專利名稱：一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,簡稱TFT-1XD)具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和無福射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。目前，TFT-LCD的顯示模式主要有TN (Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment,垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向轉(zhuǎn)換)模式和AD-SDS (Advanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù),簡稱ADS)模式等。其中，基于ADS模式的顯示器通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點(diǎn)。如圖1和圖2所示，以現(xiàn)有的兩種ADS模式的TFT-1XD陣列基板為例，均包括:基板10、設(shè)置在基板10上的靜電放電短路環(huán)20和鈍化層30，所述靜電放電短路環(huán)20包括柵極22、有源層21、源極23、漏極24以及將柵極22和漏極24連接的透明導(dǎo)電層25，且透明導(dǎo)電層25位于所述鈍化層30的上方?，F(xiàn)有技術(shù)的缺陷在于，隨著顯示裝置的邊框越來越窄，陣列基板周邊的布線區(qū)域越來越窄，部件之間的間隔越來越小。在裝配顯示裝置時，裸露在陣列基板最外面的透明導(dǎo)電層很容易被其他部件劃傷，從而導(dǎo)致陣列基板的靜電導(dǎo)電部分不能正常的工作，影響顯示裝置的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法，用于避免陣列基板的靜電導(dǎo)導(dǎo)電部分被損壞，從而提高顯示裝置的質(zhì)量。本發(fā)明一種陣列基板，包括:基板以及設(shè)置在基板上的多個靜電放電短路環(huán)，所述靜電放電短路環(huán)包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極、鈍化層，還包括:將柵極和漏極連接的透明導(dǎo)電層，且所述透明導(dǎo)電層位于所述鈍化層的下方?？蛇x擇的，所述的陣列基板還包括:所述透明導(dǎo)電層位于所述基板和所述柵極絕緣層之間并搭接在柵極上，所述柵極絕緣層具有過孔，所述透明導(dǎo)電層通過過孔與所述漏極連接?？蛇x擇的，所述的陣列基板還包括:
設(shè)置在源極和漏極之上的第二鈍化層；設(shè)置在鈍化層和第二鈍化層之間的平坦化層，所述平坦化層和第二鈍化層包括第一過孔和第二過孔；所述透明導(dǎo)電層設(shè)置于所述平坦化層與所述鈍化層之間，且所述透明導(dǎo)電層通過所述第一過孔與柵極連接，并通過所述第二過孔與漏極連接。較佳的，所述平坦化層為樹脂層。
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本發(fā)明一種顯示裝置，包括上述的任一項(xiàng)陣列基板。本發(fā)明一種陣列基板的制造方法，包括形成靜電放電短路環(huán)的步驟，所述形成靜電放電短路環(huán)的形成步驟包括:在基板上形成柵極；形成柵極絕緣層；形成形成有源層、源極和漏極；形成將柵極和漏極連接的透明導(dǎo)電層；形成鈍化層；所述透明導(dǎo)電層位于所述鈍化層之下。優(yōu)選的，所述陣列基板的制造方法，在形成鈍化層的步驟之前，還包括:在基板上形成與所述柵極搭接的透明導(dǎo)電層；在柵極絕緣層上位于透明導(dǎo)電層上方的位置形成過孔；在柵極絕緣層上形成漏極，且漏極通過過孔與透明導(dǎo)電層連接。優(yōu)選的，所述陣列基板的制造方法，在形成鈍化層的步驟之前，還包括:在源極和漏極的上方形成覆蓋基板的第二鈍化層；在第二鈍化層上方形成覆蓋第二鈍化層的平坦化層；在平坦化層和第二鈍化層位于柵極上方位置上形成第一過孔、位于漏極上方位置上形成第二過孔；在平坦化層上形成透明導(dǎo)電層，且形成的透明導(dǎo)電層通過第一過孔與柵極連接，并通過第二過孔與漏極連接。本發(fā)明有益效果如下:通過將透明導(dǎo)電層設(shè)置在鈍化層的下方，從而避免了透明導(dǎo)電層被顯示裝置內(nèi)部的其他部件劃傷，提高了陣列基板的安全性能，從而保證了顯示裝
置的質(zhì)量。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式下陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中ADS模式下另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的ADS模式下陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供ADS模式下另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記:10-基板20-靜電放電短路環(huán)21-有源層22-柵極23-源極24-漏極25-透明導(dǎo)電層26-柵極絕緣層30-鈍化層
40-第二鈍化層50-平坦化層
具體實(shí)施例方式為了避免陣列基板的靜電導(dǎo)導(dǎo)電部分被損壞，從而提高顯示裝置的質(zhì)量。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，通過將透明導(dǎo)電層設(shè)置到鈍化層的下方，從而避免了透明導(dǎo)電層被顯示裝置中的其他部件的損壞。有效的避免了陣列基板被損壞，保證了顯示裝置的質(zhì)量。為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案更加清楚，以下舉實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。如圖3所示，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，以圖3所示的陣列基板的放置方向?yàn)閰⒖挤较?。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，包括:基板10以及設(shè)置在基板10上的多個靜電放電短路環(huán)20，所述靜電放電短路環(huán)20包括柵極22、柵極絕緣層26、有源層21、源極23、漏極24、鈍化層30，還包括:將柵極22和漏極24連接的透明導(dǎo)電層25，且所述透明導(dǎo)電層25位于所述鈍化層30的下方。在該實(shí)施例中，將透明導(dǎo)電層25設(shè)置在所述鈍化層30的下方，從而使得透明導(dǎo)電層25得到鈍化層30的保護(hù)，避免了透明導(dǎo)電層25被顯示裝置中的其他元器件劃傷，提高了陣列基板的安全性能，從而保證了顯示裝置的質(zhì)量。所述陣列基板可以為頂柵基板也可以為底柵基板，所述陣列基板為底柵基板時，所述靜電放電短路環(huán)20包括:設(shè)置在基板10上的柵極22，設(shè)置在柵極22上方的柵極絕緣層26，設(shè)置在柵極絕緣層26上方的有源層21，所述源極23和漏極24形成有源層21的溝道，所述透明導(dǎo)電層25將漏極24和柵極22連接。在上述實(shí) 施例中，為了便于生產(chǎn)，優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電層25位于所述基板10和所述柵極絕緣層26之間并搭接在柵極22上，所述柵極絕緣層26具有過孔，所述透明導(dǎo)電層25通過過孔與所述漏極24連接。將透明導(dǎo)電層25設(shè)置在基板10上方，通過濺射工藝在基板10上形成沉積層，并通過光刻、刻蝕工藝得到所需的圖案。便于透明導(dǎo)電層25的形成。如圖4所示，圖4為本發(fā)明提供的ADS模式下的另一種陣列基板，包括基板10，在基板10上還可以進(jìn)一步包括:設(shè)置源極23和漏極24上方的第二鈍化層40 ;設(shè)置在鈍化層30和第二鈍化層40之間的平坦化層50，平坦化層50為樹脂層；所述平坦化層50和第二鈍化層40具有與所述柵極22和漏極24分別連通的第一過孔和第二過孔；所述透明導(dǎo)電層25設(shè)置于所述平坦化層50與所述第二鈍化層40之間，且所述透明導(dǎo)電層25通過第一過孔與柵極22連接，并通過第二過孔與漏極24連接。在上述實(shí)施例中，基板10可以選用不同材料制作的基板，可以為玻璃基板、樹脂基板或塑料基板。在上述實(shí)施例中，柵極絕緣層26具體可以為氧化硅層或氮化硅層。所述導(dǎo)透明導(dǎo)電層25具體可以為氧化銦錫，具有良好的透過率和導(dǎo)電性能。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板。所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
本發(fā)明陣列基板的制造方法，包括:在基板上形成柵極；形成柵極絕緣層；形成形成有源層、源極和漏極；形成將柵極和漏極連接的透明導(dǎo)電層；形成鈍化層； 所述透明導(dǎo)電層位于所述鈍化層之下。圖3所示實(shí)施例的陣列基板，其主要制作工藝如下:步驟201、采用濺射工藝在基板上沉積柵金屬層，通過光刻、刻蝕得到柵極22 ；步驟202、采用濺射工藝在基板上沉積氧化銦錫，且使氧化銦錫與形成的柵極22連接，通過光刻、刻蝕得到透明導(dǎo)電層；步驟203、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在基板上沉積金屬層，通過光刻、刻蝕形成柵極絕緣層；柵極絕緣層可以為氮化硅層或二氧化硅層；步驟204、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在形成的絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料，通過光刻、刻蝕形成有源層；步驟205、采用干刻工藝，在柵極絕緣層位于透明導(dǎo)電層的上方刻蝕出過孔；步驟206、采用濺射工藝在形成的柵極絕緣層上沉積金屬層，通過光刻、刻蝕形成源極和漏極；并使漏極通過過孔與透明導(dǎo)電層連接；步驟207、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成鈍化層。圖4所示實(shí)施例的陣列基板，其主要制作工藝如下:步驟301、采用濺射工藝在基板上沉積柵金屬層，通過光刻、刻蝕得到柵極22 ；步驟302、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在基板上沉積金屬層，通過光刻、刻蝕形成柵極絕緣層，柵極絕緣層可以為氮化硅層或二氧化硅層；步驟303、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在形成的柵極絕緣層上沉積半導(dǎo)體材料,通過光刻、刻蝕形成有源層；步驟304、采用濺射工藝在形成的柵極絕緣層上形成金屬層，通過光刻、刻蝕得到源極和漏極；步驟305、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在柵極絕緣層和有源層上形成第二鈍化層；步驟306、采用涂敷的方式在第二鈍化層上形成平坦化層；步驟307、采用干刻工藝，在平坦化層和第二鈍化層位于柵極上方位置上形成第一過孔、位于漏極上方位置上形成第二過孔；步驟308、采用濺射工藝在形成的平坦化層上沉積氧化銦錫，并通過光刻、刻蝕得到透明導(dǎo)電層，形成的透明導(dǎo)電層通過步驟307形成的第一過孔與柵極連接，并通過第二過孔與漏極連接；步驟309、采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在形成的平坦化層上形成鈍化層。可見通過上述工藝流程，可以便于形成透明導(dǎo)電層，位于透明導(dǎo)電層上方的鈍化層可以很好的保護(hù)透明導(dǎo)電層，避免了透明導(dǎo)電層被顯示裝置內(nèi)部的其他部件劃傷。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括基板以及設(shè)置在基板上的多個靜電放電短路環(huán)，所述靜電放電短路環(huán)包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極、鈍化層，其特征在于，還包括:將柵極和漏極連接的透明導(dǎo)電層，且所述透明導(dǎo)電層位于所述鈍化層的下方。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層位于所述基板和所述柵極絕緣層之間并搭接在柵極上，所述柵極絕緣層具有過孔，所述透明導(dǎo)電層通過過孔與所述漏極連接。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置在源極和漏極之上的第二鈍化層； 設(shè)置在鈍化層和第二鈍化層之間的平坦化層，所述平坦化層和第二鈍化層包括第一過孔和第二過孔； 所述透明導(dǎo)電層設(shè)置于所述平坦化層與所述鈍化層之間，且所述透明導(dǎo)電層通過所述第一過孔與柵極連接，并通過所述第二過孔與漏極連接。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述平坦化層為樹脂層。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求f 4所述的任一項(xiàng)陣列基板。
6.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括形成靜電放電短路環(huán)的步驟，所述形成靜電放電短路環(huán)的形成步驟包括: 在基板上形成柵極； 形成柵極絕緣層； 形成形成有源層、源極和漏極； 形成將柵極和漏極連接的透明導(dǎo)電層； 形成鈍化層； 所述透明導(dǎo)電層位于所述鈍化層下方。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成鈍化層的步驟之前，還包括: 在基板上形成與所述柵極搭接的透明導(dǎo)電層； 在柵極絕緣層上位于透明導(dǎo)電層上方的位置形成過孔； 在柵極絕緣層上形成漏極，且漏極通過過孔與透明導(dǎo)電層連接。
8.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成鈍化層的步驟之前，還包括: 在源極和漏極的上方形成覆蓋基板的第二鈍化層； 在第二鈍化層上方形成覆蓋第二鈍化層的平坦化層； 在平坦化層和第二鈍化層位于柵極上方位置上形成第一過孔、位于漏極上方位置上形成第二過孔； 在平坦化層上形成透明導(dǎo)電層，且形成的透明導(dǎo)電層通過第一過孔與柵極連接，并通過第二過孔與漏極連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。所述陣列基板包括基板以及設(shè)置在基板上的多個靜電放電短路環(huán)，所述每個靜電放電短路環(huán)包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極、漏極、鈍化層，還包括將柵極和漏極連接的透明導(dǎo)電層，且所述透明導(dǎo)電層位于所述鈍化層的下方。本發(fā)明有益效果如下通過將透明導(dǎo)電層設(shè)置在鈍化層的下方，從而避免了透明導(dǎo)電層被顯示裝置內(nèi)部的其他部件劃傷，提高了陣列基板的安全性能，從而保證了顯示裝置的質(zhì)量。
文檔編號H01L27/12GK103117285SQ20131004399
公開日2013年5月22日 申請日期2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月4日
發(fā)明者張春芳, 魏燕, 徐超, 金熙哲 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司