水分和氧氣而劣化。具體而言，通過由具有體積比10:1的Mg-Ag合金制成共蒸膜以及形成具有厚度10nm的共蒸膜，可獲得第二電極22。工藝160隨后，在平整工藝之前，在整個表面上構建由Si1-xNx（氮化硅）制成的第一構件51。具體而言，在第二電極22上構建第一構件51。因此，可以由第一構件51和第二構件52獲得反光層50。以此方式，可以獲得陽極反射器結(jié)構。工藝170之后，通過采用真空蒸發(fā)法在反光層50上構建由Si1-yNy（氮化硅）制成的絕緣保護膜31。應注意，也可同時構建第一構件51和保護膜31，使得第一構件51和保護膜31可集成到單體結(jié)構中。在該結(jié)構中，由于孔徑25的作用，在某些情況下可在保護膜31的頂面上構建凹部。然而，如前所述，通過規(guī)定該差|n3–n4|，可以有效防止由發(fā)光器件10輸出的光在凹部中被散射。工藝180隨后，通過利用密封材料層32，將其中構建有濾色片33的第二基板34粘合到其中構建有保護膜31的第一基板11上。最后，通過設定與外部電路的連接，可完成有機EL顯示設備的制造。作為一種替代，也可通過采用根據(jù)本公開的第二方法實施方式的制造方法來構建反光層。根據(jù)第二方法實施方式的制造方法是用于制造有機EL顯示設備的方法。接下來，通過參照圖10A至圖10D，以下描述對由本公開提供以用作用于制造有機EL顯示設備的方法（或者更具體而言，用于制造反光層50的方法）的第二方法實施方式進行闡述。工藝100A首先，制備具有與第一構件51互補的形狀的沖壓模60。具體而言，通過采用眾所周知的技術來構建具有與第一構件51互補的形狀的沖壓模（母）60。眾所周知的技術通常是電鑄技術、刻蝕技術或另一切割技術。工藝110A同時，支撐基板涂布有樹脂材料。具體而言，如圖10A所示，例如，將紫外線硬化樹脂材料62涂敷到用作支撐基板的透光玻璃基板61上。也就是說，在玻璃基板61上構建樹脂材料62。工藝120A隨后，在通過利用沖壓模60形成了樹脂材料62之后，除去沖壓模60以獲得具有突出部64的樹脂材料層63。具體而言，采用處于抵靠在樹脂材料62上的狀態(tài)下的沖壓模60，能量束（或更具體地，紫外線）從用作支撐基板的玻璃基板61的一側(cè)照射到樹脂材料62以硬化樹脂材料62并獲得樹脂材料層63。在獲得了樹脂材料層63之后，如圖10B所示，除去沖壓模60。以此方式，可以獲得具有突出部64的樹脂材料層63，如圖10C所示。樹脂材料層63的突出部64分別與第一構件51相對應。工藝130A之后，對樹脂材料層63的突出部64的頂端進行平整處理。隨后，利用粘合劑層65填充樹脂材料層63的突出部64之間的空間，如圖10D所示。工藝140A隨后，使樹脂材料層63從用作支撐基板的玻璃基板61上脫落并安裝在構建了發(fā)光器件等的第一基板11上。也就是說，粘合劑層65設置在第二電極22上，使得粘合劑層65無法阻擋從發(fā)光器件10輸出的光。以此方式，粘合劑層65能用作粘合劑。應注意，可通過在工藝100-120之后以與在第一電極21和上層的層間絕緣層16B上構建有機層23和第二電極22的工藝140和150相同的方式來進行工藝而獲得第一基板11。以此方式，可以獲得包括用作第二構件52的粘合劑層65和用作第一構件51的樹脂材料層63的反光層50。也就是說，可獲得陽極反射器結(jié)構。工藝150A之后，通過采用等離子體CVD法在反光層50上構建絕緣保護膜31。隨后，通過利用密封材料層32，將構建有濾色片33的第二基板34粘合到構建有保護膜31的第一基板11上。最后，通過設定與外部電路的連接，可完成有機EL顯示設備的制造。應注意，也可使用熱硬化樹脂材料或熱塑性樹脂材料來代替紫外線硬化樹脂材料62。在根據(jù)第一實施方式的有機EL顯示設備的情況下，事先規(guī)定第一構件51的折射率值n1和第一構件51的折射率值n1與第二構件52的折射率值n2之間的差。因此，在第二構件52的面向第一構件51的表面上，即在第一構件51與第二構件52之間的界面上，可以可靠地反射傳播過第一構件51的光的至少一部分，而甚至無需設置反光構件等。另外，也可以可靠地防止由發(fā)光器件10發(fā)出的光完全被第一構件51反射。也就是說，由于使發(fā)光器件10與第一構件51彼此接觸，或者具體而言，由于使第二電極22與第一構件51彼此直接接觸，所以可以可靠地防止由發(fā)光器件10發(fā)出的光完全被第一構件51反射。因此，可以毫無損失地將由發(fā)光器件10發(fā)出的光輸出至外部。另外，可以實現(xiàn)所有目的，包括將驅(qū)動電流密度降至不大于現(xiàn)有有機EL顯示設備的值的1/2倍的值，將發(fā)光效率提高到不小于現(xiàn)有有機EL顯示設備的值的兩倍的值，以及將混合顏色比降至不大于3%的值。如上所述獲得的有機EL顯示設備是根據(jù)第一實施方式的顯示設備或包括以下項的顯示設備：（A）第一基板11，在所述第一基板11上構建有分別具有包括第一電極21、被配置為具有通常包括由有機發(fā)光材料制成的發(fā)光層的有機層23的發(fā)光部24和第二電極22的堆疊層的多個發(fā)光器件10；以及（B）設置在第二電極22上方的第二基板34，其中，第一基板11具有反光層50，該反光層50包括：設置在發(fā)光器件10上并用于傳播由發(fā)光器件10發(fā)出的光且將光輸出至外部的第一構件51，以及填充相鄰第一構件51之間的空間的第二構件52，并且傳播過第一構件51的光的至少一部分在第二構件52的面向第一構件51的表面上，即在第一構件51與第二構件52之間的界面上被反射。第二實施方式第二實施方式是第一實施方式的修改版。表1示出了根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備和具有為第一實施方式設計的配置和結(jié)構的有機EL顯示設備的結(jié)構數(shù)據(jù)。該結(jié)構數(shù)據(jù)包括第一構件51的光入射面的直徑R1、第一構件51的光出射面的直徑R2、第一構件51的高度H、第一構件51的圓臺形的傾斜面的坡度角θ、保護膜31的厚度、密封材料層32的厚度、濾色片33的厚度、發(fā)光部24的直徑R0（或者具體而言，第一電極21的直徑）、發(fā)光部構建間距（其為從任何具體發(fā)光部24的中心到與該具體發(fā)光部24相鄰的發(fā)光部24的中心的距離）以及孔徑比等。如之前所述，根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備是期望適用于電子取景器（EVF）或頭戴式顯示器（HMD）的高清顯示設備。另外，除設置由SiO2制成的層來代替反光層50的這一事實之外，典型對比顯示設備2是具有與根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備的配置和結(jié)構相同的配置和結(jié)構的有機EL顯示設備。另外，已進行模擬來獲得關于根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備和典型對比顯示設備2的亮度的輻射角分布。模擬結(jié)果表明，在±10度的輻射角范圍內(nèi)，根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備的發(fā)光效率是典型對比顯示設備2的發(fā)光效率的2.55倍，而根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備的驅(qū)動電流密度是典型對比顯示設備2的驅(qū)動電流密度的0.355倍。另外，若假設濾色片沿水平方向偏移0.3μm，則根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備的發(fā)光效率是典型對比顯示設備2的發(fā)光效率的2.49倍，根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備的驅(qū)動電流密度是典型對比顯示設備2的驅(qū)動電流密度的0.363倍，而根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備的混合顏色比是1.18%。根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備能實現(xiàn)所有目的，包括將驅(qū)動電流密度降至不大于現(xiàn)有有機EL顯示設備的值的1/2倍的值，將發(fā)光效率提高到不小于現(xiàn)有有機EL顯示設備的值的兩倍的值，以及將混合顏色比降至不大于3%的值。應注意，若假設由根據(jù)第二實施方式的有機EL顯示設備中的發(fā)光器件10的中心發(fā)出的光的量為1，則通過第一構件51和第二基板34從發(fā)光器件10輸出至外部的光的量是1.6。第三實施方式第三實施方式也是第一實施方式的修改版。根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備用于TV接收機。第三實施方式中的每個子像素的尺寸大于第一實施方式中的子像素的尺寸。因此，若子像素由發(fā)光器件10配置，則反光層50的厚度自然增加。為此，第三實施方式的子像素由一組多個發(fā)光器件10來配置。具體而言，第三實施方式的子像素由一組64個發(fā)光器件10來配置。應注意，發(fā)光器件10的尺寸是10μm×10μm且滿足以下關系式：0.5≤R1/R2≤0.8以及0.5≤H/R1≤2.0。圓臺的傾斜面的截面形狀是直線。另外，子像素的陣列是圖2B中所示的條狀陣列。應注意，在圖2B所示的條狀陣列中，為使圖變得簡單，一個子像素由一組三個發(fā)光器件10配置。除上文所描述的之外，根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備可被構造為具有分別與為根據(jù)第一實施方式的有機EL顯示設備設計的配置和結(jié)構類似的配置和結(jié)構。因此，省略對為根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備設計的配置和結(jié)構的詳細闡述。應注意，例如，在整個表面上已構建由聚酰亞胺樹脂制成的第二構件配置層之后，可基于光刻技術和刻蝕技術來構建圖9F中所示的第二構件52。在第三實施方式的情況下，如之前所闡述，第一基板11和第二基板34分別由玻璃基板來配置。另外，有機層23由紅色發(fā)光子像素、綠色發(fā)光子像素和藍色發(fā)光子像素形成。紅色發(fā)光子像素被配置為包括用于發(fā)出具有紅色的光的紅色發(fā)光器件，而綠色發(fā)光子像素被配置為包括用于發(fā)出具有綠色的光的綠色發(fā)光器件。另一方面，藍色發(fā)光子像素被配置為包括用于發(fā)出具有藍色的光的藍色發(fā)光器件。應注意，發(fā)光器件被配置為具有通常包括空穴輸送層和還用作電子輸送層的發(fā)光層的疊層結(jié)構以設置用于發(fā)出具有白色的光的結(jié)構。另外，若該疊層結(jié)構被稱為串聯(lián)單元，則有機層23可被配置為具有包括兩個串聯(lián)單元的兩級串聯(lián)結(jié)構。若通過采用真空蒸發(fā)法構建有機層23，例如，淀積通過設置在真空蒸發(fā)法中采用的所謂的金屬掩膜上的孔隙的材料，以獲得用于每個紅色發(fā)光器件、綠色發(fā)光器件和藍色發(fā)光器件的有機層23。如上所述，表1示出了根據(jù)第三實施方式提供的作為具有與第一實施方式的配置和結(jié)構基本相同的配置和結(jié)構的有機EL顯示設備的有機EL顯示設備的結(jié)構數(shù)據(jù)。該結(jié)構數(shù)據(jù)包括第一構件51的光入射面的直徑R1、第一構件51的光出射面的直徑R2、第一構件51的高度H、第一構件51的圓臺形的傾斜面的坡度角θ、保護膜31的厚度、密封材料層32的厚度、濾色片33的厚度和發(fā)光部24的直徑R0（或者具體而言，第一電極21的直徑）等。同樣在根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備的情況下，使第二電極22與第一構件51彼此直接接觸。另外，在用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備中，構建具有表1中所示的直徑R0的發(fā)光部24，而在第二基板34上構建濾色片33和反射器。最重要的是，通過粘合層將第二基板34的反射器粘合到第一基板11的發(fā)光部24上。也就是說，在這方面，用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備是之前描述的具有面反射器結(jié)構的現(xiàn)有有機EL顯示設備。將粘合層的厚度設定為3.5μm。另外，用作典型對比顯示設備3’的有機EL顯示設備具有通過從用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備上除去反射器而構造的結(jié)構。此外，已對根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備、用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備以及用作典型對比顯示設備3’的有機EL顯示設備進行了模擬，以求出正面亮度、光獲取效率以及45度和60度視場角下的亮度與正面亮度的比值。模擬結(jié)果在下面的表3中示出。另外，已對根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備和用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備進行了模擬以得出光束的輸入/輸出狀態(tài)。模擬結(jié)果在圖4A和圖4B中示出。最重要的是，對根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備、用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備和用作典型對比顯示設備3’的有機EL顯示設備進行了模擬以得出亮度的輻射角分布。模擬結(jié)果在圖5A和圖5B中示出。應注意，圖5A的橫軸表示用度表示的視場角，而豎軸表示亮度相對值，該亮度相對值是通過將針對用作典型對比顯示設備3’的有機EL顯示設備的0度視場角的亮度設定為1而歸一化的值。隨后，通過針對典型對比顯示設備3’將每個視場角的亮度設定為1，對根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備和用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備中的每一個求出亮度。應注意，在表3中，視場角A和B分別是45度和60度的視場角。另外，在表3中，在視場角A和B的列上示出的值分別是視場角下的亮度與正面亮度的比。表3正面亮度光獲取效率視場角A視場角B第三實施方式2.2倍1.9倍87%79%對比31.6倍1.4倍31%20%對比3’1.0倍1.0倍從圖5A和表3可明顯看出，根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備與用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備相比具有非常良好的特性。這是因為，在根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備的情況下，使第二電極22與第一構件51彼此直接接觸，使得由發(fā)光器件10發(fā)出的光不存在獲取損失。另外，從圖5A可明顯看出，與用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備和用作典型對比顯示設備3’的有機EL顯示設備相比，根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備不但具有較高的正面亮度值，而且還具有較大視場角下的較高亮度相對值。也就是說，根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備具有更高的亮度值，而與用戶正在觀看有機EL顯示設備的視場角無關。因此，根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備是期望用于電視接收機的有機EL顯示設備。另外，通過將由發(fā)光器件10發(fā)出的光的視場角取為用度表示的可變參數(shù)，已對根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備進行了模擬以得出在第一構件51中能量的視場角分布。模擬結(jié)果在圖5B中示出。在該情況下，臨界角為33度，通過計算表達式arcsin(1.0/1.81)的值來獲得。臨界角是極限角，在不包括反射器的配置中，光無法超過該極限角而從具有折射率1.81的第一構件51輸出至大氣。因此，在圖5B中所示的0度至33度范圍內(nèi)的光可從第一構件51輸出至大氣。該光表示輸出至第一構件51的內(nèi)側(cè)的所有光的31%。在用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備中，通過粘合層將第二基板的反射器粘合到第一基板的發(fā)光器件上。因此，光通過粘合層進入反射器。對于入射到粘合劑（諸如具有約1.5的折射率的丙烯酸系試劑）的光的臨界角為56度，通過計算表達式arcsin(1.5/1.81)的值來獲得。因此，可以利用不比圖5B中所示的0度至56度的范圍寬的范圍內(nèi)的光。該光表示輸出至第一構件的內(nèi)側(cè)的所有光的75%。另一方面，在根據(jù)使第二電極22與第一構件51彼此直接接觸的第三實施方式的有機EL顯示設備的情況下，可以利用不比圖5B中所示的0度至90度的范圍寬的范圍內(nèi)的光。該光表示輸出至第一構件51的內(nèi)側(cè)的所有光的100%。因此，在根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備的情況下，可以利用具有高達對于未設置反射器的情況的光量的3（=100/33）倍的量的光。另外，在根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備的情況下，可以利用具有高達對于用作典型對比顯示設備3的有機EL顯示設備的光量的1.3（=100/75）倍的量的光。應注意，計算獲取從發(fā)光器件10傳播至第一構件51的光的效率并乘以第一構件51內(nèi)側(cè)發(fā)出的光的強度以求出第一構件51內(nèi)側(cè)的光的強度。在求出第一構件51內(nèi)側(cè)的光的強度之后，在所有波長上對強度進行積分以求出特定視場角下的能量。從圖5B可明顯看出，由發(fā)光器件10發(fā)出的光即便在較大的視場角下也具有較大的能量。換句話說，在根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備的情況下，即便在較大的視場角下用戶也能觀看到明亮的圖像。第四實施方式第四實施方式也是第一實施方式的修改版。在第一實施方式情況下，第一構件51的頂面位于與第二構件52的頂面大約相同的水平。也就是說，用第一構件51填充相鄰第二構件52之間的空間。另一方面，在第四實施方式的情況下，從圖6可明顯看出，在相鄰第二構件52之間的區(qū)域中構建具有層狀的第一構件51A，圖6是示出根據(jù)第四實施方式的顯示設備的剖面的一部分的模型圖。具體而言，在第二電極22上，構建具有1.806的折射率n1和0.2μm的平均厚度的層狀第一構件51A。區(qū)域51B是第一電極21上方的區(qū)域。區(qū)域51B被第二構件52和分別在第二構件52中的一個上構建的層狀第一構件51A圍繞。隨后，由Si1-yNy（氮化硅）制成的絕緣保護膜31形成在整個表面上，該表面是區(qū)域51B和第二構件52的頂面上方的區(qū)域。最重要的是，在保護膜31上構建密封材料層32和濾色片33。應注意，密封材料層32的一部分延伸到區(qū)域51B內(nèi)側(cè)的區(qū)域。除上文所描述的之外，根據(jù)第四實施方式的有機EL顯示設備具有與根據(jù)第一實施方式的有機EL顯示設備的配置相同的配置。因此，不詳細闡述根據(jù)第四實施方式的有機EL顯示設備的配置。在第四實施方式4A的情況下，將具有層狀的第一構件51A的折射率n1與保護膜31的折射率n3之間的差（|n1–n3|）設定為0.2的常數(shù)值，即，(|n1–n3|)=0.2。通過改變第一構件51A的折射率n1來對第四實施方式4A進行模擬以求出光量比。模擬結(jié)果在下文給出的表4中示出。通過將典型對比顯示設備3’的光量設定為1.00來獲得表4中所示的光量比。也就是說，對于表4中的情況的光量比是對于該情況的光量與典型對比顯示設備3’的光量之比。另外，已將第二構件52的折射率n2設定為1.61。應注意，在根據(jù)第四實施方式4A的有機EL顯示設備中采用的反光層的參數(shù)與針對在根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備中采用的反光層的在表1中所示的參數(shù)相同。另外，在根據(jù)第四實施方式4A的有機EL顯示設備中采用的子像素陣列與根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備中采用的子像素陣列相同。表4從表4可明顯看出，若將具有層狀的第一構件51A的折射率n1與保護膜31的折射率n3之間的差（|n1–n3|）設定為0.2的常數(shù)值，則具有層狀的第一構件51A能充分顯示用作反射器的光反射部的功能。另外，若具有層狀的第一構件51A的折射率n1大于保護膜31的折射率n3，則光量比相對小，如由針對表4的案例（11）至（14）所示的數(shù)字證明。另外，還檢驗了視場角與亮度相對值之間的關系式。如之前所闡述，亮度相對值是通過將典型對比顯示設備3’中的0度視場角下的亮度設定為1而獲得的歸一化值。檢驗結(jié)果表明，對于案例（11）和（12），在-90度的視場角至-40度的視場角的范圍內(nèi)，亮度相對值相對較大，而在-40度的視場角至0度的視場角的范圍內(nèi)，亮度相對值相對較小。另一方面，在0度的視場角至40度的視場角的范圍內(nèi)，亮度相對值又相對較大，而在40度的視場角至90度的視場角的范圍內(nèi)，亮度相對值又相對較小。也就是說，檢驗結(jié)果表明，亮度相對值具有兩個峰值。因此顯而易見的是，當用戶從正面觀看有機EL顯示設備時，亮度降低。根據(jù)模擬結(jié)果，可以得出結(jié)論，期望將通過從保護膜31的折射率n3中減去具有層狀的第一構件51A的折射率n1而獲得的差(n3–n1)設定為不小于0.2的值。另外，在第四實施方式4B的情況下，將保護膜31的折射率n3設定為1.8的常數(shù)值，而延伸到區(qū)域51B內(nèi)側(cè)的密封材料層32的折射率n4為變量。通過改變折射率n4來對第四實施方式4B進行模擬以求出光量比。模擬結(jié)果在下文給出的表5中示出。應注意，通過將典型對比顯示設備3’的光量設定為1.00來獲得表5中所示的光量比。另外，已將第二構件52的折射率n2設定為1.61，而已將具有層狀的第一構件51A的折射率n1設定為1.806。最重要的是，還檢驗了視場角與亮度相對值之間的關系式。如之前所闡述，亮度相對值是通過將典型對比顯示設備3’中的0度視場角下的亮度設定為1而獲得的歸一化值。檢驗結(jié)果在圖7中示出。應注意，在圖7中，曲線A表示對于表5中所示的案例（22）的關系式，而曲線B表示對于同一表中所示的案例（27）的關系式。另一方面，曲線C表示對于典型對比顯示設備3’的關系式。應注意，在根據(jù)第四實施方式4B的有機EL顯示設備中采用的反光層的參數(shù)與針對在根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備中采用的反光層的在表1中所示的參數(shù)相同。另外，在根據(jù)第四實施方式4B的有機EL顯示設備中采用的子像素陣列與根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備中采用的子像素陣列相同。表5從表5和圖7中可明顯看出，隨著保護膜31的折射率n3與密封材料層32的折射率n4之間的差增加，光量比的值減小。另一方面，大視場角下的亮度相對值大于0度視場角下的亮度相對值。另外，對于表5中所示的案例（26）的光量比小于1.5。因此顯而易見的是，采用設定為1.8的保護膜31的折射率n3，對于密封材料層32的折射率n4而言，期望不小于1.5的值。也就是說，期望滿足關系式|n3-n4|≤0.3。另外，根據(jù)第四實施方式4C和4D的有機EL顯示設備具有與針對在根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備中采用的反光層的在表1中所示的參數(shù)相同的反光層參數(shù)。另外，在根據(jù)第四實施方式4C和4D的有機EL顯示設備中采用的子像素陣列與根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備中采用的子像素陣列相同。通過改變直徑R2來對第四實施方式4C和4D進行模擬以求出光量比。模擬結(jié)果在下文給出的表6和表7中示出。應注意，通過將典型對比顯示設備3’的光量設定為1.00來獲得表6和表7中所示的光量比。表6案例R2（μm）R2/R1光量比（31）8.621.571.32（32）8.961.631.44（33）9.341.701.55（34）9.741.771.63（35）10.021.821.67（36）10.101.841.70（37）10.781.961.71表7案例R2（μm）R2/R1光量比（41）5.311.521.20（42）5.541.581.24（43）5.761.641.28（44）5.951.701.32（45）6.161.761.36（46）6.391.831.41（47）6.631.891.44（48）6.901.971.47從表6和表7中可明顯看出，隨著比R2/R1的值增加，光量比的值也增加，但當比R2/R1的值接近2.00時，光量比的值的增長率減小。另外，還檢驗了視場角與亮度相對值之間的關系式。如之前所闡述，亮度相對值是通過將典型對比顯示設備3’中的0度視場角下的亮度設定為1而獲得的歸一化值。檢驗結(jié)果表明，對于1.5以下的比R2/R1，隨著視場角從-90度增加，亮度相對值也增加以接近第一最大值。在亮度相對值已達到第一最大值之后，亮度相對值減小以在0度視場角下達到最小值。在亮度相對值達到最小值之后，亮度相對值再次增加以達到第二最大值。在亮度相對值達到第二最大值之后，亮度相對值再次減小。從上述結(jié)果可明顯看出，期望將比R2/R1設定為1.6至2.0范圍內(nèi)的值。第五實施方式第五實施方式也是第一實施方式的修改版。然而，在第五實施方式的情況下，光通過第一基板11從發(fā)光器件10輸出至外部。也就是說，根據(jù)第五實施方式的有機EL顯示設備是底部發(fā)光型有機EL顯示設備。圖8是示出根據(jù)第五實施方式的顯示設備的剖面的一部分的模型圖。根據(jù)第五實施方式的顯示設備是采用用于顯示彩色圖像的有源矩陣系統(tǒng)的有機EL顯示設備。應注意，子像素陣列與圖2A中所示的陣列相同。第一構件51被構建為具有圓臺（或無頭旋轉(zhuǎn)體）的形狀。第五實施方式滿足下文給出的關系式。在這些關系式中，參考符號R1表示第一構件51的光入射面的直徑，參考符號R2表示第一構件51的光出射面的直徑，參考符號H表示第一構件51的高度，而參考符號R0表示發(fā)光部的直徑。在第五實施方式的情況下，第一構件51的光入射面是暴露于第二基板34的表面，而第一構件51的光出射面是暴露于第一基板11的表面。R1=2.3μmR2=3.8μmR1/R2=0.61H=1.5μmR0=2.0μm0.5≤R1/R2≤0.80.5≤H/R1≤2.0。應注意，圓臺的傾斜面的截面形狀是直線。也就是說，第一構件51的截面形狀是梯形。順便說一下，第一構件51的截面形狀是通過在包括第一構件51的軸線的虛擬平面上方切割第一構件51而獲得的截面形狀。在第五實施方式的情況下，第二電極22和第一電極21分別被用作陽極電極和陰極電極。第二電極22由反光材料（或者更具體地，Al-Nd合金）制成。另一方面，第一電極21由半透光式材料制成。具體而言，第一電極21由包括鎂（Mg）的導電材料制成。更具體而言，第一電極21由具有10nm厚度的Mg-Ag合金制成。通過采用具有特別小的成膜顆粒能量的成膜法來構建第二電極22，如采用真空蒸發(fā)法的情況一樣。另一方面，通過采用真空蒸發(fā)法和刻蝕法的組合來構建第一電極21。另外，還測量了第一電極21和第二電極22的折射率、第一電極21的平均光反射率以及第二電極22的平均透光率。測量結(jié)果與第一實施方式相同。然而，當出于對比目的而讀取第一實施方式的測量結(jié)果時，應將第一電極21解釋為第二電極22，而應將第二電極22解釋為第一電極21。在第五實施方式的情況下，在有機EL顯示設備中采用的第一電極21設置在包括第一構件51和第二構件52的反光層50上。另外，反光層50覆蓋在第一基板11上構建的有機EL器件驅(qū)動部。有機EL器件驅(qū)動部本身未在圖中示出。有機EL器件驅(qū)動部被配置為包括多個TFT。TFT通過接觸插頭和導線與第一電極21電連接。同樣在圖中未示出，接觸插頭和導線被設置在第二構件52上。在某些情況下，有機EL器件驅(qū)動部也可設置在發(fā)光部24上方。在第五實施方式中，保護膜31和密封材料層32以與第一實施方式相同的方式進一步設置在發(fā)光部24上。對根據(jù)第五實施方式5A的有機EL顯示設備和用作典型對比顯示設備5A的有機EL顯示設備進行模擬以求出亮度的輻射角分布。根據(jù)第五實施方式5A的有機EL顯示設備是具有為第五實施方式設計的配置和結(jié)構的有機EL顯示設備。在根據(jù)第五實施方式5A的有機EL顯示設備中，將直徑R1設定為2.3μm；將直徑R2設定為3.8μm；將高度H設定為1.5μm；將第一構件51的圓臺形的傾斜面的角設定為63度；將保護膜31的厚度設定為3.0μm；將密封材料層32的厚度設定為10μm；將濾色片33的厚度設定為2.0μm；以及將發(fā)光部24的直徑（或者具體而言，第一電極21的直徑）設定為2.0μm。用作典型對比顯示設備5A的有機EL顯示設備具有與根據(jù)第五實施方式5A的有機EL顯示設備的配置和結(jié)構相同的配置和結(jié)構，除了用作典型對比顯示設備5A的有機EL顯示設備設置有替代反光層50的SiO2層之外。模擬結(jié)果表明，在±10度的輻射角范圍內(nèi)，根據(jù)第五實施方式5A的有機EL顯示設備的發(fā)光效率是典型對比顯示設備5A的發(fā)光效率的2.2倍，而根據(jù)第五實施方式5A的有機EL顯示設備的驅(qū)動電流密度是典型對比顯示設備5A的驅(qū)動電流密度的0.4倍。另外，若假設濾色片沿水平方向偏移0.3μm，則根據(jù)第五實施方式5A的有機EL顯示設備的發(fā)光效率是典型對比顯示設備5A的發(fā)光效率的2.3倍，根據(jù)第五實施方式5A的有機EL顯示設備的驅(qū)動電流密度是典型對比顯示設備5A的驅(qū)動電流密度的0.5倍，而根據(jù)第五實施方式5A的有機EL顯示設備的混合顏色比是1.3%。同樣在根據(jù)第五實施方式5的有機EL顯示設備的情況下，事先規(guī)定第一構件51的折射率值n1以及第一構件51的折射率n1與第二構件52的折射率n2之間的差。因此，在第二構件52的面向第一構件51的表面上，即在第一構件51與第二構件52之間的界面上，可以可靠地反射傳播過第一構件51的光的至少一部分，甚至無需設置反光構件等。另外，也可以可靠地防止由發(fā)光器件10發(fā)出的光完全被第一構件51反射。最重要的是，還可以實現(xiàn)所有目的，包括將驅(qū)動電流密度降至不大于現(xiàn)有有機EL顯示設備的值的1/2倍的值，將發(fā)光效率提高到不小于現(xiàn)有有機EL顯示設備的值的兩倍的值，以及將混合顏色比降至不大于3%的值。應注意，根據(jù)第五實施方式的有機EL顯示設備的結(jié)構可適用于根據(jù)第三實施方式的有機EL顯示設備，以便在TV接收機中使用根據(jù)第五實施方式的有機EL顯示設備。在該情況下，以與第三實施方式相同的方式，多個發(fā)光器件10被聚集以形成一個子像素。到目前為止，已通過描述優(yōu)選實施方式對本公開進行了闡述。然而，本公開的實施決不限于優(yōu)選實施方式。也就是說，描述中闡述的元件是典型的。換句話說，可修改這些元件。這些元件包括根據(jù)所述實施方式的有機EL顯示設備、由每一有機EL顯示設備采用的配置和結(jié)構以及用于制作有機EL顯示設備和有機EL器件的材料。例如，如圖11所示，可設置具有比保護膜31的折射率n3更高的折射率n5的高折射率區(qū)域51C來代替使密封材料層32的一部分延伸至區(qū)域51B的內(nèi)側(cè)，圖11是示出通過修改根據(jù)第四實施方式的顯示設備而獲得的典型修改版的剖面的一部分的模型圖。因此，從保護膜31傳播至高折射率區(qū)域51C的光與傾斜區(qū)域51D碰撞，該傾斜區(qū)域51D是保護膜31與高折射率區(qū)域51C之間的界面。與傾斜區(qū)域51D碰撞的大部分光被返回高折射率區(qū)域51C。結(jié)果，可以進一步提高獲取從發(fā)光器件到外部的光的效率。應注意，例如，可期望滿足以下關系式的條件：(n5–n3)≥0.3。也應牢記，本公開還可被實現(xiàn)為以下實施：1．一種顯示設備，包括：（A）第一基板，在第一基板上構建有分別具有包括第一電極、被配置為具有包括發(fā)光層的有機層的發(fā)光部和第二電極的堆疊層的多個發(fā)光器件；以及（B）設置在第二電極上方的第二基板，其中：第一基板設置有包括用于傳播由發(fā)光器件發(fā)出的光并將光輸出至外部的第一構件和用于填充第一構件之間的空間的第二構件的反光層；關系式1.1≤n1≤1.8適用，其中，參考符號n1表示第一構件的折射率；關系式(n1-n2)≥0.2適用，其中，參考符號n2表示第二構件的折射率；以及傳播過第一構件的光的至少一部分由第二構件的面向第一構件的表面或由第一構件與第二構件之間的界面反射。2．根根實施1所述的顯示設備，其中，使發(fā)光器件與第一構件彼此接觸。3．根根實施1或2所述的顯示設備，其中，通過第二基板將由發(fā)光器件發(fā)出的光輸出至外部。4．根根實施3所述的顯示設備，該顯示設備還包括：位于反光層上的保護膜和密封材料層，其中，關系式|n3–n4|≤0.3適用，其中，參考符號n3和n4分別表示保護膜和密封材料層的折射率。5．根根實施3或4所述的顯示設備，其中，由發(fā)光器件發(fā)出并通過第一和第二構件輸出至外部的光的量具有1.5至2.0范圍內(nèi)的值，其中，值1.0被取為從發(fā)光器件的中心發(fā)出的光的量。6．根根實施3至5中任一項所述的顯示設備，其中，第二基板設置有濾色片。7．根根實施1至6中任一項所述的顯示設備，其中，像素由一個發(fā)光器件配置。8．根根實施7所述的顯示設備，其中，第一構件具有滿足以下關系式的圓臺形狀：0.5≤R1/R2≤0.8以及0.5≤H/R1≤2.0其中，參考符號R1表示第一構件的光入射面的直徑，參考符號R2表示第一構件的光出射面的直徑，而參考符號H表示第一構件的高度。9．根根實施1至6中任一項所述的顯示設備，其中，像素由多個發(fā)光器件的集合來配置。10．根根實施9所述的顯示設備，其中，第一構件具有滿足以下關系式的圓臺形狀：0.5≤R1/R2≤0.8以及0.5≤H/R1≤2.0其中，參考符號R1表示第一構件的光入射面的直徑，參考符號R2表示第一構件的光出射面的直徑，而參考符號H表示第一構件的高度。11．根根實施1至10中任一項所述的顯示設備，其中：第一構件由Si1-xNx、ITO、IZO、TiO2、Nb2O5、含溴（Br）聚合物、含硫（S）聚合物、含鈦（Ti）聚合物或含鋯（Zr）聚合物制成；以及第二構件由SiO2、MgF、LiF、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、含氟樹脂、硅樹脂、氟系聚合物或硅系聚合物制成。12．一種用于制造顯示設備的方法，該顯示設備包括：（A）第一基板，在第一基板上構建有分別具有包括第一電極、被配置為具有包括發(fā)光層的有機層的發(fā)光部和第二電極的堆疊層的多個發(fā)光器件；以及（B）設置在第二電極上方的第二基板，其中：第一基板設置有包括用于傳播由發(fā)光器件發(fā)出的光并將光輸出至外部的第一構件和用于填充第一構件之間的空間的第二構件的反光層；以及傳播過第一構件的光的至少一部分由第二構件的面向第一構件的表面或由第一構件與第二構件之間的界面反射，該制造方法包括：在第一基板上構建層間絕緣層，并在層間絕緣層上構建第一電極；隨后在第一電極和層間絕緣層上構建第二構件配置層，并隨后通過選擇性除去第一電極上的第二構件配置層來獲得具有帶傾斜坡面的孔徑的第二構件；隨后在從暴露于孔徑的底部的第一電極上方的位置構建在孔徑的坡面上方的發(fā)光部和第二電極；以及隨后在第二電極上構建第一構件。13．一種用于制造顯示設備的方法，該顯示設備包括：（A）第一基板，在第一基板上構建有分別具有包括第一電極、被配置為具有包括發(fā)光層的有機層的發(fā)光部和第二電極的堆疊層的多個發(fā)光器件，以及（B）設置在第二電極上方的第二基板，其中，第一基板設置有包括用于傳播由發(fā)光器件發(fā)出的光并將光輸出至外部的第一構件和用于填充第一構件之間的空間的第二構件的反光層，以及傳播過第一構件的光的至少一部分由第二構件的面向第一構件的表面或由第一構件與第二構件之間的界面反射，該制造方法包括：制備具有與第一構件互補的形狀的沖壓模；將樹脂材料涂敷到支撐基板上；隨后在利用沖壓模構建樹脂材料之后，通過除去沖壓模來獲得具有突出部的樹脂材料層；隨后使樹脂材料層的突出部的頂端平坦化，并隨后用粘合劑層填充突出部之間的空間；以及隨后使樹脂材料層從支撐基板上脫落，并將粘合劑層與第一基板粘合在一起以獲得由包括粘合劑層的第二構件和包括樹脂材料層的第一構件配置的反光層。此外，本公開還可被實現(xiàn)為以下實施：1．一種顯示裝置，包括：多個發(fā)光器件，形成在基板上；多個第一構件，與所述發(fā)光器件相對應并直接形成在相應的所述發(fā)光器件的一部分上；以及多個第二構件，形成在相鄰第一構件之間的區(qū)域中，其中，所述第一構件和所述第二構件被配置為反射和引導從發(fā)光部發(fā)出的通過所述第一構件的光的至少一部分。2．根據(jù)實施1所述的顯示裝置，其中，至少一個發(fā)光器件包括第一電極、第二電極和形成在所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光層，以及其中，所述第一構件直接形成在相應的所述發(fā)光器件的所述第二電極上。3．根據(jù)實施2所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光層形成在所述第一電極和所述第二構件上。4．根據(jù)實施3所述的顯示裝置，其中，所述第一電極由反光材料制成，以及所述第二電極由至少部分透明的材料制成。5．根據(jù)實施1所述的顯示裝置，其中，至少一個發(fā)光器件包括第一電極、第二電極和形成在所述第一電極與所述第二電極之間的發(fā)光層，以及其中，所述第一構件直接形成在相應的所述發(fā)光器件的所述第一電極上，且形成在所述第一電極與所述基板之間。6．根據(jù)實施5所述的顯示裝置，其中，所述第二電極由反光材料制成，以及所述第一電極由至少部分透明的材料制成。7．根據(jù)實施1所述的顯示裝置，其中，所述第一構件的折射率值n1與所述第二構件的折射率值n2不同。8．根據(jù)實施7所述的顯示裝置，其中，所述第一構件的折射率n1和所述第二構件的折射率n2滿足以下關系：1.1≤n1≤1.8；以及(n1–n2)≥0.2。9．根據(jù)實施1所述的顯示裝置，其中，所述第一構件與所述第二構件之間的界面用作光反射器。10．根據(jù)實施1所述的顯示裝置，其中，至少一個層形成在所述第一構件與所述第二構件之間。11．根據(jù)實施10所述的顯示裝置，其中，所述發(fā)光器件的至少一個電極和發(fā)光層形成在所述第一構件與所述第二構件之間。12．根據(jù)實施1所述的顯示裝置，其中，所述第一構件具有圓臺形。13．根據(jù)實施12所述的顯示裝置，其中，所述第一構件的形狀滿足以下關系：0.5≤R1R2≤0.8；以及0.5≤H/R1≤2.0，其中，R1是所述第一構件的光入射面的直徑，R2是所述第一構件的光出射面的直徑，以及H是所述第一構件的高度。14．根據(jù)實施1所述的顯示裝置，其中，所述第一構件包括SiO2，以及所述第二構件包括SiN。15．一種電子設備，包括：顯示裝置，其包括：多個發(fā)光器件，形成在基板上；多個第一構件，與所述發(fā)光器件相對應并直接形成在相應的所述發(fā)光器件的一部分上；以及多個第二構件，形成在相鄰第一構件之間的區(qū)域中，其中，所述第一構件和所述第二構件被配置為反射和引導從發(fā)光部發(fā)出的通過所述第一構件的光的至少一部分。16．一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括：在基板上形成多個發(fā)光器件；在相應的所述發(fā)光器件的一部分上直接形成與所述發(fā)光器件相對應的多個第一構件；以及形成在相鄰第一構件之間的區(qū)域中形成的多個第二構件，其中，所述第一構件和所述第二構件被配置為反射和引導從發(fā)光部發(fā)出的通過所述第一構件的光的至少一部分。17．一種顯示裝置，包括：多個發(fā)光器件，形成在基板上；多個第一構件，與所述發(fā)光器件相對應，每個第一構件形成在所述發(fā)光器件中的相應的一個上；以及多個第二構件，形成在相鄰第一構件之間的區(qū)域中，其中，所述第一構件的折射率值n1與所述第二構件的折射率值n2不同。本技術包括涉及于2012年2月17日在日本專利局提交的日本在先專利申請第JP2012-033053號以及于2012年10月5日在日本專利局提交的日本在先專利申請第JP2012-223389號中所公開的主題，將其全部內(nèi)容結(jié)合于此供參考。