專利名稱：陣列基板、有機發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于有機發(fā)光二極管顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板、有機發(fā)光二極管顯示裝置。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管(OLED, Organic Light Emitting Diode)是一種有機薄膜電致發(fā)光器件，其具有制備工藝簡單、成本低、發(fā)光效率高、易形成柔性結(jié)構(gòu)等優(yōu)點。因此，利用有機發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。有機發(fā)光二極管顯示裝置包括多個像素單元，每個像素單元中設(shè)有一個有機發(fā)光二極管，通過控制各有機發(fā)光二極管的電流即可控制它們的發(fā)光強度，從而實現(xiàn)顯示。其中，顯示器上的每個“可見像素”由多個相鄰且發(fā)出不同顏色光的像素單元構(gòu)成，各像素單元發(fā)出的光混合后成為該“可見像素”發(fā)出的光；組成“可見像素”的像素單元的顏色(即彩膜的顏色)可有多種不同模式，例如RGB(紅綠藍(lán))模式(即一個紅色像素單元、一個綠色像素單元、一個黃色像素單元組成一個“可見像素”)、RGBW(紅綠藍(lán)白)模式、RGBY(紅綠藍(lán)黃)模式等。由于白光有機發(fā)光二極管(WOLED)的技術(shù)比較成熟,發(fā)光效率高，因此其在有機發(fā)光二極管顯示裝置中獲得了廣泛應(yīng)用。如圖1所示，白光有機發(fā)光二極管顯示裝置的一個“可見像素”可包括設(shè)于基板7上的紅、綠、藍(lán)三個像素單元9R、9G、9B(當(dāng)然也可為其他模式)，各像素單元9R、9G、9B中設(shè)有薄膜晶體管(TFT)驅(qū)動層1，在薄膜晶體管驅(qū)動層I上依次設(shè)有陽極(第一電極21)、發(fā)光層23、陰極(第二電極22)、封閉層8 (Encapsulation)、相應(yīng)顏色的彩膜3R、3G、3B (又稱彩色濾光片)。其中，陽極、發(fā)光層23、陰極構(gòu)成有機發(fā)光二極管2，薄膜晶體管驅(qū)動層I可獨立驅(qū)動各像素單元9R、9G、9B的陽極，從而使各有機發(fā)光二極管2發(fā)出不同亮度的光，這些光經(jīng)過相應(yīng)的彩膜3R、3G、3B后成為不同顏色，并混合成為“可見像素”所發(fā)的光。為提高發(fā)光效率，可在有機發(fā)光二極管顯示裝置中形成微腔(Micro Cavity)結(jié)構(gòu)。微腔結(jié)構(gòu)是指在一反射層和一半反半透層間形成的厚度為微米量級的結(jié)構(gòu)，光線會在兩層間不斷反射，由于諧振作用，故最終從半反半透層射出的光線中特定波長的光會得到加強，而該得到加強的波長與微腔厚度有關(guān)。在白光有機發(fā)光二極管顯示裝置中，不同像素單元是用于發(fā)出不同顏色的光的，因此不同像素單元處的微腔應(yīng)能使不同波長的光(與其彩膜顏色相同的光)獲得增強，即不同像素單元處的微腔厚度應(yīng)不同。為達(dá)到這一目的，可如圖2所示，在白光有機發(fā)光二極管顯示裝置中以陰極為半反半透層6，而將陽極設(shè)為透明層，并在陽極下方增設(shè)反射層4;這樣，只要調(diào)節(jié)各陽極的厚度即可控制相應(yīng)像素單元9R、9G、9B的微腔結(jié)構(gòu)的厚度。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:陣列基板的各陽極是處于同一層中的，原本可在一次構(gòu)圖工藝中同時形成，但在具有微腔的白光有機發(fā)光二極管顯示裝置中，各像素單元中的陽極厚度不同，故它們要在多次構(gòu)圖工藝中分別形成，或者在構(gòu)圖工藝中要使用雙色調(diào)掩膜板，而這些都會導(dǎo)致制備工藝復(fù)雜、成本高。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有技術(shù)中的具有微腔結(jié)構(gòu)的陣列基板制備工藝復(fù)雜、成本高的問題，提供一種制備工藝簡單、成本低的陣列基板。解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，所述像素單元包括:薄膜晶體管驅(qū)動層；比所述薄膜晶體管驅(qū)動層更遠(yuǎn)離基板并受薄膜晶體管驅(qū)動層驅(qū)動的有機發(fā)光二極管，在遠(yuǎn)離基板的方向上有機發(fā)光二極管依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，其中，所述第二電極為半反半透層，或所述第二電極透明且其上設(shè)有半反半透層；反射層，其位于所述薄膜晶體管驅(qū)動層與有機發(fā)光二極管間，且與所述半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)；位于所述反射層與有機發(fā)光二極管間、且處于微腔結(jié)構(gòu)中的彩膜。其中，“薄膜晶體管驅(qū)動層”指用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管的薄膜晶體管陣列結(jié)構(gòu)，其包括薄膜晶體管、掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線、絕緣層、鈍化層等多層結(jié)構(gòu)?！坝袡C發(fā)光二極管”指由第一電極、第二電極和夾在兩電極間的發(fā)光層構(gòu)成的能發(fā)光的結(jié)構(gòu)，在基板的部分位置(如各像素單元之間的位置)可能只有第二電極和發(fā)光層而無第一電極(因此各像素單元中的第一電極是相互獨立的)，或者在電極與發(fā)光層間還可設(shè)有絕緣的像素限定層，這些位置不能發(fā)光，故不是“有機發(fā)光二極管”；因此，反射層和彩膜只要位于與“有機發(fā)光二極管”相對的位置即可，而在不構(gòu)成“有機發(fā)光二極管”的區(qū)域可沒有反射層和彩膜?！鞍l(fā)光層”是指可在電流作用下發(fā)光的結(jié)構(gòu)，其可為單層結(jié)構(gòu)，也可由多個不同的層組成；“發(fā)光層”至少包括一個有機電致發(fā)光材料層(EML),但其還可包括:位于有機電致發(fā)光材料層與陰極層間的電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL);位于有機電致發(fā)光材料層與陽極層間的空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)等其他結(jié)構(gòu)。本實用新型的陣列基板中，彩膜位于反射層和有機發(fā)光二極管之間，而第二電極(或第二電極上的半反半透層)與反射層間形成微腔結(jié)構(gòu)，故彩膜處在微腔之中，因此可通過控制彩膜厚度調(diào)節(jié)微腔厚度，由于不同顏色的像素單元的彩膜本就要在不同步驟中形成，因此它們的厚度可很容易的被分別控制，故本實用新型的陣列基板制備工藝簡單，成本低；同時，由于其薄膜晶體管驅(qū)動層上方設(shè)有反射層和有機發(fā)光二極管，故一方面薄膜晶體管所在位置也可用于發(fā)光，開口率高，發(fā)光效率高，另一方面，反射層可阻止光線射到薄膜晶體管上，從而降低其漏電流，使顯示精確。優(yōu)選的是，所述發(fā)光層為用于發(fā)出白光的發(fā)光層。進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述用于發(fā)出白光的發(fā)光層包括:交疊的發(fā)紅光的有機電致發(fā)光材料層、發(fā)綠光的有機電致發(fā)光材料層、發(fā)藍(lán)光的有機電致發(fā)光材料層。也就是說，發(fā)光層可通過使用特定的結(jié)構(gòu)和已知材料發(fā)白光，例如其中可將用于發(fā)紅、綠、藍(lán)三色光(當(dāng)然也可采用別的顏色組合)的有機電致發(fā)光材料層交疊設(shè)置，從而使它們發(fā)出的光混合成白光；或者也可將發(fā)紅、綠、藍(lán)三色光的有機電致發(fā)光材料混合成一個有機電致發(fā)光材料層，使其發(fā)白光。優(yōu)選的是，所述薄膜晶體管驅(qū)動層包括掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線、多組薄膜晶體管，每組薄膜晶體管用于驅(qū)動一個像素單元中的有機發(fā)光二極管；其中，每組薄膜晶體管包括一個開關(guān)薄膜晶體管和一個驅(qū)動薄膜晶體管，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接驅(qū)動薄膜晶體管的柵極；驅(qū)動薄膜晶體管的源極連接電源電壓線，漏極連接有機發(fā)光二極管的第一電極。優(yōu)選的是，所述彩膜中設(shè)有過孔，所述第一電極通過所述過孔與薄膜晶體管驅(qū)動層電連接，且所述過孔處設(shè)有位于第一電極與發(fā)光層之間的絕緣的像素限定層。優(yōu)選的是，所述反射層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且反射率在8(Tl00%之間，厚度在〗00、..1 0000A之間。優(yōu)選的是，所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過率在5、5%之間，厚度在〗0 200A之間。優(yōu)選的是，所述彩膜厚度在5000 40000A之間。優(yōu)選的是，所述彩膜包括:紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜；或紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、白色彩膜；或紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、黃色彩膜。也就是說，組成一個“可見像素”的各像素單元中的彩膜的顏色可有以上多種的不同模式；當(dāng)然，如果采用其他的顏色模式，也是可行的。優(yōu)選的是，所述第一電極為有機發(fā)光二極管的陰極，所述第二電極為有機發(fā)光二極管的陽極；或所述第一電極為有機發(fā)光二極管的陽極，所述第二電極為有機發(fā)光二極管的陰極。本實用新型所要解決的技術(shù)問題還包括，針對現(xiàn)有技術(shù)中的具有微腔結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光二極管顯示裝置制備工藝復(fù)雜、成本高的問題，提供一種制備工藝簡單、成本低的有機發(fā)光二極管顯示裝置。
解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，其包括上述的陣列基板。本實用新型的有機發(fā)光二極管顯示裝置中具有上述陣列基板，故其制備工藝簡單、成本低。本實用新型特別適用于白光有機發(fā)光二極管(WOLED)顯示裝置中。

圖1為現(xiàn)有的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有的具有微腔結(jié)構(gòu)的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型的實施例2的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實用新型的實施例2的陣列基板的有機發(fā)光二極管驅(qū)動電路的等效電路圖；圖5為本實用新型的實施例2的陣列基板的制備過程中形成薄膜晶體管驅(qū)動層后的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本實用新型的實施例2的陣列基板的制備過程中形成反射層后的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本實用新型的實施例2的陣列基板的制備過程中形成彩膜后的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本實用新型的實施例2的陣列基板的制備過程中形成像素限定層后的陣列基板的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖。其中附圖標(biāo)記為:1、薄膜晶體管驅(qū)動層；111、開關(guān)薄膜晶體管柵極；112、開關(guān)薄膜晶體管源極；113、開關(guān)薄膜晶體管漏極；114、開關(guān)薄膜晶體管有源區(qū)；121、驅(qū)動薄膜晶體管柵極；122、驅(qū)動薄膜晶體管源極；123、驅(qū)動薄膜晶體管漏極；124、驅(qū)動薄膜晶體管有源區(qū)；12、柵極絕緣層；13、間隔絕緣層；14、鈍化層；2、有機發(fā)光二極管；21、第一電極；22、第二電極；23、發(fā)光層；3、彩膜；3R、紅色彩膜；3G、綠色彩膜；3B、藍(lán)色彩膜；4、反射層；6、半反半透層；7、基板；8、封閉層；9R、紅色像素單元；9G、綠色像素單元；9B、藍(lán)色像素單元；91、像素限定層；DATA、數(shù)據(jù)線；SCAN、掃描線；Vdd、電源電壓線；Cs、存儲電容。
具體實施方式
為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實用新型的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。實施例1:本實施例提供一種陣列基板，其包括多個位于基板上的像素單元，像素單元包括:薄膜晶體管驅(qū)動層。比薄膜晶體管驅(qū)動層更遠(yuǎn)離基板并受薄膜晶體管驅(qū)動層驅(qū)動的有機發(fā)光二極管，在遠(yuǎn)離基板的方向上有機發(fā)光二極管依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，其中，第二電極為半反半透層，或第二電極透明且其上設(shè)有半反半透層。反射層，其位于薄膜晶體管驅(qū)動層與有機發(fā)光二極管間，且與半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)。位于反射層與有機發(fā)光二極管間、且處于微腔結(jié)構(gòu)中的彩膜。本實施例的陣列基板中，彩膜位于反射層和有機發(fā)光二極管之間，而第二電極(或第二電極上的半反半透層)與反射層間形成微腔結(jié)構(gòu)，故彩膜處在微腔之中，因此可通過控制彩膜厚度調(diào)節(jié)微腔厚度，由于不同顏色的像素單元的彩膜本就要在不同步驟中形成，因此它們的厚度可很容易的被分別控制，故本實施例的陣列基板制備工藝簡單，成本低；同時，由于其薄膜晶體管驅(qū)動層上方設(shè)有反射層和有機發(fā)光二極管，故一方面薄膜晶體管所在位置也可用于發(fā)光，開口率高，發(fā)光效率高，另一方面，反射層可阻止光線射到薄膜晶體管上，從而降低其漏電流，使顯示精確。實施例2:如圖3、圖4所示，本實施例提供一種陣列基板，其包括多個位于基板7上的像素單元；其中，多個相鄰的帶有不同顏色彩膜3的像素單元構(gòu)成一個顯示器上的“可見像素”。其中，彩膜的顏色可由多種不同的模式。優(yōu)選的，彩膜包括紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜(RGB模式)；或包括紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、白色彩膜(RGBW模式)；或包括紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、黃色彩膜(RGBY模式)。如圖3所示，在逐漸遠(yuǎn)離基板7的方向上，陣列基板依次包括薄膜晶體管驅(qū)動層1、反射層4、彩膜3、有機發(fā)光二極管2、封閉層8。其中，薄膜晶體管驅(qū)動層I是用于驅(qū)動有機發(fā)光二極管2發(fā)光的薄膜晶體管陣列，其主要包括薄膜晶體管、掃描線SCAN、數(shù)據(jù)線DATA、電源電壓線Vdd、柵極絕緣層12、間隔絕緣層13、鈍化層14等結(jié)構(gòu)。其中，各薄膜晶體管優(yōu)選為金屬氧化物薄膜晶體管，如鋅錫氧化物(ZnSnO)薄膜晶體管、銦鎵鋅氧化物(IGZO)薄膜晶體管等，因為金屬氧化物薄膜晶體管具有結(jié)構(gòu)簡單、易制備、遷移率高、均一性好等優(yōu)點。當(dāng)然，如果使用非晶硅薄膜晶體管、有機薄膜晶體管等也是可行的。優(yōu)選的，一種薄膜晶體管驅(qū)動層I的結(jié)構(gòu)如圖3所示，包括多組薄膜晶體管，每組薄膜晶體管控制一個像素單元，而每組薄膜晶體管包括一個開關(guān)薄膜晶體管和一個驅(qū)動薄膜晶體管，兩薄膜晶體管分別具有各自獨立的有源區(qū)114、124。其中，開關(guān)薄膜晶體管的柵極111連接掃描線SCAN，源極112連接數(shù)據(jù)線DATA，漏極113連接驅(qū)動薄膜晶體管的柵極121 ;而驅(qū)動薄膜晶體管的源極122連接電源電壓線Vdd，漏極123連接有機發(fā)光二極管2的第一電極21 (即陽極)，并與開關(guān)薄膜晶體管的漏極113間形成儲存電容Cs，從而形成如圖4所示等效電路。其中，薄膜晶體管驅(qū)動層I中的各結(jié)構(gòu)間通過柵絕緣層12和間隔絕緣層13隔開，而薄膜晶體管與陣列基板中的其他結(jié)構(gòu)間通過鈍化層14隔開。當(dāng)然，以上所述的只是薄膜晶體管驅(qū)動層I的一種具體結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管驅(qū)動層I也可為其他的不同結(jié)構(gòu)，只要其能夠獨立驅(qū)動各像素單元中的有機發(fā)光二極管2即可。由于薄膜晶體管驅(qū)動層I可采用多種不同的已知形式，故在此不再詳細(xì)描述。在薄膜晶體管驅(qū)動層I的鈍化層14上設(shè)有反射層4，該反射層4用于反射由有機發(fā)光二極管2發(fā)出的光。優(yōu)選的，反射層4由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，反射率在80 100%之間，厚度在100 10000人之間。在反射層4上設(shè)有彩膜3，彩膜3用于過濾通過其的光，各像素單元中的彩膜3顏色不同，從而各像素單元發(fā)出不同顏色的光。優(yōu)選的，彩膜3的厚度在5000~40000人之間；之所以彩膜3的厚度范圍較大，是因為彩膜3位于微腔結(jié)構(gòu)中，因此可通過調(diào)節(jié)彩膜3厚度而控制微腔厚度，從而使各像素單元中的微腔結(jié)構(gòu)增強與其彩膜3顏色相同的光。在彩膜3上設(shè)有有機發(fā)光二極管2,在遠(yuǎn)離基板7的方向上有機發(fā)光二極管2依次包括透明的第一電極21 (即陽極)、發(fā)光層23、第二電極22(即陰極)；其中，第二電極22為半反半透層6，而第一電極21可由氧化銦錫、氧化銦鋅等透明且導(dǎo)電的材料制成。本實施例的陣列基板中，半反半透層6(第二電極22)和反射層4構(gòu)成了微腔結(jié)構(gòu)，由發(fā)光層23發(fā)出的光可在二者間經(jīng)過多次反射后再從半反半透層6射出，并由于諧振作用使特定波長的光(與該像素單元的彩膜3顏色相同的光)獲得增強，以提高發(fā)光效率。優(yōu)選的，作為本實施例的另一種方式，也可將第二電極22設(shè)置成透明的(如用氧化銦錫等透明材料制造第二電極22)，之后再于第二電極22上設(shè)置獨立的半反半透層6 ;這樣也可形成上述的微腔結(jié)構(gòu)，在此就不再詳細(xì)描述了。顯然，雖然本實施例中以第一電極21為有機發(fā)光二極管2的陽極，第二電極22為有機發(fā)光二極管2的陰極；但如果以第一電極21為有機發(fā)光二極管2的陰極，第二電極22為有機發(fā)光二極管2的陽極也是可行的。優(yōu)選的，上述半反半透層6 (第二電極22或單獨的半反半透層6)由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過率在5、5%之間，厚度在10 200A之間。優(yōu)選的，發(fā)光層23為用于發(fā)出白光的發(fā)光層23 ;其可通過多種不同的方式實現(xiàn)發(fā)白光的功能。進(jìn)一步優(yōu)選的，發(fā)出白光的發(fā)光層包括:交疊的發(fā)紅光的有機電致發(fā)光材料層、發(fā)綠光的有機電致發(fā)光材料層、發(fā)藍(lán)光的有機電致發(fā)光材料層。由于白光OLED的技術(shù)比較成熟，同時白光在經(jīng)過彩膜3后可直接成為該彩膜3顏色的光，因此用發(fā)白光的發(fā)光層23最容易進(jìn)行顯示。當(dāng)然，如果發(fā)光層23發(fā)出的是有顏色的光也是可行的，只要相應(yīng)改變各彩膜3的顏色，保證最終能實現(xiàn)顯示即可。優(yōu)選的，第一電極21可通過位于彩膜3上的過孔與薄膜晶體管驅(qū)動層I中的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極電連接(當(dāng)然反射層4和薄膜晶體管驅(qū)動層I的鈍化層14中也應(yīng)有相應(yīng)開口)；同時，在該過孔處還有位于第一電極21和發(fā)光層23間的絕緣的像素限定層91(PDL, Pixel Defining Layer)。本實施例的有機發(fā)光二極管2與薄膜晶體管驅(qū)動層I間設(shè)有彩膜3，故第一電極21需要通過過孔與薄膜晶體管驅(qū)動層I電連接。同時，由于過孔處沒有彩膜3和反射層4，因此這部分的發(fā)光層23不應(yīng)發(fā)光(或者說這一部分不是有機發(fā)光二極管2)，故需要設(shè)置絕緣的像素限定層91以阻斷該位置處的第一電極21與發(fā)光層23間的電流。當(dāng)然，像素限定層91只要起到阻止有機發(fā)光二極管2發(fā)光的目的即可(或者說限定像素單元的顯示區(qū)域)，因此其也可為其他的形式，如可位于第二電極22與發(fā)光層23之間。當(dāng)然，第一電極21也可通過其他的方式與薄膜晶體管驅(qū)動層I電連接，例如可通過各像素單元之間的位置與薄膜晶體管驅(qū)動層I相連。當(dāng)然，本實施例的陣列基板中還可具有其他的常規(guī)結(jié)構(gòu)，例如在各像素單元的邊緣處也可具有像素限定層91等。如圖5至圖8所示，本實施例的陣列基板的制備方法可包括以下步驟:S01、在基板7上形成薄膜晶體管驅(qū)動層I的圖形，得到如圖5所示的結(jié)構(gòu)。其中，薄膜晶體管驅(qū)動層I中包括多個層結(jié)構(gòu)，這些層結(jié)構(gòu)可在多次構(gòu)圖工藝中依次形成。通常構(gòu)圖工藝包括先形成(通過沉積、涂布、濺射等方式)由特定材料構(gòu)成的完整膜層，之后通過光刻工藝(通常包括光刻膠涂布、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟)去掉該完整膜層中的一部分，使剩余部分形成所需圖形。由于構(gòu)圖工藝是已知的工藝，且薄膜晶體管驅(qū)動層I的結(jié)構(gòu)可與現(xiàn)有技術(shù)相同，故在此不再對其具體過程進(jìn)行詳細(xì)描述。S02、通過構(gòu)圖工藝形成反射層4的圖形，得到如圖6所示的結(jié)構(gòu)。S03、通過印刷工藝或構(gòu)圖工藝在各像素中分別形成所需顏色的彩膜3，得到彩膜3的圖形；其中，彩膜3中具有連通薄膜晶體管驅(qū)動層I的過孔(如圖7所示)。S04、形成包括有機發(fā)光二極管2的圖形，其包括:S041、通過構(gòu)圖工藝形成透明的第一電極21的圖形，第一電極21通過過孔與薄膜晶體管驅(qū)動層I電連接。S042、通過構(gòu)圖工藝形成至少位于過孔上方的絕緣的像素限定層91的圖形，得到如圖8所示的結(jié)構(gòu)。S043、形成發(fā)光層23。S044、形成半反半透的第二電極22。或者，本步驟也可為:先形成透明的第二電極22，之后在第二電極22上形成半反半透層6。[0076]S05、形成封閉層8，得到如圖3所示的陣列基板。此時的陣列基板也可作為有機發(fā)光二極管顯示裝置，或者可再對其進(jìn)行封裝等處理后得到有機發(fā)光二極管顯示裝置。實施例3:本實施例提供一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，其包括上述的陣列基板。該顯示裝置可以包括:0LED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。本實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中具有上述陣列基板，故其制備工藝簡單、成本低。當(dāng)然，本實施例的有機發(fā)光二極管顯示裝置中還可具有其他的常規(guī)結(jié)構(gòu)，如與陣列基板對盒的封閉基板、電源單元、顯示驅(qū)動單元等?？梢岳斫獾氖牵陨蠈嵤┓绞絻H僅是為了說明本實用新型的原理而采用的示例性實施方式，然而本實用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實用新型的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，其特征在于，所述像素單元包括: 薄膜晶體管驅(qū)動層； 比所述薄膜晶體管驅(qū)動層更遠(yuǎn)離基板并受薄膜晶體管驅(qū)動層驅(qū)動的有機發(fā)光二極管，在遠(yuǎn)離基板的方向上有機發(fā)光二極管依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，其中，所述第二電極為半反半透層，或所述第二電極透明且其上設(shè)有半反半透層； 反射層，其位于所述薄膜晶體管驅(qū)動層與有機發(fā)光二極管間，且與所述半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)； 位于所述反射層與有機發(fā)光二極管間、且處于微腔結(jié)構(gòu)中的彩膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述發(fā)光層為用于發(fā)出白光的發(fā)光層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述用于發(fā)出白光的發(fā)光層包括: 交疊的發(fā)紅光的有機電致發(fā)光材料層、發(fā)綠光的有機電致發(fā)光材料層、發(fā)藍(lán)光的有機電致發(fā)光材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板，其特征在于， 所述薄膜晶體管驅(qū)動層包括掃描線、數(shù)據(jù)線、電源電壓線、多組薄膜晶體管，每組薄膜晶體管用于驅(qū)動一個像素單元中的有機發(fā)光二極管； 其中，每組薄膜晶體管包括一個開關(guān)薄膜晶體管和一個驅(qū)動薄膜晶體管，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極連接掃描線，源極連接數(shù)據(jù)線，漏極連接驅(qū)動薄膜晶體管的柵極；驅(qū)動薄膜晶體管的源極連接電源電壓線， 漏極連接有機發(fā)光二極管的第一電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板，其特征在于， 所述彩膜中設(shè)有過孔，所述第一電極通過所述過孔與薄膜晶體管驅(qū)動層電連接，且所述過孔處設(shè)有位于第一電極與發(fā)光層之間的絕緣的像素限定層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板，其特征在于， 所述反射層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且反射率在8(Tl00%之間，厚度在丨OO-10000A之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板，其特征在于， 所述半反半透層由銀、鋁、鑰、銅、鈦、鉻中的任意一種金屬或它們中任意兩種或以上的合金構(gòu)成，且透過率在5、5%之間，厚度在10 200,4之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板，其特征在于， 所述彩膜厚度在5000_、40000A之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜包括: 紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜； 或 紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、白色彩膜； 或 紅色彩膜、綠色彩膜、藍(lán)色彩膜、黃色彩膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一電極為有機發(fā)光二極管的陰極，所述第二電極為有機發(fā)光二極管的陽極； 或所述第一電極為有機發(fā)光二極管的陽極，所述第二電極為有機發(fā)光二極管的陰極。
11.一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，包括:權(quán)利要求1至10中任意一項 所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型提供一種陣列基板、有機發(fā)光二極管顯示裝置，屬有機發(fā)光二極管顯示技術(shù)領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有的有機發(fā)光二極管顯示裝置制備工藝復(fù)雜、成本高的問題。本實用新型的陣列基板包括多個位于基板上的像素單元，像素單元包括薄膜晶體管驅(qū)動層；比薄膜晶體管驅(qū)動層更遠(yuǎn)離基板并受薄膜晶體管驅(qū)動層驅(qū)動的有機發(fā)光二極管，在遠(yuǎn)離基板的方向上有機發(fā)光二極管依次包括透明的第一電極、發(fā)光層、第二電極，其中，第二電極為半反半透層，或第二電極透明且其上設(shè)有半反半透層；位于薄膜晶體管驅(qū)動層與有機發(fā)光二極管間的反射層，其與半反半透層形成微腔結(jié)構(gòu)；位于反射層與有機發(fā)光二極管間的彩膜。本實用新型特別適用于白光有機發(fā)光二極管顯示裝置中。
文檔編號H01L27/32GK202996839SQ20122068648
公開日2013年6月12日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司