技術(shù)編號(hào)：7254534
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的光伏器件(100)具備結(jié)晶類半導(dǎo)體的襯底(10)和形成在襯底(10)的主面上的第一非晶層(12a)，在襯底(10)與第一非晶層(12a)的界面中，具有從與襯底(10)的界面附近起沿膜厚方向呈階梯狀地減少的p型摻雜物密度分布，從而，能夠抑制復(fù)合中心的增加并且提高導(dǎo)電率，能夠提高發(fā)電效率。專利說明光伏器件 [0001] 本發(fā)明涉及光伏器件。 背景技術(shù) [0002] 已知有在與結(jié)晶類硅襯底和被摻雜的非晶硅層之間形成有實(shí)質(zhì)上本征的非晶硅 層的光伏...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。