專利名稱：陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是指一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術：
隨著平板顯示技術的不斷進步，液晶顯示器已經(jīng)廣泛應用于筆記本、檢測儀、TV等顯示設備中。對于大尺寸全高清ADS (Advanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術)面板來說，由于高分辨率和ADS像素的大Cst (像素電極和公共電極之間的存儲電容)，使得顯示面板的負載比較大，數(shù)據(jù)信號和公共電極信號的耦合也隨之增加，導致公共電極信號被數(shù)據(jù)信號拉升，出現(xiàn)如圖1所示的V· Level Shift現(xiàn)象，V·信號失真會影響像素的正常充放電，從而最終造成畫面泛綠(Greenish)現(xiàn)象，顯示面板左下角的畫面泛綠現(xiàn)象尤為嚴重。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠有效改善顯示面板畫面泛綠的現(xiàn)象，提高畫面品質(zhì)。為解決上述技術問題，本發(fā)明的實施例提供技術方案如下一方面，提供一種陣列基板，包括基板以及基板上的公共電極的圖形和絕緣層，其中，所述基板上形成有連接低電平電位的導電圖形，所述導電圖形、絕緣層與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域以形成濾波電容。進一步地，上述方案中，所述陣列基板的柵絕緣層上形成有接地的導電圖形，所述導電圖形與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域。進一步地，上述方案中，所述導電圖形與柵極驅(qū)動電路的接地點連接。進一步地，上述方案中，所述導電圖形為采用源漏金屬層形成。進一步地，上述方案中，所述導電圖形和陣列基板的源電極、漏電極為通過一次構圖工藝同時形成。本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括基板以及基板上的公共電極的圖形和絕緣層，其中，所述制造方法包括在所述基板上形成連接低電平電位的導電圖形，所述導電圖形、絕緣層與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域以形成濾波電容。進一步地，上述方案中，在所述陣列基板的柵絕緣層上形成接地的導電圖形，所述導電圖形與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域。進一步地，上述方案中，所述在所述陣列基板的柵絕緣層上形成接地的導電圖形包括在所述柵絕緣層上形成與柵極驅(qū)動電路的接地點連接的所述導電圖形。
進一步地，上述方案中，所述制造方法包括通過一次構圖工藝利用源漏金屬層同時形成所述導電圖形和陣列基板的源電極、漏電極。本發(fā)明的實施例具有以下有益效果上述方案中，在陣列基板上形成有接地的導電圖形，該導電圖形、絕緣層與公共電極的圖形存在交疊區(qū)域，這樣可以在導電圖形和公共電極之間形成電容，對公共電極信號進行濾波，從而減小數(shù)據(jù)信號和公共電極信號耦合引起的V· Level Shift，使公共電極信號趨于穩(wěn)定，最終達到減小畫面泛綠現(xiàn)象的目的，改善顯示面板的畫面品質(zhì)。


圖1為公共電極信號被數(shù)據(jù)信號拉升，出現(xiàn)V· Level Shift現(xiàn)象的示意圖；圖2為本發(fā)明實施例液晶顯示裝置的結構示意圖；圖3為本發(fā)明實施例導電圖形與公共電極交疊的平面示意圖；圖4為本發(fā)明實施例導電圖形與公共電極交疊的截面示意圖；圖5為本發(fā)明實施例濾波電容的等效電路圖；圖6為本發(fā)明實施例濾波前后公共電極信號的示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的實施例要解決的技術問題、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。本發(fā)明的實施例針對現(xiàn)有技術中公共電極信號被數(shù)據(jù)信號拉升，出現(xiàn)V_LeVelShift現(xiàn)象，V·信號失真影響像素的正常充放電，從而最終造成畫面泛綠現(xiàn)象的問題，提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠有效改善顯示面板畫面泛綠的現(xiàn)象，提高畫面品質(zhì)。本發(fā)明的陣列基板，包括基板以及基板上的公共電極的圖形和絕緣層，其中，基板上形成有連接低電平電位的導電圖形，所述導電圖形、絕緣層與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域以形成濾波電容。本發(fā)明的陣列基板通過在導電圖形和公共電極之間形成濾波電容，對公共電極信號進行濾波，從而減小數(shù)據(jù)信號和公共電極信號耦合引起的V· Level Shift，使公共電極信號趨于穩(wěn)定，最終達到減小畫面泛綠現(xiàn)象的目的，改善顯示面板的畫面品質(zhì)。本發(fā)明的陣列基板可以為頂柵型結構也可以為底柵型結構，在本發(fā)明的陣列基板為頂柵型結構時，導電圖形可以為由柵金屬層形成，導電圖形、柵絕緣層和公共電極的圖形存在交疊區(qū)域以形成濾波電容；在本發(fā)明的陣列基板為底柵型結構時，導電圖形可以由源漏金屬層形成，導電圖形、柵絕緣層和公共電極的圖形存在交疊區(qū)域以形成濾波電容。進一步地，本發(fā)明陣列基板中并不局限于采用柵絕緣層形成濾波電容的絕緣層，只要處于導電圖形和公共電極圖形之間的絕緣層均可以用以形成濾波電容的絕緣層。進一步地，本發(fā)明的陣列基板并不局限為水平電場型陣列基板，還可以為垂直電場型陣列基板，只要能夠在連接低點位的導電圖形和公共電極的圖形之間形成濾波電容即可。具體地，在本發(fā)明的陣列基板為底柵型的陣列基板時，可以采用柵金屬層形成公共電極的圖形，之后在柵絕緣層上形成連接低電平電位的導電圖形，所述導電圖形與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域。其中，所述導電圖形可以與柵極驅(qū)動電路的接地點連接。進一步地，所述導電圖形可以采用源漏金屬層形成，這樣可以通過一次構圖工藝形成陣列基板的源電極、漏電極和導電圖形，能夠在不增加構圖工藝次數(shù)的前提下實現(xiàn)本發(fā)明的技術方案。進一步地，以本發(fā)明的陣列基板為底柵型結構為例，本發(fā)明的陣列基板具體可以包括基板；位于所述基板上由柵金屬層形成的公共電極、柵電極和柵線的圖形；位于形成有所述公共電極和柵電極、柵線的基板上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上由源漏金屬層形成的所述導電圖形、源電極、漏電極的圖形。優(yōu)選的，還可以包括形成數(shù)據(jù)線的圖形。進一步的，形成所需的濾波電容之后，還可以制作陣列基板所需的像素電極，具體包括位于形成有所述導電圖形、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的基板上包括有像素電極過孔的絕緣層的圖形；位于所述絕緣層上由透明導電層組成的像素電極的圖形，所述像素電極通過所述像素電極過孔與所述漏電極相連接。本發(fā)明實施例還提供了一種上述陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括基板以及基板上的公共電極的圖形和絕緣層，其中，所述制造方法包括在所述基板上形成連接低電平電位的導電圖形，所述導電圖形、絕緣層與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域以形成濾波電容。本發(fā)明的陣列基板可以為頂柵型結構也可以為底柵型結構，在本發(fā)明的陣列基板為頂柵型結構時，可以采用柵金屬層形成導電圖形，使得導電圖形、柵絕緣層和公共電極的圖形存在交疊區(qū)域以形成濾波電容；在本發(fā)明的陣列基板為底柵型結構時，可以采用源漏金屬層形成導電圖形，使得導電圖形、柵絕緣層和公共電極的圖形存在交疊區(qū)域以形成濾波電容。進一步地，本發(fā)明陣列基板中并不局限于采用柵絕緣層形成濾波電容的絕緣層，只要處于導電圖形和公共電極圖形之間的絕緣層均可以用以形成濾波電容的絕緣層。進一步地，本發(fā)明的陣列基板并不局限為水平電場型陣列基板，還可以為垂直電場型陣列基板，只要能夠形成連接低點位的導電圖形，使得導電圖形和公共電極的圖形之間形成濾波電容即可。具體地，在本發(fā)明的陣列基板為底柵型的陣列基板時，可以采用柵金屬層形成公共電極的圖形，之后在柵絕緣層上形成連接低電平電位的導電圖形，所述導電圖形與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域。具體地，可以在柵絕緣層上形成與柵極驅(qū)動電路的接地點連接的所述導電圖形。。進一步地，為了不增加構圖工藝的次數(shù)，可以采用源漏金屬層形成導電圖形，通過一次構圖工藝同時形成所述導電圖形和陣列基板的源電極、漏電極。進一步地，以本發(fā)明的陣列基板為底柵型結構為例，所述制造方法具體包括提供一基板；
通過第一次構圖工藝，在所述基板上形成由柵金屬層組成的公共電極、柵電極和柵線的圖形；通過第二次構圖工藝，在經(jīng)過所述第一次構圖工藝的基板上形成柵絕緣層和由源漏金屬層組成的所述導電圖形、漏電極、源電極的圖形。優(yōu)選的，還包括形成數(shù)據(jù)線的圖形。進一步的，形成所需的濾波電容之后，還可以制作陣列基板所需的像素電極，具體包括通過第三次構圖工藝，在經(jīng)過所述第二次構圖工藝的基板上形成包括有像素電極過孔的絕緣層的圖形；通過第四次構圖工藝，在所述絕緣層上形成由透明導電層組成的像素電極的圖形，所述像素電極通過所述像素電極過孔與所述漏電極相連接。本發(fā)明的陣列基板的制造方法，通過在制作陣列基板的TFT (薄膜晶體管)同時，形成所述的導電圖形和公共電極，通過在導電圖形和公共電極之間形成的濾波電容，對公共電極信號進行濾波，從而減小數(shù)據(jù)信號和公共電極信號耦合引起的V· Level Shift，使公共電極信號趨于穩(wěn)定，最終達到減小畫面泛綠現(xiàn)象的目的，改善顯示面板的畫面品質(zhì)。下面結合附圖2-5對本發(fā)明的陣列基板進行詳細介紹圖2為顯示面板的結構示意圖，如圖2所示，在X-Yl、Y1-Y2、Y2-Y3區(qū)域都有接地信號，但是左下角的A區(qū)域沒有接地信號接入。對于大尺寸全高清ADS面板來說，由于高分辨率(例如1920*1080)和ADS像素的大Cst，使得顯示面板的負載比較大，數(shù)據(jù)信號和公共電極信號的耦合也隨之增加，導致公共電極信號被數(shù)據(jù)信號拉升，出現(xiàn)如圖1所示的V?！稬evel Shift現(xiàn)象，V·信號失真會影響像素的正常充放電，從而最終造成畫面泛綠(Greenish)現(xiàn)象，顯示面板左下角的畫面泛綠現(xiàn)象尤為嚴重。一般來說，電荷在電場中會受力而移動，當導體之間有了介質(zhì)，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導體上，造成電荷積累存儲，從而形成了電容。按照電容的作用，電容可以分為耦合電容、濾波電容、旁路電容、退耦電容、補償電容以及自舉電容等，本發(fā)明的技術方案在低電平信號和公共電極之間形成一濾波電容，對公共電極信號進行濾波，從而使公共電極信號趨于穩(wěn)定，最終達到減小畫面泛綠現(xiàn)象的目的，改善顯示面板的畫面品質(zhì)。如圖2所示，本發(fā)明實施例中，優(yōu)選地，可以在顯示裝置左下角的非顯示區(qū)域形成連接低電平電位的導電圖形，這樣既不影響顯示效果，又可以顯著改善顯示面板左下角的畫面泛綠現(xiàn)象。具體地，接地信號由PCB (印刷電路板)傳輸?shù)綌?shù)據(jù)驅(qū)動電路，再通過柵層金屬線傳輸?shù)綎艠O驅(qū)動電路，在柵極驅(qū)動電路末端將接地信號弓丨出作為低電平信號。以底柵型結構為例，本發(fā)明實施例可以在柵絕緣層上利用源漏金屬層形成接地的導電圖形。如圖3和圖4所示，在基板4上有由柵金屬層形成的公共電極I的圖形，在公共電極I的圖形上形成有柵絕緣層5，在柵絕緣層5上形成有連接低電平電位的導電圖形2。該導電圖形2可以與柵極驅(qū)動電路的接地Pin腳相連接，具體地，接地信號由PCB (印刷電路板)傳輸?shù)綌?shù)據(jù)驅(qū)動電路，再通過柵層金屬線傳輸?shù)綎艠O驅(qū)動電路，在柵極驅(qū)動電路末端將接地信號引出作為低電平信號。由圖3和圖4可以看出，導電圖形2與由柵金屬層形成的公共電極I的圖形之間存在交疊區(qū)域3，源漏金屬層和柵金屬層之間的柵絕緣層是電介質(zhì)，這樣在交疊區(qū)域3可以形成濾波電容，對公共電極信號進行濾波。該濾波電容的等效電路圖如圖5所示，其中V·為公共電極信號，電阻R為該濾波電容的等效電阻，也是V·線的電阻，電容的放電時間常數(shù)(t=RC)愈大，放電愈慢，輸出電壓愈高，脈動成分也愈少，即濾波效果愈好。一般來說顯示裝置內(nèi)V?！肪€的電阻R是固定的，因此可以通過調(diào)節(jié)電容C的大小來調(diào)節(jié)濾波效果。濾波電容C的大小可以通過改變交疊區(qū)域3的面積來控制，C= ε S/d，其中，C為濾波電容的大小，ε為介電常數(shù)，S為交疊區(qū)域3的面積，d為柵絕緣層的厚度。圖6左側(cè)所示為濾波前公共電極信號的示意圖，圖6右側(cè)所示為濾波后公共電極信號的示意圖，由圖6可以看出，通過導電圖形2的設置，可以使公共電極信號趨于穩(wěn)定，最終達到減小畫面泛綠現(xiàn)象的目的，改善顯示面板的畫面品質(zhì)。在本發(fā)明的陣列基板為頂柵型結構時，可以采用柵金屬層形成導電圖形，使得導電圖形、柵絕緣層和公共電極的圖形存在交疊區(qū)域以形成濾波電容。示例性的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，首先通過構圖工藝利用柵金屬層形成公共電極I的圖形，之后在形成有公共電極I的圖形的基板4上沉積柵絕緣層5，上述步驟與現(xiàn)有技術中的制程相同，在此不再贅述。之后在形成陣列基板的源電極和漏電極時，利用同一次構圖工藝在非顯示區(qū)域的柵絕緣層上形成連接柵極驅(qū)動電路接地點的導電圖形2，其中，導電圖形2與公共電極I存在交疊區(qū)域3，并且與源電極和漏電極不相連接，這樣即可在導電圖形2與公共電極I之間形成濾波電容。導電圖形2的面積和位置可以根據(jù)實際情況進行調(diào)整，比如可以在畫面泛綠情況比較嚴重的地方設置導電圖形2，還可以根據(jù)濾波效果的需要來調(diào)整導電圖形2與公共電極I的交疊區(qū)域3的面積大小。本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的薄膜場效應晶體管陣列基板。該顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的`前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種陣列基板，包括基板以及基板上的公共電極的圖形和絕緣層，其特征在于，所述基板上形成有連接低電平電位的導電圖形，所述導電圖形、絕緣層與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域以形成濾波電容。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的柵絕緣層上形成有接地的導電圖形，所述導電圖形與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域。
3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述導電圖形與柵極驅(qū)動電路的接地點連接。
4.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導電圖形為采用源漏金屬層形成。
5.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述導電圖形和陣列基板的源電極、漏電極為通過一次構圖工藝同時形成。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1 5中任一項所述的陣列基板。
7.—種陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括基板以及基板上的公共電極的圖形和絕緣層，其特征在于，所述制造方法包括在所述基板上形成連接低電平電位的導電圖形，所述導電圖形、絕緣層與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域以形成濾波電容。
8.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述陣列基板的柵絕緣層上形成接地的導電圖形，所述導電圖形與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域。
9.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述陣列基板的柵絕緣層上形成接地的導電圖形包括 在所述柵絕緣層上形成與柵極驅(qū)動電路的接地點連接的所述導電圖形。
10.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括通過一次構圖工藝利用源漏金屬層同時形成所述導電圖形和陣列基板的源電極、漏電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，屬于顯示技術領域。其中，所述陣列基板，包括基板以及基板上的公共電極的圖形和絕緣層，所述基板上形成有連接低電平電位的導電圖形，所述導電圖形、絕緣層與公共電極的圖形存在有交疊區(qū)域以形成濾波電容。本發(fā)明的技術方案能夠有效改善顯示面板畫面泛綠的現(xiàn)象，提高畫面品質(zhì)。
文檔編號H01L21/77GK103064225SQ201310034529
公開日2013年4月24日 申請日期2013年1月29日 優(yōu)先權日2013年1月29日
發(fā)明者王驍 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司