后向發(fā)射的oled設備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明目的在于一種OLED設備（100），其包括呈給定方塊電阻R1的透明陽極，呈給定方塊電阻R2的陰極（3），比率r=R2/R1從0.1至5，第一適配陽極電接觸，和第一陰極電接觸（5a，5d），其自適配陽極電接觸（41）岔開，對于每個適配陽極接觸（41）的任何點B1，通過定義在所述點B1與接觸表面的最接近于所述點B1的點C1之間的距離D1，以及通過定義在所述點B1與相對于第一邊緣（21）的活性區(qū)第二邊緣（22）的點X1之間、經過C1的距離L1，因此定義以下準則：-如果0.1≤r＜1.75，則20%＜D1/L1，-如果1.75≤r＜2.5，則20%＜D1/L1＜90%，-或如果2.5≤r＜3，則20%＜D1/L1＜80%，-或還如果3≤r≤5，則20%＜D1/L1＜70%，以及反射器（6）覆蓋活性區(qū)（20）。
【專利說明】后向發(fā)射的OLED設備

【技術領域】
[0001]本發(fā)明的目的在于后向發(fā)射的有機電致發(fā)光二極管設備。

【背景技術】
[0002]已知的有機電致發(fā)光系統(tǒng)或OLED (對于英語中的“Organic Light EmittingD1des (有機發(fā)光二極管)”)包括有機電致發(fā)光層的堆疊，所述有機電致發(fā)光層由以導電薄層的形式配備它的電極來供電。當電壓被施加在兩個電極之間時，電流穿過有機層，于是通過電致發(fā)光而生成光。
[0003]在后向發(fā)射OLED設備(英語中bottom OLED (底部OLED))中，上電極或陰極是典型地具有小于或等于0.1 Ω /方塊的方塊電阻的反射金屬層，并且下電極或陽極是透明層，其被沉積在玻璃或塑料襯底上，讓所發(fā)射的光通過，其方塊電阻大多個數量級。
[0004]文檔W099/02017觀察到，在陽極和陰極之間方塊電阻的非常大差異同時導致亮度的非均質性、持續(xù)時間和可靠性的減低，這對于大尺寸的設備尤其如此。同樣，其提出一種有機電致發(fā)光二極管的設備，其具有給定方塊電阻Rl的透明陽極和具有接近的給定方塊電阻R2的陰極，比率r=R2/Rl被包括在0.3和3之間。
[0005]作為示例，陽極是方塊電阻為10歐姆的ITO層并且陰極是方塊電阻為9.9歐姆的鐿薄層，即r在I附近。
[0006]然而，均質性增益還不是最優(yōu)的，并且甚至并非對于所有OLED配置是確定的。


【發(fā)明內容】

[0007]同樣，本發(fā)明的目的首先在于一種有機電致發(fā)光二極管(稱作0LED)的設備，其包括具有第一主面的透明襯底，包括堆疊，所述堆疊以從所述第一面開始的該順序包括:
-(直接在第一面上或例如在亞層上)形成透明陽極的下電極，優(yōu)選地包括至少一個導電層，陽極呈給定方塊電阻R1，尤其是Rl小于30歐姆/方塊、甚至小于或等于15歐姆/方塊、或甚至10歐姆/方塊，陽極具有給定的陽極表面，所述陽極表面的特征尺寸優(yōu)選地為至少2cm、甚至5cm，
-在所述陽極上的有機電致發(fā)光系統(tǒng)，
-形成陰極的上電極，其在有機電致發(fā)光系統(tǒng)上(甚至直接在所述系統(tǒng)上)，優(yōu)選地包括導電層，陰極呈給定方塊電阻R2，陰極優(yōu)選地呈恒定的給定厚度，其中比率r=R2/Rl從0.1至5,
所述陽極、有機電致發(fā)光系統(tǒng)和陰極于是限定了稱為活性的共同區(qū)(對應于照明表面減去可能的內部陽極接觸，如果其太不透明的話)。
[0008]OLED設備此外包括:
-沿著活性區(qū)的第一邊緣，完全沿著例如第一邊緣，或還沿著一組相鄰邊緣(包含第一邊緣)，有第一適配陽極電接觸，甚至多個適配陽極電接觸，尤其在活性區(qū)的外部和/或內部的周緣處， -第一陰極電接觸(優(yōu)選唯一)，其自一個或多個適配陽極電接觸岔開，陰極接觸呈給定表面，稱為接觸表面。
[0009]對于每個適配陽極接觸(尤其是第一適配陽極電接觸)的(多數，甚至80%或更好地對于)任何點BI，通過定義在所述點BI與接觸表面的最接近于所述點BI的點Cl之間的距離D1，以及通過定義在所述點BI與相對于第一邊緣的活性區(qū)的第二邊緣的點Xl之間、經過Cl的距離LI，因此定義以下準則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，則 20% < D1/L1,
-如果 1.75 < r < 2.5，則 20% < D1/L1 < 90%,或
-如果 2.5 彡 r < 3，貝丨J 20% < D1/L1 < 80%,
-或還如果3彡r彡5，則20% < D1/L1 < 70%。
[0010]最后，OLED設備在有機電致發(fā)光系統(tǒng)之上、遠離第一面地包括覆蓋活性區(qū)的反射器。
[0011]這樣的設備適于通過布置尤其是陽極和陰極接觸而被串聯(lián)連接。
[0012]同樣，本發(fā)明的目的在于一種有機電致發(fā)光二極管(稱作0LED)的設備,其包括具有第一主面的透明襯底，包括數目η大于I的堆疊，每個堆疊以從所述第一面開始的該順序包括:
-(直接在第一面上或例如在亞層上)形成透明陽極的下電極，優(yōu)選地包括至少一個導電層，陽極呈給定方塊電阻Rl，
-在所述陽極上的有機電致發(fā)光系統(tǒng)，
-形成陰極的上電極，其在有機電致發(fā)光系統(tǒng)上，并且優(yōu)選地包括導電層，陰極呈給定方塊電阻R2，優(yōu)選地呈恒定的給定厚度，其中比率r=R2/Rl從0.1至5，
所述陽極、有機電致發(fā)光系統(tǒng)和陰極于是限定了稱為活性的共同區(qū)，
所述堆疊串聯(lián)連接，或者適于串聯(lián)連接(通過布置尤其是陽極或陰極接觸等等)
并且對于所述堆疊中至少之一，優(yōu)選地對于η個堆疊中的多數甚至每一個，所述OLED設備包括:
-沿著活性區(qū)的第一邊緣，有第一適配陽極電接觸，甚至多個適配陽極電接觸，
-第一陰極電接觸(優(yōu)選唯一)，其自一個或多個適配陽極電接觸岔開，陰極接觸呈給定表面，稱為接觸表面。
[0013]對于每個適配陽極接觸(尤其是第一適配陽極電接觸)的(多數，甚至80%或更好地對于)任何點BI，通過定義在所述點BI與接觸表面的最接近于所述點BI的點Cl之間的距離D1，以及通過定義在所述點BI與相對于第一邊緣的活性區(qū)第二邊緣的點Xl之間、經過Cl的距離LI，因此定義以下準則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，則 20% < D1/L1,
-如果 1.75 < r < 2.5，則 20% < D1/L1 < 90%,或
-如果 2.5 彡 r < 3，則 20% < D1/L1 < 80%,或還
-如果 3 彡 r 彡 5，則 20% < D1/L1 < 70%。
[0014]最后，OLED設備在有機電致發(fā)光系統(tǒng)之上、遠離第一面地包括覆蓋活性區(qū)的反射器。
[0015]而且對于0.1彡r < 1.75，如果Dl小于LI (D1/L1 < 100%)，則第一陰極電接觸被布置在活性區(qū)之上并且因此部分地覆蓋活性區(qū)之上的陰極區(qū)域(延伸直到相對于第一邊緣的第二邊緣)。如果Dl大于或等于LI，則第一陰極電接觸被布置成在外部周緣處沿著活性區(qū)的第二邊緣(例如在自活性區(qū)超出的陰極區(qū)中)。
[0016]對于r的其它范圍，第一陰極電接觸因此被布置在活性區(qū)之上并且因此部分地覆蓋活性區(qū)之上的陰極區(qū)域(延伸直至相對于第一邊緣的第二邊緣)。
[0017]更嚴格地，Dl是在BI與Cl在陽極上的或更好地在經過BI而平行于陽極的平面中的(正)投影之間的距離，但是考慮到OLED的微小高度，這并不改變以上定義的準則。
[0018]并且同樣更嚴格地，LI是在BI與Xl之間(XI在經過BI而平行于陽極的平面中)、經過C在經過BI而平行于陽極的平面中的正投影的距離，但是考慮到OLED的微小高度，這并不改變以上定義的準則。
[0019]因此可以優(yōu)選在經過BI而平行于陽極的平面中定義Dl和LI。
[0020]透明襯底可以是單片(對于堆疊的全部或部分是共同的)或者呈多個片段(例如每堆疊一個支撐，η個支撐被對接用于形成襯底)。
[0021]根據本發(fā)明，適配的陽極接觸(S卩，第一適配陽極接觸以及一個或多個另外的適配陽極接觸)理解為一種電接觸，其具有足夠的傳導以使得當OLED運轉時，電壓在適配接觸的任何點處是相同的。由該傳導屬性導致，在適配接觸的兩點之間，在這兩點附近的亮度變化小于5%。適配的陽極接觸的作用因此是在其全部表面上分布相同的電勢。
[0022]根據本發(fā)明，第一陰極電接觸此外具有足夠的傳導以使得當OLED運轉時，電壓在第一陰極接觸的任何點處是相同的。由該傳導屬性導致，在該陰極接觸的兩點之間，在這兩點附近的亮度變化小于5%。該陰極接觸的作用因此是在其全部表面上分布相同的電勢。
[0023]本發(fā)明的目的在于制造滿足預先要求的亮度均質性準則的盡可能大的0LED，其具有給定Rl的陽極和給定rorg的有機層電阻，尤其具有在單個邊緣上的陽極接觸的給定配置或者串聯(lián)的OLED。
[0024] 申請人:觀察到，陽極和陰極的連接件的定位，尤其是其相對于彼此的定位，以及其形狀是關鍵的。為了均質性的真正增益，于是至關重要的在于:
-合理地選擇一個或多個陽極接觸，尤其是其定位和其電阻(以使得其是適配的)，
-正確地安置第一陰極接觸，
-并且使第一陰極接觸足夠遠離一個或多個適配陽極接觸。
[0025]于是得到在整個照明表面上在陰極和陽極之間盡可能恒定的電勢差。
[0026]無論點BI如何，Dl可以是恒定的，或者變化而同時保持有根據本發(fā)明的嚴格取決于比率r的選擇的比率D1/L1。
[0027]第一陰極接觸可以在活性區(qū)中至少在一個或多個適配陽極接觸的方向上延伸向活性區(qū)的邊緣。
[0028]D1/L1可能的上限提醒:根據本發(fā)明的第一陰極接觸因此偏離點狀類型的接觸。
[0029]因此使活性區(qū)的中央區(qū)的一部分非均質的陰極接觸不符合本發(fā)明。可以引用作為反例:
-在活性區(qū)的中央區(qū)中呈彼此間隔太開的多個片段的陰極接觸，
-形成太細的框架或環(huán)的空心陰極接觸。
[0030]陰極接觸的另一個反例(不符合本發(fā)明)此外將是電阻性或甚至適配的接觸網，諸如柵格或平行帶，僅僅占據(寬度Dl的)活性區(qū)的內部周緣或整體活性區(qū)。
[0031]根據本發(fā)明的第一陰極接觸，尤其在活性區(qū)之上，優(yōu)選地不是點狀類型的接觸。
[0032]根據本發(fā)明的陰極接觸不一定再現活性區(qū)的對稱。
[0033]接觸表面可以是實心表面、呈柵格的表面(被布置用以維持等電勢)。接觸表面可以優(yōu)選地是單個表面(呈片段)和/或陰極接觸可以是唯一的。
[0034](基本上)實心的接觸表面(尤其是沉積在陽極上的層)可以呈現表面不連續(xù)性，但是不能擾亂其等電勢功能。
[0035]并且，如已經指示的，優(yōu)選地，實心接觸表面不是空心類型的。
[0036]此外優(yōu)選的是，活性區(qū)是實心類型的。
[0037]陰極接觸可以自支撐和增添在陰極上，例如呈片層(nappe)狀的線集等。
[0038]優(yōu)選地，第一陰極接觸的厚度是恒定的。
[0039]第一適配接觸至于其可以是實心或格網(被收緊的形成帶的柵格…)類型的層，甚至是足夠接近以用于分布電流的點狀陽極接觸的集合，例如遠離少于數_。
[0040]表達“沿著第一邊緣”在廣義上來解釋，一個或多個適配陽極接觸可以沿著第一邊緣的輪廓(在內部或通過命名“相對于第一邊緣的第二邊緣在廣義上來理解并且結合圓形活性區(qū)(盤狀、卵形輪廓等)的兩個相對區(qū)。
[0041 ] 尤其是(基本上)直線的第一適配接觸可以是周緣的，周緣是以廣義來理解，因此 -在第一邊緣的外部周緣處，
-由電致發(fā)光系統(tǒng)(和由其上的陰極)覆蓋并且由鈍化層(諸如聚酰亞胺的)鈍化，因此(至少部分地)在第一邊緣的內部周緣處。
[0042]第一外部周緣的適配接觸和/或可能的一個或多個第二外部周緣的適配陽極接觸優(yōu)選地處于自第一邊緣小于L/10甚至小于L/20的距離W處，其中L是第一和第二邊緣之間、優(yōu)選恒定的距離。
[0043]優(yōu)選地，周緣的第一適配接觸(以及可能的一個或多個第二周緣的適配陽極接觸)(基本上)沿著第一邊緣的(內部或外部)周緣，并且處于自活性區(qū)的周緣恒定距離(或近似恒定距離)處。
[0044]第一(外部和/或內部)周緣的適配接觸優(yōu)選地處于自第一邊緣小于10mm、甚至小于或等于5mm的距離處，并且甚至(部分地)在活性區(qū)的第一邊緣上(從兩側超出)。
[0045](外部和/或內部)周緣陽極的可能的第一甚至其它周緣適配陽極接觸優(yōu)選地處于自第一邊緣小于1mm甚至小于5mm的距離(優(yōu)選為恒定)處，并且甚至(部分地)在活性區(qū)的第一邊緣上(從兩側超出)。
[0046]第一適配接觸可以在陽極上方或下方。
[0047]第一和/或可能的一個或多個第二適配陽極接觸(尤其是周緣的)可以基本上為直線的、為彎曲的等等。
[0048]典型地，適配陽極接觸(延伸的甚至點狀)的寬度是cm級的?？赡軟]有光出自配備有第一適配陽極接觸的活性區(qū)，因為該接觸是太不透明的。
[0049]此外，與上述現有技術相反，經由根據本發(fā)明的反射器保留可接受的亮度水平。典型地，反射器可以具有至少80%的光反射& (朝向有機系統(tǒng))。
[0050]有機電致發(fā)光系統(tǒng)在陽極之上: -尤其是直接在陽極上，在陽極功能中還集成了可能的導電平面化，
-或還直接在活性區(qū)內部的適配陽極接觸的鈍化上(如稍后討論的)，
-尤其是直接在陽極上，在陽極功能中還集成了可能的導電平面化，
-或還直接在活性區(qū)內部的電阻性陽極接觸的鈍化上(如稍后討論的)。
[0051]典型地，涂覆有陽極的襯底(陽極直接在襯底上或者通過例如用于提取光的層而分離)可以具有至少70%的光透射。
[0052]根據本發(fā)明，薄層理解為厚度小于微米、甚至小于500nm、甚至小于10nm的層(不明確為單或多層)。
[0053]根據本發(fā)明，層理解為單層或多層，這未明確指出。
[0054]陰極優(yōu)選地呈恒定的給定厚度，尤其具有根據制造方法的容差，例如對于薄層類型的沉積為±10%。
[0055]根據本發(fā)明的OLED特別是用于照明，而且特征尺寸，即最大尺寸，諸如活性區(qū)的長度或直徑可以是至少1cm甚至15cm。
[0056]陰極以電勢Vc來被供電，以使得在陽極和陰極之間的(多個)電勢的差適于照明，尤其Vc是接地的。
[0057]考慮傳統(tǒng)厚陰極是理想的，也就是說其自身形成陰極接觸(在陰極的任何點處等電勢)。本發(fā)明從陰極方塊電阻R2的增加和接觸表面上的準則這方面而不同于這樣的陰極。
[0058]陰極接觸在活性區(qū)之上，尤其是如果1.75 < r的話，或者陰極接觸可以在活性區(qū)之外，如果r < 1.75的話。
[0059]優(yōu)選地，在活性區(qū)之上的第一陰極接觸可以具有與活性區(qū)的表面(基本上)位似的表面和/或與適配陽極接觸呈(基本上)恒定的距離，尤其是(基本上)平行于適配陽極接觸。
[0060]如果活性區(qū)是方形或矩形的，則陰極接觸是方形或矩形的，或者如果活性區(qū)是圓形的，則第一陰極接觸在第一邊緣相對處呈現圓形邊緣。
[0061 ] 對于還更好的均質化，優(yōu)選:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，則 40% < D1/L1，甚至 60% ( D1/L1,
-如果 1.75 < r < 2.5，則 40% ( D1/L1 ( 80%,甚至 50% ( D1/L1 ( 70%,
-如果 2.5 彡 r < 3，則 40% ( D1/L1 ( 70%,甚至 40% ( D1/L1 ( 60%,
-如果 3 < r < 5，則 30% ( D1/L1 ( 50%。
[0062]OLED設備可以包括稱作電阻性的一個或多個陽極電接觸，尤其呈導電層狀，連至第一適配陽極接觸和/或連至(多個)可能的適配陽極接觸，電阻性接觸如有必要則互連，所述接觸的電阻大于一個或多個適配陽極接觸的電阻。
[0063]并且自0.1至5的比率r=R2/Rl因此由自0.1至5的比率r’ =R2/R1’取代，其中R1’是活性區(qū)中的(多個)電阻性接觸和陽極整體的等效方塊電阻，并且保留比率D1/L1。
[0064]自然地，將優(yōu)選:
-如果 0.1 Sr，< 1.75，則40%彡01/11，甚至60%彡01/11，
-如果 1.75 < r’ < 2.5，則 40% ( D1/L1 ( 80%,甚至 50% ( D1/L1 ( 70%,
-如果 2.5 < r’ < 3，則 40% ( D1/L1 ( 70%,甚至 40% ( D1/L1 ( 60%,
-如果3彡r，彡5，則30%彡D1/L1彡50%。
[0065]電阻性接觸為這樣的電阻以使得在運轉時，電阻性接觸的某些點處于電勢Vr，其以絕對關系不同于適配陽極接觸的電勢多于5%、甚至至少10%或甚至20%。
[0066]陽極的全局電阻于是可以定義為電阻性接觸的電阻與透明陽極層的電阻的并聯(lián)。
[0067]電阻性接觸可以由與適配接觸相同的材料制成，但是細得多，例如少于1mm。
[0068]出于美學目的，可以優(yōu)選OLED設備在活性區(qū)中放棄一個或多個適配陽極接觸，甚至在活性區(qū)中放棄一個或多個電阻性陽極接觸(即便通常是足夠細的)。
[0069](適配或電阻性)陽極接觸可以呈厚度被包括在0.2至10 μ m之間的層的形式，并且優(yōu)選地呈單層的形式，所述單層由以下金屬中之一制成:Mo、Al、Cr、Nb或由諸如MoCr、AlNb之類的合金制成，或者呈多層的形式，諸如Mo/Al/Mo或Cr/Al/Cr。
[0070]其還可以涉及具有絲網印刷的或通過噴墨而沉積的銀(具有銀的琺瑯)的匯流條。
[0071]已知通過電阻性電接觸的足夠細的格網來降低陽極的R1，典型地通過陽極上的方形或蜂巢形的金屬網。
[0072]所述段大約為50至100 μ m寬，并且網的節(jié)距通常為l/5mm，這給出在I和5%之間的屏蔽率。
[0073]Rl，例如可以自0.5變化至5歐姆。實際上，利用Mo或Cr (10nm) /Al (500nm至100nm) /Mo或Cr (10nm)的多層，其沉積在例如140nm的ITO上。該多層然后通常利用光刻(photolithographie)方法被化學蝕刻,用于形成電阻性接觸和如有必要則形成由相同材料制成但是更寬的適配陽極接觸。
[0074]于是在陽極處，一切進行地就好似如果具有其電阻等效于陽極和一個或多個電阻性陽極接觸的并聯(lián)的陽極那樣。
[0075]因此在電阻性陽極接觸中具有隨著遠離OLED的邊緣將逐漸減低的電壓。
[0076]以相同方式，其中可以有一個或多個電阻性陰極接觸，例如呈導電層狀，連至第一陰極接觸，電阻性接觸如有必要則互連并且尤其是分布在第一陰極接觸與OLED邊緣之間的整體區(qū)上。
[0077]在該情況下，R2對應于陰極和(多個)電阻性接觸整體的等效方塊電阻。
[0078]所述電阻性接觸例如為這樣的電阻以使得在運轉時，電阻性接觸的某些點處于電勢Vr，其以絕對關系不同于第一陰極接觸的電勢V多于2%、甚至至少4%或甚至8%。
[0079]第一適配陽極接觸可以是延伸的接觸，尤其是唯一的，或者第一適配陽極接觸是點狀類型的接觸，并且另外的點狀類型的適配陽極接觸被分布在第一邊緣上。
[0080]第一邊緣和第二邊緣優(yōu)選為活性區(qū)的縱向邊緣(最長的)。優(yōu)選在第一和第二邊緣的相鄰邊緣上沒有適配陽極接觸。優(yōu)選所述一個或多個適配陽極接觸在(至少)第一邊緣上延伸小于活性區(qū)一半的距離。
[0081]對于方形或矩形類型的活性區(qū)，優(yōu)選所述一個或多個適配陽極接觸在優(yōu)選最長的單個邊緣上延伸。
[0082]如果陰極接觸在外部，則其形狀不太重要。優(yōu)選地，其在第二邊緣附近(甚至與第二邊緣相接觸)并且沿著第二邊緣。
[0083]對于圓形活性區(qū)，陽極接觸和陰極接觸是括號類型的，如果陰極接觸在外部的話。或者陽極接觸是呈C狀的并且內部陰極接觸是呈C狀的，尤其是處于自陽極接觸的C恒定距離處。
[0084]避免三角形類型的活性區(qū)形狀，第一和第二邊緣“太”鄰近。優(yōu)選對稱類型的活性區(qū)。
[0085]所述一個或多個活性區(qū)可以形成方形或矩形的帶，平行或彎曲的(基本上)直線帶。
[0086]在η個堆疊的情況下，活性區(qū)例如按被稱為連接的至少一個給定方向A來對準，或還根據諸如太陽圖案等等之類的另一形狀而延伸。
[0087]η個堆疊的活性區(qū)，尤其是實心的，優(yōu)選呈類似尺寸，尤其是等于S± 10%的表面，并且優(yōu)選地活性區(qū)是類似形狀的。在第一邊緣和第二邊緣之間的距離優(yōu)選地(基本上)恒定，例如呈現值G±10%。
[0088]在活性區(qū)之間的間隔優(yōu)選地被最小化為少于500 μ m、尤其在100和500 μ m之間。
[0089]在活性區(qū)之間，可以延展反射器。
[0090]在關狀態(tài)，可以布置以使得反射器在η個堆疊的整體上形成鏡面(因此沒有不連續(xù)性)。
[0091]活性區(qū)優(yōu)選地為幾何形狀、鋪面(矩形、方形、蜂巢形等等)。
[0092]此外，由于R2的適配，陰極可以是透明或半反射的，尤其是呈反射RL小于80%、甚至小于或等于60%、甚至50%。
[0093]陰極讓所發(fā)射的光通過，優(yōu)選地在沒有過度吸收的情況下。
[0094]在第一配置(具有透明或半透明的陰極)中，反射器可以包括優(yōu)選為金屬的反射覆蓋元件，尤其呈((多個)薄)層狀，在陰極之上且遠離第一主面，所述覆蓋元件通過電絕緣元件而與陰極分離，所述電絕緣元件尤其呈層狀，被稱為夾層(intercalaire)。
[0095]第一陰極接觸，鄰近于夾層，還可以構成反射器的部分并且優(yōu)選地與反射覆蓋元件相接觸甚至電耦合。
[0096]所述反射覆蓋元件可以是:
-一層，通過氣相物理沉積而沉積在所述夾層上，或沉積在對著所述夾層而增添(優(yōu)選地呈光學接觸)的反元件(玻璃、塑料膜等等)的內面上-金屬片材:Cu、不銹金屬、Alu、Ag等等
優(yōu)選為層的反射覆蓋兀件基于選自Al、Ag、Cu、Mo、Cr之中的至少一種金屬。
[0097]所述夾層可以被選擇用于讓所發(fā)射的光通過，優(yōu)選地在沒有過度吸收的情況下。例如，夾層是透明的，優(yōu)選地TL>90%，并且不太吸收，尤其A〈3%。
[0098]夾層可以是:
-沉積在薄層陰極上的層，通過氣相物理沉積甚至如果反射器是板(不銹等等)則通過膠等等來沉積
-反射器通過間隔件而自空氣分開，所述間隔件在活性區(qū)周緣，
-所增添的膜，例如(PVB類型)分層夾層，并且反射器例如是具有反射層的玻璃襯底。
[0099]夾層優(yōu)選地包括(單)層(尤其是厚度小于lOOnm，厚度根據其吸收而被調整)甚至由其構成，所述(單)層為:
?無機的，優(yōu)選地選自氮化物、氧化物、氮氧化物，例如氮化硅，
?或者樹脂，例如與OLED邊緣的鈍化樹脂相同，尤其由聚酰亞胺制成，
?和/或如有必要則為漫射的，例如通過以尤其無機的粘結劑而添加尤其無機的漫射粒子。
[0100]優(yōu)選地，在該第一配置中，第一陰極接觸包括一層，該層基于與金屬覆蓋元件相同的材料，優(yōu)選地其為基于鋁的層。
[0101]所述陰極接觸可以是:
-沉積在陰極上的層:導體膠、通過噴墨或絲網印刷根據所希望的形式而沉積的層、通過PVD沉積的并且如果必要則圖案化的薄層、焊劑甚至焊接等等-和/或以預定形式所增添的膜，所述預定形式:金屬箔片等等優(yōu)選為層的陰極接觸基于優(yōu)選選自Al、Ag、Cu、Mo、Cr之中的至少一種金屬。
[0102]尤其是，陰極接觸和覆蓋元件可以通過尤其在夾層(呈層狀)和陰極上的連續(xù)層形成。優(yōu)選地，陰極接觸、甚至連續(xù)層基于與陰極相同的材料，尤其是鋁。
[0103]以該方式，在關狀態(tài)下，所述連續(xù)層可以形成鏡面并且陰極接觸與覆蓋元件不進行區(qū)分。
[0104]可以希望使用單一沉積技術(例如，氣相物理沉積PVD、尤其是陰極濺射或蒸發(fā))用于覆蓋元件和陰極接觸(并且甚至陰極又或夾層)，甚至還使用層沉積的單一步驟來用于覆蓋元件和陰極接觸。
[0105]更廣泛地，在用于陰極的可能材料之中，可以引用 -一些金屬:招、鈸、鎂、?丐、銀、鋇、鑭鉿、銦、秘，
-以及一些鑭族元素:鋪、鐠、釹、衫、銪、禮、鋪、鏑、欽、鉺、錢、鐿和镥。
[0106]特別地優(yōu)選鋁、銀、鋇、鈣、釤，它們經常被用于其低輸出功。
[0107]以下的表I給出
鋁的R2 (其根據所選的厚度可以是透明或半透明的)，
釤的R2，其(單位質量的)電阻率為900 n0hm.m，其根據所選厚度可以是透明或半透明的，以及
鋇的R2，其(單位質量的)電阻率為332 n0hm.m，其根據所選厚度是透明或半透明的。
I—1
O
厚度(nm) |R2 (Ω/D) 針對 Al| 厚度(nm) |R2 ( Ω/ □) 針對 Ba| 厚
10~5~5 —66~~
20~2.5~10 —33~50~
S 50_1.30—11"TOO
100~Q.5~5Q —6~2QQ
200~Q.25~75 —4
500|θ.1|lQQ 丨3I
[0108]優(yōu)選的是，R2大于或等于I甚至大于或等于3歐姆/方塊，并且小于20歐姆/方塊。
[0109]陰極優(yōu)選地基于至少一種金屬，優(yōu)選地選自Al和Ag,可選地具有一層LiF,在金屬層下面并且例如厚度小于3nm。
[0110]完全特別地，陰極可以包括基于鋁的層甚至由其構成，并且陰極接觸是基于鋁的層，例如在鋁制成的陰極層上形成厚度余量。
[0111]在第二配置(具有透明或半透明的陰極)中，反射器為布拉格(Bragg)鏡，布拉格鏡被布置在陰極上并且鄰近于陰極接觸，并且陰極接觸構成反射器的部分。
[0112]布拉格鏡已知為由高折射率nl的薄層(諸如Ti02、Zr02、A1203、Si3N4)和較低折射率n2的薄層(諸如Si02、CaF2)交替形成的堆疊。
[0113]例如指數(indice)的德爾塔(delta) n2_nl為至少0.3、并且優(yōu)選地至少為0.6,并且所述堆疊包括至少兩個高指數層和兩個低指數層。
[0114]于是，對于波長趨向570nm為中心的0LED，可以設想多層堆疊Ti02 60nm/Si0295nm,甚至如有必要則重疊該多層堆疊。
[0115]用于OLED的布拉格鏡的使用對于本領域技術人員是眾所周知的，其如有必要則可以參照以下公開:
?Appl.Phys.Lett.69, 1997(1996); Efficiency enhancement of microcavityorganic light emitting d1des; R.H.Jordan, A.Dodabalapur,和 R.E.Slusher
?JOSA B, Vol.17, Issue I, pp.114-119 (2000) , Semi transparentmetal or distributed Bragg reflector for wide-viewing-angle organiclight-emitting-d1de mirocavities; Kristiaan Neyts, Patrick De Visschere, DavidK.Fork,和 Greg B.Anderson。
[0116]陰極接觸可以觸及布拉格鏡。
[0117]陰極接觸例如通過其自活性區(qū)超出的端部之一而被連接，因此形成陰極連接件區(qū)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0118]借助于非限制性示例和附圖，現在將更詳細地描述本發(fā)明:
-圖1是符合本發(fā)明的第一有機電致發(fā)光設備的示意性剖視圖，
-圖1a圖示了圖1的OLED設備的示意性俯視圖，
-圖1b示出了根據本發(fā)明得到的亮度均質性的圖解 -圖1’是符合本發(fā)明的第二有機電致發(fā)光設備的示意性剖視圖，
-圖1’ a圖示了圖1’的OLED設備的示意性俯視圖，
-圖2是符合本發(fā)明的第三有機電致發(fā)光設備的示意性剖視圖，
-圖2a圖示了圖2的OLED設備的部分示意性俯視圖，
-圖3是符合本發(fā)明的具有4個串聯(lián)連接的堆疊的第四OLED設備的示意性剖視圖。
[0119]明確的是，出于清楚性的考慮，所表示的對象的不同元件(其中包括角度)不是按比例再現的。

【具體實施方式】
[0120]故意非常示意性的圖1通過剖面圖而表示了穿過襯底而發(fā)射或英文“bottomemiss1n (底部發(fā)射)”的有機電致發(fā)光設備。
[0121]OLED設備100 (容易地可串聯(lián)連接)包括具有第一主面10的透明襯底，包括堆疊，所述堆疊以自所述第一面開始的該順序包括:
-形成透明陽極I的下電極，包括至少一個導電層，陽極呈給定方塊電阻R1，例如銀的堆疊或TC0，
-在所述陽極之上的有機電致發(fā)光系統(tǒng)2 (包含HTL和ETL層)，
-形成透明或半反射的陰極3的上電極，其在有機電致發(fā)光系統(tǒng)之上，包括導電層，陰極呈給定方塊電阻R2、恒定的給定厚度，比率r=R2/Rl自0.1至5，所述堆疊于是限定了稱為活性的共同區(qū)20。
[0122]例如4V或1V的電勢V被施加在陽極I的邊緣處，這經由周緣的第一陽極電接觸41，其例如呈金屬(多)層。其被稱為第一適配陽極接觸41，即其電阻被適配以使得在運轉時在任何點處為第一電勢V。
[0123]第一適配接觸41此處在活性區(qū)20外部，在活性區(qū)的縱向第一邊緣21上。
[0124]本發(fā)明于是在于一種OLED模塊，其中同時地在兩個電極上的電連接的幾何結構和比率r被調整以使得在兩個電極中發(fā)生的電壓降相補償以用于在兩個電極之間維持盡可能均勻的電壓差。
[0125]對于第一適配陽極接觸41的任何點BI，通過定義在所述點BI和接觸表面的最接近于所述點B的點Cl之間的距離D1，并且通過定義在所述點BI和相對于第一邊緣21的活性區(qū)第二縱向邊緣22的點Xl之間的、經過Cl的距離LI，因此定義如下準則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，則 20% < D1/L1,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,則 20% < D1/L1 < 90%,
-如果 2.5 彡 r < 3，貝丨J 20% < D1/L1 < 80%,
-如果 3 < r < 5，則 20% < D1/L1 < 70%。
[0126]并且還更好地
-如果 0.1 ^ r < 1.75，則 40% 彡 D1/L1，甚至 60% 彡 D1/L1，甚至 70% 彡 D1/L1
-如果 1.75 < r < 2.5，則 40% ( D1/L1 ( 80%,甚至 50% ( D1/L1 ( 70%,
-如果 2.5 彡 r < 3，則 40% ( D1/L1 ( 70%,甚至 40% ( D1/L1 ( 60%,
-如果 3 < r < 5，則 30% ( D1/L1 ( 50%。
[0127]接觸表面5此處是實心表面，作為變型其呈柵格狀。
[0128]反射器6包括金屬反射覆蓋元件61，在陰極3之上、遠離第一主面，所述覆蓋元件61通過電絕緣的電元件7而與陰極3分離，所述元件7被稱為夾層，透明且不太吸收，此處優(yōu)選為無機并且薄的層，諸如50nm的氮化硅。
[0129]第一陰極接觸5，鄰近于夾層7，是反射的，因此構成反射器6的部分并且優(yōu)選地與反射覆蓋元件61相接觸甚至電耦合。
[0130]陰極接觸5優(yōu)選地基于與金屬覆蓋元件61相同的材料。陰極接觸5和覆蓋反射器6因此由在夾層7和陰極3上的例如通過氣相物理沉積的連續(xù)層所形成。優(yōu)選地，該連續(xù)層基于例如lOOnm、甚至500nm厚度的鋁。當然，夾層7在將其沉積之前已被結構化，以用于留出與旨在作為陰極接觸區(qū)的區(qū)相對應的自由區(qū)。
[0131]活性區(qū)20的第二邊緣22例如通過例如聚酰亞胺樹脂71而被鈍化。
[0132]陽極接觸41此處在陽極I上，所述陽極I預先沉積在襯底上(或下面的層上)。然而，陽極2完全可以同樣好地在陽極接觸41之后被沉積并且部分地覆蓋它以用于其電鏈接。
[0133]作為未表示的變型，反射器包括鄰近于所述第一陰極接觸的布拉格鏡。陰極接觸，反射的，因此總是構成反射器的部分。布拉格鏡(由介電材料制成)可以直接在陰極上。
[0134]陰極3例如是鋁層，尤其是呈R2大于或等于I歐姆/方塊、甚至大于或等于3歐姆/方塊并且小于20歐姆/方塊甚至小于10歐姆/方塊，陰極接觸因此優(yōu)選是基于鋁的層，如已經指明的。
[0135]活性區(qū)20例如為至少5cm乘5cm。
[0136]陰極接觸在活性區(qū)外超過第二邊緣22而延展并且例如被沉積在預先存在的接觸接點81上。
[0137]OLED設備100在有機電致發(fā)光系統(tǒng)2上、遠離第一面10地包括覆蓋活性區(qū)20的反射器6。
[0138]圖1a圖示了設備100的示意性俯視圖，為了更清楚而示出了設備的元件的一部分，即電功能的元件。
[0139]第一適配陽極接觸41是直線帶?；钚詤^(qū)20 (此處僅由其虛線輪廓所限定)，本身也是方形的。
[0140]活性區(qū)的相鄰于第一和第二邊緣21、22的邊緣23、24不配備有適配陽極接觸。
[0141]作為說明性的，描繪了陽極接觸41的點BI，屬于陰極接觸5 (此處在內部)的最接近的點Cl以及第二邊緣22 (在BI的平行于陽極的平面中)的點XI。經過B1、經過Cl在BI的平行于陽極的平面中的正投影并且經過Xl的直線使得能夠更好地定義LI和Dl。
[0142]實際上，在第一適配接觸21和第一邊緣21之間的空間是有限的。第一外部周緣的適配接觸優(yōu)選處于自第一邊緣的距離W處，所述W小于L/10甚至小于L/20，其中L是第一和第二邊緣21和22之間的此處恒定的距離(等于LI)。
[0143]選擇L=15cm、Rorg=1000 Ohm.cm2>3歐姆/方塊的陽極,并且定義亮度均質性H為以在OLED的開啟電壓以上的給定電壓來供電的OLED的最小亮度與最大亮度之間的比。
[0144]圖1b示出了對于不同比率r (在0.1和4之間)的、作為圖1示出的設備100的陰極接觸5的D1/L1的函數的均質性H的圖解。
[0145]其中見到分別對于r=0.1 ；r=0.5 ；r=l ；r=2 ；r=3 ；r=4的均質性H (呈%)的六條曲線Fl至F6。
[0146]這些圖解Fl至F6提醒了適宜的參數范圍，尤其是朝向低處的r，優(yōu)化范圍較窄但是H是更好的。
[0147]在不同Rorg (典型地在50和1000 Ohm.cm2之間)、典型在I和10歐姆每方塊之間的不同Rl的陽極的情況下，并且對于活性區(qū)的任何其它尺寸，H的結果是類似的(遵循相同的趨勢)。
[0148]例如選擇r=3和D/L=50%與Rl=8歐姆每方塊的ITO制成的陽極以及R2=24歐姆每方塊的陰極；又或Rl=3歐姆每方塊的銀的陽極以及R2=9歐姆每方塊的陰極。
[0149]為了便于制造，還可以選擇更小的r，例如其中r=l和D/L=70%=>其中Rl=8歐姆每方塊的ITO制成的陽極以及R2=8歐姆每方塊的陰極；又或Rl=3歐姆的銀的陽極一R2=3歐姆每方塊的陰極。
[0150]為了實現Rl等于3歐姆每方塊的陽極，優(yōu)選銀的堆疊，而不是透明導體氧化物“TC0”，諸如ΙΤ0?？梢岳缫迷谏暾圵O 2008/029060和WO 2009/083693中描述的銀的單層或銀的雙層堆疊。
[0151]為了實現陰極，沉積鋁，同時調整厚度。
[0152]圖1’是符合本發(fā)明的第二有機電致發(fā)光設備100’的示意性剖視圖。
[0153]已選擇足夠小的r，例如其中r=l并且100%<D/L。換言之，夾層7和覆蓋元件61覆蓋整個活性區(qū)20并且陰極接觸5’在自活性區(qū)20超出的陰極區(qū)3的區(qū)中偏離到第二邊緣22的周緣。
[0154]陰極接觸5’可以與覆蓋元件61相接觸，例如在活性區(qū)中并且超過地形成連續(xù)層。
[0155]圖Ta圖示了設備100’的示意性俯視圖，為了更清楚而示出了設備的元件的一部分，即電功能的元件。
[0156]第一適配陽極接觸41是直線帶?；钚詤^(qū)20 (此處僅由其虛線輪廓所限定)，是矩形的。
[0157]活性區(qū)的相鄰于第一和第二邊緣21、22的邊緣23、24不配備有適配陽極接觸。
[0158]實際上，在第一適配接觸和第一邊緣21之間的空間是有限的。第一外部周緣的適配接觸優(yōu)選處于自第一邊緣的距離W處，所述W小于L/10甚至小于L/20，其中L是第一和第二邊緣21和22之間的距離。
[0159]作為說明性的，描繪了陽極接觸41的點BI，陰極接觸5 (此處在外部)的最接近的點Cl以及第二邊緣22 (在BI的平行于陽極的平面中)的點XI。經過B1、經過Cl在BI的平行于陽極的平面中的正投影并且經過Xl的直線使得能夠更好地定義LI和Dl。
[0160]選擇L=15cm、Rorg=1000 Ohm.cm2>3歐姆/方塊的陽極,并且定義亮度均質性H為以在OLED的開啟電壓以上的給定電壓來供電的OLED的最小亮度與最大亮度之間的比。
[0161]圖2是以第一設備100的變型的符合本發(fā)明的第二有機電致發(fā)光設備100’的示意性剖視圖。圖2a圖示了圖2的OLED設備的部分示意性俯視圖。
[0162]添加電阻性陽極電接觸42，其呈導電層狀，被連至第一適配陽極接觸41。此處，這些電阻性接觸42互連并且在陽極之上(或作為變型在之下)形成柵格并且通過樹脂71而被鈍化。
[0163]同樣為了獲得良好的照度均質性，比率r由比率r’=R2/R’ I取代，其中R’ I是(多個)電阻性陽極接觸與陽極整體的等效方塊電阻，也就是說使陽極和電阻性陽極接觸并聯(lián)。
[0164]電阻性陽極接觸42可以由與適配接觸41相同的材料制成，但是細得多，例如少于1mm。例如，以5mm為周期的金屬段的方形格網，其借助于高度500nm且寬度100 μ m的招線而被實現，形成具有等效方塊電阻為2.7歐姆每方塊的系統(tǒng)。如果這樣的格網被置于方塊電阻為20歐姆每方塊的ITO陽極上，則陽極的等效電阻(定義為由陽極和電阻性接觸的并聯(lián)而產生的電阻)因此為2.4歐姆每方塊。通過在該陽極上實現8x8cm2的方形活性區(qū)的OLED (具有100 ohm.cm2的有機材料的豎直電阻)，照度在位于自OLED邊緣4cm處的電阻性接觸附近將為20%更低。該大于5%的照度減低歸因于產生OLED中心處陽極電壓減低從而產生照度下降的電阻性接觸的電阻性特征。
[0165]相對于第一設備的另一差別是第一陽極接觸41在活性區(qū)20中而非在之外沿著第一邊緣21。而且，其通過樹脂71而被鈍化。其超出邊緣24 (相鄰于第一邊緣21)以用于其電連接。
[0166]圖3是符合本發(fā)明的第三有機電致發(fā)光設備1000的示意性剖視圖。
[0167]事實上，OLED設備包括四個第一設備100類型的OLED設備10a至100b，因此四個堆疊限定了四個活性區(qū)20a至20d并且沿方向A而被串聯(lián)連接。
[0168]當然，陰極接觸的接點81被移位在最后的堆疊20d的最后的邊緣上。此外，第一陰極接觸5a自第一活性區(qū)20a突出并且用作第二陽極2b的陽極接觸41b并且后續(xù)也如此。
[0169]此處存在單個襯底10，但也可以使用四個支撐，其中OLED對接在一起。
[0170]優(yōu)選等同的活性區(qū)是直線帶甚至是彎曲帶并且寬度恒定。
[0171]優(yōu)選在每個設備10a至10d之間最小化非反射區(qū)。
[0172]還可以實現具有100’或200類型的設備的串聯(lián)0LED。還可以實現具有圓形或類似的活性區(qū)的串聯(lián)0LED。
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光二極管、稱作OLED的設備(100至200，1000)，其包括具有第一主面(10)的透明襯底，包括堆疊，所述堆疊以從所述第一面開始的該順序包括: -形成透明陽極(I)的下電極，陽極呈給定方塊電阻Rl， -在所述陽極上的有機電致發(fā)光系統(tǒng)(2 )， -形成陰極(3)的上電極，其在有機電致發(fā)光系統(tǒng)上，陰極(3)呈給定方塊電阻R2，比率r=R2/Rl 從 0.1 至 5， 所述陽極、有機電致發(fā)光系統(tǒng)和陰極于是限定了稱為活性的共同區(qū)(20)， 所述OLED設備包括: -沿著活性區(qū)(20)的第一邊緣(21)，有第一適配陽極電接觸(41)，甚至多個適配陽極電接觸， -第一陰極電接觸(5’，5，5a，5d)，其自適配陽極電接觸(41)岔開，陰極接觸(5)呈給定表面，稱為接觸表面， 對于每個適配陽極接觸(41)的任何點BI，通過定義在所述點BI與接觸表面的最接近于所述點BI的點Cl之間的距離D1，以及通過定義在所述點BI與相對于第一邊緣(21)的活性區(qū)第二邊緣(22)的點Xl之間、經過Cl的距離LI，因此定義以下準則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，則 20% < D1/L1,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,則 20% < D1/L1 < 90%, -或如果 2.5 彡 r < 3，則 20% < D1/L1 < 80%, -或還如果3彡r彡5，則20% < D1/L1 < 70%, 并且OLED設備(100 )在有機電致發(fā)光系統(tǒng)(2 )之上、遠離第一面(10 )地包括覆蓋活性區(qū)(20)的反射器(6)。
2.一種有機電致發(fā)光二極管、稱作OLED的設備(1000)，其包括具有第一主面(10)的透明襯底，包括數目η大于I的堆疊(100a至100d)，每個堆疊以從所述第一面開始的該順序包括: -形成透明陽極(I)的下電極，陽極呈給定方塊電阻R1， -在所述陽極上的有機電致發(fā)光系統(tǒng)(2 )， -形成陰極(3)的上電極，其在有機電致發(fā)光系統(tǒng)上，陰極(3)呈給定方塊電阻R2，比率r=R2/Rl 從 0.1 至 5， 所述陽極(I)、有機電致發(fā)光系統(tǒng)(2)和陰極(3)于是限定了稱為活性的共同區(qū)(20a，20d), 所述堆疊串聯(lián)連接，或適于串聯(lián)連接，并且對于堆疊中至少之一，優(yōu)選地對于η個堆疊中的多數甚至每個，所述OLED設備包括: -沿著活性區(qū)(20)的第一邊緣(21)，有第一適配陽極電接觸，甚至多個適配陽極電接觸(41，41a 至 41d)， -第一陰極電接觸(5’，5a至5d)，其自所述一個或多個適配陽極電接觸(41)岔開，陰極接觸(5)呈給定表面，稱為接觸表面， -對于每個適配陽極接觸(41)的任何點BI，通過定義在所述點BI與接觸表面的最接近于所述點B的點Cl之間的距離D1，以及通過定義在所述點BI與相對于第一邊緣(21)的活性區(qū)第二邊緣(22)的點Xl之間、經過Cl的距離LI，因此定義以下準則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，則 20% < D1/L1,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,則 20% < D1/L1 < 90%,
-如果 2.5 彡 r < 3，貝丨J 20% < D1/L1 < 80%, -如果 3 < r < 5，則 20% < D1/L1 < 70%。
3.根據前述權利要求中之一所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，接觸表面(5，5’，5a至5d)是實心表面，呈柵格狀的表面。
4.根據前述權利要求中之一所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，陰極接觸(5)在活性區(qū)(20)之上，尤其如果1.75 Sr的話，或者陰極接觸(5’)在活性區(qū)(20)之外，尤其如果！.< 1.75的話。
5.根據前述權利要求中之一所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，陰極接觸(5 )在活性區(qū)(20 )之上并且呈現與活性區(qū)(20 )的表面基本上位似的表面，并且尤其自適配陽極接觸(41)呈基本上恒定的距離。
6.根據前述權利要求中之一所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，陰極接觸(5)在活性區(qū)(20)之上并且自適配陽極接觸(41)呈基本上恒定的距離。
7.根據前述權利要求中之一所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于:
-如果 0.1 ^ r < 1.75，則 40% 彡 D1/L1，甚至 60% ^ D1/L1,
-如果 1.75 < r < 2.5，則 40% ( D1/L1 ( 80%,甚至 50% ( D1/L1 ( 70%,
-如果 2.5 彡 r < 3，則 40% ( D1/L1 ( 70%,甚至 40% ( D1/L1 ( 60%, -如果 3 < r < 5，則 30% ( D1/L1 ( 50%。
8.根據前述權利要求中之一所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，一些被稱為電阻性的陽極電接觸(42)，其尤其呈導電層狀，接觸(42)的電阻大于所述一個或多個適配陽極接觸(41)的電阻，被連至(多個)適配陽極接觸(41)，并且在于，被包括在0.1和5之間的比率r由自0.1至5之間變化的比率r’ =R2/R1’取代，其中R1’為(多個)電阻性陽極接觸(42)與陽極(I)整體的等效方塊電阻。
9.根據前述權利要求中之一所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，第一邊緣(21)和第二邊緣(22)是活性區(qū)(20)的縱向邊緣。
10.根據權利要求2至9中之一所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，η個堆疊中多個、甚至η個堆疊的活性區(qū)是類似尺寸的。
11.根據前述權利要求中之一所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，陰極(3)是透明或半反射的，反射器(6)包括尤其為金屬的反射覆蓋元件(61)，在陰極(3)之上、遠離第一主面，所述反射覆蓋元件(61)通過被稱為夾層的電絕緣元件(7)而與陰極分離，并且在于，第一陰極接觸(5)，鄰近于夾層(7)，優(yōu)選地構成反射器(6)的部分并且優(yōu)選地與反射覆蓋元件(61)相接觸甚至電耦合。
12.根據前項權利要求所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，第一陰極接觸(5)是基于與反射覆蓋元件(61)相同的材料，優(yōu)選地基于鋁，尤其是第一陰極接觸(5)和反射覆蓋元件(61)由連續(xù)層形成，并且優(yōu)選地陰極接觸(5)是基于與陰極(3)相同的材料。
13.根據前項權利要求所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，所述連續(xù)層是基于與陰極(3 )相同的材料，尤其是鋁。
14.根據前述權利要求中之一所述的OLED設備(100至1000)，其特征在于，所述陰極包括基于鋁的層并且所述第一陰極接觸包括基于鋁的層。
15.根據權利要求1至10中之一所述的OLED設備，其特征在于，反射器包括布拉格鏡，鄰近于陰極接觸，并且陰極接觸構成反射器的部分。
【文檔編號】H01L27/32GK104137291SQ201280070915
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2012年12月28日 優(yōu)先權日:2011年12月30日
【發(fā)明者】V.謝里, F.利納爾, V.索維內 申請人:法國圣戈班玻璃廠