專利名稱：太陽能電池片及其擴(kuò)散方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種太陽能電池片及其擴(kuò)散方法。
背景技術(shù)：
太陽能電池，也稱光伏電池，是一種將太陽的光能直接轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件。由于它是綠色環(huán)保產(chǎn)品，不會(huì)引起環(huán)境污染，而且是可再生資源，所以在當(dāng)今能源短缺的情形下，太陽能電池是一種有廣闊發(fā)展前途的新型能源。目前的太陽能電池片的生產(chǎn)過程可以分為以下幾個(gè)主要步驟
1、損傷層的去除及絨面制備，通過化學(xué)反應(yīng)除去硅片表面的切割損傷層，同時(shí)得到合理的粗糙表面，以增強(qiáng)光的吸收。2、擴(kuò)散制作PN結(jié)，將P型的硅片放入擴(kuò)散爐內(nèi)，通過硅原子之間的空隙使N型雜質(zhì)原子由硅片表面層向硅片內(nèi)部擴(kuò)散，形成PN結(jié)，使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣便形成電流，也就使硅片具有光伏效應(yīng)。3、表面PSG (phosphate silicate glass,即磷娃玻璃)的去除,去除娃片在擴(kuò)散的過程中表面生成的PSG，避免因玻璃層的存在而影響金屬電極與硅片的接觸，從而提高電池的轉(zhuǎn)換效率。4、周邊PN的去除，去除擴(kuò)散過程中在硅片邊緣形成的將PN結(jié)短路的導(dǎo)電層。5、減反射層的制備，在硅片表面沉積一層氮化硅減反射層，利用薄膜干涉原理，減少光的反射，起到鈍化作用，增大電池的短路電流和輸出功率，提高轉(zhuǎn)換效率。6、金屬化過程，即背電極、背電場(chǎng)和正電極的印刷和燒結(jié)過程，采用銀漿印刷正電極和背電極，采用鋁漿印刷背電場(chǎng)，以收集電流并起到導(dǎo)電的作用，燒結(jié)是在高溫下使印刷的電極與硅片之間形成歐姆接觸。其中，擴(kuò)散制作PN結(jié)是太陽能電池生產(chǎn)的關(guān)鍵步驟，PN結(jié)的質(zhì)量則直接決定著太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。現(xiàn)有的擴(kuò)散方法中，在向擴(kuò)散爐中通入含三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕膺M(jìn)行沉積后，將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至一定溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣一步推進(jìn)磷的擴(kuò)散，持續(xù)一段時(shí)間后直接對(duì)擴(kuò)散爐進(jìn)行降溫，直至完成擴(kuò)散工藝。但在實(shí)際生產(chǎn)的過程中，發(fā)明人經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，采用現(xiàn)有技術(shù)的擴(kuò)散方法生產(chǎn)的太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率普遍較低。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種太陽能電池片及其擴(kuò)散方法，通過高溫有氧和高溫?zé)o氧兩步推進(jìn)磷擴(kuò)散，在降低硅片表面雜質(zhì)濃度的同時(shí)提高了擴(kuò)散的均勻性，提高了太陽能電池對(duì)光的吸收率，從而提高了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案一種擴(kuò)散方法，其特征在于，包括
A、將硅片放入擴(kuò)散爐中；B、將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至第一溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐中通入含三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕?，保持時(shí)間為第一時(shí)間；C、將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至第二溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第二時(shí)間，其中，第二溫度大于第一溫度；D、保持?jǐn)U散爐內(nèi)溫度為第二溫度，停止向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第三時(shí)間；E、對(duì)擴(kuò)散爐進(jìn)行降溫，降溫結(jié)束后取出硅片。優(yōu)選的，所述第一溫度的范圍為780°C 80(TC，包括端點(diǎn)值，所述第二溫度的范圍為820°C 840°C，包括端點(diǎn)值。 優(yōu)選的，所述第一時(shí)間的范圍為11. 5mirTl3. 5min，包括端點(diǎn)值，所述第二時(shí)間的范圍為10mirTl5min,包括端點(diǎn)值,所述第三時(shí)間的范圍為2mirT5min,包括端點(diǎn)值。優(yōu)選的，所述步驟B中含三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕獾臍怏w流量比為2:廣3:1，包括端點(diǎn)值。優(yōu)選的，所述步驟C中氧氣的流量為1000sccnT2000sccm,包括端點(diǎn)值。優(yōu)選的，在所述步驟B之前，還包括步驟向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第四時(shí)間，其中，所述第四時(shí)間的范圍為lmirT3min，包括端點(diǎn)值。優(yōu)選的，在所述步驟D之后，還包括步驟將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度降至第三溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氮?dú)?，保持時(shí)間為第五時(shí)間，其中，所述第三溫度的范圍為730°C ^750°C,包括端點(diǎn)值，所述第五時(shí)間的范圍為10mirTl5min,包括端點(diǎn)值，所述氮?dú)獾牧髁繛?000sccnT2000sccm，包括端點(diǎn)值。一種采用上述方法生產(chǎn)的太陽能電池片。優(yōu)選的,所述太陽能電池片的PN結(jié)結(jié)深的范圍為O. 4unT0. 6um,包括端點(diǎn)值。優(yōu)選的，所述太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的范圍為17. 09Γ17. 5%，包括端點(diǎn)值。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明提供的太陽能電池片及其擴(kuò)散方法，通過高溫有氧和高溫?zé)o氧兩步推進(jìn)磷擴(kuò)散，在保證雜質(zhì)磷原子由硅片表面向硅片內(nèi)部擴(kuò)散的同時(shí)，避免了因硅片表面二氧化硅層過厚，而影響雜質(zhì)的擴(kuò)散以及磷硅玻璃去除的問題，并且采用本發(fā)明提供的擴(kuò)散方法，增加了擴(kuò)散雜質(zhì)的濃度梯度分布和載流子壽命，在降低硅片表面雜質(zhì)濃度的同時(shí)提高了擴(kuò)散的均勻性，從而提高了太陽能電池在短波段內(nèi)的光譜響應(yīng)度，提高了太陽能電池對(duì)光的吸收率，進(jìn)而提聞了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例一公開的擴(kuò)散方法的流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例二公開的擴(kuò)散方法的流程圖3為本發(fā)明實(shí)施例三公開的擴(kuò)散方法的流程圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例四公開的擴(kuò)散方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)所述，采用現(xiàn)有技術(shù)的擴(kuò)散方法生產(chǎn)的太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率普遍偏低，發(fā)明人經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中只采用高溫有氧推進(jìn)磷擴(kuò)散，這樣會(huì)使硅片表面形成的二氧化硅層過厚，不利于雜質(zhì)磷原子的擴(kuò)散以及后續(xù)對(duì)磷硅玻璃的去除，從而影響了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。
基于此，本發(fā)明提供了一種擴(kuò)散方法，以克服上述問題，包括將硅片放入擴(kuò)散爐中；將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至第一溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐中通入含三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕?，保持時(shí)間為第一時(shí)間；將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至第二溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第二時(shí)間；保持?jǐn)U散爐內(nèi)溫度為第二溫度，停止向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第三時(shí)間；對(duì)擴(kuò)散爐進(jìn)行降溫，降溫結(jié)束后取出硅片。本發(fā)明所提供的太陽能電池片及其擴(kuò)散方法，通過高溫有氧和高溫?zé)o氧兩步推進(jìn)磷擴(kuò)散，在保證雜質(zhì)磷原子由硅片表面向硅片內(nèi)部擴(kuò)散的同時(shí)，避免了因硅片表面二氧化硅層過厚，而影響雜質(zhì)的擴(kuò)散以及磷硅玻璃去除的問題，并且采用本發(fā)明提供的擴(kuò)散方法，增加了擴(kuò)散雜質(zhì)的濃度梯度分布和載流子壽命，在降低硅片表面雜質(zhì)濃度的同時(shí)提高了擴(kuò)散的均勻性，從而提高了太陽能電池在短波段內(nèi)的光譜響應(yīng)度，提高了太陽能電池對(duì)光的吸收率，進(jìn)而提高了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。以上是本發(fā)明的核心思想，為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。下面通過幾個(gè)實(shí)施例詳細(xì)描述。實(shí)施例一本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法的流程圖如圖1所示，包括步驟SlOl :將硅片放入擴(kuò)散爐中。其中，所述硅片為太陽能電池生產(chǎn)過程中待擴(kuò)散的硅片。S102 :將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至第一溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐中通入含三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕?，保持時(shí)間為第一時(shí)間。其中，所述第一溫度的范圍為780V 800°C，包括端點(diǎn)值，所述第一時(shí)間的范圍
11.5mirTl3. 5min，包括端點(diǎn)值，所述含三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕獾臍怏w流量比為2: f 3:1，包括端點(diǎn)值。此步驟所起的作用是將雜質(zhì)沉積在硅片表面，形成一定濃度，便于后續(xù)步驟中雜質(zhì)進(jìn)一步向娃片內(nèi)擴(kuò)散形成PN結(jié)。S103 :將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至第二溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第二時(shí)間，其中，第二溫度大于第一溫度。其中，所述第二溫度的范圍為820°C 840°C，包括端點(diǎn)值，所述第二時(shí)間的范圍為10min"l5min,包括端點(diǎn)值,所述氧氣的流量為1000sccnT2000sccm,包括端點(diǎn)值。在娃片表面形成一定的雜質(zhì)濃度后，將溫度升高至820°C 840°C，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，這樣就會(huì)使娃片表面的雜質(zhì)進(jìn)一步向娃片內(nèi)部擴(kuò)散，形成具有一定結(jié)深的PN結(jié)。S104:保持?jǐn)U散爐內(nèi)溫度為第二溫度，停止向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第三時(shí)間。其中，所述第二溫度的范圍為820°C 840°C，包括端點(diǎn)值，所述第三時(shí)間的范圍為2mirT5min，包括端點(diǎn)值。此步驟是在無氧的條件下進(jìn)行的，停止通入氧氣是為了避免因氧氣過多而造成硅片表面的二氧化硅層過厚，二氧化硅層過厚不僅會(huì)影響雜質(zhì)磷原子的擴(kuò)散，也會(huì)對(duì)磷硅玻璃的去除造成困難，使去除磷硅玻璃后的硅片表面不合格，從而最終影響 硅片的性能。S105 :對(duì)擴(kuò)散爐進(jìn)行降溫，降溫結(jié)束后取出硅片。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法，取消了在擴(kuò)散前對(duì)硅片進(jìn)行氧化的步驟，這是因?yàn)閷?shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，此步驟對(duì)太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率無影響，但是可能會(huì)導(dǎo)致硅片表面的二氧化硅層過厚，不利于雜質(zhì)的擴(kuò)散，因此，本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法中取消了此步驟，避免了硅片表面二氧化硅層過厚而影響雜質(zhì)擴(kuò)散的問題，同時(shí)節(jié)約了工藝步驟和工藝時(shí)間，并且本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法，通過高溫有氧和高溫?zé)o氧推進(jìn)磷擴(kuò)散，在保證雜質(zhì)由硅片表面向硅片內(nèi)部擴(kuò)散的同時(shí)，避免了因硅片表面二氧化硅層過厚，而影響磷原子的擴(kuò)散以及磷硅玻璃去除的問題。實(shí)施例二本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法的流程圖如圖2所示，具體步驟如下所示步驟S201 S204與步驟SlOl S104相同，在此不再贅述。S205 :將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度降至第三溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氮?dú)?，保持時(shí)間為第五時(shí)間。其中，所述第三溫度的范圍為730°C 750°C，包括端點(diǎn)值，所述第五時(shí)間的范圍為10mirTl5min，包括端點(diǎn)值，所述氮?dú)獾牧髁繛?000sccnT2000sccm，包括端點(diǎn)值。硅片在擴(kuò)散完成后直接降溫出爐，會(huì)導(dǎo)致溫差過大，此時(shí)硅片中殘余的熱應(yīng)力會(huì)使硅片彎曲或碎裂。因此，本實(shí)施例提供的擴(kuò)散方法中，在擴(kuò)散爐溫度降至730°C 750°C后，通入氮?dú)猓⒊掷m(xù)一段時(shí)間，通過氮?dú)獾牧魍▉斫档凸杵臏囟龋苊饬顺鰻t時(shí)硅片中殘余的熱應(yīng)力使硅片彎曲或碎裂的問題，其中，氮?dú)獠⒉慌c擴(kuò)散爐中的硅片以及雜質(zhì)等物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。S206 :擴(kuò)散爐降溫結(jié)束后取出娃片。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法，取消了在擴(kuò)散前對(duì)硅片進(jìn)行氧化的步驟，避免了硅片表面二氧化硅層過厚而影響雜質(zhì)擴(kuò)散的問題，同時(shí)節(jié)約了工藝步驟和工藝時(shí)間，并且本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法，通過高溫有氧和高溫?zé)o氧推進(jìn)磷擴(kuò)散，在保證雜質(zhì)由硅片表面向硅片內(nèi)部擴(kuò)散的同時(shí)，避免了因硅片表面二氧化硅層過厚，而影響磷原子的擴(kuò)散以及磷硅玻璃去除的問題，此外，本實(shí)施例提供的擴(kuò)散方法，在擴(kuò)散爐降溫時(shí)，向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氮?dú)?，通過氮?dú)獾牧魍▉斫档凸杵臏囟?，避免了出爐時(shí)硅片中殘余的熱應(yīng)力使硅片彎曲或碎裂的問題。
實(shí)施例三本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法的流程圖如圖3所示，具體步驟如下所示S301 :將硅片放入擴(kuò)散爐中。其中，所述硅片為太陽能電池生產(chǎn)過程中，待擴(kuò)散的硅片。S302 :向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第四時(shí)間。其中，所述第四時(shí)間的范圍為lmirT3min，包括端點(diǎn)值。雖然取消了在擴(kuò)散前對(duì)硅片進(jìn)行氧化的步驟，可以避免硅片表面二氧化硅層過厚而影響雜質(zhì)擴(kuò)散的問題，但是在硅片擴(kuò)散之前向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，可以將形成的一定厚度的二氧化硅層作為擴(kuò)散時(shí)的掩蔽膜，來減少擴(kuò)散中雜質(zhì)的高濃度對(duì)硅片晶格造成的損傷，因此，本實(shí)施例中，通過減少通入氧氣的時(shí)間來降低了二氧化硅層的厚度，既避免了硅片表面二氧化硅層過厚的問題，又實(shí)現(xiàn)了其掩蔽膜的作用。步驟S303 S307與步驟S202 S206相同，在此不再贅述。本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法，在擴(kuò)散前對(duì)硅片進(jìn)行了氧化，通過減少氧化時(shí)間來降低了二氧化硅層的厚度，既避免了硅片表面二氧化硅層過厚的問題，又減少了擴(kuò)散中雜質(zhì)的高濃度對(duì)硅片晶格造成的損傷，并且本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法，通過高溫有氧和高溫?zé)o氧推進(jìn)磷擴(kuò)散，在保證雜質(zhì)由硅片表面向硅片內(nèi)部擴(kuò)散的同時(shí)，避免了因硅片表面二氧化硅層過厚，而影響磷原子的擴(kuò)散以及磷硅玻璃去除的問題，此外，本實(shí)施例提供的擴(kuò)散方法，在擴(kuò)散爐降溫時(shí)，向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氮?dú)?，通過氮?dú)獾牧魍▉斫档凸杵臏囟?，避免了出爐時(shí)硅片中殘余的熱應(yīng)力使硅片彎曲或碎裂的問題。實(shí)施例四
本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法的流程圖如圖4所示，包括步驟S401 S405與步驟S301 S305相同，在此不再贅述。S406 :對(duì)擴(kuò)散爐進(jìn)行降溫，降溫結(jié)束后取出硅片。本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法，在擴(kuò)散前對(duì)硅片進(jìn)行了氧化，通過減少氧化時(shí)間來降低了二氧化硅層的厚度，既避免了硅片表面二氧化硅層過厚的問題，又減少了擴(kuò)散中雜質(zhì)的高濃度對(duì)硅片晶格造成的損傷，并且本實(shí)施例公開的擴(kuò)散方法，通過高溫有氧和高溫?zé)o氧推進(jìn)磷擴(kuò)散，在保證雜質(zhì)由硅片表面向硅片內(nèi)部擴(kuò)散的同時(shí)，避免了因硅片表面二氧化硅層過厚，而影響磷原子的擴(kuò)散以及磷硅玻璃去除的問題。實(shí)施例五本實(shí)施例公開了一種由上述任一實(shí)施例的方法生產(chǎn)的太陽能電池片。其中，所述太陽能電池片的PN結(jié)結(jié)深的范圍為O. 4unT0. 6um，包括端點(diǎn)值，所述太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的范圍為17. 09Γ17. 5%，包括端點(diǎn)值。采用上述任一實(shí)施例提供的擴(kuò)散方法，都可以增加擴(kuò)散雜質(zhì)的濃度梯度分布和載流子壽命，在降低硅片表面雜質(zhì)濃度的同時(shí)可以提高擴(kuò)散的均勻性，從而提高生產(chǎn)的太陽能電池在短波段內(nèi)的光譜響應(yīng)度，提高太陽能電池對(duì)光的吸收率，進(jìn)而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的 最寬的范圍。
權(quán)利要求
1.一種擴(kuò)散方法，其特征在于，包括A、將硅片放入擴(kuò)散爐中；B、將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至第一溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐中通入含三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕?，保持時(shí)間為第一時(shí)間；C、將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至第二溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第二時(shí)間，其中，第二溫度大于第一溫度；D、保持?jǐn)U散爐內(nèi)溫度為第二溫度，停止向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第三時(shí)間；E、對(duì)擴(kuò)散爐進(jìn)行降溫，降溫結(jié)束后取出硅片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散方法，其特征在于，所述第一溫度的范圍為 780V 800°C，包括端點(diǎn)值，所述第二溫度的范圍為820°C 840°C，包括端點(diǎn)值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散方法，其特征在于，所述第一時(shí)間的范圍為 11. 5mirTl3. 5min,包括端點(diǎn)值,所述第二時(shí)間的范圍為IOmirTl5min,包括端點(diǎn)值,所述第三時(shí)間的范圍為2mirT5min，包括端點(diǎn)值。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的擴(kuò)散方法，其特征在于，所述步驟B中含三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕獾臍怏w流量比為2:1 3:1,包括端點(diǎn)值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的擴(kuò)散方法，其特征在于，所述步驟C中氧氣的流量為 1000sccnT2000sccm，包括端點(diǎn)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的擴(kuò)散方法，其特征在于，在所述步驟B之前，還包括步驟向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第四時(shí)間，其中，所述第四時(shí)間的范圍為lmirT3min，包括端點(diǎn)值。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的擴(kuò)散方法，其特征在于，在所述步驟D之后，還包括步驟 將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度降至第三溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氮?dú)猓３謺r(shí)間為第五時(shí)間，其中，所述第三溫度的范圍為730°C 750°C，包括端點(diǎn)值，所述第五時(shí)間的范圍為10mirTl5min，包括端點(diǎn)值，所述氮?dú)獾牧髁繛?000sccnT2000sccm，包括端點(diǎn)值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的方法生產(chǎn)的太陽能電池片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池片，其特征在于，所述太陽能電池片的PN結(jié)結(jié)深的范圍為O. 4unT0. 6um,包括端點(diǎn)值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽能電池片，其特征在于，所述太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的范圍為17. 09Γ17. 5%，包括端點(diǎn)值。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種太陽能電池片及其擴(kuò)散方法，包括將硅片放入擴(kuò)散爐中；將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至第一溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐中通入含三氯氧磷的氮?dú)夂脱鯕?，保持時(shí)間為第一時(shí)間；將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度升至第二溫度，同時(shí)向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第二時(shí)間；保持?jǐn)U散爐內(nèi)溫度為第二溫度，停止向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氧氣，保持時(shí)間為第三時(shí)間；對(duì)擴(kuò)散爐進(jìn)行降溫，降溫結(jié)束后取出硅片。本發(fā)明公開的擴(kuò)散方法，通過高溫有氧和高溫?zé)o氧兩步推進(jìn)磷擴(kuò)散，在降低硅片表面雜質(zhì)濃度的同時(shí)提高了擴(kuò)散的均勻性，提高了太陽能電池對(duì)光的吸收率，從而提高了太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號(hào)H01L31/18GK103022265SQ201310008948
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2013年1月10日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月10日
發(fā)明者劉莉麗 申請(qǐng)人:英利集團(tuán)有限公司