一種tft陣列基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種TFT陣列基板及其制造方法，TFT陣列基板包括：基板；柵極，位于基板之上；柵極絕緣層，位于基板和柵極之上；半導(dǎo)體層，位于柵極絕緣層之上；像素電極，位于刻?hào)艠O絕緣層之上；源極和漏極，位于半導(dǎo)體層和像素電極之上；鈍化層，位于源極和漏極之上；TFT陣列基板還包括導(dǎo)電端子，該導(dǎo)電端子包括層疊設(shè)置的第一電極和第二電極，第一電極位于第二電極下方，貫穿鈍化層的接觸孔暴露第二電極，本發(fā)明由于在第二電極的下方設(shè)置第一電極，能夠在進(jìn)行第二過(guò)孔刻蝕時(shí)，形成對(duì)此處第二電極的補(bǔ)償，在即使第二電極被過(guò)多刻蝕甚至刻光的情況下，也能保證TFT陣列的性能。本發(fā)明還提供一種TFT陣列基板的制造方法用于制造所述TFT陣列基板。
【專利說(shuō)明】一種TFT陣列基板及其制造方法
[0001]本發(fā)明涉及一種平板顯示器制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種TFT陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，平板顯示器已取代笨重的CRT顯示器日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示器包括IXD(Liquid Crystal Display:液晶顯示器)和OLED (Organic Light-Emitting Diode:有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器。尤其是IXD平板顯示器，由于其具有體積小、重量輕、厚度薄、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，近年來(lái)得到了迅速地發(fā)展，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位，在各種大中小尺寸的產(chǎn)品上得到了廣泛的應(yīng)用，幾乎涵蓋了當(dāng)今信息社會(huì)的主要電子產(chǎn)品，如液晶電視、電腦、手機(jī)、PDA、GPS、車載顯示、投影顯示、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、電子手表、計(jì)算器、電子儀器、儀表、公共顯示和虛幻顯示等多個(gè)領(lǐng)域。
[0003]在成像過(guò)程中，IXD平板顯示器中每一液晶像素點(diǎn)都由集成在TFT陣列基板中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor:簡(jiǎn)稱TFT)來(lái)驅(qū)動(dòng)，再配合外圍驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)圖像顯不；有源矩陣驅(qū)動(dòng)式 OLED (Active Matrix Organic Light Emission Display,簡(jiǎn)稱AM0LED)顯示器中由TFT基板中的TFT驅(qū)動(dòng)OLED面板中對(duì)應(yīng)的OLED像素，再配合外圍驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)圖像顯示。在上述顯示器中，TFT是控制發(fā)光的開(kāi)關(guān)，是實(shí)現(xiàn)液晶顯示器和OLED顯示器大尺寸的關(guān)鍵，直接關(guān)系到高性能平板顯示器的發(fā)展方向。
[0004]在現(xiàn)有平板顯示器生產(chǎn)技術(shù)中，已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的TFT主要有非晶硅TFT、多晶硅TFT、單晶硅TFT等，用于制備平板顯示器中陣列基板使用最多的是非晶硅TFT。目前，隨著技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了金屬氧化物TFT，金屬氧化物TFT具有載流子遷移率高的優(yōu)點(diǎn)，使得TFT可以做的很小，而使平板顯示器的分辨率越高，顯示效果越好；同時(shí)金屬氧化物TFT還具有特性不均現(xiàn)象少、材料和工藝成本降低、工藝溫度低、可利用涂布工藝、透明率高、帶隙大等優(yōu)點(diǎn)，備受業(yè)界關(guān)注。
[0005]目前，如圖1所示，一種金屬氧化物TFT陣列包括基板11;柵極121，位于基板11之上；柵極絕緣層13，位于基板11和柵極121之上，且覆蓋整個(gè)基板11范圍；半導(dǎo)體層14，位于柵極絕緣層13之上，且位于所述柵極121上方；像素電極163，位于該柵極絕緣層13之上；源極17a和漏極17b，位于像素電極163之上，且與所述半導(dǎo)體層14電連接，源極17a和漏極17b與像素電極163直接接觸；鈍化層18，位于源極17a和漏極17b之上；公共電極19a和導(dǎo)線19b。該TFT陣列基板還包括導(dǎo)電端子162，導(dǎo)電端子162與源極17a和漏極17b同層。
[0006]試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)鈍化層18、刻蝕阻擋層15、柵極絕緣層13等與源/漏極金屬層(源/漏極金屬17與導(dǎo)電端子162同一層)的刻蝕選擇比差異較小，導(dǎo)致在接觸孔201 (接觸孔201貫穿鈍化層18而暴露部分導(dǎo)電端子162)刻蝕時(shí)，會(huì)對(duì)接觸孔201下的導(dǎo)電端子162造成大量過(guò)刻甚至有刻光的風(fēng)險(xiǎn)，使得接觸孔162處的電學(xué)連接性能變差，甚至不導(dǎo)電，進(jìn)而造成TFT陣列無(wú)法正常工作。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供一種TFT陣列基板及TFT陣列基板的制造方法，用以保護(hù)陣列基板上的導(dǎo)電端子不被過(guò)刻，保證TFT陣列的正常工作。
[0008]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0009]—方面,本發(fā)明實(shí)施例提供一種TFT陣列基板,包括:
[0010]基板；
[0011]柵極，位于所述基板之上；
[0012]柵極絕緣層，位于所述基板和柵極之上；
[0013]半導(dǎo)體層，位于所述柵極絕緣層之上；
[0014]像素電極，位于所述刻?hào)艠O絕緣層之上；
[0015]源極和漏極，位于所述半導(dǎo)體層和像素電極之上，所述源極和漏極分別與所述半導(dǎo)體層電連接，所述源極/漏極與所述像素電極直接接觸；
[0016]鈍化層，位于所述源極和漏極之上；
[0017]所述TFT陣列基板還包括導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子包括層疊的第一電極和第二電極，所述第一電極與所述像素電極同層，所述第二電極與所述源極和漏極同層；所述第一電極和第二電極直接接觸。
[0018]優(yōu)選的，還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于所述源極和漏極之間的區(qū)域，并且位于所述鈍化層和所述半導(dǎo)體層之間。
[0019]優(yōu)選的，還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于所述像素電極與所述半導(dǎo)體層之間，所述源極和漏極分別通過(guò)貫穿所述刻蝕阻擋層的第一過(guò)孔與所述半導(dǎo)體層連接。
[0020]優(yōu)選的，所述TFT陣列基板還包括與所述柵極同層的第三電極；公共電極和導(dǎo)線，所述公共電極和所述導(dǎo)線同層；所述導(dǎo)線通過(guò)一個(gè)貫穿所述鈍化層的第二過(guò)孔和一貫穿所述柵極絕緣層、刻蝕阻擋層、鈍化層的第三過(guò)孔，對(duì)應(yīng)電連接所述第二電極和第三電極。
[0021]優(yōu)選的，所述TFT陣列基板還包括與所述像素電極同層的第四電極，所述第四電極被所述源極和漏極覆蓋，并通過(guò)所述第一過(guò)孔電連接所述半導(dǎo)體層和所述源極和漏極。
[0022]優(yōu)選的，所述第二電極通過(guò)公共電極連接于所述第三電極。
[0023]優(yōu)選的，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的材料為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化錫、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋅。
[0024]優(yōu)選的，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的厚度均為大于等于20nm,小于等于300nm。
[0025]優(yōu)選的，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的厚度均為大于等于50nm,小于等于lOOnm。
[0026]優(yōu)選的，所述刻蝕阻擋層為氧化硅。
[0027]優(yōu)選的，所述鈍化層和柵極絕緣層為氧化硅、氮化硅氧化硅、或氮化硅中的兩種或者多種的任意組合所構(gòu)成的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。
[0028]另一方面，還提供了一種TFT陣列基板的制造方法，包括:
[0029]提供基板；
[0030]在所述基板之上形成柵極和第三電極；[0031]在所述基板和柵極之上形成柵極絕緣層；
[0032]在所述柵極絕緣層之上形成半導(dǎo)體層，且位于所述柵極的上方；
[0033]在所述柵極絕緣層之上形成像素電極和第一電極，所述第一電極與所述像素電極同層；
[0034]在所述半導(dǎo)體層和像素電極之上形成源極和漏極，所述源極和漏極分別與所述半導(dǎo)體層電連接，所述源極/漏極與所述像素電極直接接觸，在所述第一電極之上形成第二電極，所述第二電極層疊于所述第一電極之上并直接接觸第一電極，所述第二電極與所述源極和漏極同層；
[0035]在所述源極和漏極之上形成鈍化層，刻蝕鈍化層形成第二過(guò)孔和第三過(guò)孔，所述第二過(guò)孔暴露部分第二電極，所述第三過(guò)孔暴露部分第三電極；
[0036]優(yōu)選的，在所述鈍化層和所述半導(dǎo)體層之間形成刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于所述源極和漏極之間的區(qū)域。
[0037]優(yōu)選的，在所述像素電極與所述半導(dǎo)體層之間形成刻蝕阻擋層，所述源極和漏極分別通過(guò)貫穿所述刻蝕阻擋層的第一過(guò)孔與所述半導(dǎo)體層連接。
[0038]優(yōu)選的，還包括形成第四電極；所述第四電極通過(guò)所述第一過(guò)孔接觸所述半導(dǎo)體層，后續(xù)形成的源極和漏極覆蓋所述第四電極，并通過(guò)所述第四電極和第一過(guò)孔電連接所述半導(dǎo)體層。
[0039]優(yōu)選的，還包括形成第三電極、公共電極和導(dǎo)線，所述第三電極與所述柵極同層，所述公共電極和所述導(dǎo)線同層，所述導(dǎo)線通過(guò)一個(gè)貫穿所述鈍化層的第二過(guò)孔和一貫穿所述柵極絕緣層、刻蝕阻擋層、鈍化層的第三過(guò)孔，對(duì)應(yīng)電連接所述第二電極和第三電極。
[0040]優(yōu)選的，所述第二電極通過(guò)公共電極連接于所述第三電極。
[0041]優(yōu)選的，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的材料為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化錫、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋅。
[0042]優(yōu)選的，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的厚度均為大于等于20nm,小于等于300nm。
[0043]優(yōu)選的，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的厚度均大于等于50nm，小于等于lOOnm。
[0044]優(yōu)選的，所述刻蝕阻擋層為氧化硅。
[0045]優(yōu)選的，所述鈍化層和柵極絕緣層為氧化硅、氮化硅氧化硅、或氮化硅中的兩種或者多種的任意組合所構(gòu)成的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。
[0046]本發(fā)明的有益效果如下:本發(fā)明的TFT陣列基板及其制造方法，由于設(shè)置了層疊設(shè)置的第一電極和第二電極，且第一電極在第二電極的下方接觸設(shè)置，能夠在進(jìn)行接觸孔亥IJ蝕時(shí)，即便在刻蝕該接觸孔的過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極也刻蝕了，第一電極也能很好地與導(dǎo)線電連接，使得接觸孔處的電連接正常工作，保證TFT陣列的正常工作，并且，由于兩個(gè)第四電極分別覆蓋了兩個(gè)第一過(guò)孔所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層，因此既能防止在刻蝕形成像素電極和第一電極時(shí)對(duì)兩個(gè)第一過(guò)孔處暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層造成影響，又可以改善此處的歐姆接觸性能。即本實(shí)施例改善了 TFT陣列的性能，提高了整個(gè)TFT陣列的良品率，降低了生產(chǎn)成本?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0047]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖；
[0048]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例一的一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖；
[0049]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例一的另一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖；
[0050]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例一的又一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖；
[0051]圖5為本發(fā)明的實(shí)施例一的一種TFT陣列基板的制造方法步驟示意圖；
[0052]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例一的再一種TFT陣列基板的制造方法步驟示意圖；
[0053]圖7為本發(fā)明的實(shí)施例一的另一種TFT陣列基板的制造方法步驟示意圖；
[0054]圖8為本發(fā)明的實(shí)施例一的又一種TFT陣列基板的制造方法步驟示意圖；
[0055]圖9為本發(fā)明的實(shí)施例二的的一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖；
[0056]圖10為本發(fā)明實(shí)施例二的另一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖；
[0057]圖11為本發(fā)明實(shí)施例二的又一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖；
[0058]圖12為本發(fā)明的實(shí)施例二的一種TFT陣列基板的制造方法步驟示意圖；
[0059]圖13為本發(fā)明的實(shí)施例二的另一種TFT陣列基板的制造方法步驟示意圖；
[0060]圖14為本發(fā)明的實(shí)施例二的又一種TFT陣列基板的制造方法步驟示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0061]需要說(shuō)明的是:
[0062]1、本發(fā)明中所述的例如“X設(shè)置于Y之上”或“X上設(shè)置有Y”中的“之上”、“上”等指的是X可以與Y直接接觸，X也可以不與Y直接接觸的意思，本發(fā)明中如附圖所示，將透明基板定義為設(shè)置于最下方；
[0063]2、本發(fā)明所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、用掩模進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝，光刻膠可以采用正性光刻膠也可以采用負(fù)性光刻膠，以下實(shí)施例中以正性光刻膠為例；
[0064]下面結(jié)合說(shuō)明書附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0065]本發(fā)明實(shí)施例一，圖2為本發(fā)明的實(shí)施例一的一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖。如圖2所示，本發(fā)明的一種TFT陣列基板主要包括:基板11 ;柵極121，位于基板11之上，其中柵極121可以與基板11直接接觸，也可以不與基板11直接接觸；柵極絕緣層13，位于基板11和柵極121之上，且覆蓋整個(gè)基板11范圍；半導(dǎo)體層14，位于柵極絕緣層13之上，且位于所述柵極121上方；刻蝕阻擋層15，位于柵極絕緣層13和半導(dǎo)體層14之上，且覆蓋整個(gè)基板11范圍，刻蝕阻擋層15，形成兩個(gè)第一過(guò)孔151，暴露出半導(dǎo)體層14 ;像素電極163，位于柵極絕緣層13和刻蝕阻擋層15之上；源極電極17a和漏極電極17b，且分別通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層15的兩個(gè)第一過(guò)孔151與半導(dǎo)體層14電連接，漏極電極17b(當(dāng)然也可以是源極電極17a)與像素電極163直接接觸，并且具有交疊部分，在交疊處漏極電極17b位于像素電極163上；鈍化層18，位于源極電極17a和漏極電極17b之上，且覆蓋整個(gè)基板11范圍；公共電極19a，位于鈍化層18上，工作時(shí)，該公共電極19a與像素電極163之間形成橫向電場(chǎng)。
[0066]該TFT陣列基板還包括導(dǎo)電端子和貫穿鈍化層18的第二過(guò)孔201，導(dǎo)電端子包括層疊的第一電極161和第二電極162,第一電極161與像素電極163同層,且米用相同材料；第二電極162與源極電極17a和漏極電極17b同層,且米用相同材料；且第一電極161和第二電極163直接接觸；第二過(guò)孔201貫穿該鈍化層18，以暴露出第二電極162。
[0067]該TFT陣列基板還包括與公共電極19a同層的導(dǎo)線1%，該導(dǎo)線19b通過(guò)第二過(guò)孔201電連接該導(dǎo)電端子。這樣，即便在刻蝕該第二過(guò)孔201的過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極162也刻蝕了，第一電極161也能很好地與該導(dǎo)線19b電連接。
[0068]如圖3所示，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，該TFT陣列基板還包括與柵極121同層的第三電極122和貫穿柵極絕緣層13、刻蝕阻擋層15、鈍化層18的第三過(guò)孔202，以暴露出第三電極122。
[0069]該導(dǎo)線19b分別通過(guò)第二過(guò)孔201和第三過(guò)孔202，對(duì)應(yīng)電連接該導(dǎo)電端子和第三電極122。通常第二過(guò)孔201和第三過(guò)孔202同時(shí)刻蝕，但二者的深度不同，第三過(guò)孔202比第二過(guò)孔201深，當(dāng)刻蝕第三過(guò)孔暴露出第三電極122時(shí)，第二過(guò)孔201已經(jīng)被刻蝕完畢并且第二電極162被過(guò)刻甚至被刻光。但即便出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極162也刻蝕了，第一電極161也能很好地與該導(dǎo)線19b電連接。
[0070]如圖4所示，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，所述TFT陣列基板還包括與所述像素電極163同層的兩個(gè)第四電極164,所述兩個(gè)第四電極164被所述源極電極17a和漏極電極17b覆蓋，并分別通過(guò)所述兩個(gè)第一過(guò)孔151電連接所述半導(dǎo)體層14和所述源極電極17a和漏極電極17b。由于兩個(gè)第四電極164分別覆蓋了兩個(gè)第一過(guò)孔151所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14，因此既能防止在刻蝕形成像素電極163和第一電極161時(shí)對(duì)第一過(guò)孔151所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14造成影響，而起到保護(hù)半導(dǎo)體層14的作用，又可以改善此處的歐姆接觸性倉(cāng)泛。
[0071]其中，所述公共電極19a、導(dǎo)線19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的材料可以為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化錫、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋅中的一種或其組合。所述公共電極19a、導(dǎo)線19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的厚度均為大于等于20nm,小于等于300nm。更進(jìn)一步地,所述公共電極19a、導(dǎo)電19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的厚度均為大于等于50nm,小于等于IOOnm ;所述刻蝕阻擋層15為氧化硅；所述鈍化層18和柵極絕緣層13為氧化硅、氮化硅氧化硅、或氮化硅中的兩種或者多種的任意組合所構(gòu)成的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層14的材料為銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(ITGO)、銦鋅氧化物(IZO)等，以及與其相關(guān)的不同比例的配合物?？涛g阻擋層15其材料因不同的工藝要求而不同，通常需用如氧化硅等無(wú)機(jī)絕緣材料，其目的是為了減少在數(shù)據(jù)線圖形化的過(guò)程中，對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜造成傷害。
[0072]對(duì)應(yīng)該TFT陣列基板，本發(fā)明提供相應(yīng)的TFT陣列基板的制造方法。
[0073]如圖5所示，SlOl，提供基板11。
[0074]S102，在SlOl的基礎(chǔ)上，在基板11鋪一層?xùn)艠O金屬層，圖案化該柵極金屬層形成柵極121，其中，柵極121可以是直接接觸基板11 ;也可以先在基板11上沉積一層緩沖層，再形成柵極121，這樣不直接接觸基板11。
[0075]S103，在S102的基礎(chǔ)上形成柵極絕緣層13，且柵極絕緣層13覆蓋整個(gè)基板11。
[0076]S104，在S103的基礎(chǔ)上形成氧化物半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體層14，且半導(dǎo)體層14位于柵極121上方。
[0077]S105，在S104的基礎(chǔ)上形成刻蝕阻擋層15，刻蝕阻擋層15位于柵極絕緣層13和半導(dǎo)體層14之上，且覆蓋整個(gè)基板11范圍，圖案化刻蝕阻擋層15，形成兩個(gè)第一過(guò)孔151，暴露出半導(dǎo)體層14。
[0078]S106,在S105的基礎(chǔ)上形成像素電極163和第一電極161,所述第一電極161與所述像素電極163同層，且采用相同材料。
[0079]S107，在S106的基礎(chǔ)上形成源極電極17a、漏極電極17b和第二電極162，第二電極162與源極電極17a和漏極電極17b同層，且采用相同材料；源極電極17a和漏極電極17b分別通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層15的兩個(gè)第一過(guò)孔151與半導(dǎo)體層14電連接，漏極電極17b(當(dāng)然也可以是源極電極17a)與像素電極163直接接觸，并且具有交疊部分，在交疊處漏極電極17b位于像素電極163上；第一電極161和第二電極163組成導(dǎo)電端子,且第二電極163層疊于第一電極161之上并且第一電極161和第二電極163直接接觸。
[0080]S108，在S107的基礎(chǔ)上形成鈍化層18，位于源極電極17a和漏極電極17b和第二電極163之上，且覆蓋整個(gè)基板11范圍，圖案化所述鈍化層18形成第二過(guò)孔202，第二過(guò)孔201貫穿該鈍化層18，以暴露出第二電極162。
[0081]S109，在S108的基礎(chǔ)上形成公共電極19a和與公共電極19a同層的導(dǎo)線19b，公共電極19a和導(dǎo)線19b位于鈍化層18上，工作時(shí)，該公共電極19a與像素電極163之間形成橫向電場(chǎng)該導(dǎo)線19b通過(guò)第二過(guò)孔201電連接該導(dǎo)電端子。這樣，即便在刻蝕該第二過(guò)孔201的過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極162也刻蝕了，第一電極161也能很好地與該導(dǎo)線19b電連接。
[0082]如圖6所示，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，對(duì)圖5所示的制備方法進(jìn)行部分修改，相同的部分不再重述。該TFT陣列基板的制造方法還可以在S105形成刻蝕阻擋層15，且該刻蝕阻擋層15覆蓋整個(gè)基板11 ;S106，在S105的基礎(chǔ)上形成像素電極163和第一電極161 ；S1061，在S106的基礎(chǔ)上基礎(chǔ)上，圖案化刻蝕阻擋層15形成兩個(gè)第一過(guò)孔151，以暴露半導(dǎo)體層14.[0083]如圖7所示，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，對(duì)圖5所示的制備方法進(jìn)行部分修改，相同的部分不再重述。該TFT陣列基板的制造方法還包括在S102形成與柵極121同層的第三電極122，在S108還圖案化鈍化層18還形成貫穿柵極絕緣層13、刻蝕阻擋層15、鈍化層18的第三過(guò)孔202，以暴露出第三電極122。結(jié)合參考圖3，導(dǎo)線19b分別通過(guò)第二過(guò)孔201和第三過(guò)孔202，對(duì)應(yīng)電連接該導(dǎo)電端子和第三電極122。通常第二過(guò)孔201和第三過(guò)孔202同時(shí)刻蝕，但二者的深度不同，第三過(guò)孔202比第二過(guò)孔201深，當(dāng)刻蝕第三過(guò)孔暴露出第三電極122時(shí)，第二過(guò)孔201已經(jīng)被刻蝕完畢并且第二電極162被過(guò)刻甚至被刻光。但即便出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極162也刻蝕了，第一電極161也能很好地與該導(dǎo)線19b電連接。
[0084]如圖8所示，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，對(duì)圖5所示的制備方法進(jìn)行部分修改，相同的部分不再重述。所述TFT陣列基板的制造方法還包括在S106形成與所述像素電極163同層的兩個(gè)第四電極164,結(jié)合參考圖4,所述兩個(gè)第四電極164被所述源極電極17a和漏極電極17b覆蓋，并分別通過(guò)所述兩個(gè)第一過(guò)孔151電連接所述半導(dǎo)體層14和所述源極電極17a和漏極電極17b。由于兩個(gè)第四電極164分別覆蓋了兩個(gè)第一過(guò)孔151所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14，因此既能防止在刻蝕形成像素電極163和第一電極161時(shí)對(duì)第一過(guò)孔151所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14造成影響，而起到保護(hù)半導(dǎo)體層14的作用，又可以改善此處的歐姆接觸性能。[0085]其中，所述公共電極19a、導(dǎo)線19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的材料可以為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化錫、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋅中的一種或其組合。所述公共電極19a、導(dǎo)線19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的厚度均為大于等于20nm,小于等于300nm。更進(jìn)一步地,所述公共電極19a、導(dǎo)電19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的厚度均為大于等于50nm,小于等于IOOnm ;所述刻蝕阻擋層15為氧化硅；所述鈍化層18和柵極絕緣層13為氧化硅、氮化硅氧化硅、或氮化硅中的兩種或者多種的任意組合所構(gòu)成的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。柵極121的材料根據(jù)不同的器件結(jié)構(gòu)和工藝要求可以進(jìn)行選擇，通常被采用的金屬有Mo、Cu、Ti及其合金等，厚度一般采用200nm-350nm?，F(xiàn)在半導(dǎo)體層14廣為使用的材料為銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(ITGO)、銦鋅氧化物(IZO)等，以及與其相關(guān)的不同比例的配合物?？涛g阻擋層15其材料因不同的工藝要求而不同，通常需用如氧化硅等無(wú)機(jī)絕緣材料，其目的是為了減少在數(shù)據(jù)線圖形化的過(guò)程中，對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜造成傷害。
[0086]本實(shí)施例的TFT陣列基板及其制造方法，由于在第二電極162的下方層疊接觸設(shè)置了第一電極161，能夠在進(jìn)行第二過(guò)孔201刻蝕時(shí)，即便在刻蝕該第二過(guò)孔201的過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極162也刻蝕了，第一電極161也能很好地與導(dǎo)線19b電連接，使得第二過(guò)孔201處的電連接正常工作，保證TFT陣列的正常工作，并且，由于兩個(gè)第四電極164分別覆蓋了兩個(gè)第一過(guò)孔151所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14，因此既能防止在刻蝕形成像素電極163和第一電極161時(shí)對(duì)第一過(guò)孔151所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14造成影響，而起到保護(hù)半導(dǎo)體層14的作用，又可以改善此處的歐姆接觸性能。即本實(shí)施例改善了 TFT陣列的性能，提高了整個(gè)TFT陣列的良品率，降低了生產(chǎn)成本。
[0087]本發(fā)明實(shí)施例二，圖9為本發(fā)明的實(shí)施例二的一種TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)剖面圖。如圖9所示，本發(fā)明的一種TFT陣列基板主要包括:基板11 ;柵極121，位于基板11之上，其中柵極121可以與基板11直接接觸，也可以不與基板11直接接觸；柵極絕緣層13，位于基板11和柵極121之上，且覆蓋整個(gè)基板11范圍；半導(dǎo)體層14，位于柵極絕緣層13之上，且位于所述柵極121上方；刻蝕阻擋層15，位于柵極絕緣層13和半導(dǎo)體層14之上，暴露出半導(dǎo)體層14 ;像素電極163，位于柵極絕緣層13之上；源極電極17a和漏極電極17b，位于柵極121之上，且與半導(dǎo)體層14電連接，源極電極17a和漏極電極17b都與刻蝕阻擋層15直接接觸，并且都具有交疊部分，在交疊處源極電極17a和漏極電極17b都位于刻蝕阻擋層15上，且源極電極17a和漏極電極17b絕緣，漏極電極17b (當(dāng)然也可以是源極電極17a)與像素電極163直接接觸，并且具有交疊部分，在交疊處漏極電極17b位于像素電極163上；鈍化層18，位于源極電極17a、漏極電極17b和刻蝕阻擋層15之上，且覆蓋整個(gè)基板11范圍；公共電極19a，位于鈍化層18上，工作時(shí)，該公共電極19a與像素電極163之間形成橫向電場(chǎng)。
[0088]該TFT陣列基板還包括導(dǎo)電端子和貫穿鈍化層18的第二過(guò)孔201，導(dǎo)電端子包括層疊的第一電極161和第二電極162,第一電極161與像素電極163同層,且米用相同材料；第二電極162與源極電極17a和漏極電極17b同層,且米用相同材料；且第一電極161和第二電極163直接接觸；第二過(guò)孔201貫穿該鈍化層18，以暴露出第二電極162。
[0089]該TFT陣列基板還包括與公共電極19a同層的導(dǎo)線1%，該導(dǎo)線19b通過(guò)第二過(guò)孔201電連接該導(dǎo)電端子。這樣，即便在刻蝕該第二過(guò)孔201的過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極162也刻蝕了，第一電極161也能很好地與該導(dǎo)線19b電連接。
[0090]如圖10所示，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，該TFT陣列基板還包括與柵極121同層的第三電極122和貫穿柵極絕緣層13、刻蝕阻擋層15、鈍化層18的第三過(guò)孔202，以暴露出第三電極122。
[0091 ] 該導(dǎo)線19b分別通過(guò)第二過(guò)孔201和第三過(guò)孔202，對(duì)應(yīng)電連接該導(dǎo)電端子和第三電極122。通常第二過(guò)孔201和第三過(guò)孔202同時(shí)刻蝕，但二者的深度不同，第三過(guò)孔202比第二過(guò)孔201深，當(dāng)刻蝕第三過(guò)孔暴露出第三電極122時(shí)，第二過(guò)孔201已經(jīng)被刻蝕完畢并且第二電極162被過(guò)刻甚至被刻光。但即便出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極162也刻蝕了，第一電極161也能很好地與該導(dǎo)線19b電連接。
[0092]如圖11所示，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，所述TFT陣列基板還包括與所述像素電極163同層的兩個(gè)第四電極164，所述兩個(gè)第四電極164被所述源極電極17a和漏極電極17b覆蓋，并且都電連接所述暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14以及所述源極電極17a和漏極電極17b。由于兩個(gè)第四電極164分別覆蓋了暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14，因此既能防止在刻蝕形成像素電極163和第一電極161時(shí)對(duì)第一過(guò)孔151所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14造成影響,而起到保護(hù)半導(dǎo)體層14的作用，又可以改善此處的歐姆接觸性能。
[0093]其中，所述公共電極19a、導(dǎo)線19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的材料可以為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化錫、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋅中的一種或其組合。所述公共電極19a、導(dǎo)線19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的厚度均為大于等于20nm,小于等于300nm。更進(jìn)一步地,所述公共電極19a、導(dǎo)電19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的厚度均為大于等于50nm,小于等于IOOnm ;所述刻蝕阻擋層15為氧化硅；所述鈍化層18和柵極絕緣層13為氧化硅、氮化硅氧化硅、或氮化硅中的兩種或者多種的任意組合所構(gòu)成的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。
[0094]對(duì)應(yīng)該TFT陣列基板，本發(fā)明提供相應(yīng)的TFT陣列基板的制造方法。
[0095]如圖12所示，S201，提供基板11。
[0096]S202,在S201的基礎(chǔ)上,在基板11鋪一層?xùn)艠O金屬層，圖案化該柵極金屬層形成柵極121其中，柵極121可以是直接接觸基板11，也可以是不直接接觸基板11。
[0097]S203，在S202的基礎(chǔ)上形成柵極絕緣層13，且柵極絕緣層13覆蓋整個(gè)基板11。
[0098]S204，在S203的基礎(chǔ)上形成氧化物半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體層14，且半導(dǎo)體層14位于柵極121上方。
[0099]S205，在S204的基礎(chǔ)上形成刻蝕阻擋層15，刻蝕阻擋層15位于柵極絕緣層13和半導(dǎo)體層14之上，圖案化刻蝕阻擋層15，暴露出半導(dǎo)體層14。
[0100]S206,在S205的基礎(chǔ)上形成像素電極163和第一電極161,像素電極163和第一電極161位于柵極絕緣層13之上，且第一電極161與像素電極163同層，且采用相同材料。
[0101]S207，在S206的基礎(chǔ)上形成源極電極17a、漏極電極17b和第二電極162，第二電極162與源極電極17a和漏極電極17b同層，且采用相同材料；源極電極17a和漏極電極17b位于柵極121之上，且與半導(dǎo)體層14電連接，源極電極17a和漏極電極17b都與刻蝕阻擋層15直接接觸，并且都具有交疊部分，在交疊處源極電極17a和漏極電極17b都位于刻蝕阻擋層15上，且源極電極17a和漏極電極17b絕緣，漏極電極17b(當(dāng)然也可以是源極電極17a)與像素電極163直接接觸，并且具有交疊部分，在交疊處漏極電極17b位于像素電極163上；第二電極163和第一電極161組成導(dǎo)電端子,且第二電極163層疊于第一電極161之上并且第一電極161和第二電極163直接接觸。
[0102]S208，在S207的基礎(chǔ)上形成鈍化層18，位于源極電極17a和漏極電極17b和第二電極163之上，且覆蓋整個(gè)基板11范圍，圖案化所述鈍化層18形成第二過(guò)孔202，第二過(guò)孔201貫穿該鈍化層18，以暴露出第二電極162 ；
[0103]S209，在S208的基礎(chǔ)上形成公共電極19a和與公共電極19a同層的導(dǎo)線19b，公共電極19a和導(dǎo)線19b位于鈍化層18上，工作時(shí)，該公共電極19a與像素電極163之間形成橫向電場(chǎng)該導(dǎo)線19b通過(guò)第二過(guò)孔201電連接該導(dǎo)電端子。這樣，即便在刻蝕該第二過(guò)孔201的過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極162也刻蝕了，第一電極161也能很好地與該導(dǎo)線19b電連接。
[0104]如圖13所示，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，對(duì)圖12所示的制備方法進(jìn)行部分修改，相同的部分不再重述。該TFT陣列基板的制造方法還包括在S202還形成與柵極121同層的第三電極122，在S208，圖案化所述鈍化層18還形成貫穿柵極絕緣層13、刻蝕阻擋層15、鈍化層18的第三過(guò)孔202，以暴露出第三電極122。結(jié)合圖10，導(dǎo)線19b分別通過(guò)第二過(guò)孔201和第三過(guò)孔202，對(duì)應(yīng)電連接該導(dǎo)電端子和第三電極122。通常第二過(guò)孔201和第三過(guò)孔202同時(shí)刻蝕，但二者的深度不同，第三過(guò)孔202比第二過(guò)孔201深，當(dāng)刻蝕第三過(guò)孔暴露出第三電極122時(shí)，第二過(guò)孔201已經(jīng)被刻蝕完畢并且第二電極162被過(guò)刻甚至被刻光。但即便出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極162也刻蝕了，第一電極161也能很好地與該導(dǎo)線19b電連接。
[0105]如圖14所示，作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，對(duì)圖12所示的制備方法進(jìn)行部分修改，相同的部分不再重述。該TFT陣列基板的制造方法還包括在S206還形成與所述像素電極163同層的兩個(gè)第四電極164，結(jié)合圖11，兩個(gè)第四電極164分別被源極電極17a和漏極電極17b覆蓋，并且兩個(gè)第四電極164都電連接所述暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14以及所述源極電極17a和漏極電極17b。由于兩個(gè)第四電極164分別覆蓋了暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14，因此既能防止在刻蝕形成像素電極163和第一電極161時(shí)對(duì)第一過(guò)孔151所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14造成影響，而起到保護(hù)半導(dǎo)體層14的作用，又可以改善此處的歐姆接觸性能。
[0106]其中，所述公共電極19a、導(dǎo)線19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的材料可以為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化錫、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋅中的一種或其組合。所述公共電極19a、導(dǎo)線19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的厚度均為大于等于20nm,小于等于300nm。更進(jìn)一步地,所述公共電極19a、導(dǎo)電19b、像素電極163、第一電極161和第四電極164的厚度均為大于等于50nm,小于等于IOOnm ;所述刻蝕阻擋層15為氧化硅；所述鈍化層18和柵極絕緣層13為氧化硅、氮化硅氧化硅、或氮化硅中的兩種或者多種的任意組合所構(gòu)成的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。柵極121的材料根據(jù)不同的器件結(jié)構(gòu)和工藝要求可以進(jìn)行選擇，通常被采用的金屬有Mo、Cu、Ti及其合金等，厚度一般采用200nm-350nm?，F(xiàn)在半導(dǎo)體層14廣為使用的材料為銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(ITGO)、銦鋅氧化物(IZO)等，以及與其相關(guān)的不同比例的配合物?？涛g阻擋層15其材料因不同的工藝要求而不同，通常需用如氧化硅等無(wú)機(jī)絕緣材料，其目的是為了減少在數(shù)據(jù)線圖形化的過(guò)程中，對(duì)氧化物半導(dǎo)體薄膜造成傷害。
[0107]本實(shí)施例的TFT陣列基板及其制造方法，由于在第二電極162的下方層疊接觸設(shè)置了第一電極161，能夠在進(jìn)行第二過(guò)孔201刻蝕時(shí)，即便在刻蝕該第二過(guò)孔201的過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)刻，將第二電極162也刻蝕了，第一電極161也能很好地與導(dǎo)線19b電連接，使得第二過(guò)孔201處的電連接正常工作，保證TFT陣列的正常工作，并且，由于兩個(gè)第四電極164分別覆蓋了兩個(gè)第一過(guò)孔151所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14，因此既能防止在刻蝕形成像素電極163和第一電極161時(shí)對(duì)第一過(guò)孔151所暴露出來(lái)的半導(dǎo)體層14造成影響，而起到保護(hù)半導(dǎo)體層14的作用，又可以改善此處的歐姆接觸性能。即本實(shí)施例改善了 TFT陣列的性能，提高了整個(gè)TFT陣列的良品率，降低了生產(chǎn)成本。
[0108]實(shí)施例三
[0109]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示面板(未圖示)，包括相對(duì)設(shè)置的彩膜基板和TFT陣列基板，以及位于二者之間的液晶層。TFT陣列基板采用實(shí)施例一、二所示的結(jié)構(gòu)。
[0110]上述實(shí)施例一、二中的TFT陣列基板均包括公共電極19a，公共電極19a和像素電極163形成橫向電場(chǎng)。但作為另一種優(yōu)選的實(shí)施方式，TFT陣列基板也可以不包含該公共電極19a，但此時(shí)彩膜基板靠近液晶層的一側(cè)設(shè)置有上基板公共電極(未圖示)，與像素電極163形成垂向電場(chǎng)。
[0111]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板，包括: 基板； 柵極，位于所述基板之上； 柵極絕緣層，位于所述基板和柵極之上； 半導(dǎo)體層，位于所述柵極絕緣層之上； 像素電極，位于所述刻?hào)艠O絕緣層之上； 源極和漏極，位于所述半導(dǎo)體層和像素電極之上，所述源極和漏極分別與所述半導(dǎo)體層電連接，所述源極/漏極與所述像素電極直接接觸； 鈍化層，位于所述源極和漏極之上； 所述TFT陣列基板還包括導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子包括層疊的第一電極和第二電極，所述第一電極與所述像素電極同層，所述第二電極與所述源極和漏極同層；所述第一電極和第二電極直接接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于所述源極和漏極之間的區(qū)域，并且位于所述鈍化層和所述半導(dǎo)體層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于所述像素電極與所述半導(dǎo)體層之間，所述源極和漏極分別通過(guò)貫穿所述刻蝕阻擋層的第一過(guò)孔與所述半導(dǎo)體層連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括與所述柵極同層的第三電極；公共電極和導(dǎo)線，所述公共電極和所述導(dǎo)線同層；所述導(dǎo)線通過(guò)一個(gè)貫穿所述鈍化層的第二過(guò)孔和一貫穿所述柵極絕緣層、刻蝕阻擋層、鈍化層的第三過(guò)孔，對(duì)應(yīng)電連接所述第二電極和第三電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括與所述像素電極同層的第四電極，所述第四電極被所述源極和漏極覆蓋，并通過(guò)所述第一過(guò)孔電連接所述半導(dǎo)體層和所述源極和漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二電極通過(guò)公共電極連接于所述第三電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的材料為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化錫、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的厚度均為大于等于20nm，小于等于300nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的厚度均為大于等于50nm,小于等于lOOnm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層為氧化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述鈍化層和柵極絕緣層為氧化硅、氮化硅氧化硅、或氮化硅中的兩種或者多種的任意組合所構(gòu)成的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。
12.—種TFT陣列基板的制造方法，包括: 提供基板；在所述基板之上形成柵極和第三電極； 在所述基板和柵極之上形成柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層之上形成半導(dǎo)體層，且位于所述柵極的上方； 在所述柵極絕緣層之上形成像素電極和第一電極，所述第一電極與所述像素電極同層； 在所述半導(dǎo)體層和像素電極之上形成源極和漏極，所述源極和漏極分別與所述半導(dǎo)體層電連接，所述源極/漏極與所述像素電極直接接觸，在所述第一電極之上形成第二電極，所述第二電極層疊于所述第一電極之上并直接接觸第一電極，所述第二電極與所述源極和漏極同層； 在所述源極和漏極之上形成鈍化層，刻蝕鈍化層形成第二過(guò)孔和第三過(guò)孔，所述第二過(guò)孔暴露部分第二電極，所述第三過(guò)孔暴露部分第三電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述 的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述鈍化層和所述半導(dǎo)體層之間形成刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層位于所述源極和漏極之間的區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的，其特征在于，在所述像素電極與所述半導(dǎo)體層之間形成刻蝕阻擋層，所述源極和漏極分別通過(guò)貫穿所述刻蝕阻擋層的第一過(guò)孔與所述半導(dǎo)體層連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括形成第四電極；所述第四電極通過(guò)所述第一過(guò)孔接觸所述半導(dǎo)體層，后續(xù)形成的源極和漏極覆蓋所述第四電極，并通過(guò)所述第四電極和第一過(guò)孔電連接所述半導(dǎo)體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括形成第三電極、公共電極和導(dǎo)線，所述第三電極與所述柵極同層，所述公共電極和所述導(dǎo)線同層，所述導(dǎo)線通過(guò)一個(gè)貫穿所述鈍化層的第二過(guò)孔和一貫穿所述柵極絕緣層、刻蝕阻擋層、鈍化層的第三過(guò)孔，對(duì)應(yīng)電連接所述第二電極和第三電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述第二電極通過(guò)公共電極連接于所述第三電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求12-15任一所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的材料為氧化銦錫、氧化鋁鋅、氧化銦鋅、氧化錫、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋅。
19.根據(jù)權(quán)利要求12-15任一所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的厚度均為大于等于20nm，小于等于300nm。
20.根據(jù)權(quán)利要求12-15任一所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述公共電極、像素電極、第一電極和第四電極的厚度均大于等于50nm，小于等于lOOnm。
21.根據(jù)權(quán)利要求12-15任一所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層為氧化硅。
22.根據(jù)權(quán)利要求12-15任一所述的TFT陣列基板的制造方法，其特征在于，所述鈍化層和柵極絕緣層為氧化硅、氮化硅氧化硅、或氮化硅中的兩種或者多種的任意組合所構(gòu)成的復(fù)合層結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK103928455SQ201310013063
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年1月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月15日
【發(fā)明者】姜文鑫, 樓均輝 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司