專利名稱：晶圓加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型為涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，尤指一種應(yīng)用于氣相磊晶設(shè)備的加熱裝置。
背景技術(shù)：
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱MOCVD)，為發(fā)光二極管廠商主要采用的磊晶方式，主要原因之一在于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝速度快，約4至5個(gè)小時(shí)，產(chǎn)量能力佳，且適合應(yīng)用于高亮度發(fā)光二極管產(chǎn)品。而利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)成長(zhǎng)薄膜時(shí),為將載流氣體(Carrier Gas)通過金屬有機(jī)反應(yīng)源的容器，將反應(yīng)源的飽和蒸氣帶至反應(yīng)腔中與其它反應(yīng)氣體混合，并通過加熱裝置控制待成長(zhǎng)基板的加熱溫度，然后在該待成長(zhǎng)基板上面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)促成薄膜的成長(zhǎng)。已知用于氣相沉積機(jī)臺(tái)的加熱裝置，如中國(guó)臺(tái)灣專利公告第303485號(hào)所描述的加熱器，為設(shè)置于一氣相成長(zhǎng)裝置的反應(yīng)室內(nèi)部的晶圓保持體下方，該加熱器設(shè)置有一反射板，該反射板將加熱器朝下的熱源予以反射至該晶圓保持體。然而，已知加熱器的該反射板，由于其厚度設(shè)計(jì)上僅約0. 5毫米，在氣相成長(zhǎng)裝置中，長(zhǎng)期處在劇烈的高低溫變化下，容易因此產(chǎn)生形變，而造成反射效果的劣化，縮短加熱器的使用壽命，故仍有改善的空間。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主 要目的，在于解決已知應(yīng)用于氣相沉積機(jī)臺(tái)的加熱裝置，具有反射板容易產(chǎn)生形變，造成使用壽命縮短的問題。為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種晶圓加熱裝置，應(yīng)用于一氣相磊晶設(shè)備，該氣相磊晶設(shè)備包含一反應(yīng)腔室、一位于該反應(yīng)腔室內(nèi)并承載一晶圓的承載臺(tái)，該晶圓加熱裝置設(shè)置于該承載臺(tái)的下方以對(duì)該晶圓加熱，并包含有一基座、一加熱體以及一熱源反射組件。該加熱體設(shè)置于該基座上并位于該基座與該承載臺(tái)之間，且該加熱體包含一與該基座相隔一間隔空間的加熱部以及一連接于該加熱部與該基座之間的連接部；該熱源反射組件設(shè)置于該間隔空間內(nèi)，并包含一位于該加熱部與該基座之間且厚度介于I至10毫米的第一反射板。進(jìn)一步地，晶圓加熱裝置還包含一設(shè)置于間隔空間內(nèi)的固定組件，固定組件包含一位于第一反射板與基座之間的固定板以及至少一與固定板及基座連接的固定件。進(jìn)一步地，熱源反射組件還包含至少一與第一反射板及固定板連接的定位件。進(jìn)一步地，晶圓加熱裝置還包含多個(gè)設(shè)置于間隔空間內(nèi)并穿過固定板與基座連接的支撐件，支撐件包含一抵靠加熱部的頂部。進(jìn)一步地，第一反射板包含多個(gè)供頂部穿過的穿孔。[0013]進(jìn)一步地，第一反射板包含一內(nèi)緣區(qū)域以及一外緣區(qū)域，定位件包含一與內(nèi)緣區(qū)域連接的內(nèi)定位件以及一與外緣區(qū)域連接的外定位件。進(jìn)一步地，熱源反射組件還包含一設(shè)置于第一反射板與基座之間且厚度為介于0. 3至0. 7毫米的第二反射板，第二反射板與第一反射板相隔一間距并與定位件連接。進(jìn)一步地，熱源反射組件還包含多個(gè)直立地設(shè)于第一反射板上并位于加熱部與第一反射板之間的反射片。如此一來，本實(shí)用新型通過將該第一反射板的厚度設(shè)計(jì)為介于I至10毫米之間，增加該第一反射板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，減少該第一反射板因溫度高低變化所產(chǎn)生的形變，增加該晶圓加熱裝置的使用壽命。

圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例設(shè)置于氣相磊晶設(shè)備的示意圖。圖2A為本實(shí)用新型一實(shí)施例的外觀立體示意圖。圖2B為本實(shí)用新型一實(shí)施例的側(cè)視示意圖。圖2C為本實(shí)用新型一實(shí)施例的 上視示意圖。
具體實(shí)施方式
有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說明及技術(shù)內(nèi)容，現(xiàn)就配合圖式說明如下請(qǐng)參閱圖1所不，為本實(shí)用新型一實(shí)施例設(shè)置于氣相嘉晶設(shè)備的不意圖，本實(shí)用新型為一種晶圓加熱裝置5,應(yīng)用于一氣相嘉晶設(shè)備I，在此實(shí)施例中，該氣相嘉晶設(shè)備I為一金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)，但不以此為限，該氣相磊晶設(shè)備I包含一反應(yīng)腔室2以及一設(shè)置于該反應(yīng)腔室2內(nèi)的一承載臺(tái)3，該承載臺(tái)3上承載一晶圓4，該晶圓加熱裝置5則設(shè)置于該承載臺(tái)3下方，對(duì)該晶圓4進(jìn)行加熱作業(yè)。請(qǐng)搭配參閱圖2A、圖2B及圖2C所示，圖2A為本實(shí)用新型一實(shí)施例的外觀立體示意圖，圖2B為本實(shí)用新型一實(shí)施例的側(cè)視示意圖，圖2C為本實(shí)用新型一實(shí)施例的上視示意圖，該晶圓加熱裝置5包含有一基座10、一設(shè)置于該基座10上的加熱體20、一設(shè)置于該基座10與該加熱體20之間的熱源反射組件30以及一設(shè)置于該熱源反射組件30與該基座10之間的固定組件40。該基座10在此為一圓環(huán)形，其上設(shè)置有該加熱體20，該加熱體20的材質(zhì)在此為鎢，但不以此為限，還可為鑰或鑰與鎢的合金，該加熱體20包含一加熱部21以及一連接部22，在此實(shí)施例中，該加熱部21與該基座10相隔一間隔空間60，并形成一桿狀，對(duì)應(yīng)該基座10平行延伸，該連接部22為由該加熱部21的兩端朝該基座10延伸，而與該基座10連接固定，該連接部22并通以一電流，使該加熱部21以電阻式發(fā)熱的方式對(duì)該晶圓4進(jìn)行加熱。尚需說明的是，該加熱體20在此包含一第一加熱體23以及一第二加熱體24，但不以此為限，還可進(jìn)一步包含一第三加熱體、一第四加熱體等。該熱源反射組件30設(shè)置于該間隔空間60，并包含一第一反射板31以及至少一定位件33，該第一反射板31位于該加熱部21與該基座10之間，對(duì)應(yīng)該加熱部21平行延伸而為一弧形片體，用以反射該加熱部21向下輻射的熱能，防止熱能向下散逸，并且，為了加強(qiáng)該第一反射板31的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，其厚度在此設(shè)計(jì)為介于I至10毫米之間，優(yōu)選為2至5毫米之間，該第一反射板31的材質(zhì)在此則為鑰，不過還可為鎢或鎢與鑰的合金；而該定位件33在此為多個(gè)，其連接于該第一反射板31與該固定組件40之間，用以固定該第一反射板31的位置，使該第一反射板31穩(wěn)固的位于該固定組件40上。再進(jìn)一步說明，該第一反射板31包含一內(nèi)緣區(qū)域311以及一外緣區(qū)域312，該定位件33則包含連接于該內(nèi)緣區(qū)域311的一內(nèi)定位件331以及連接于該外緣區(qū)域312的外定位件332，如此，該內(nèi)定位件331及該外定位件332將該第一反射板31的該內(nèi)緣區(qū)域311及該外緣區(qū)域312分別與該固定組件40連接固定，增加該第一反射板31的連接強(qiáng)度。另外，該熱源反射組件30還可包含一第二反射板32以及一反射片34，該第二反射板32設(shè)置于該第一反射板31與該固定組件40之間，并與該第一反射板31相隔一間距，由該定位件33連接固定，該第二反射板32的厚度為介于0. 3至0. 7毫米之間，而該反射片34直立設(shè)于該第一反射板31上,位于該加熱部21與該第一反射板31之間，為用于反射該加熱部21下方朝外橫向福射的熱能,防止熱能朝外散逸。該固定組件40設(shè)置于該間隔空間60，包含一固定板41以及至少一固定件42，該固定板41位于該第一反射板31與該基座10之間,在此也位于該第二反射板32與該基座10之間，該固定板41平行該基座10并沿著該基座10延伸，供該定位件33連接，進(jìn)一步穩(wěn)固該第一反射板31及該第二反射板32，該固定板41本身則通過該固定件42連接而固定于該基座10上。在本實(shí)施例中，該晶圓加熱裝置5還可包含多個(gè)支撐件50，該支撐件50設(shè)置于該間隔空間60，并直立于該基座10上與該基座10連接，并包含一頂部51，該支撐件50穿過該固定板41，由該頂部51穿過該第二反射板32及該第一反射板31所具有并各對(duì)應(yīng)該頂部51設(shè)置的穿孔313，抵頂該加熱部21，支撐該加熱部21，防該加熱部21向下偏移。綜上所述，由于本實(shí)用新型通過將該第一反射板的厚度設(shè)計(jì)為介于I至10毫米之間，增加該第一反射板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，以及設(shè)置該內(nèi)定位件與該外定位件，分別從該第一反射板的該內(nèi)緣區(qū)域及該外緣區(qū)域連接該第一反射板，穩(wěn)固該第一反射板，據(jù)此減少該第一反射板因溫度高低變化所產(chǎn)生 的形變，增加該該晶圓加熱裝置的使用壽命。以上已將本實(shí)用新型做一詳細(xì)說明，然而以上所述者，僅為本實(shí)用新型的一優(yōu)選實(shí)施例而已，當(dāng)不能限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍。即凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)范圍所作的均等變化與修飾等，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型的專利涵蓋范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種晶圓加熱裝置，應(yīng)用于一氣相磊晶設(shè)備，所述氣相磊晶設(shè)備包含一反應(yīng)腔室、一位于所述反應(yīng)腔室內(nèi)并承載一晶圓的承載臺(tái)，所述晶圓加熱裝置設(shè)置于所述承載臺(tái)的下方以對(duì)所述晶圓加熱，其特征在于，所述晶圓加熱裝置包含有 一基座; 一設(shè)置于所述基座上并位于所述基座與所述承載臺(tái)之間的加熱體，所述加熱體包含一與所述基座相隔ー間隔空間的加熱部以及一連接于所述加熱部與所述基座之間的連接部；以及 一設(shè)置于所述間隔空間內(nèi)的熱源反射組件，所述熱源反射組件包含一位于所述加熱部與所述基座之間且厚度介于I至10毫米的第一反射板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，所述晶圓加熱裝置還包含ー設(shè)置于所述間隔空間內(nèi)的固定組件，所述固定組件包含一位于所述第一反射板與所述基座之間的固定板以及至少ー連接所述固定板與所述基座的固定件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，所述熱源反射組件還包含至少ー連接所述第一反射板與所述固定板的定位件。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，所述晶圓加熱裝置還包含多個(gè)設(shè)置于所述間隔空間內(nèi)并穿過所述固定板與所述基座連接的支撐件，所述支撐件包含ー抵靠所述加熱部的頂部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，所述第一反射板包含多個(gè)供所述頂部穿過的穿孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，所述第一反射板包含一內(nèi)緣區(qū)域以及一外緣區(qū)域，所述定位件包含一與所述內(nèi)緣區(qū)域連接的內(nèi)定位件以及一與所述外緣區(qū)域連接的外定位件。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，所述熱源反射組件還包含ー設(shè)置于所述第一反射板與所述基座之間且厚度為介于0. 3至0. 7毫米的第二反射板，所述第ニ反射板與所述第一反射板相隔ー間距并與所述定位件連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加熱裝置，其特征在于，所述熱源反射組件還包含多個(gè)直立地設(shè)于所述第一反射板上并位于所述加熱部與所述第一反射板之間的反射片。
專利摘要一種晶圓加熱裝置，設(shè)置于一氣相磊晶設(shè)備的承載臺(tái)的下方對(duì)該承載臺(tái)上的一晶圓加熱，該晶圓加熱裝置包含有一基座、一加熱體以及一熱源反射組件。該加熱體設(shè)置于該基座上并位于該基座與該承載臺(tái)之間，且該加熱體包含一與該基座相隔一間隔空間的加熱部及一連接于該加熱部與該基座之間的連接部；該熱源反射組件設(shè)置于該間隔空間，包含一位于該加熱部與該基座之間且厚度介于1至10毫米的第一反射板。據(jù)此，本實(shí)用新型通過增加該第一反射板的厚度，加強(qiáng)結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，減少該第一反射板因溫度高低變化所產(chǎn)生的形變，增加該晶圓加熱裝置的使用壽命。
文檔編號(hào)H01L21/67GK202881385SQ20122045671
公開日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月7日
發(fā)明者崔炳斗 申請(qǐng)人:富強(qiáng)半導(dǎo)體有限公司