專利名稱：顯示裝置以及顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用有機EL顯示裝置等的薄膜晶體管(以下也簡寫為“TFT (ThinFilm Transistor)")的顯示裝置以及顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
一直以來，F(xiàn)PD(平板顯示器Flat Panel Display)的開發(fā)非常盛行，使用有機EL(電致發(fā)光Electro Luminescence)兀件或者LCD(液晶顯不器Liquid CrystalDisplay)元件的顯示裝置廣為人知。在LCD或有機EL顯示裝置中采用了有源矩陣方式，該有源矩陣方式能夠使用多個像素以高精度顯示任意的文字或圖形。作為有源矩陣方式的驅(qū)動電路元件的一個例子，薄膜晶體管方式為人所知。在表面為絕緣性的基板上以矩陣狀配置掃描線和信號線。由該掃 描線和信號線圍起的區(qū)域成為像素，在各像素配置薄膜晶體管。近年來，對顯示裝置的大型化和高精細化的要求越來越高，掃描線和信號線的導(dǎo)電材料部的信號傳遞的延遲成為問題。作為解決該問題的手段，提出了利用電阻更低的銅來代替作為導(dǎo)電材料而一直被使用的鋁等的導(dǎo)電金屬的方案。在使用銅作為導(dǎo)電材料的情況下，需要采取防止銅氧化的對策。如果銅表面與空氣中的氧或水分接觸，則表面會形成CuO或Cu2O等的氧化層。由于這些氧化層不會成為非動態(tài)，因此，氧化會發(fā)展至內(nèi)部，作為導(dǎo)電材料的銅的電阻率會增大，會失去作為低電阻的銅的優(yōu)勢。因此，為了不使銅布線的表面露出，需要某種防氧化層。為了防止銅表面的氧化，提出了以在SiNx、SiO5^P SiNO膜等的薄膜晶體管的制造中使用的絕緣膜覆蓋銅布線的方案。為了阻擋銅布線與大氣的接觸，并保護其不受蝕刻加工中使用的蝕刻劑的影響，作為絕緣膜的代替物，能夠舉出銦錫氧化物(以下簡稱為“ΙΤ0”)或銦鋅氧化物(以下簡稱為“ΙΖ0”)等的金屬氧化物導(dǎo)體。通常，這些金屬氧化物導(dǎo)體是在液晶顯示裝置中作為透明像素電極使用的。由于金屬氧化物導(dǎo)體不會在與銅之間產(chǎn)生原子的相互擴散，因此，除了作為透明像素電極使用以外，作為銅布線的保護膜也很有效。例如，如果在安裝了由銅布線構(gòu)成的掃描線或信號線和驅(qū)動電路等的安裝端子部分預(yù)先設(shè)置由金屬氧化物導(dǎo)體形成的保護層，則銅布線不會被大氣中的氧或水分氧化，銅布線的電阻率不會升高。因此，設(shè)置由金屬氧化物導(dǎo)體形成的保護層是用于在安裝端子部分維持接觸電阻較低的良好連接的有效手段。另外，在薄膜晶體管基板內(nèi)的絕緣膜設(shè)置接觸孔、并且在經(jīng)由接觸孔的布線之間的連接部分也設(shè)置由金屬氧化物導(dǎo)體構(gòu)成的保護層是用于在經(jīng)由接觸孔的布線之間的連接部分維持接觸電阻較低的良好連接的有效手段。另外，在薄膜晶體管基板的制造工序中，當(dāng)利用濺射法等在整個基板表面形成金屬薄膜之后，利用光刻將掃描線、信號線、柵極電極、源極電極、漏極電極和電容電極等的金屬導(dǎo)體部分加工成規(guī)定的圖案。但是，隨著銅布線的部位不同而圖案也不同，為了減少掩模數(shù)量，優(yōu)選在各布線部位上能夠在一次光刻工序中使用相同的抗蝕劑掩模來形成在銅薄膜上層疊了金屬氧化物導(dǎo)體膜的層疊結(jié)構(gòu)的圖案。另一方面，由于ITO等的金屬氧化物導(dǎo)體與銅的蝕刻液不同，因此，或者使用專用的蝕刻液、或者使用銅用的蝕刻液與金屬氧化物導(dǎo)體的蝕刻液的混合溶液。例如，有的專利文獻中提出了以下方案，即，在蝕刻時，首先使用鹽酸水溶液或在鹽酸水溶液中添加了硝酸的水溶液作為金屬氧化物導(dǎo)體膜用的溶液；作為銅薄膜用的溶液而使用含有過硫酸銨溶液或者過硫酸氫鉀(KHS05)和氫氟酸的溶液(例如，參照專利文獻I)。但是，要求能夠容易地制造具有由銅形成的低電阻布線的顯示裝置，并實現(xiàn)在長時間內(nèi)可靠性高的顯示裝置?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I JP特開2001-196371號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明概要本發(fā)明的顯示裝置具有顯示元件；控制顯示元件的發(fā)光的薄膜晶體管；和與薄膜晶體管連接的信號線，薄膜晶體管具有在絕緣性基板上形成的柵極電極；以覆蓋柵極電極的方式形成在基板上的柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成的溝道層；和與溝道層連接的源極電極以及漏極電極，并且，信號線的安裝端子部具有如下結(jié)構(gòu)在銅層上層疊有金屬氧化物的構(gòu)成，且將安裝端子部的截面設(shè)為梯形并且用保護膜覆蓋了安裝端子部的側(cè)面和上表面的周邊部。另外，本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的特征為，顯示裝置具有顯示元件；控制該顯示元件的發(fā)光的薄膜晶體管；和與該薄膜晶體管連接的信號線，薄膜晶體管具有在絕緣性基板上形成的柵極電極；以覆蓋柵極電極的方式形成在基板上的柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成的溝道層；和與溝道層連接的源極電極以及漏極電極，信號線的安裝端子部按如下構(gòu)成在銅層上形成層疊了金屬氧化物層的膜，之后，在金屬氧化物層上形成抗蝕劑掩模，然后，首先使用抗蝕劑掩模來蝕刻上層的金屬氧化物層，之后，使用抗蝕劑掩模來蝕刻下層的銅層，然后，再次蝕刻上層的金屬氧化物層，將安裝端子部的截面加工為梯形，然后，用保護膜覆蓋安裝端子部的側(cè)面和上表面的周邊部。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管用的銅布線基板及其制造方法和使用該制造方法的顯示裝置，能夠容易地制造由銅形成的具有低電阻布線且大型化、高精細化的顯示裝置。另外，還能夠確保安裝端子部或經(jīng)由接觸孔的布線間連接部的耐氧化性或耐藥劑性，并實現(xiàn)長期高可靠性的顯示裝置。


圖1是作為本發(fā)明的一個實施方式中的顯示裝置的有機EL顯示裝置的局部解剖立體圖。圖2是本發(fā)明的一個實施方式中的顯示裝置的像素的電路構(gòu)成圖。圖3是表示構(gòu)成本發(fā)明的一個實施方式中的顯示裝置的一個像素的驅(qū)動晶體管的設(shè)備結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖4是表示本發(fā)明的一個實施方式中的顯示裝置的安裝端子部分的構(gòu)成的剖視圖。圖5A是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5B是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5C是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5E是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5F是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5G是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5H是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖51是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5J是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5K是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5L是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5M是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5N是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖50是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖5P是表示本發(fā)明的一個實施方式中的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法中的制造工序的一個例子的剖視圖。圖6A是表示本發(fā)明的一個實施方式中的安裝端子部的制造方法中的各工序的剖視圖。圖6B是表示本發(fā)明的一個實施方式中的安裝端子部的制造方法中的各工序的剖視圖。
圖6C是表示本發(fā)明的一個實施方式中的安裝端子部的制造方法中的各工序的剖視圖。圖6D是表示本發(fā)明的一個實施方式中的安裝端子部的制造方法中的各工序的剖視圖。圖6E是表示本發(fā)明的一個實施方式中的安裝端子部的制造方法中的各工序的剖視圖。
具體實施例方式(實施方式)以下，參照附圖對本發(fā)明的一個實施方式中的顯示裝置以及該顯示裝置中所使用的薄膜晶體管及其制造方法進行說明。首先，關(guān)于本發(fā)明的一個實施方式中的顯示裝置，以有機EL顯示裝置為例進行說明。圖1是作為本發(fā)明的一個實施方式中的顯示裝置的有機EL顯示裝置的局部解剖立體圖。表示了有機EL顯示裝置的大致結(jié)構(gòu)。如圖1所示，有機EL顯示裝置具有有源矩陣基板I ;在有源矩陣基板I上以矩陣狀配置的多個像素2 ;與像素2連接，且在有源矩陣基板I上以陣列狀配置的多個像素電路3 ;在像素2和像素電路3上按順序?qū)盈B的作為陽極的電極4 ；由有機EL層5以及作為陰極的電極6構(gòu)成的EL元件；和用于將像素電路3分別與控制電路連接的多根源極布線7以及柵極布線8。另外，EL元件的有機EL層5是通過將電子輸送層、發(fā)光層和空穴輸送層等的各層按順序?qū)盈B而構(gòu)成的。接下來，通過圖2對像素2的電路構(gòu)成的一個例子進行說明。圖2是本發(fā)明的一個實施方式中的顯示裝置的像素的電路構(gòu)成圖。如圖2所示，像素2具有作為顯示元件的有機EL元件11 ;用于控制有機EL元件11的發(fā)光量的由薄膜晶體管構(gòu)成的驅(qū)動晶體管12 ;用于控制有機EL元件11的導(dǎo)通/截止等的驅(qū)動定時的由薄膜晶體管構(gòu)成的開關(guān)晶體管13 ;以及電容器14。而且，開關(guān)晶體管13的源極電極13S與源極布線7連接，柵極電極13G與柵極布線8連接，漏極電極13D與電容器14以及驅(qū)動晶體管12的柵極電極12G連接。另外，驅(qū)動晶體管12的漏極電極12D與電源布線9連接，源極電極12S與有機EL元件11的陽極連接。如上所述,作為顯示裝置的有機EL顯示裝置具有作為顯示元件的有機EL元件
11;控制該顯示元件的發(fā)光的薄膜晶體管；和與該薄膜晶體管連接的信號線。在這種構(gòu)成中，如果向柵極布線8輸入柵極信號，使開關(guān)晶體管13成為導(dǎo)通狀態(tài)，則與經(jīng)由源極布線7提供的圖像信號對應(yīng)的信號電壓被寫入到電容器14。在I幀期間內(nèi)保持寫入到電容器14的保持電壓。于是，通過寫入到電容器14的保持電壓，使驅(qū)動晶體管12的電導(dǎo)模擬性地變化，與發(fā)光灰度對應(yīng)的驅(qū)動電流從有機EL元件11的陽極流向陰極。通過該流向陰極的驅(qū)動電流，使有機EL元件11發(fā)光，以作為圖像來顯示。圖3是表示本發(fā)明的一個實施方式中的有機EL顯示裝置的一個像素中的設(shè)備結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖4是表示有機EL顯示裝置的安裝端子部分的構(gòu)成的剖視圖。首先，如圖3所示，有機EL顯示裝置的薄膜晶體管部分是在絕緣性基板20上形成成為驅(qū)動晶體管12或開關(guān)晶體管13的薄膜晶體管30a及30b (將薄膜晶體管30a及30b統(tǒng)稱為薄膜晶體管30)以及電容器40。另外，在圖3中，關(guān)于成為驅(qū)動晶體管12的薄膜晶體管30b只顯示了漏極電極35D，其他的構(gòu)成與薄膜晶體管30a的構(gòu)成相同，在以下的說明中，以薄膜晶體管30a為例進行說明。薄膜晶體管30a是底柵型的η型薄膜晶體管，是通過按順序分別層疊以下部分構(gòu)成的，即在絕緣性基板20上形成的柵極電極31 ;以覆蓋柵極電極31的方式在基板20上形成的柵極絕緣膜32 ;在柵極絕緣膜32上形成的溝道層33 ;在溝道層33上分離形成的一對接觸層34a及34b ;和在一對接觸層34a及34b上形成的源極電極35S以及漏極電極35D。因此，源極電極35S以及漏極電極3 與溝道層33連接?；?0是由例如石英玻璃等的玻璃基板形成的絕緣性基板。另外，雖然未圖示，但在基板20的表面上，為了防止包含在基板中的鈉或磷等雜質(zhì)侵入半導(dǎo)體膜，也可以形成由氮化硅膜(SiNx)或氧化硅膜(SiOx)等的絕緣膜構(gòu)成的底層膜。
柵極電極31是在由絕緣性基板形成的基板20上例如由鑰構(gòu)成且被圖案化為帶狀的電極。作為柵極電極31，也可以是鑰(Mo)以外的金屬，例如也可以由鑰鎢(MoW)等構(gòu)成。另外，作為柵極電極31的材料，當(dāng)在薄膜晶體管30的制造工序中包含加熱工序時，優(yōu)選難以因熱量而變質(zhì)的高熔點金屬材料。在本實施方式中，作為柵極電極31，使用了膜厚為IOOnm左右的鑰(Mo)。另外，如果使用銅作為柵極電極，則為了結(jié)晶化等而進行加熱，從而容易擴散到后面要提到的柵極絕緣膜中，因此，需要抑制在保護層等中的擴散。另外，為了同時形成柵極電極和布線，也需要加厚膜厚，當(dāng)形成薄膜晶體管時，如果柵極電極厚，則難以確保柵極絕緣膜的涂覆性，會在很大程度上影響制造時的成品率。因此，在本實施方式中，在不同的工序中形成柵極電極和掃描線，柵極電極以高熔點材料構(gòu)成為膜厚薄在IOOnm以下，使用銅作為掃描線，且構(gòu)成為膜厚在200nm以上。這樣一來，能夠獲得低電阻的掃描線和具有耐熱性的柵極電極。以覆蓋柵極電極31的方式形成的柵極絕緣膜32能夠使用例如二氧化硅(SiO2)。除此之外，作為柵極絕緣膜32的材料，能夠由氮化硅膜(SiN)或氮氧化硅膜(SiON)或它們的層疊膜等構(gòu)成。另外，在本實施方式中，由于使用銅作為在柵極絕緣膜32上形成的布線層，因此，優(yōu)選在柵極絕緣膜32與布線材料相接的部分使用SiNx。通過使用SiNx能夠降低銅的擴散。在本實施方式中，使用膜厚為200nm左右的SiNx作為柵極絕緣膜32。溝道層33在柵極電極31上方的柵極絕緣膜32上按島狀形成圖案。溝道層33由半導(dǎo)體膜構(gòu)成，形成為移動性高的半導(dǎo)體膜，因此，能夠提高TFT的導(dǎo)通電流。作為溝道層33，能夠使用包含結(jié)晶硅的晶質(zhì)硅膜或氧化物半導(dǎo)體和有機半導(dǎo)體。晶質(zhì)硅膜能夠由微晶硅或多晶硅構(gòu)成。晶質(zhì)硅能夠通過用退火等的加熱處理將非晶質(zhì)硅(amorphoussilicon)結(jié)晶化而形成。如果膜厚為30 160nm左右,則能夠維持必要的導(dǎo)通電流，并抑制截止電流。在本實施方式中，使用膜厚為80nm左右的晶質(zhì)硅作為溝道層33。另外，在本實施方式中，晶質(zhì)硅膜中的結(jié)晶粒徑為Iym以下。另外，作為溝道層33，可以是非晶質(zhì)結(jié)構(gòu)和晶質(zhì)結(jié)構(gòu)的混晶。另外，溝道層33是未摻雜層，未進行有意的雜質(zhì)的添加。不過，有可能會在制造過程中無意地在氫化非晶質(zhì)硅膜中混入雜質(zhì)。因此，作為溝道層33的硅膜中的雜質(zhì)濃度優(yōu)選為IX IO1Vcm3以下。而且，作為溝道層33，優(yōu)選雜質(zhì)濃度無限低，因此，溝道層33的雜質(zhì)濃度優(yōu)選為IXlO1Vcm3以下。另外，如果作為溝道層33的硅膜的雜質(zhì)濃度較高，則截止電流(Ioff)會變大，因此不優(yōu)選。一對接觸層34a及34b由包含雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅膜構(gòu)成，相互隔開地形成在溝道層33上，并且形成為還覆蓋溝道層33的側(cè)面。接觸層34a及34b能夠通過在膜厚為10 50nm左右的非晶質(zhì)硅中添加磷(P)等η型雜質(zhì)而形成。在本實施方式中以30nm的膜厚成膜。另外，接觸層34a及34b的雜質(zhì)濃度優(yōu)選為I X IO2Vcm3以上且I X IO2Vcm3以下。一般來講，該濃度是在硅膜中加入高濃度的雜質(zhì)時能夠容易實現(xiàn)的濃度。另外，作為接觸層34a及34b中的η型雜質(zhì)，不局限于磷，也可以是磷以外的其他V族元素。另外，不局限于η型雜質(zhì)，例如，也可以使用含有硼(B)等的第III族元素的P型雜質(zhì)。接觸層34a及34b雖然可以由包含一定濃度的雜質(zhì)的單層構(gòu)成，但是如果朝向溝道層33呈從高濃度變?yōu)榈蜐舛?，則能夠緩和接觸層34a及34b與溝道層33的界面的電場集 中。因此，由于能夠抑制截止時的漏電流而優(yōu)選。具體而言，接觸層34a及34b的雜質(zhì)濃度在接近源極電極35S和漏極電極3 之處以IXlO2Vcm3以上且IXlO2Vcm3以下的高濃度區(qū)域構(gòu)成。另外，優(yōu)選接觸層34a和34b的雜質(zhì)濃度在接近溝道層33之處由5X 102°/cm3以下，優(yōu)選I X 1019/cm3以上且I X 102°/cm3以下的低濃度區(qū)域構(gòu)成。源極電極35S以及漏極電極3 分別形成在接觸層34a及34b上，并以相互隔開的方式形成圖案。另外，源極電極35S以及漏極電極3 與接觸層34a及34b歐姆接合，并以側(cè)面與接觸層34a及34b —致的方式形成。源極電極35S以及漏極電極3 是利用例如濺射法以將ΙΤ0、Cu和Mo按該順序?qū)盈B形成的三層金屬層的方式成膜的。并且，是以例如將ITO的膜厚設(shè)為100nm，Cu的膜厚設(shè)為300nm，Mo的膜厚設(shè)為50nm的方式成膜的。而且，構(gòu)成三層金屬層的層疊膜的膜厚為200 IOOOnm左右。在此，電容器40由與薄膜晶體管30a的柵極電極31相同的電極41、與源極電極35S以及漏極電極3 相同的電極42以及夾在電極41及42之間的柵極絕緣膜32形成。另外，電容器40的電極41及42通過接觸布線部50與薄膜晶體管30a及30b的各電極電連接，薄膜晶體管30b的漏極電極3 通過接觸布線部51與圖1所示的顯示元件部分的電極4電連接。而且，為了使各電極、接觸布線部50及51之間絕緣，而形成由例如氮化硅膜(SiNx)等的絕緣膜構(gòu)成的層間絕緣膜53及54。接下來，對圖4所示的安裝端子部分進行說明。如圖4所示，為了將與顯示裝置的各電極連接的信號線與外部的電路連接，從而形成了安裝端子部60、61及62。安裝端子部60、61、62及信號線與薄膜晶體管30a、30b的源極電極35S以及漏極電極3 相同，是由以銅為主要成分的銅層形成的。并且，在銅層的上層(保護層)上形成銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等金屬氧化物的導(dǎo)電體；在銅層的下層(阻擋層)形成由鈦(Ti)鉭(Ta)、鑰(Mo)和鎢(W)這些金屬中的一種或兩種以上的材料構(gòu)成的膜。該銅層的下層(阻擋層)的目的是為了當(dāng)在溝道層33以及接觸層34a等中使用硅時防止銅的擴散。另外，如果此時將銅層的下層和柵極電極設(shè)為相同的材料，則能夠兼用制造裝置以及材料，因此，從降低制造成本這一點而言為優(yōu)選。
安裝端子部60、61及62是通過在將由氮化硅膜(SiNx)等的絕緣膜形成的層間絕緣膜54以400nm的膜厚形成之后，在層間絕緣膜54的一部分上形成開口部54a、54b及54c而設(shè)置的。在此，層間絕緣膜53及54只要是能夠確保銅布線的側(cè)面的耐氧化以及耐藥劑性的材質(zhì)即可，不局限于SiNx。另外，也可以在與銅直接相接的部分使用SiNx并與涂覆型的絕緣膜層疊而使膜變厚。接下來，關(guān)于具有圖3所示的結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管和積蓄電容部的制造方法，使用作為表示它們的制造工序的一個例子的剖視圖的圖5A 圖5P進行說明。首先，如圖5A所示，在由絕緣性玻璃基板形成的基板20上通過濺射法以IOOnm左右的膜厚成膜由鑰等形成的柵極金屬膜31M。另外，也可以在形成柵極金屬膜31M之前在基板20上形成內(nèi)涂層膜。接下來，通過對柵極金屬膜31M實施光刻以及濕式蝕刻而對柵極金屬膜31M進行
圖案化，如圖5B所示，形成規(guī)定形狀的柵極電極31和電容器的電極41。然后，如圖5C所示，利用等離子CVD(化學(xué)氣相沉積Chemical Vapor Deposition)覆蓋柵極電極31和電極41，在基板20上以200nm左右的膜厚成膜由氧化硅膜形成的柵極絕緣膜32。接下來，如圖所示，在柵極絕緣膜32上以30nm左右的膜厚形成由晶質(zhì)硅形成的溝道層用膜33F。由晶質(zhì)硅形成的溝道層用膜33F能夠通過在或者利用CVD法直接成膜微晶硅、或者利用等離子CVD法成膜非晶質(zhì)硅之后實施使用激光或者燈管進行的加熱處理從而結(jié)晶化而形成。接下來，如圖5E所示，將溝道層用膜33F覆蓋，成膜由添加了磷作為η型雜質(zhì)的非晶質(zhì)硅形成的接觸層用膜34F。然后，如圖5F所示，通過實施光刻以及干式蝕刻對接觸層用膜34F和溝道層用膜33F同時進行圖案化，形成溝道層33和接觸層34。接下來，如圖5G所示，將接觸層34和溝道層33覆蓋，成膜源極漏極金屬膜35Μ。然后，如圖5Η所示，通過實施光刻以及濕式蝕刻將源極漏極金屬膜35Μ圖案化，將源極電極35S以及漏極電極35D與電容器40的電極41分離形成。另外，源極漏極金屬膜35Μ的蝕刻是通過在金屬氧化物導(dǎo)體膜與銅的層疊結(jié)構(gòu)上實施濕式蝕刻而進行的。而且，如圖51所示，通過使用與圖5Η相同的形式進行干式蝕刻從而對接觸層34圖案化，分離形成規(guī)定形狀的一對接觸層34a及34b。另外，源極電極35S是以覆蓋接觸層34a的上表面以及溝道層33的側(cè)面的方式形成的。漏極電極3 是以覆蓋接觸層34b的上表面以及溝道層33的側(cè)面的方式形成的。接下來，如圖5J所示，以400nm的膜厚成膜由氮化硅膜(SiNx)形成的層間絕緣膜53，然后，如圖5K所示，繼續(xù)實施光刻以及濕式蝕刻(或干式蝕刻)，由此，對于層間絕緣膜53同時形成至源極電極35S、漏極電極35D以及柵極電極31的接觸孔和安裝端子部(未圖示)的開口部。另外，在圖5K所示的剖視圖中，源極電極35S的接觸孔未圖示。這是因為形成源極電極35S的接觸孔的截面與圖5K所示的截面不同。接下來，如圖5L所示，在將基板20的整個面覆蓋的狀態(tài)下成膜布線層50M，然后，如圖5M所示，將源極電極35S、漏極電極35D以及柵極電極31和接觸布線部50連接。接下來，如圖5N所示，以覆蓋基板20的整個面的方式成膜層間絕緣膜54，然后，如圖50所示，在與安裝端子部和EL用的電極4連接的部分設(shè)置開口部。然后，如圖5P所示，在成膜成為EL用的下部電極4的電極膜4M之后，實施光刻以及濕式蝕刻，由此制造具有圖3及圖4所示的結(jié)構(gòu)的裝置。在本發(fā)明中，信號線的安裝端子部60、61及62具有如下結(jié)構(gòu)在銅層上層疊ITO等的金屬氧化物層，并且安裝端子部60、61及62的截面被設(shè)為梯形，而且安裝端子部60、61及62的側(cè)面和上表面的周邊部被保護膜覆蓋。圖6A 6E是表示本發(fā)明的一個實施方式的安裝端子部的制造方法中的各工序的首1J視圖。如圖6A所示，在信號線的安裝端子部，首先在基板20上形成以銅為主要成分的銅層70，并且形成由ITO等構(gòu)成的金屬氧化物層71。然后，使用通常的光刻技術(shù)在層疊膜上形成抗蝕劑掩模72。接下來，如圖6B所示，使用硝酸水溶液對金屬氧化物層71進行濕式蝕刻。接下來，如圖6C所示，使用抗蝕劑掩模72進行利用由對銅和鑰薄膜實施蝕刻的磷酸、硝酸和醋酸組成的混酸的濕式蝕刻。然后，如圖6D所示，使用抗蝕劑掩模72，利用硝酸水溶液進行濕式蝕刻，將金屬氧化物層71的伸出部71a除去。然后，通過除去抗蝕劑掩模72從而將端子部60、61及62的截面加工成梯形。然后，如圖6E所示，通過用保護膜73將安裝端子部60、61及62的側(cè)面和上表面的周邊部覆蓋從而完成。即，在本發(fā)明中，信號線的安裝端子部60、61及62構(gòu)成為在銅層上形成層疊了金屬氧化物層的膜之后，在金屬氧化物層上形成抗蝕劑掩模，然后，首先使用抗蝕劑掩模對上層的金屬氧化物層進行蝕刻，然后，使用抗蝕劑掩模對下層的銅層進行蝕刻，然后，再次對上層的金屬氧化物層進行蝕刻，將截面加工成梯形，之后，用保護膜73覆蓋安裝端子部60、61及62的側(cè)面和上表面的周邊部，去除金屬氧化物層71的伸出部71a，用保護膜73覆蓋銅層和金屬氧化物層的側(cè)面，由此，能夠防止安裝端子部60、61及62的腐蝕。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，本發(fā)明從獲得高可靠性的顯示裝置的角度上來看是很有用的發(fā)明。附圖標(biāo)記的說明20 基板30、30a、30b 薄膜晶體管31 柵極電極32 柵極絕緣膜33 溝道層34、34a、34b 接觸層35S 源極電極35D 漏極電極60,61,62 安裝端子部70 銅層71 金屬氧化物層72 抗蝕劑掩模73 保護膜
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，具有顯示元件；控制上述顯示元件的發(fā)光的薄膜晶體管；和與上述薄膜晶體管連接的信號線，上述薄膜晶體管具有在絕緣性基板上形成的柵極電極；以覆蓋上述柵極電極的方式形成在上述基板上的柵極絕緣膜；在上述柵極絕緣膜上形成的溝道層；和與上述溝道層連接的源極電極以及漏極電極，并且，上述信號線的安裝端子部具有如下結(jié)構(gòu)在銅層上層疊有金屬氧化物層，且將上述安裝端子部的截面設(shè)為梯形并且用保護膜覆蓋了上述安裝端子部的側(cè)面和上表面的周邊部。
2.—種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具有顯示元件；控制上述顯示元件的發(fā)光的薄膜晶體管；和與上述薄膜晶體管連接的信號線，上述薄膜晶體管具有在絕緣性基板上形成的柵極電極；以覆蓋上述柵極電極的方式形成在上述基板上的柵極絕緣膜；在上述柵極絕緣膜上形成的溝道層；和與上述溝道層連接的源極電極以及漏極電極，上述信號線的安裝端子部按如下構(gòu)成在銅層上形成層疊了金屬氧化物層的膜，之后，在上述金屬氧化物層上形成抗蝕劑掩模，然后，首先使用上述抗蝕劑掩模來蝕刻上層的上述金屬氧化物層，之后，使用上述抗蝕劑掩模來蝕刻下層的上述銅層，然后，再次蝕刻上述上層的上述金屬氧化物層，將上述安裝端子部的截面加工為梯形，然后，用保護膜覆蓋上述安裝端子部的側(cè)面和上表面的周邊部。
全文摘要
一種顯示裝置以及顯示裝置的制造方法。該顯示裝置具有顯示元件；控制顯示元件的發(fā)光的薄膜晶體管；和與薄膜晶體管連接的信號線，薄膜晶體管具有在絕緣性基板上形成的柵極電極；以覆蓋柵極電極的方式形成在基板上的柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成的溝道層；和與溝道層連接的源極電極以及漏極電極，并且，信號線的安裝端子部具有如下結(jié)構(gòu)在銅層上層疊有金屬氧化物層，且將安裝端子部的截面設(shè)為梯形并且用保護膜覆蓋了安裝端子部的側(cè)面和上表面的周邊部。
文檔編號H01L27/32GK103003861SQ20128000167
公開日2013年3月27日 申請日期2012年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月19日
發(fā)明者佐藤一郎 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社