光伏器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的光伏器件(100)具備結(jié)晶類半導(dǎo)體的襯底(10)和形成在襯底(10)的主面上的第一非晶層(12a)，在襯底(10)與第一非晶層(12a)的界面中，具有從與襯底(10)的界面附近起沿膜厚方向呈階梯狀地減少的p型摻雜物密度分布，從而，能夠抑制復(fù)合中心的增加并且提高導(dǎo)電率，能夠提高發(fā)電效率。
【專利說明】光伏器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及光伏器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 已知有在與結(jié)晶類硅襯底和被摻雜的非晶硅層之間形成有實質(zhì)上本征的非晶硅 層的光伏器件。
[0003] 作為提高具有這樣的結(jié)構(gòu)的光伏器件的輸出特性的技術(shù)手段，公開有在硅襯底與 本征非晶硅層的界面局部地導(dǎo)入氧的結(jié)構(gòu)（參照專利文獻1)。
[0004] 另外，公開有在結(jié)晶類硅襯底與P型非晶硅類薄膜之間設(shè)置i型非晶硅薄膜，在結(jié) 晶類硅襯底與i型非晶硅薄膜的界面導(dǎo)入硼（B)的結(jié)構(gòu)（專利文獻2參照）。
[0005] 通過形成為這樣的結(jié)構(gòu)，能夠提高結(jié)晶類硅襯底與非晶硅的界面特性，抑制界面 中的載流子的復(fù)合。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0007] 專利文獻
[0008] 專利文獻1 :特開2003-258287號公報
[0009] 專利文獻2 :特開2001-345463號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0011] 如上所述，在結(jié)晶類硅襯底上設(shè)置非晶硅層的光伏器件中，使結(jié)晶類硅襯底與非 晶硅層的界面中的復(fù)合中心進一步減少，盡可能抑制由界面中的復(fù)合所引起的載流子的消 減是重要的。另外，要求也同時實現(xiàn)在界面附近的串聯(lián)電阻成分的降低。
[0012] 用于解決問題的技術(shù)手段
[0013] 本發(fā)明為一種光伏器件，具備結(jié)晶類半導(dǎo)體的襯底和在襯底的主面上形成的非晶 態(tài)半導(dǎo)體層，在襯底與非晶態(tài)半導(dǎo)體層的界面中，具有從與襯底的界面附近起沿膜厚方向 呈階梯狀地減少的P型摻雜物密度分布。
[0014] 發(fā)明的效果
[0015] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提高光伏器件的光電轉(zhuǎn)換效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 圖1是本發(fā)明的實施方式的光伏器件的剖面圖。
[0017] 圖2是本發(fā)明的實施方式的光伏器件的成膜工序的氣體導(dǎo)入的時間表。
[0018] 圖3是表示本發(fā)明的實施方式的光伏器件的p型摻雜物密度和氧密度的膜厚方向 的分布的圖。

【具體實施方式】
[0019] 如圖1所不，本發(fā)明的實施方式的光伏器件100包括襯底10、第一非晶層12a、第 二非晶層12b、透明導(dǎo)電層14、第三非晶層16a、第四非晶層16b、透明導(dǎo)電層18、第一電極 20和第二電極22。
[0020] 以下，例示光伏器件100的制造方法，并且說明光伏器件100的構(gòu)造。
[0021] 在表1例示光伏器件100的各非晶層的形成條件的例子。此外，本實施方式中使 用的各種成膜條件為一個例子，根據(jù)使用的裝置，應(yīng)適當變更，進行最優(yōu)化。如表1所示，對 乙硼烷（B 2H6)和三磷化氫（PH3)進行氫稀釋。
[0022] [表 1]
[0023]

【權(quán)利要求】
1. 一種光伏器件，其特征在于，包括： 結(jié)晶類半導(dǎo)體的襯底；和 形成在所述襯底的主面上的非晶態(tài)半導(dǎo)體層， 所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層具有從所述襯底與所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層的界面附近起沿膜厚方 向呈階梯狀地減少的P型摻雜物密度分布。
2. 如權(quán)利要求1所述的光伏器件，其特征在于： 所述襯底與所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層的界面附近的2nm以內(nèi)的區(qū)域中的p型摻雜物密度為 lX1018/cm3 以上 5X1019/cm3 以下。
3. 如權(quán)利要求1所述的光伏器件，其特征在于： 所述襯底與所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層的界面附近的2nm以內(nèi)的區(qū)域中的氧密度為1 X 1019/ cm3以上。
4. 如權(quán)利要求1所述的光伏器件，其特征在于： 所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層具有從所述襯底與所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層的界面附近起沿膜厚方 向呈階梯狀地減少的氧密度分布。
5. 如權(quán)利要求3或4所述的光伏器件，其特征在于： 所述襯底與所述非晶態(tài)半導(dǎo)體層的界面附近的2nm以內(nèi)的區(qū)域中的氧密度為p型摻雜 物密度的10倍以上、低于1000倍。
6. 如權(quán)利要求1?5中任一項所述的光伏器件，其特征在于： P型摻雜物密度分布的所述階梯狀部分的膜厚范圍為2nm以上5nm以下。
7. 如權(quán)利要求1?6中任一項所述的光伏器件，其特征在于： P型摻雜物密度分布的所述階梯狀部分的P型摻雜物密度為5X 1017/cm3以上、低于 5X1018/cm3。
【文檔編號】H01L31/04GK104145344SQ201280070921
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2012年3月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月2日
【發(fā)明者】角村泰史, 大鐘章義, 馬場俊明 申請人:三洋電機株式會社