專利名稱：被加工物的分割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片等被加工物的分割方法。
背景技術(shù)：
以往，例如，如專利文獻(xiàn)I所公開(kāi)地，對(duì)于粘貼于粘著帶的被加工物，在沿分割預(yù)定線形成改性層、激光加工槽、切削槽等的分割起點(diǎn)后，利用分割裝置將其分割成一個(gè)個(gè)的
芯片在專利文獻(xiàn)I中，公開(kāi)了下述技術(shù):通過(guò)使粘貼有被加工物的粘著帶擴(kuò)張來(lái)對(duì)被加工物施加外力以分割被加工物。因擴(kuò)張而被拉伸的粘著帶在從擴(kuò)張狀態(tài)被釋放后，由被拉伸的部位形成剩余部位。該剩余部位處于未張緊的松弛狀態(tài)，因此擔(dān)心分割后的相鄰的芯片彼此接觸而產(chǎn)生缺損或破損。而且，在將由在芯片安裝時(shí)起粘接劑作用的粘接層形成的DAF (芯片粘接膜)粘貼于晶片的情況下，將粘著帶從擴(kuò)張狀態(tài)釋放后，擔(dān)心與芯片一起被分割的DAF彼此接觸，從而產(chǎn)生DAF再接合的不良情況。關(guān)于這一點(diǎn)，在專利文獻(xiàn)2中，公開(kāi)了下述方法，對(duì)擴(kuò)張形成的粘著帶的剩余部位施加熱等外界刺激，使 剩余部位收縮，由此維持芯片間的間隔。專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2007-189057號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2007-027562號(hào)公報(bào)但是，即使是專利文獻(xiàn)2所公開(kāi)的技術(shù)，也擔(dān)心外界刺激所引起的收縮因粘著帶的材質(zhì)和厚度不同而不充分，或者不收縮，因此期望進(jìn)一步的改善。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于以上問(wèn)題點(diǎn)而完成的，其目的在于提供一種被加工物的分割方法，通過(guò)防止分割后的芯片和DAF的接觸，能夠可靠地防止芯片的缺損和破損以及DAF的再接合根據(jù)技術(shù)方案I記載的發(fā)明，提供一種被加工物的分割方法，所述被加工物的分割方法具備:分割起點(diǎn)形成步驟，在所述分割起點(diǎn)形成步驟中，在設(shè)定有交叉的多條分割預(yù)定線的被加工物沿分割預(yù)定線形成分割起點(diǎn)；粘著帶粘貼步驟，在所述粘著帶粘貼步驟中，在實(shí)施分割起點(diǎn)形成步驟之前或之后，將被加工物粘貼到表面具有粘著層的粘著帶，并且將所述被加工物經(jīng)由粘著帶安裝到環(huán)狀框架；保持步驟，在所述保持步驟中，在實(shí)施分割起點(diǎn)形成步驟和粘著帶粘貼步驟后，將被加工物經(jīng)由粘著帶載置于能夠抽吸保持被加工物的保持工作臺(tái)上，并且利用框架保持構(gòu)件保持環(huán)狀框架；分割步驟，在所述分割步驟中，在實(shí)施保持步驟后，使保持工作臺(tái)和框架保持構(gòu)件沿豎直方向相對(duì)移動(dòng)以使保持工作臺(tái)相對(duì)于框架保持構(gòu)件頂起而擴(kuò)張粘著帶，由此將被加工物從分割起點(diǎn)起沿分割預(yù)定線分割開(kāi)而形成多個(gè)芯片，并且在相鄰的芯片之間形成間隔；抽吸保持步驟，在所述抽吸保持步驟中，在實(shí)施分割步驟后，通過(guò)以保持工作臺(tái)經(jīng)由粘著帶抽吸保持被加工物來(lái)維持相鄰的芯片之間的間隔；隆起部形成步驟，在所述隆起部形成步驟中，在抽吸保持步驟開(kāi)始后，使保持工作臺(tái)和框架保持構(gòu)件沿豎直方向相對(duì)移動(dòng)以解除保持工作臺(tái)相對(duì)于框架保持構(gòu)件的頂起，粘著帶擴(kuò)張而形成的粘著帶的剩余部位在被加工物的外周側(cè)形成向粘著帶的表面?zhèn)裙钠鸬穆∑鸩?；隆起部翻轉(zhuǎn)步驟，在所述隆起部翻轉(zhuǎn)步驟中，在實(shí)施隆起部形成步驟后，利用抽吸構(gòu)件從粘著帶的背面?zhèn)瘸槲∑鸩?，使所述隆起部向粘著帶的背面?zhèn)韧怀龆蔀楸趁鎮(zhèn)嚷∑鸩?；以及剩余削減步驟，在所述剩余削減步驟中，在實(shí)施隆起部翻轉(zhuǎn)步驟后，通過(guò)利用夾持構(gòu)件夾持背面?zhèn)嚷∑鸩浚瑥亩贡趁鎮(zhèn)嚷∑鸩康膬?nèi)側(cè)部位彼此粘接來(lái)削減粘著帶的剩余部位。根據(jù)技術(shù)方案2記載的發(fā)明，提供一種被加工物的分割方法，所述被加工物的分割方法具備收縮步驟，在所述收縮步驟中，在實(shí)施剩余削減步驟后，從粘著帶的表面?zhèn)葘?duì)被加工物的外周側(cè)的粘著帶進(jìn)行加熱以使粘著帶收縮。根據(jù)本發(fā)明，能夠防止在分表1]后粘著帶接曲、相鄰的芯片相互接觸而缺損和破損的不良情況，以及相鄰的芯片的背面的DAF相互再接合的不良情況。



圖1是作為被加工物的晶片的立體圖。圖2是對(duì)分割起點(diǎn)形成步驟進(jìn)行說(shuō)明的立體圖。圖3是對(duì)帶粘貼步驟進(jìn)行說(shuō)明的立體圖。圖4是對(duì)保持步驟進(jìn)行說(shuō)明的側(cè)剖視圖。圖5是對(duì)分割步驟進(jìn)行說(shuō)明的側(cè)剖視圖。圖6是對(duì)抽吸保持步驟進(jìn)行說(shuō)明的側(cè)剖視圖。圖7是對(duì)隆起部形成步驟進(jìn)行說(shuō)明的側(cè)剖視圖。圖8的(A)是對(duì)隆起部進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖8的(B)是對(duì)隆起部翻轉(zhuǎn)步驟進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖9的(A)是對(duì)剩余削減步驟進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖9的(B)是對(duì)在夾持部件之間夾設(shè)背面?zhèn)嚷∑鸩康臓顟B(tài)進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖10是對(duì)卸下晶片及環(huán)狀框架的狀態(tài)進(jìn)行說(shuō)明的側(cè)剖視圖。圖11是對(duì)收縮步驟進(jìn)行說(shuō)明的側(cè)剖視圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明11:晶片；15A:芯片；60:分割裝置；61:卡盤(pán)工作臺(tái)；66:框架保持部件；80:抽吸機(jī)構(gòu)；82:抽吸塊；86:抽吸源；90:夾持機(jī)構(gòu)；92:夾持部件；
96:加熱單元；F:環(huán)狀框架；T:粘著帶；Ta:隆起部；Tb:背面?zhèn)嚷∑鸩浚籘n:粘著層。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明是將設(shè)定有多條交叉的分割預(yù)定線的被加工物沿分割預(yù)定線分割的被加工物的分割方法，下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。圖1是示出作為被加工物的實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片11 (下面，也簡(jiǎn)單記為“晶片11”)的圖。晶片11由例如厚度為700 μ m的硅晶片構(gòu)成，所述晶片11在表面Ila呈格子狀地形成有多條交叉的分割預(yù)定線(間隔道)13，并且在由所述多條分割預(yù)定線13劃分成的多個(gè)區(qū)域分別形成有器件15。

這樣構(gòu)成的晶片11具備形成有器件15的器件區(qū)域17和圍繞器件區(qū)域17的外周剩余區(qū)域19。在晶片11的外周形成有作為示出硅晶片的結(jié)晶方位的標(biāo)記的缺口 12。另夕卜，作為被加工物，也可以設(shè)想成未規(guī)定有分割預(yù)定線，或未形成有器件而不具有圖案的被加工物。對(duì)如上所述的晶片11，實(shí)施本發(fā)明所涉及的被加工物(晶片11)的分割方法。首先，實(shí)施沿晶片11的分割預(yù)定線13形成分割起點(diǎn)的分割起點(diǎn)形成步驟。如圖2所示，在本實(shí)施方式中通過(guò)基于激光加工裝置形成沿著分割預(yù)定線13的改性層(變質(zhì)層)來(lái)形成分割起點(diǎn)。另外，分割起點(diǎn)的形成除此之外也可以考慮基于激光加工裝置形成激光加工槽，或基于切削刀具的切削加工形成切削槽(半切割)等。在圖2中，示出了在晶片11的內(nèi)部沿分割預(yù)定線13形成改性層的激光加工裝置的主要部分。激光加工裝置可以構(gòu)成為具備:卡盤(pán)工作臺(tái)10，其用于保持晶片11 ;激光束照射單元2，其用于向保持于卡盤(pán)工作臺(tái)10的晶片11照射激光束；以及CCD照相機(jī)等攝像構(gòu)件4，其對(duì)保持于卡盤(pán)工作臺(tái)10的晶片11進(jìn)行攝像?？ūP(pán)工作臺(tái)10構(gòu)成為抽吸保持晶片11，并借助未圖示的移動(dòng)機(jī)構(gòu)沿圖2中箭頭X所示的加工進(jìn)給方向及箭頭Y所示的分度進(jìn)給方向移動(dòng)。激光束照射單元2具有實(shí)質(zhì)上水平配置的圓筒形狀的外殼6。在外殼6內(nèi)配設(shè)有脈沖激光振湯構(gòu)件，所述脈沖激光振湯構(gòu)件具備YAG激光振湯器或YV04激光振湯器等脈沖激光振蕩器以及重復(fù)頻率設(shè)定構(gòu)件。在外殼6的末端部安裝有聚光器8，所述聚光器8用于對(duì)從脈沖激光振蕩構(gòu)件振蕩發(fā)出的脈沖激光束進(jìn)行聚光。攝像構(gòu)件4構(gòu)成為具備利用可見(jiàn)光進(jìn)行攝像的攝像元件(CCD)等，并將拍攝到的圖像信號(hào)傳送至未圖示的控制構(gòu)件。利用采用上述結(jié)構(gòu)的激光加工裝置，一邊從聚光器8照射相對(duì)于晶片11具有透過(guò)性的脈沖激光束，一邊沿箭頭X方向以預(yù)定的進(jìn)給速度移動(dòng)卡盤(pán)工作臺(tái)10，由此在晶片11的內(nèi)部沿分割預(yù)定線13形成改性層(熔融再硬化層)。改性層為密度、折射率、機(jī)械強(qiáng)度以及其他的物理特性呈與周圍不同的狀態(tài)的區(qū)域。改性層形成時(shí)的加工條件例如如下所示地設(shè)定。光源:LD激發(fā)Q開(kāi)關(guān)Nd:YV04脈沖激光器波長(zhǎng):1064nm重復(fù)頻率:100kHz脈沖輸出:10yJ聚光點(diǎn)直徑η μιη加工進(jìn)給速度:100mm/秒沿在第一方向(圖2中X軸方向)延伸的全部的分割預(yù)定線13實(shí)施所述改性層的形成后，將卡盤(pán)工作臺(tái)10旋轉(zhuǎn)90度，然后沿在與第一方向成直角的第二方向延伸的全部的分割預(yù)定線13實(shí)施所述改性層的形成。如上所述地實(shí)施分割起點(diǎn)形成步驟。接著，對(duì)粘著帶粘貼步驟進(jìn)行說(shuō)明，在所述粘著帶粘貼步驟中，在實(shí)施該分割起點(diǎn)形成步驟之前或之后，如圖3所示，將晶片11粘貼到表面具有粘著層的粘著帶T (帶)并將所述晶片11經(jīng)由粘著帶T安裝到環(huán)狀框架F。當(dāng)實(shí)施后述的分割步驟時(shí)，粘著帶T用于對(duì)分割預(yù)定線施加使晶片11分離的外力。粘著帶T以擋住由環(huán)狀框架F包圍的區(qū)域的方式設(shè)置，在將晶片11粘貼至粘著帶T后，將晶片11經(jīng)由粘著帶T固定于環(huán)狀框架F。接著，在實(shí)施以上說(shuō)明的分割起點(diǎn)形成步驟與粘著帶粘貼步驟后，實(shí)施保持步驟，在所述保持步驟中，借助粘 著帶T將被加工物載置于能夠抽吸保持晶片11的卡盤(pán)工作臺(tái)61(保持工作臺(tái))上，并將環(huán)狀框架F用框架保持部件66 (框架保持構(gòu)件)保持。在本實(shí)施方式中，在圖4所示的分割裝置60實(shí)施保持步驟。分割裝置60的卡盤(pán)工作臺(tái)61經(jīng)由切換閥69與抽吸源67連接，并在卡盤(pán)工作臺(tái)61的上表面形成抽吸保持面61a。在卡盤(pán)工作臺(tái)61的側(cè)方配置有框架保持部件66，所述框架保持部件66具有:載置面66a，其用于載置環(huán)狀框架F ；以及夾緊器68，其以從上側(cè)夾持的方式對(duì)載置于載置面66a的環(huán)狀框架F進(jìn)行保持?？蚣鼙３植考?6的載置面66a定位于與卡盤(pán)工作臺(tái)61的抽吸保持面61a大致同一高度的基準(zhǔn)位置。在該保持步驟中，使切換閥69為斷開(kāi)狀態(tài)，抽吸源67和抽吸保持面61a的導(dǎo)通被切斷，從而不會(huì)對(duì)晶片11的背面產(chǎn)生抽吸保持面61a的抽吸力(負(fù)壓)。接著，在實(shí)施以上說(shuō)明的保持步驟后，如圖5所示，實(shí)施分割步驟，在所述分割步驟中，使卡盤(pán)工作臺(tái)61和框架保持部件66沿豎直方向相對(duì)移動(dòng)以使卡盤(pán)工作臺(tái)61相對(duì)于框架保持部件66頂起而擴(kuò)張粘著帶T，由此將晶片11從分割起點(diǎn)沿分割預(yù)定線分割開(kāi)而形成多個(gè)芯片15A (器件)，并且在相鄰的芯片15A之間形成間隔。在本實(shí)施方式中，通過(guò)驅(qū)動(dòng)氣缸65以使框架保持部件66下降至圖5所示的擴(kuò)張位置，使卡盤(pán)工作臺(tái)61和框架保持部件66沿豎直方向相對(duì)移動(dòng)。由此，在框架保持部件66的載置面66a上保持的環(huán)狀框架F也下降，因此安裝于環(huán)狀框架F的粘著帶T抵接于卡盤(pán)工作臺(tái)61的上端緣并主要向半徑方向擴(kuò)張。其結(jié)果為，對(duì)粘貼于粘著帶T的晶片11呈放射狀地作用拉伸力。當(dāng)如此對(duì)晶片11呈放射狀地作用拉伸力時(shí)，沿分割預(yù)定線13 (參照?qǐng)D2)形成的改性層的強(qiáng)度降低，所以該改性層成為分割原點(diǎn)，晶片11沿改性層斷裂而分割成一個(gè)個(gè)芯片15A。
在該分割步驟中，切換閥69也為斷開(kāi)狀態(tài)，抽吸源67和抽吸保持面61a的導(dǎo)通被切斷，從而不會(huì)對(duì)晶片11的背面產(chǎn)生抽吸保持面61a的抽吸力(負(fù)壓)。接著，在實(shí)施上述分割步驟后，如圖6所示，實(shí)施抽吸保持步驟，在所述抽吸保持步驟中，通過(guò)在卡盤(pán)工作臺(tái)61經(jīng)由粘著帶T抽吸保持晶片11來(lái)維持相鄰的芯片15A之間的間隔。S卩，在完成分割步驟并在相鄰的芯片15A之間形成間隔的狀態(tài)下，將切換閥69從斷開(kāi)切換為接通狀態(tài)，使抽吸保持面61a與抽吸源67連通。由此，在抽吸保持面61a產(chǎn)生負(fù)壓，成為經(jīng)由粘著帶T將各芯片15A抽吸在抽吸保持面61a的狀態(tài)，限制了各個(gè)芯片15A的橫向移動(dòng)，能夠維持各個(gè)芯片15A之間的間隔。另夕卜，該抽吸保持步驟至少持續(xù)至后述剩余削減步驟實(shí)施完為止。然后，在開(kāi)始該抽吸保持步驟后，如圖7所示，實(shí)施隆起部形成步驟，在所述隆起部形成步驟中，使卡盤(pán)工作臺(tái)61和框架保持部件66沿豎 直方向相對(duì)移動(dòng)以解除卡盤(pán)工作臺(tái)61相對(duì)于框架保持部件66的頂起，粘著帶T擴(kuò)張形成的粘著帶T的剩余部位在晶片11的外周側(cè)形成向粘著帶T表面?zhèn)裙钠鸬穆∑鸩縏a。在進(jìn)行該隆起部形成步驟時(shí)，維持切換閥69的接通狀態(tài)，抽吸保持面61a和抽吸源67連通并維持各個(gè)芯片15A之間的間隔。然后，使框架保持部件66上升至原來(lái)的位置，即，使框架保持部件66返回下降前的基準(zhǔn)位置，然后，因框架保持部件66的下降而在抽吸保持面61a和框架保持部件66之間的位置被拉伸的部位由于拉伸力被釋放而松弛，從而作為未被張緊的剩余部位出現(xiàn)。然后，亦如圖8的(A)所示，該剩余部位向粘著帶T表面?zhèn)?、即框架保持部?6向原來(lái)的基準(zhǔn)位置返回的方向的一側(cè)隆起，形成隆起部Ta。在隆起部Ta，粘著帶T的粘著層Tn出現(xiàn)在上側(cè)(表面?zhèn)?。接著，在實(shí)施以上的隆起部形成步驟后，如圖8的(B)所示，實(shí)施隆起部翻轉(zhuǎn)步驟，在所述隆起部翻轉(zhuǎn)步驟中，從粘著帶T的背面?zhèn)壤贸槲鼨C(jī)構(gòu)(抽吸構(gòu)件)80抽吸隆起部Ta(圖8的(A))，使所述隆起部Ta向粘著帶T的背面?zhèn)韧怀龆蔀楸趁鎮(zhèn)嚷∑鸩縏b。抽吸機(jī)構(gòu)80例如以下述方式實(shí)現(xiàn):在圖7所示的卡盤(pán)工作臺(tái)61的周圍和框架保持部件66之間形成的圓環(huán)狀的空間內(nèi)，在多個(gè)位置配置圖8的(B)所示的抽吸塊82。在圖8的(B)中，抽吸塊82經(jīng)由切換閥84與抽吸源86連接，通過(guò)使在抽吸塊82形成的抽吸口 82a產(chǎn)生負(fù)壓，從而吸入粘著帶T的背面?zhèn)?，以形成背面?zhèn)嚷∑鸩縏b。在采用圖8的(B)的結(jié)構(gòu)的情況下，抽吸塊82以包圍卡盤(pán)工作臺(tái)61的周圍的方式配置在多個(gè)部位。例如，可以考慮下述結(jié)構(gòu):通過(guò)在包圍卡盤(pán)工作臺(tái)61的周向錯(cuò)開(kāi)90度的位置將抽吸塊82配置在共計(jì)四個(gè)部位，從而將抽吸塊82在相互垂直的分割預(yù)定線13 (參照?qǐng)D1)的延長(zhǎng)線上對(duì)置配置。而且，在輥狀的粘著帶沿輥的卷繞方向分布著張緊力。由于該張緊力的方向性，在與輥的卷曲方向垂直的方向容易在擴(kuò)張后產(chǎn)生褶皺而難以維持各個(gè)芯片15A之間的間隔，因此可以考慮在與輥的卷繞方向垂直的該“難以維持間隔的方向”上，在將卡盤(pán)工作臺(tái)61夾在中間的位置配置抽吸塊82。并且，除了如本實(shí)施方式所示地在多個(gè)部位配置抽吸塊82的方式之外，也可以構(gòu)成由圓環(huán)狀的部件構(gòu)成的抽吸機(jī)構(gòu)，并在包圍卡盤(pán)工作臺(tái)61的整個(gè)周圍形成背面?zhèn)嚷∑鸩縏b。接著，在實(shí)施以上的隆起部翻轉(zhuǎn)步驟后，如圖9的(A)所示，實(shí)施剩余削減步驟，在所述剩余削減步驟中，利用夾持機(jī)構(gòu)(夾持構(gòu)件)90夾持背面?zhèn)嚷∑鸩縏b，由此背面?zhèn)嚷∑鸩縏b的內(nèi)側(cè)部位彼此粘接從而削減了粘著帶T的剩余部位。如本實(shí)施方式所示，夾持機(jī)構(gòu)90可以構(gòu)成為，例如，將夾著背面?zhèn)嚷∑鸩縏b地對(duì)置的夾持部件92、92配置于抽吸塊82的上方。如圖9的(A)所示，實(shí)施隆起部翻轉(zhuǎn)步驟而成為在抽吸塊82形成背面?zhèn)嚷∑鸩縏b的狀態(tài)，使夾持部件92、92彼此接近，從而如圖9的(B)所示，成為在夾持部件92、92之間夾有背面?zhèn)嚷∑鸩縏b的狀態(tài)。在圖9的(A)的狀態(tài)下，在背面?zhèn)嚷∑鸩縏b構(gòu)成了在內(nèi)側(cè)配置有粘著層Tn的谷狀部位，因此當(dāng)如圖9的(B)所示地利用夾持部件92、92夾持背面?zhèn)嚷∑鸩縏b時(shí)，谷狀部位的內(nèi)側(cè)的粘著層Tn彼此粘貼。而且，通過(guò)如上所述地使背面?zhèn)嚷∑鸩縏b的內(nèi)側(cè)部位彼此粘貼，消除了粘著帶T中因拉伸力被釋放而松弛的部位(剩余部位)，實(shí)質(zhì)上消除了粘著帶T的松弛。而且，通過(guò)消除剩余部位，能夠使粘著帶T呈張緊狀態(tài)。如上所述，通過(guò)消除因松弛而未被張緊的剩余部位(隆起部Ta或背面?zhèn)嚷∑鸩縏b)，如圖10所示，在從框架保持部件66取下環(huán)狀框架F，并從卡盤(pán)工作臺(tái)61取下粘著帶T及芯片15A的情況下，粘著帶T呈張緊狀態(tài)，利用該張緊狀態(tài)能夠維持已經(jīng)形成的各個(gè)芯片15A之間的間隔。如上所述，能夠防止分割后粘著帶T接曲、相鄰的芯片15A、15A彼此接觸而缺損和破損的不良情況。另外，由在芯片安裝時(shí)起粘著劑作用的粘著層構(gòu)成的DAF (芯片粘接膜)在預(yù)先粘貼于晶片11的背面的情況下，DAF與芯片15A成為一體并被分割開(kāi)。這樣，即使在DAF粘貼于芯片15A的背面的情況下，通過(guò)維持相鄰的芯片15A、15A彼此的間隔，能夠防止分割后粘著帶T撓曲、相鄰的芯片15A的背面的DAF彼此再接合的不良情況。并且，作為優(yōu)選的實(shí)施方式，具備收縮步驟，在所述收縮步驟中，如圖11所示，在實(shí)施剩余削減步驟后，從粘著帶T的表面?zhèn)葘?duì)晶片11的外周側(cè)的粘著帶T進(jìn)行加熱從而使粘著帶收縮。在本實(shí)施方式中，利用由燈(照明)、或者加熱器等構(gòu)成的加熱單元96對(duì)位于晶片11的外周側(cè)部位的粘著帶T進(jìn)行加熱，由此使粘著帶T收縮。而且，通過(guò)如此使晶片11的外周側(cè)的部位的粘著帶T收縮，在從卡盤(pán)工作臺(tái)61卸下粘著帶T及芯片15A的時(shí)候，產(chǎn)生從晶片11的中心朝向外側(cè)的張緊力，能夠更可靠地維持芯片15A、15A的間隔，或者進(jìn)一步擴(kuò)大間隔。另外，對(duì)于加熱單元96的形式不特別限定，可以考慮例如使一個(gè)加熱單元96在晶片11的外周巡回，從而無(wú)遺漏地對(duì)位于晶片11的外周側(cè)的粘著帶T進(jìn)行加熱。而且，作為粘著帶T的薄膜基材，考慮使用具有在常溫下有伸縮性并且在預(yù)定溫度(例如70度)以上的熱的作 用下收縮的性質(zhì)的聚氯乙烯(PVC)、聚丙烯、聚乙烯、聚烯烴等合成樹(shù)脂薄膜。
權(quán)利要求
1.一種被加工物的分割方法，其特征在于， 所述被加工物的分割方法具備: 分割起點(diǎn)形成步驟，在所述分割起點(diǎn)形成步驟中，在設(shè)定有交叉的多條分割預(yù)定線的被加工物沿所述分割預(yù)定線形成分割起點(diǎn)； 粘著帶粘貼步驟，在所述粘著帶粘貼步驟中，在實(shí)施所述分割起點(diǎn)形成步驟之前或之后，將被加工物粘貼到表面具有粘著層的粘著帶，并且將所述被加工物經(jīng)由所述粘著帶安裝到環(huán)狀框架； 保持步驟，在所述保持步驟中，在實(shí)施所述分割起點(diǎn)形成步驟和所述粘著帶粘貼步驟后，將被加工物經(jīng)由所述粘著帶載置于能夠抽吸保持被加工物的保持工作臺(tái)上，并且利用框架保持構(gòu)件保持所述環(huán)狀框架； 分割步驟，在所述分割步驟中，在實(shí)施所述保持步驟后，使所述保持工作臺(tái)和所述框架保持構(gòu)件沿豎直方向相對(duì)移動(dòng)以使所述保持工作臺(tái)相對(duì)于所述框架保持構(gòu)件頂起從而擴(kuò)張所述粘著帶，由此將被加工物從所述分割起點(diǎn)沿所述分割預(yù)定線分割開(kāi)而形成多個(gè)芯片，并且在相鄰的所述芯片之間形成間隔； 抽吸保持步驟，在所述抽吸保持步驟中，在實(shí)施所述分割步驟后，通過(guò)經(jīng)由所述粘著帶將被加工物抽吸保持于所述保持工作臺(tái)，從而維持相鄰的所述芯片之間的間隔； 隆起部形成步驟，在所述隆起部形成步驟中，在開(kāi)始所述抽吸保持步驟后，使所述保持工作臺(tái)和所述框架保持構(gòu)件沿豎直方向相對(duì)移動(dòng)以解除所述保持工作臺(tái)相對(duì)于所述框架保持構(gòu)件的頂起，所述粘著帶擴(kuò)張而形成的所述粘著帶的剩余部位在被加工物的外周側(cè)形成向所述粘著帶的表面?zhèn)裙钠鸬穆∑鸩浚? 隆起部翻轉(zhuǎn)步驟， 在所述隆起部翻轉(zhuǎn)步驟中，在實(shí)施所述隆起部形成步驟后，利用抽吸構(gòu)件從所述粘著帶的背面?zhèn)瘸槲雎∑鸩?，使所述隆起部向所述粘著帶的背面?zhèn)韧怀龆蔀楸趁鎮(zhèn)嚷∑鸩浚灰约? 剩余削減步驟，在所述剩余削減步驟中，在實(shí)施所述隆起部翻轉(zhuǎn)步驟后，通過(guò)利用夾持構(gòu)件夾持所述背面?zhèn)嚷∑鸩?，從而使所述背面?zhèn)嚷∑鸩康膬?nèi)側(cè)部位彼此粘接來(lái)削減所述粘著帶的剩余部位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的被加工物的分割方法，其中， 所述被加工物的分割方法具備收縮步驟，在所述收縮步驟中，在實(shí)施所述剩余削減步驟后，從所述粘著帶的表面?zhèn)葘?duì)被加工物的外周側(cè)的所述粘著帶進(jìn)行加熱以使所述粘著帶收縮。
全文摘要
本發(fā)明提供一種被加工物的分割方法，通過(guò)防止分割后的芯片和DAF的接觸，能夠可靠地防止芯片的缺損和破損以及DAF的再接合。該方法具備隆起部形成步驟，使保持工作臺(tái)和框架保持構(gòu)件沿豎直方向相對(duì)移動(dòng)以解除保持工作臺(tái)相對(duì)于框架保持構(gòu)件的頂起，粘著帶擴(kuò)張而形成的粘著帶的剩余部位在被加工物的外周側(cè)形成向粘著帶表面?zhèn)裙钠鸬穆∑鸩?；隆起部翻轉(zhuǎn)步驟，在實(shí)施隆起部形成步驟后，利用抽吸構(gòu)件從粘著帶的背面?zhèn)瘸槲∑鸩?，使隆起部向粘著帶的背面?zhèn)韧怀龆蔀楸趁鎮(zhèn)嚷∑鸩?；以及剩余削減步驟，在實(shí)施隆起部翻轉(zhuǎn)步驟后，通過(guò)利用夾持構(gòu)件夾持背面?zhèn)嚷∑鸩?，從而使背面?zhèn)嚷∑鸩康膬?nèi)側(cè)部位彼此粘接來(lái)削減粘著帶的剩余部位。
文檔編號(hào)H01L21/683GK103247573SQ20131004402
公開(kāi)日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月9日
發(fā)明者服部篤, 川口吉洋, 淀良彰 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科