專利名稱：一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管技術(shù)已是現(xiàn)今平板顯示的主導(dǎo)技術(shù)。在平板顯示器件中引入薄膜晶體管(TFT)開關(guān)元件和存貯電容，可大大提高顯示器件性能，實(shí)現(xiàn)大容量、高清晰度和全彩色的視頻顯示。目前，應(yīng)用于顯示器中的薄膜晶體管自下而上依次有柵極、絕緣層、有源層、在有源層上覆蓋相隔的源電極和漏電極，柵極均為矩形平面(如圖1)，薄膜晶體管溝道的長度L是通過源電極和漏電極之間相隔的距離來界定，溝道的寬度W是通過器件溝道處源電極 或漏電極的寬度來界定的。源、漏電極圖形是通過一歩光刻エ藝來實(shí)現(xiàn)的，即溝道的長度和寬度也是通過這ー步光刻エ藝來確定的，隨著人們對(duì)顯示器分辨率要求的提高，薄膜晶體管的集成度要求相應(yīng)提高，器件尺寸包括其溝道的長度和寬度也要求成比例縮小，然而通過光刻源、漏電極圖形來控制溝道長度和寬度同時(shí)成比例縮小，將增加光刻エ藝的難度，一旦這步エ藝出現(xiàn)問題，將嚴(yán)重影響器件的成品率。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供ー種有利于提高器件成品率的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，自下而上依次有柵極、絕緣層、有源層、在有源層上覆蓋有相隔的源電極和漏電極，器件溝道的長度等于源電極和漏電極之間相隔的距離，柵極為“n”型形狀，器件溝道的寬度等于“n”型底邊的邊寬，溝道處源電極和漏電極的寬度大于“n”型底邊的寬度。本實(shí)用新型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，由于采用“n”型形狀的柵極，由“n”型底邊的邊寬來界定器件溝道的寬度，柵極和源、漏電極圖案通過兩步光刻完成，克服了由光刻源、漏電極圖案同時(shí)控制溝道長度和寬度的エ藝難度，有利于提高器件成品率。

圖I為傳統(tǒng)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)俯視圖；圖2本實(shí)用新型的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)俯視圖；圖3為圖2的A-A剖面圖。圖中，I為柵極。2為絕緣層,3為有源層,4為源極,5為漏極，L為溝道長度，W為
溝道寬度。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖進(jìn)ー步說明本實(shí)用新型。參照?qǐng)D2和圖3，本實(shí)用新型的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，自下而上依次有柵極I、絕緣層2、有源層3、在有源層3上覆蓋有相隔的源電極4和漏電極5，柵極I為“n”型形狀，器件溝道的寬度W等于“n”型底邊的邊寬，即器件溝道的寬度W由“n”型底邊的邊寬來界定，溝道處源電極4和漏電極5的寬度大于“n”型底邊的寬度，器件溝道的長度L等于源電極4和 漏電極5之間相隔的距離，即器件溝道的長度L由源電極4和漏電極5之間距離來界定。
權(quán)利要求1. 一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)，自下而上依次有柵極(I)、絕緣層(2)、有源層(3)、在有源層(3)上覆蓋有相隔的源電極(4)和漏電極(5)，器件溝道的長度(L)等于源電極(4)和漏電極(5)之間相隔的距離，其特征在于柵極(I)為“η”型形狀，器件溝道的寬度(W)等于“η”型底邊的邊寬，溝道處源電極(4)和漏電極(5)的寬度大于“η”型底邊的寬度。
專利摘要本實(shí)用新型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，自下而上依次有柵極、絕緣層、有源層、在有源層上覆蓋有相隔的源電極和漏電極，柵極為“n”型形狀，器件溝道的寬度等于“n”型底邊的邊寬，溝道處源電極和漏電極的寬度大于“n”型底邊的寬度，器件溝道的長度等于源電極和漏電極之間相隔的距離。本實(shí)用新型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，由于采用“n”型形狀的柵極，由“n”型底邊的邊寬來界定器件溝道的寬度，柵極和源、漏電極圖案通過兩步光刻完成，克服了由光刻源、漏電極圖案同時(shí)控制溝道長度和寬度的工藝難度，有利于提高器件成品率。
文檔編號(hào)H01L29/786GK202523718SQ20122012481
公開日2012年11月7日 申請(qǐng)日期2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月29日
發(fā)明者葉志鎮(zhèn), 呂建國, 吳萍, 張 杰, 張焱, 李喜峰 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)