專利名稱：導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及其制造方法、薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管陣列基板可以用于液晶顯示器和有機(jī)發(fā)光顯示器中。其中，液晶顯示器通常包括薄膜晶體管陣列基板和彩色濾光膜基板，以及設(shè)置在兩個(gè)基板之間的液晶 層。當(dāng)兩個(gè)基板之間加入電場(chǎng)時(shí)，液晶分子排列發(fā)生改變，從而可以改變光線的透射比。有機(jī)發(fā)光顯示器則通過(guò)使用有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光材料來(lái)顯示圖像。有機(jī)發(fā)光顯示器的像素通常包括向有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光材料提供電流的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管和控制驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管開(kāi)啟或關(guān)閉的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管。隨著顯示器件尺寸的增大以及顯示性能要求的提高，要求柵極線和數(shù)據(jù)線具有更低的電阻。目前主流的鋁配線由于電阻系數(shù)較高，已經(jīng)不能滿足顯示性能的要求。而銅的電阻系數(shù)比鋁的電阻系數(shù)低的多，因此，使用銅作為柵極線和數(shù)據(jù)線將成為今后的主流選擇。然而，銅離子具有較強(qiáng)的滲透性，很容易擴(kuò)散到非晶硅或硅層中，另外在對(duì)金屬導(dǎo)電層進(jìn)行刻蝕或在剝離光刻膠過(guò)程中產(chǎn)生的銅離子，也可能滲入到非晶硅層，從而影響非晶硅層(如薄膜晶體管)的性能。此外，硅離子和其他金屬離子也容易擴(kuò)散到銅導(dǎo)電結(jié)構(gòu)內(nèi)，從而使銅導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電阻系數(shù)增大并降低其化學(xué)耐腐蝕性。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例的目的之一是提供一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，能夠阻止外部離子擴(kuò)散進(jìn)入銅層以及銅層銅離子的向外擴(kuò)散，從而減少離子擴(kuò)散帶來(lái)的不良影響。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供方案如下一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包括由銅或銅合金形成的銅層；用于阻擋所述銅層的銅離子向外擴(kuò)散的阻擋層；用于阻擋外部離子擴(kuò)散至所述銅層的防擴(kuò)散層，所述防擴(kuò)散層設(shè)置在所述銅層與所述阻擋層之間。優(yōu)選地，上述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中，所述阻擋層的材料為鑰合金，所述防擴(kuò)散層的材料為鑰。。優(yōu)選地，上述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中，所述鑰合金為MoNb、MoW、MoTi和MoZr中的任意一種或兩種以上的混合物。優(yōu)選地，上述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中，所述鑰合金中除Mo以外的元素的原子百分比在O. 001at%M 50at%之間。優(yōu)選地，上述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中，所述阻擋層的厚度為50A至1000A,所述防擴(kuò)散層的厚度為30A至200A。[0015]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管，包括柵電極、源電極和漏電極，所述柵電極、源電極和漏電極中的至少一者以上所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板；形成在所述基板上的薄膜晶體管陣列、柵極線和數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管陣列包括多個(gè)薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、源電極和漏電極；在由所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線交叉界定出的像素區(qū)域還形成有像素電極；其中，所述柵極線與對(duì)應(yīng)的柵電極連接，所述數(shù)據(jù)線與對(duì)應(yīng)的源電極連接，所述像素電極與對(duì)應(yīng)的漏電極連接；所述數(shù)據(jù)線、源電極、柵極線、柵電極和漏電極中的至少一者采用以上所述的導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括以上所述的薄膜晶體管陣列基板。本實(shí)用新型提供的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有多層結(jié)構(gòu)，利用該多層結(jié)構(gòu)阻止外部離子擴(kuò)散進(jìn)入銅層以及銅層銅離子的向外擴(kuò)散，從而減少離子擴(kuò)散對(duì)銅金屬層的電學(xué)性能和化學(xué)耐腐蝕性能的不良影響以及銅離子擴(kuò)散對(duì)基底等的影響；該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的阻擋層，與玻璃基板等襯底基板或半導(dǎo)體層之間具有良好的粘附性，能夠提高導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的粘合穩(wěn)固程度；并且，該多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的各個(gè)層都具有類似的刻蝕選擇性，有利于對(duì)多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的刻蝕/圖案化處理。本實(shí)用新型提供的薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置，由于采用了上述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，因而也具有上述有益效果。

圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。其中I為基底2a為阻擋層2b為防擴(kuò)散層2c為銅層5為柵極6為柵極絕緣層7為本征半導(dǎo)體層8為歐姆接觸半導(dǎo)體層9a為數(shù)據(jù)線9b為源電極9c為漏電極10為保護(hù)層11為像素電極12為過(guò)孔[0041]13為襯底基板具體實(shí)施方式
由于銅離子的易擴(kuò)散特性，本實(shí)用新型拋棄了單獨(dú)使用銅導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的做法，而是使用多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，以減少或避免銅層的銅離子的向外擴(kuò)散，以及減少或避免外部離子向銅層的擴(kuò)散。并且，本實(shí)用新型的多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，還能夠克服現(xiàn)有的銅導(dǎo)電結(jié)構(gòu)對(duì)于絕緣基板(例如玻璃基板或半導(dǎo)體層)具有較低粘附性而容易發(fā)生膜的脫落的問(wèn)題。為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。本實(shí)施例提供了一種多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在被圖案化時(shí)能被可靠的圖案化從而形成良好的側(cè)部輪廓。如圖I所示，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括由銅或銅合金形成的銅層2c ； 用于阻擋所述銅層2c的銅離子向外擴(kuò)散的阻擋層2a ；用于阻擋外部離子擴(kuò)散至所述銅層2c的防擴(kuò)散層2b，所述防擴(kuò)散層2b設(shè)置在所述銅層2c與所述阻擋層2a之間。上述結(jié)構(gòu)中，所述阻擋層2a可以形成在一基底I之上。其中，基底I可以為玻璃基板、塑料基板等襯底基板，也可以為電子元器件的某一或某幾個(gè)膜層，比如薄膜晶體管的柵絕緣層、半導(dǎo)體層、鈍化層等。所述基底I可以為單層，也可以為兩層及兩層以上。并且，所述襯底I可以同時(shí)包含電子器件的不同區(qū)域，比如在采用該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)制作陣列基板的漏電極時(shí)，所述阻擋層2a可以同時(shí)形成在有源層和柵絕緣層之上(即此時(shí)有源層和柵絕緣層同時(shí)構(gòu)成了基底I)。在上述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)應(yīng)用于薄膜晶體管時(shí)，各層厚度由所需要的界面情況和刻蝕情況來(lái)決定，具體的，所述阻擋層2a的厚度可以為50A至1000A,所述防擴(kuò)散層2b的厚度可以為30A至200A,所述銅層2c的厚度可以為1000 A至5000 A。通過(guò)以上結(jié)構(gòu)，所述防擴(kuò)散層2b能夠阻擋外部離子(如阻擋層2a中的離子或基底I中的離子)擴(kuò)散進(jìn)入銅層2c，以保證銅層的導(dǎo)電性能及化學(xué)耐腐蝕性；同時(shí)銅層2c中的銅離子也將被阻擋層2a所阻擋，難以擴(kuò)散至基底I中，從而能夠減少或避免對(duì)基底I的影響。作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，本實(shí)施例中，所述阻擋層2a的材料為鑰合金。所述鑰合金可以從MoNb、MoW、MoTi和MoZr中的任意一種，還可以是從以上多種中的兩種以上的物質(zhì)所組成的混合物。采用鑰合金的阻擋層2a，與基底I (如襯底基板或半導(dǎo)體層)之間具有良好的粘附性，能夠加強(qiáng)基底I與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的粘附，從而能夠提高導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與基底I之間結(jié)合的穩(wěn)固性；阻擋層2a還能夠防止銅離子擴(kuò)散到基底I內(nèi)，并且呈現(xiàn)出與防擴(kuò)散層2b、銅層2c相類似的刻蝕選擇性，從而有利于在多層結(jié)構(gòu)的刻蝕/圖案化過(guò)程中對(duì)它們同時(shí)進(jìn)行蝕刻處理。本實(shí)施例中，在采用鑰合金形成所述阻擋層2a時(shí)，所述鑰合金中除Mo以外的元素的原子百分比在O. 001&七％至50at%之間。例如，在所述鑰合金為MoNb時(shí)，則鑰合金中Nb的原子百分比在O. OOlat %至50at %之間；在所述鑰合金采用MoNb和MoTi時(shí)，則鑰合金中Nb和Ti 二者的原子百分比之和在O. 001&丨％至50at%之間。為了防止阻擋層2a中的金屬離子擴(kuò)散到銅層2c中，導(dǎo)致銅層2c電學(xué)性能和化學(xué)耐腐蝕性能的下降，上述結(jié)構(gòu)在阻擋層2a和銅層2c之間沉積一層防擴(kuò)散層2b。防擴(kuò)散層2b為具有和阻擋層2a、銅層2c相類似的晶體結(jié)構(gòu)材料，能夠保證阻擋層2a與防擴(kuò)散層2b之間界面、防擴(kuò)散層2b與銅層2c之間界面的粘附性，同時(shí)還具有與阻擋層2a和銅層2c類似的刻蝕選擇性。具體的來(lái)說(shuō)，防擴(kuò)散材料為鑰(Mo)，鑰(Mo)為體心立方的晶體結(jié)構(gòu)，和鑰合金(例如MoNb)具有相似的晶體結(jié)構(gòu)，和具有面心立方晶體結(jié)構(gòu)的銅同屬于立方晶系，從而能夠保證良好的界面性能。采用上述方法形成的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，具有良好的界面特性和刻蝕性能；該多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)在被圖案化時(shí)，能夠被可靠的圖案化從而形成良好的側(cè)部輪廓。并且，當(dāng)該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)應(yīng)用于具體電子器件時(shí)，阻擋層會(huì)與其他膜層發(fā)生接觸，此時(shí)防擴(kuò)散層2b也可以防止與阻擋層接觸的其他層中的金屬離子擴(kuò)散到銅層2c中。本實(shí)施例的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，能減少或避免被銅層2c被腐蝕和氧化，且能夠緊密地附著在基底上，同時(shí)有效克服金屬離子或其他雜質(zhì)對(duì)銅層的擴(kuò)散所導(dǎo)致的銅層電學(xué)性能和化學(xué) 耐腐蝕性能的下降問(wèn)題。相應(yīng)的，本實(shí)施例還提供了一種制造圖I所示導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括首先，在基底I上形成一阻擋層2a，該阻擋層2a用于阻擋銅離子向所述基底擴(kuò)散;然后，在所述阻擋層2a上形成一防擴(kuò)散層2b，該防擴(kuò)散層2b用于阻擋經(jīng)由所述阻擋層向上擴(kuò)散的離子；再在所述防擴(kuò)散層2b上形成一銅層2c，所述銅層2c的材料為銅或銅合金。這里，所述阻擋層2a、防擴(kuò)散層2b和銅層2c，均可以通過(guò)濺射工藝形成，其中，所述阻擋層2a采用鑰合金作濺射源，所述防擴(kuò)散層2b采用鑰作濺射源，銅層2c采用銅或銅合金作濺射源。其中，所述鑰合金的材料具體可以是MoNb、MoW、MoTi和MoZr中的任意一種或兩種以上的混合物。以上各層也可以采用其他方式形成，如化學(xué)蒸鍍方式或物理沉積方式等，此處不再贅述。在形成以上結(jié)構(gòu)后，本實(shí)施例還可以對(duì)上述結(jié)構(gòu)做進(jìn)一步圖案化處理，例如光刻膠涂布、曝光顯影以及刻蝕等處理，得到最終所需要的圖案。上述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，可以應(yīng)用于薄膜晶體管、薄膜晶體管陣列基板中。因此，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管通常可以包括柵電極、源電極和漏電極，其中所述柵電極、源電極和漏電極中的至少一者采用以上所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。所述薄膜晶體管采用上述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)外的其他部分以及薄膜晶體管的整體結(jié)構(gòu)，可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的任何技術(shù)方案，此處不贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管陣列基板，該陣列基板通?？梢园ɑ?；形成在所述基板上的薄膜晶體管陣列、柵極線和數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管陣列包括多個(gè)薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、源電極和漏電極；在由所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線交叉界定出的像素區(qū)域還形成有像素電極；其中，所述柵極線與對(duì)應(yīng)的柵電極連接，所述數(shù)據(jù)線與對(duì)應(yīng)的源電極連接，所述像素電極與對(duì)應(yīng)的漏電極連接；其中，在該陣列基板上，所述數(shù)據(jù)線、源電極、柵極線、柵電極和漏電極中的至少一者采用以上所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，薄膜晶體管陣列基板中，柵極線和柵電極組成柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極組成數(shù)據(jù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。柵極線形成于基板上并沿著第一方向延伸，數(shù)據(jù)線形成在柵極絕緣層之上并沿著第二方向延伸，這里，第一方向可以與第二方向垂直。漏電極與源電極間隔設(shè)置。像素電極形成在由柵極線和數(shù)據(jù)線交叉界定出的像素區(qū)域中，并電連接至漏電極。本實(shí)施例中，柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和數(shù)據(jù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的任一單元，如柵電極、柵極線或漏電極等，都可以采用圖I所示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。以下將結(jié)合附圖2，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的一種薄膜晶體管陣列基板作更為詳細(xì)的說(shuō)明。
·[0072]圖2所示的陣列基板，可以應(yīng)用于液晶顯示器或有機(jī)發(fā)光顯示器，該陣列基板包括一襯底基板13，配置在該襯底基板13上的至少一柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)5。這里，該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)5包括柵電極和柵極線，柵電極和/或柵極線可以采用圖I所示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，即包括阻擋層、防擴(kuò)散層和銅層。此時(shí)，該阻擋層形成于該襯底基板13上，該阻擋層材質(zhì)為鑰合金(例如MoNb、MoW、MoTi、MoZr等中的一種或多種)，其中，合金中Nb (或者W、Ti、Zr等)的原子百分比在0.001at%至50at%的范圍內(nèi)。該阻擋層的厚度由所需要的界面情況和刻蝕情況來(lái)決定，具體的，可以為50A至1000A之間。該防擴(kuò)散層形成于該阻擋層上，防擴(kuò)散層材料為鑰(Mo)，防擴(kuò)散層的厚度由所需要的界面情況和刻蝕情況來(lái)決定，具體的，可以為30A至200A之間。該銅層形成在該防擴(kuò)散層上，材料可以是銅金屬或者銅合金。上述由阻擋層、防擴(kuò)散層和銅層組成的柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以克服現(xiàn)有技術(shù)中銅導(dǎo)線與襯底基板之間粘附性不佳的問(wèn)題，由鑰合金構(gòu)成的阻擋層可以提高銅層與襯底基板之間的粘附性，同時(shí)阻止銅離子向襯底基板的擴(kuò)散；并且，采用鑰(Mo)材料形成的防擴(kuò)散層材料，可以阻止阻擋層中Nb (或者W、Ti、Zr等)離子向銅層的擴(kuò)散，從而防止由上述離子擴(kuò)散所造成銅金屬層的電學(xué)性能和化學(xué)耐腐蝕性能下降的問(wèn)題，保證銅金屬層的低電阻值特性。同時(shí)，該阻擋層、防擴(kuò)散層和銅層在進(jìn)行刻蝕制程時(shí)具有類似的被刻蝕特性，使得刻蝕易形成良好的圖形，減少制程成本。圖2所示的陣列基板，還包括一配置于該襯底基板13上的柵極絕緣層6，該柵極絕緣層6覆蓋該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)5。一通道元件(即有源層)配置于該柵極絕緣層6上，包括一本征半導(dǎo)體層7和一歐姆接觸半導(dǎo)體層8。該歐姆接觸半導(dǎo)體層8配置于該本征半導(dǎo)體層7上。當(dāng)然，所述有源層也可以包括有機(jī)半導(dǎo)體，或金屬氧化物半導(dǎo)體(如IGZ0)等。圖2所示的陣列基板，還包括至少一數(shù)據(jù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該數(shù)據(jù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)配置在該通道元件上。該數(shù)據(jù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含數(shù)據(jù)線9a、源電極9b和漏電極9c。該數(shù)據(jù)線9a配置在柵極絕緣層6上。該源電極9b和漏電極9c配置在該通道元件上，并且該源電極9b電連接至數(shù)據(jù)線9a，漏電極9c與源電極9b間隔設(shè)置。該數(shù)據(jù)線9a、源電極9b和漏電極9c中的任一一者或兩者以上均可以采用圖I中所示的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，即包括阻擋層、防擴(kuò)散層和銅層。此時(shí)，該阻擋層形成于柵極絕緣層6或所述通道元件上，該阻擋層材質(zhì)為鑰合金(例如MoNb、MoW、MoTi、MoZr等中的一種或多種)，其中，合金中Nb (或者W、Ti、Zr等)的原子百分比在O. OOIat %至50at %的范圍內(nèi)。阻擋層的厚度由所需要的界面情況和刻蝕情況來(lái)決定，具體的，為’50A至1000A之間。該防擴(kuò)散層形成與該阻擋層上，防擴(kuò)散層材料為鑰(Mo)，防擴(kuò)散的厚度由所需要的界面情況和刻蝕情況來(lái)決定，具體的，為30A至200A之間。該銅層形成在該防擴(kuò)散層上，材料可以是銅金屬層或者銅合金層。上述由阻擋層、防擴(kuò)散層和銅層組成的數(shù)據(jù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以克服銅導(dǎo)線與半導(dǎo)體層之間界面粘附性不佳的問(wèn)題。由鑰合金構(gòu)成的阻擋層，可以克服銅導(dǎo)線與半導(dǎo)體層之間界面粘附性不佳的問(wèn)題，并且可以阻止銅金屬層與半導(dǎo)體之間銅原子與硅原子的相互擴(kuò)散，減少或避免離子擴(kuò)散對(duì)半導(dǎo)體層和銅層的電學(xué)性能的不良影響。并且，采用鑰(Mo)形成的防擴(kuò)散層能夠阻止阻擋層中Nb (或者W、Ti、Zr等)離子向銅層擴(kuò)散，防止降低銅金屬層的電學(xué)性能和化學(xué)耐腐蝕性能，保證銅金屬層的低電阻值。同時(shí)，該阻擋層、防擴(kuò)散層和銅層在進(jìn)行刻蝕制程時(shí)具有類似的被刻蝕特性，使得刻蝕易形成良好的圖形，減少制程成本。圖2所示的陣列基板，還包括一保護(hù)層10，該保護(hù)層10配置在該數(shù)據(jù)線9a、源電極％和漏電極9c及柵極絕緣層6上；一像素電極11配置于該保護(hù)層10上，并可以通過(guò)一 過(guò)孔12電性連接至該漏電極9c。本實(shí)用新型實(shí)施例所述的陣列基板，采用上述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)外的其他部分以及薄膜晶體管陣列基板的整體結(jié)構(gòu)，并不局限于上述所述的方案，而是可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的任何技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)，比如還可以加入公共電極形成ADS型的陣列基板，還可以制成ColorFilter on Array(COA)形式的陣列基板等,此處不贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示裝置，其中，該顯示裝置使用了如上述實(shí)施例所述的任意一種薄膜晶體管陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述僅是本實(shí)用新型的實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 由銅或銅合金形成的銅層； 用于阻擋所述銅層的銅離子向外擴(kuò)散的阻擋層； 用于阻擋外部離子擴(kuò)散至所述銅層的防擴(kuò)散層，所述防擴(kuò)散層設(shè)置在所述銅層與所述阻擋層之間。
2.如權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋層的材料為鑰合金，所述防擴(kuò)散層的材料為鑰。
3.如權(quán)利要求I或2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻擋層的厚度為SOA至1000A,所述防擴(kuò)散層的厚度為30人至200A。
4.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括柵電極、源電極和漏電極，所述柵電極、源電極和漏電極中的至少一者采用權(quán)利要求I至3任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
5.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括 基板； 形成在所述基板上的薄膜晶體管陣列、柵極線和數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管陣列包括多個(gè)薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵電極、源電極和漏電極； 在由所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線交叉界定出的像素區(qū)域還形成有像素電極； 其中，所述柵極線與對(duì)應(yīng)的柵電極連接，所述數(shù)據(jù)線與對(duì)應(yīng)的源電極連接，所述像素電極與對(duì)應(yīng)的漏電極連接； 所述數(shù)據(jù)線、源電極、柵極線、柵電極和漏電極中的至少一者采用權(quán)利要求I至3任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置。其中所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括由銅或銅合金形成的銅層；用于阻擋所述銅層的銅離子向外擴(kuò)散的阻擋層；用于阻擋外部離子擴(kuò)散至所述銅層的防擴(kuò)散層，所述防擴(kuò)散層設(shè)置在所述銅層與所述阻擋層之間。本實(shí)用新型利用多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)阻止外部離子擴(kuò)散進(jìn)入銅層以及銅層銅離子的向外擴(kuò)散，從而減少離子擴(kuò)散對(duì)銅金屬層的電學(xué)性能和化學(xué)耐腐蝕性能的不良影響，同時(shí)，由于阻擋層與襯底基板或半導(dǎo)體層之間具有良好的粘附性，能夠提高導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的粘合穩(wěn)固程度；并且，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的各個(gè)層都具有類似的刻蝕選擇性，有利于對(duì)多層導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的刻蝕/圖案化處理。
文檔編號(hào)H01L29/786GK202678317SQ201220138478
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月1日
發(fā)明者鄭在紋, 黃秋平, 林盛實(shí), 金童燮, 徐朝煥, 徐華偉, 陳正偉, 薛建設(shè) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司