包括多層空穴傳輸層的有機(jī)發(fā)光裝置以及包括該裝置的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】有機(jī)發(fā)光裝置，其包括在第一和第二電極之間的發(fā)射層、在發(fā)射層和第一電極之間的并且包含第一空穴傳輸化合物和第一電子受體的第一空穴傳輸層、在發(fā)射層和第一空穴傳輸層之間的并且包含第二空穴傳輸化合物的第二空穴傳輸層、在發(fā)射層和第二空穴傳輸層之間的并且包含第三空穴傳輸化合物和第二電子受體的第三空穴傳輸層、在發(fā)射層和第三空穴傳輸層之間的并且包含第四空穴傳輸化合物的第四空穴傳輸層、在發(fā)射層和第四空穴傳輸層之間的緩沖層以及包含基于嘧啶的化合物的電子傳輸層。
【專(zhuān)利說(shuō)明】包括多層空穴傳輸層的有機(jī)發(fā)光裝置以及包括該裝置的有
機(jī)發(fā)光顯TF設(shè)備
[0001]相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)的引用
[0002]本申請(qǐng)根據(jù)要求于2012年6月27日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2012-0069476號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，所述申請(qǐng)其的全部公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用的方式以整體形勢(shì)并入本文作為參考。
[0003]背景
[0004]為自發(fā)射裝置的有機(jī)發(fā)光裝置具有諸如廣視角、優(yōu)異對(duì)比度、快速響應(yīng)、高亮度、優(yōu)異的驅(qū)動(dòng)電壓特性的優(yōu)勢(shì)，并且可以提供多色圖像。由于這些特性，所以有機(jī)發(fā)光裝置已經(jīng)受到越來(lái)越多的關(guān)注。
[0005]概述
[0006]實(shí)施方案可以通過(guò)提供有機(jī)發(fā)光裝置而實(shí)現(xiàn)，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括襯底、布置在所述襯底上的第一電極、與所述第一電極相對(duì)布置的第二電極、在所述第一電極和第二電極之間布置的發(fā)射層、在所述發(fā)射層和所述第一電極之間布置并且包含第一空穴傳輸化合物和第一電子受體 的第一空穴傳輸層、在所述發(fā)射層和所述第一空穴傳輸層之間布置的并且包含第二空穴傳輸化合物的第二空穴傳輸層、在所述發(fā)射層和所述第二空穴傳輸層之間布置的并且包含第三空穴傳輸化合物和第二電子受體的第三空穴傳輸層、在所述發(fā)生層和所述第三空穴傳輸層之間布置的并且包含第四空穴傳輸化合物的第四空穴傳輸層、在所述發(fā)射層和所述第四空穴傳輸層之間布置的緩沖層、以及在所述發(fā)射層和所述第二電極之間布置的并且包含基于嘧 啶的化合物的電子傳輸層。
[0007]第一空穴傳輸化合物和第三空穴傳輸化合物各自獨(dú)立地為由通式I表示的化合物，并且第二空穴傳輸層和第四空穴傳輸層各自獨(dú)立地為由通式2表示的化合物:
[0008]通式I
[0009]
【權(quán)利要求】
1.有機(jī)發(fā)光裝置，包括: 襯底； 在所述襯底上的第一電極； 與所述第一電極相對(duì)的第二電極； 在所述第一電極層和所述第二電極層之間的發(fā)射層； 在所述發(fā)射層和所述第一電極之間的第一空穴傳輸層，所述第一空穴傳輸層包含第一空穴傳輸化合物和第一電子受體； 在所述發(fā)射層和所述第一空穴傳輸層之間的第二空穴傳輸層，所述第二空穴傳輸層包含第二空穴傳輸化合物； 在所述發(fā)射層和所述第二空穴傳輸層之間的第三空穴傳輸層，所述第三空穴傳輸層包含第三空穴傳輸化合物和第二電子受體； 在所述發(fā)射層和所述第三空穴傳輸層之間的第四空穴傳輸層，所述第四空穴傳輸層包含第四空穴傳輸化合物； 在所述發(fā)射層和所述第四空穴傳輸層之間的緩沖層；以及 在所述發(fā)射層和所述第二電極之間的電子傳輸層，所述電子傳輸層包含基于嘧啶的化合物， 其中，所述第一空穴傳輸化合物和所述第三空穴傳輸化合物各自獨(dú)立地為由通式I表示的化合物，并且第二空穴傳輸化合物和所述第四空穴傳輸化合物各自獨(dú)立地為由通式2表示的化合物:` 通式I

Rsi I?


R5J



r
r\ I Y
Hm m (丄 k


f%4 rK 其中,在通式I中， Ar11和Ar12各自獨(dú)立地為取代或未取代的C6-C3tl亞芳基； e和f各自獨(dú)立地為O至5的整數(shù)； R5I至R?以及R6I至R69各自獨(dú)立地為下列之一:氫原子、氣原子、--原子、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、取代或未取代的C1-C3tl烷基、取代或未取代的C2-C3tl烯基、取代或未取代的C2-C3tl炔基、取代或未取代的C1-C3tl烷氧基、取代或未取代的C3-C3tl環(huán)烷基、取代或未取代的C6-C3tl芳基、取代或未取代的C6-C3tl芳氧基以及取代或未取代的C6-C3tl芳硫基；以及R59為下列之一:取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的聯(lián)苯基以及取代或未取代的吡啶基， 通式2
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一空穴傳輸化合物和第三空穴傳輸化合物各自獨(dú)立地為由通式IA表示的化合物:通式IA
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一空穴傳輸化合物和第三空穴傳輸化合物各自獨(dú)立地為下列化合物301: 化合物301
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第二空穴傳輸化合物和第四空穴傳輸化合物各自獨(dú)立地為由通式2A至2K表示的化合物中的至少一種: 通式2A通式2B權(quán)義執(zhí)柘







5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第二空穴傳輸化合物和第四空穴傳輸化合物各自獨(dú)立地為下列化合物2、8、14、15、16、20、31和35中的至少一種:
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一電子受體和第二電子受體各自獨(dú)立地為下列化合物501和502中的至少一種: 化合物501 化合物502
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述第一空穴傳輸層,所述第一電子受體的量為約I重量份至約3重量份。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述第三空穴傳輸層，所述第二電子受體的量為約I重量份至約3重量份。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一空穴傳輸層和第三空穴傳輸層相同，并且所述第二空穴傳輸層和第四空穴傳輸層相同。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一空穴傳輸層具有約50A至約400 A的厚度，并且所述第二空穴傳輸層具有約200 A至約800 A的厚度。
11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述緩沖層包含第一空穴傳輸化合物。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述緩沖層包含下列化合物301: 化合物301
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述緩沖層具有約100A至約800 A的厚度。
14.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中基于嘧啶的化合物由下列通式3表示: 通式3
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述基于嘧啶的化合物具有約-2.4eV至約-2.SeV的最低未占據(jù)分子軌道能量水平，并且具有約-6.5eV至約-6.0eV的最高占據(jù)分子軌道能量水平。
16.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述基于嘧啶的化合物為下列化合物701至704中的至少一種:
17.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述第一電極和第一空穴傳輸層彼此接觸。`
18.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其還包括在所述第二電極和所述發(fā)射層之間的電子注入層。
19.如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中所述電子注入層包含喹啉鋰(LiQ)、氟化鋰(LiF)和下列化合物101中的至少一種:
20.有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 包括源極、漏極、柵極和活化層的晶體管，以及權(quán)利要求1至19中任一權(quán)利要求所述的有機(jī)發(fā)光裝置，所述源極和漏`極之一與所述有機(jī)發(fā)光裝置的第一電極電連接。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK103515537SQ201310002065
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年1月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月27日
【發(fā)明者】金亨根, 高三一, 樸美花, 郭允鉉, 任子賢, 秋昌雄, 李寬熙 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司