專利名稱：一種發(fā)光二極管的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于光電技術領域，尤其涉及一種發(fā)光二極管。
背景技術：
以藍寶石為襯底的發(fā)光二極管LED，主要是藍光、綠光以及加熒光粉后的白光LED。目前，發(fā)光二極管LED的取光效率較低，大部分能量都轉(zhuǎn)換為熱量，為了保證LED的壽命，一般要求散熱效果較好的結(jié)構(gòu)，但是，藍寶石和GaN材料的散熱效果較差，如果LED芯片的熱量散不出去，則會加速芯片的老化，芯片失效。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種發(fā)光二極管，旨在解決現(xiàn)有技術中藍寶石和GaN材料的散熱效果較差，如果LED芯片的熱量散不出去，則會加速芯片的老化，芯片失效的問題。本實用新型是這樣實現(xiàn)的，一種發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括發(fā)光二極管芯片和反光二極管基板，所述發(fā)光二極管芯片倒置的方式設置在所述反光二極管基板上，其中所述發(fā)光二極管芯片設有一透明的藍寶石襯底，通過焊接方式設置在所述藍寶石襯底上的GaN結(jié)構(gòu)層，所述GaN結(jié)構(gòu)層的下表面設置有P電極和N電極；所述反光二極管基板一摻雜有N型單面拋光單晶形成的單晶襯底，所述單晶襯底的拋光面上設有一層生長氧化層，所述生長氧化層上設有若干個用以形成P型層的擴散窗口，所述P型層上設有接觸層，所述接觸層上設有金屬層，所述金屬層連接發(fā)光二極管芯片的電極，所述接觸層上設有延伸電極。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用該發(fā)光二極管的LED，散熱效果好，保證了 LED的使用壽命。
圖I是本實用新型提供的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本實用新型。圖I示出了本實用新型提供的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖，為了便于說明，圖中僅給出了與本實用新型相關的部分。本實用新型提供的發(fā)光二極管包括發(fā)光二極管芯片I和反光二極管基板2，所述發(fā)光二極管芯片I倒置的方式設置在所述反光二極管基板2上，其中本實用新型提供的發(fā)光二極管芯片I設有一透明的藍寶石襯底11，通過焊接方式設置在所述藍寶石襯底11上的GaN結(jié)構(gòu)層12，所述GaN結(jié)構(gòu)層12的下表面設置有P電極13和N電極14，所述發(fā)光二極管芯片以倒置的方式設置在基板上。[0019]在本實用新型中，P電極13和N電極14為整面結(jié)構(gòu)。本實用新型提供的發(fā)光二極管2包括一摻雜有N型單面拋光單晶形成的單晶襯底21，所述單晶襯底I的拋光面上設有一層生長氧化層22，所述生長氧化層22上設有若干個用以形成P型層23的擴散窗口，所述P型層23上設有接觸層24，所述接觸層24上設有金屬層25，所述金屬層25連接發(fā)光二極管芯片的電極，所述接觸層上設有延伸電極26。為了便于理解，下述給出本實用新型提供的發(fā)光二極管的制作工藝I.選擇單晶硅片作為單晶襯底；2.用熱生長的方法在所述單晶襯底的拋光面上形成生長氧化層；3.用光刻腐蝕出擴散窗口 ；4.用半導體擴散工藝形成P型層結(jié)構(gòu)；5.在P型層上通過蒸發(fā)形成接觸層；6.在所述接觸層焊接形成金屬層。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用該發(fā)光二極管的LED，散熱效果好，保證了 LED的使用壽命。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權利要求1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光二極管包括發(fā)光二極管芯片和反光二極管基板，所述發(fā)光二極管芯片倒置的方式設置在所述反光二極管基板上，其中 所述發(fā)光二極管芯片設有一透明的藍寶石襯底，通過焊接方式設置在所述藍寶石襯底上的GaN結(jié)構(gòu)層，所述GaN結(jié)構(gòu)層的下表面設置有P電極和N電極； 所述反光二極管基板一摻雜有N型單面拋光單晶形成的單晶襯底，所述單晶襯底的拋光面上設有一層生長氧化層，所述生長氧化層上設有若干個用以形成P型層的擴散窗口，所述P型層上設有接觸層，所述接觸層上設有金屬層，所述金屬層連接發(fā)光二極管芯片的電極，所述接觸層上設有延伸電極。
專利摘要本實用新型適用于光電技術領域，提供了一種發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管芯片和反光二極管基板，發(fā)光二極管芯片倒置的方式設置在反光二極管基板上，其中發(fā)光二極管芯片設有一透明的藍寶石襯底，通過焊接方式設置在藍寶石襯底上的GaN結(jié)構(gòu)層，GaN結(jié)構(gòu)層的下表面設置有P電極和N電極；反光二極管基板一摻雜有N型單面拋光單晶形成的單晶襯底，單晶襯底的拋光面上設有一層生長氧化層，生長氧化層上設有若干個用以形成P型層的擴散窗口，P型層上設有接觸層，接觸層上設有金屬層，金屬層連接發(fā)光二極管芯片的電極，所述接觸層上設有延伸電極。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用該發(fā)光二極管的LED，散熱效果好，保證了LED的使用壽命。
文檔編號H01L33/02GK202772175SQ201220475408
公開日2013年3月6日 申請日期2012年9月18日 優(yōu)先權日2012年9月18日
發(fā)明者徐廣忠 申請人:泰州普吉光電股份有限公司