專利名稱：?jiǎn)文９庾泳w垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域，尤其涉及一種單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法。
背景技術(shù)：
垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)是一種垂直表面出光的激光器，與傳統(tǒng)邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器相比有以下優(yōu)點(diǎn):1)光束質(zhì)量好，易于光纖耦合；2)腔長(zhǎng)非常短，縱模間距大，較寬溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)單縱模工作；3)超窄的線寬、高調(diào)制速率；4)出光方向垂直襯底，易于二維高密度集成；5)發(fā)光效率高、功耗極低；6)在片測(cè)試，低制作成本等。目前，VCSEL已廣泛應(yīng)用于光纖通信、工業(yè)傳感、辦公設(shè)備、生物醫(yī)療、激光打印、原子鐘、照明顯示、氣體檢測(cè)、高密度光存儲(chǔ)及國(guó)防工業(yè)等方面。但在諸多應(yīng)用領(lǐng)域，多要求VCSEL處于具有穩(wěn)定的單模工作特性，特別是高功率低發(fā)散角的單模工作。傳統(tǒng)的制備單模VCSEL的方法是減小氧化孔徑，減小有源區(qū)發(fā)光面積，導(dǎo)致輸出功率降低，微分電阻增大、調(diào)制速率和效率降低，壽命縮短，器件整體性能下降。為了提高輸出功率，需要增加氧化孔徑尺寸，但熱效應(yīng)和空間燒孔現(xiàn)象將會(huì)導(dǎo)致高階模式產(chǎn)生，使得器件性能惡化。為了獲得單模高功率VCSEL，人們采用離子注入和氧化限制相結(jié)合、表面刻蝕，反波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、楔形孔狀、花瓣孔狀結(jié)構(gòu)、外腔結(jié)構(gòu)等多種不同的方法，但這些方法得到的單模VCSEL，不同程度存在制作工藝復(fù)雜、重復(fù)性差、變形的高階模式或發(fā)散角大等問題。與其他方法相比，光子晶體VCSEL具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、可重復(fù)性好、低閾值電流、高輸出功率、低發(fā)散角等潛在的優(yōu)勢(shì)。但截止到目前為止光子晶體VCSEL的單模輸出功率僅有
3.lmW。此外，光子晶體VCSEL是在其上DBR上刻蝕帶有缺陷的周期性分布的空氣孔，雖然可帶來單模功率性能的改善，但光子晶體結(jié)構(gòu)的引入，會(huì)影響注入電流的分布，導(dǎo)致電流擴(kuò)展不均勻，影響有源區(qū)載流子分布和模式變化等。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問題為解決上述的一個(gè)或多個(gè)問題，本發(fā)明提供了一種單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法。( 二 )技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，包括:襯底；N型電極，形成于襯底的背面；N型DBR，形成于襯底的正面，用于形成電流注入通道；有源區(qū)，形成于N型DBR的上方，用于提供光增益；臺(tái)形P型DBR，形成于有源區(qū)上方，用于提供高反射率，并形成電流注入通道；絕緣層，形成于臺(tái)形P型DBR的側(cè)面、除臺(tái)形P型DBR覆蓋面積之外的N型DBR的上方，并在臺(tái)形P型DBR上方形成第一環(huán)形結(jié)構(gòu)；P型電極，形成于絕緣層的上方，并在臺(tái)形P型DBR上方形成第二環(huán)形結(jié)構(gòu)，該第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的半徑小于上述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的半徑，該第二環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)構(gòu)成激光器的出光窗口 ；光子晶體，形成于出光窗口下方的臺(tái)形P型DBR上；以及透明導(dǎo)電層，形成于P型電極和第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的上方。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種制備方法，用于制備上述的單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，包括:制備外延片，該外延片包括襯底、及依次制備在襯底上的N型DBR、有源區(qū)和P型DBR ;對(duì)外延片上的P型DBR進(jìn)行刻蝕，從而形成臺(tái)形P型DBR ;在臺(tái)形P型DBR的上方及外側(cè)淀積絕緣層；刻蝕臺(tái)形P型DBR的上方的絕緣層，形成第一環(huán)形結(jié)構(gòu)；在絕緣層的上方，包括第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的上方，沉積P型電極；刻蝕第一環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)中心處的P型電極，形成第二環(huán)形結(jié)構(gòu)，該第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的半徑小于上述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的半徑，該第二環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)構(gòu)成激光器的出光窗口 ；在出光窗口內(nèi)的臺(tái)形P型DBR上刻蝕光子晶體；在P型電極的上方，包括第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的上方，沉積透明導(dǎo)電層；以及刻蝕去除該單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器區(qū)域外的透明導(dǎo)電層。(三)有益效果從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法具有以下有益效果:利用透明導(dǎo)電層透光和導(dǎo)電特性，使得電流均勻的注入有源區(qū)，且透明導(dǎo)電層本身又不會(huì)阻礙光的出射，又不影響激光器壓焊，從而解決了電流注入問題，提高了單模輸出功率，預(yù)計(jì)輸出功率可以提高20-40 %。


圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例透明導(dǎo)電層的光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖1所示在圓柱形臺(tái)面上光刻制備光子晶體顯微鏡照片圖；圖3是圖1所示透明導(dǎo)電層的光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器在制備透明導(dǎo)電層之前的顯微鏡照片圖；圖4是圖1所示透明導(dǎo)電層的光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器在制備透明導(dǎo)電層后的顯微鏡照片圖；圖5是帶透明導(dǎo)電層和不帶透明導(dǎo)電層的光子晶體VCSEL的P-1對(duì)比曲線；圖6是帶透明導(dǎo)電層和不帶透明導(dǎo)電層的光子晶體VCSEL的V-1對(duì)比曲線；圖7是圖1所示帶透明導(dǎo)電層的光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器的光譜圖；圖8是圖1所示帶透明導(dǎo)電層的光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器的遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。需要說明的是，在附圖或說明書描述中，相似或相同的部分都使用相同的圖號(hào)。附圖中未繪示或描述的實(shí)現(xiàn)方式，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員所知的形式。另外，雖然本文可提供包含特定值的參數(shù)的示范，但應(yīng)了解，參數(shù)無需確切等于相應(yīng)的值，而是可在可接受的誤差容限或設(shè)計(jì)約束內(nèi)近似于相應(yīng)的值。此外，以下實(shí)施例中提到的方向用語(yǔ)，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用來說明并非用來限制本發(fā)明。
本發(fā)明單模垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法中，通過在出光窗口上引入缺陷型光子晶體，實(shí)現(xiàn)單模輸出，改善發(fā)散角；同時(shí)引入透明導(dǎo)電層，利用透明導(dǎo)電層透光和導(dǎo)電特性，使得電流均勻的注入有源區(qū)，且本身又不會(huì)阻礙光的出射，解決電流注入問題，從而減小閾值電流和提高單模輸出功率。在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中,提供了一種850nm GaAs/AlGaAs多量子講帶透明導(dǎo)電層的垂直腔面發(fā)射激光器。請(qǐng)參照?qǐng)D1，本實(shí)施例垂直腔面發(fā)射激光器自下而上包括:N型電極1，襯底2，N型分布布拉格反射鏡(DBR) 3，氧化限制層4，有源區(qū)5，P型DBR6，SiO2絕緣層7，P型電極8，透明導(dǎo)電層9，光子晶體10，出光窗口 11。襯底2為N型GaAs襯底。N型電極I形成于襯底2的背面,其材料為AuGeNi/Au。N型DBR3形成于襯底2的正面，為34.5個(gè)周期的調(diào)制摻雜且組分漸變的Al0.Aaci 9AsAlci 9Gaci lAs材料交替組成，用于提供高的反射率，同時(shí)形成電流注入通道。有源區(qū)4形成于N型DBR3的上方，三明治式夾置N型DBR3和P型DBR6之間，由3個(gè)GaAs量子阱組成，用于提供光增益，有源區(qū)厚度為1λ，λ為激射波長(zhǎng)。臺(tái)形的P型DBR6與能夠提供增益的有源區(qū)4連在一起，為20.5對(duì)個(gè)周期調(diào)制摻雜且組分漸變的AlaiGaa9AsAla9GaaiAs材料交替組成，用于提供高的反射率，同時(shí)形成電流注入通道，組成DBR的每對(duì)材料為調(diào)制摻雜且組分漸變的AlGaAs材料，提供低的電阻和高反射率。同時(shí)，在該P(yáng)型DBR6靠近有源區(qū)4包含的一層高鋁組分氧化限制層5，其是通過對(duì)最下一層Ala98GaaiAs進(jìn)行濕法氧化而形成的，其作用是對(duì)電和光進(jìn)行限制。SiO2絕緣層7，形成于臺(tái)形P型DBR6的外側(cè)、除臺(tái)形P型DBR6覆蓋面積之外的N型DBR6的上方，并在臺(tái)形P型DBR6上方形成第一環(huán)形結(jié)構(gòu)，從而將P型DBR6包覆起來。該SiO2絕緣層7將有源區(qū)4和P型DBR6與外界絕緣。P型電極8，形成于SiO2掩膜7上方，并在臺(tái)形P型DBR6上方形成第二環(huán)形結(jié)構(gòu)，該第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的半徑小于上述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的半徑。該第二環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)構(gòu)成激光器的出光窗口。該P(yáng)型電極8的電極材料為Ti/Au，此外，該P(yáng)型電極8也可以環(huán)繞SiO2掩膜7的一側(cè)生長(zhǎng)。光子晶體10形成于出光窗口 11上，光子晶體的直徑在2-3 μ m左右，周期為6 μ m，占空比0.5，缺陷區(qū)的直徑為8.65 μ m，刻蝕深度占50-80%上DBR層厚度，用于改善VCSEL模式特性，降低發(fā)散角。該光子晶體結(jié)構(gòu)為可以帶缺陷區(qū)的圓型孔狀、三角形孔或花瓣?duì)羁椎墓庾泳w結(jié)構(gòu)。透明導(dǎo)電層9位于P型電極8及第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的上方，為厚度λ/4的氧化銦錫(ITO)材料，其中λ為激射波長(zhǎng)。該透明導(dǎo)電層9使得電流均勻的注入有源區(qū)，減小閾值電流和提高單模輸出功率。透明導(dǎo)電層9可通過蒸發(fā)方式或磁控濺射方式生長(zhǎng)，并通過濕法腐蝕或剝離方法制備。透明導(dǎo)電層不僅起增透膜作用，還解決了電流均勻注入有源區(qū)的問題，同時(shí)又不影響激光器壓焊。圖2為普通光刻技術(shù)制備光子晶體的顯微鏡照片，其中光子晶體周期6 μ m，空氣孔直徑2.5 μ m，普通光刻技術(shù)制備，低成本；圖3為制備的不帶透明導(dǎo)電層子晶體VCSEL顯微鏡圖，圖4帶透明導(dǎo)電層的光子晶體VCSEL顯微鏡圖，對(duì)比圖3和圖4，可以發(fā)現(xiàn)由于帶透明導(dǎo)電層的引入，帶透明導(dǎo)電層VCSEL的光子晶體區(qū)域和環(huán)形電極區(qū)域要比不帶透明導(dǎo)電層VCSEL相應(yīng)區(qū)域顏色發(fā)深。本實(shí)施例單模垂直腔面發(fā)射激光器中，通過引入光子晶體將電流限制和光場(chǎng)限制分離，形成弱折射率導(dǎo)引的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，并通過合理的優(yōu)化光子晶體周期，空氣孔徑，刻蝕深度，器件臺(tái)面直徑，氧化孔徑等，實(shí)現(xiàn)垂直腔面發(fā)射激光器單模激射，改善發(fā)散角，使得器件設(shè)計(jì)更加靈活。此外，利用透明導(dǎo)電層透光和導(dǎo)電特性，使得電流均勻的注入有源區(qū)，且本身又不會(huì)阻礙光的出射，解決電流注入問題，降低閾值電流和提高單模輸出功率。需要說明的是，雖然上述實(shí)施例以GaAs/AlGaAs多量子阱為例進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不以此為限，例如襯底還可以為N型DBR還可以為InP/InGaAsP ;有源區(qū)還可以為InGaAs, AlGaInAs, InGaN等量子阱或量子點(diǎn)材料；P型DBR還可以為InP/InGaAsP ;絕緣層還可以為氮化硅；透明導(dǎo)電層還可以為ZnO。以上的變形同樣包括在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。下文以上述實(shí)施例的GaAs/AlGaAs多量子阱的單模垂直腔面發(fā)射激光器的制備為例，來對(duì)本發(fā)明單模垂直腔面發(fā)射激光器制備方法進(jìn)行說明。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，還提供了一種單模垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法。如圖2所示,本實(shí)施例包括:步驟A，制備包括襯底2、N型DBR、有源區(qū)、P型DBR的外延片；步驟B，用光刻膠做掩膜進(jìn)行濕法化學(xué)腐蝕P型DBR6，刻蝕深度至少露出P型DBR最下一層的Ala98GaaiAs的側(cè)壁；步驟C,通過濕法氧化工藝將暴露出側(cè)壁Ala98Gaatl2As層進(jìn)行側(cè)向氧化,形成高招組分氧化限制層5，即電、光限制孔徑，氧化孔徑控制在10 20 μ m左右；濕法氧化工藝條件:氮?dú)釴2流量lL/min，水浴溫度95°C，氧化爐溫度400°C，氧化時(shí)間30-50分鐘。步驟D，在圓柱形臺(tái)面的上方及外側(cè)采用PECVD方法高溫300°C淀積絕緣層Si027。步驟E，在圓柱形臺(tái)面上旋涂光刻膠，通過光刻形成圓形掩膜圖形，該圓形掩模圖形與所述圓柱形臺(tái)面的中心為中心，其半徑略小于圓柱形臺(tái)面的半徑；步驟F，以該圓形掩模圖形為掩膜，采用HF: NH4F: H2O (3ml: 6g: 10ml)腐蝕液，腐蝕SiO2層7，從而在圓柱形臺(tái)面上形成環(huán)形的SiO2層7 ；步驟G，采用磁控濺射技術(shù)濺射P型電極層(Ti/Au)8。步驟E，在圓柱形臺(tái)面上旋涂光刻膠，通過光刻形成圓形掩膜圖形，該圓形掩模圖形與所述圓柱形臺(tái)面的中心為中心，其半徑小于環(huán)形的SiO2層的半徑；步驟F，以該圓形掩模圖形為掩膜，濕法腐蝕P型電極TiAu，形成P型環(huán)形電極；步驟G，通過普通光刻技術(shù)結(jié)合ICP刻蝕技術(shù)在出光窗口外圈刻蝕出光子晶體10，光子晶體孔徑2-3 μ m,刻蝕深度為50-80%的DBR層厚度。步驟H，濺射IlOnm后的氧化銦錫(ITO)材料作為透明導(dǎo)電層；步驟I，在圓柱形臺(tái)面上旋涂光刻膠，通過光刻形成圓形掩膜圖形，該圓形掩模圖形與所述圓柱形臺(tái)面的中心為中心，其半徑大于等于圓柱形臺(tái)面的半徑；步驟J，結(jié)合濕法腐蝕技術(shù)，用HCL: H2O (2: I)光刻腐蝕透明導(dǎo)電層ΙΤ0，解決電流注入問題，降低閾值電流和提高單模輸出功率。步驟K，減薄、拋光背面GaAs襯底，蒸發(fā)AuGeNi/Au作為N型電極，然后合金形成歐姆接觸，在快速退火爐內(nèi)430-450°C退火60秒。步驟L，解理、壓焊、封裝。利用激光劃片機(jī)把制備好的帶透明導(dǎo)電層和不帶透明導(dǎo)電層的光子晶體VCSEL分別解理成單個(gè)管芯，然后燒結(jié)在熱沉上，最后壓焊引入P型電極引線，最后在封裝到TO3管殼上，從而制備出單模垂直腔面發(fā)射激光器。圖5和圖6分別為帶透明導(dǎo)電層和不帶透明導(dǎo)電層的光子晶體VCSELP-1和V-1曲線，臺(tái)面尺寸65 μ m,氧化孔徑15 μ m,光子晶體周期6 μ m,空氣孔直徑2.5 μ m,光子晶體刻蝕深度1.5 μ m。在室溫直流相同電流IOmA下，帶ITO和不帶ITO的光子晶體VCSEL輸出功率分別3.2mW和2.2mW，輸出功率明顯提高，提高大約30%的水平；閾值電流分別為0.8mA和0.9mA,不帶ITO的光子晶體VCSEL閾值電流約有減小。圖7為上述帶透明導(dǎo)電層的光子晶體VCSEL光譜圖。器件整個(gè)工作電流范圍均為單模，光譜測(cè)試精度0.02nm,室溫直流IOmA注入電流下，發(fā)射波長(zhǎng)844.7nm ;邊模抑制比大于34dB。相應(yīng)的遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角見圖8，水平發(fā)散角5.4° ,垂直發(fā)散角5.2°需要說明的是，上述對(duì)各元件的定義并不僅限于實(shí)施方式中提到的各種具體結(jié)構(gòu)或形狀，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單地熟知地替換。以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，包括: 襯底； N型電極，形成于所述襯底的背面； N型DBR，形成于所述襯底的正面，用于形成電流注入通道； 有源區(qū)，形成于所述N型DBR的上方，用于提供光增益； 臺(tái)形P型DBR，形成于所述有源區(qū)上方，用于提供高反射率，并形成電流注入通道；絕緣層，形成于臺(tái)形P型DBR的側(cè)面、除臺(tái)形P型DBR覆蓋面積之外的N型DBR的上方，并在臺(tái)形P型DBR上方形成第一環(huán)形結(jié)構(gòu)； P型電極，形成于所述絕緣層的上方，并在臺(tái)形P型DBR上方形成第二環(huán)形結(jié)構(gòu)，該第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的半徑小于上述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的半徑，該第二環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)構(gòu)成激光器的出光窗Π ； 光子晶體，形成于所述出光窗口下方的臺(tái)形P型DBR上；以及 透明導(dǎo)電層，形成于P型電極和所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層為厚度λ/4的氧化銦錫材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述光子晶體的刻蝕深度為P型DBR厚度的50-80%。
4.根據(jù)權(quán)利 要求3所述的單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述光子晶體的直徑在2-3 μ m左右，周期為6 μ m，占空比0.5。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述光子晶體為帶缺陷區(qū)的圓型孔狀、三角形孔或花瓣?duì)羁椎墓庾泳w。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于: 所述N型DBR為預(yù)設(shè)周期的調(diào)制摻雜且組分漸變的AlaiGaa9AsAla9GaaiAs材料交替組成； 所述P型DBR為預(yù)設(shè)周期的調(diào)制摻雜且組分漸變的AlaiGaa9AsAla9GaaiAs材料交替組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，還包括: 高鋁組分氧化限制層，為所述P型DBR中最下一層Ala98GaaiAs進(jìn)行濕法氧化而形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述有源區(qū)為預(yù)設(shè)個(gè)數(shù)的GaAs量子阱、InGaAs量子阱等，其厚度為Νλ，λ為激射波長(zhǎng)，N為整數(shù)。
9.一種單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器的制備方法，用于制備權(quán)利要求1所述的單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，包括: 制備外延片，該外延片包括襯底、及依次制備在襯底上的N型DBR、有源區(qū)和P型DBR ; 對(duì)所述外延片上的P型DBR進(jìn)行刻蝕，從而形成臺(tái)形P型DBR ; 在所述臺(tái)形P型DBR的上方及外側(cè)淀積絕緣層； 刻蝕所述臺(tái)形P型DBR的上方的絕緣層，形成第一環(huán)形結(jié)構(gòu)； 在所述絕緣層的上方，包括所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的上方，沉積P型電極； 刻蝕所述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)中心處的P型電極，形成第二環(huán)形結(jié)構(gòu)，該第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的半徑小于上述第一環(huán)形結(jié)構(gòu)的半徑，該第二環(huán)形結(jié)構(gòu)內(nèi)構(gòu)成激光器的出光窗口 ；在所述出光窗口內(nèi)的臺(tái)形P型DBR上刻蝕光子晶體； 在所述P型電極的上方，包括所述第二環(huán)形結(jié)構(gòu)的上方，沉積透明導(dǎo)電層；以及 刻蝕去除該單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器區(qū)域外的透明導(dǎo)電層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于， 所述沉積透明導(dǎo)電層的步驟中，所述透明導(dǎo)電層為厚度λ/4的氧化銦錫材料。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法。該單模光子晶體垂直腔面發(fā)射激光器，利用透明導(dǎo)電層透光和導(dǎo)電特性，使得電流均勻的注入有源區(qū)，從而解決了電流注入問題，提高了單模輸出功率。
文檔編號(hào)H01S5/183GK103107482SQ20131003429
公開日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2013年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月29日
發(fā)明者渠紅偉, 張冶金, 張建心, 劉磊, 齊愛誼, 王海玲, 馬紹棟, 石巖, 鄭婉華 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所