專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
半導(dǎo)體器件[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用[0002]本申請(qǐng)基于并要求2011年9月27日提交的在先的日本專(zhuān)利申請(qǐng)2011-211666的優(yōu)先權(quán),通過(guò)引用將其全部?jī)?nèi)容并入到本文中。技術(shù)領(lǐng)域[0003]本文中描述的示例性實(shí)施例一般涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及包括多層布線(xiàn)的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
[0004]隨著制造流程中微制造的發(fā)展，近年的半導(dǎo)體器件由于布線(xiàn)之間的距離變窄以及布線(xiàn)層之間的膜變薄而經(jīng)歷了寄生電容的不可忽視的增加。因此，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)等設(shè)置有屏蔽布線(xiàn)，以降低來(lái)自鄰近的布線(xiàn)的耦合噪聲，由此減輕噪聲的負(fù)面影響。[0005]然而，在半導(dǎo)體器件中，當(dāng)屏蔽布線(xiàn)過(guò)度靠近基準(zhǔn)布線(xiàn)時(shí)，基準(zhǔn)布線(xiàn)具有來(lái)自在固定電位處設(shè)置的屏蔽布線(xiàn)的噪聲的不可忽視的負(fù)面影響。[0006]當(dāng)屏蔽布線(xiàn)過(guò)度靠近信號(hào)布線(xiàn)或傳送高壓電的高電壓線(xiàn)時(shí)，寄生負(fù)載會(huì)增加，導(dǎo)致功率消耗增加。[0007]因此，對(duì)于某些常規(guī)半導(dǎo)體器件，使屏蔽布線(xiàn)與基準(zhǔn)布線(xiàn)等之間的距離固定。關(guān)于這一點(diǎn)，在具有多層布線(xiàn)的常規(guī)半導(dǎo)體器件中，由于在例如上層的基準(zhǔn)布線(xiàn)與例如下層的噪聲源布線(xiàn)交叉的部分中的“潛通路(sneak path) ”效應(yīng)，增加了耦合電容。[0008]因此，基準(zhǔn)電位更多地受到噪聲源布線(xiàn)的影響，并導(dǎo)致在某個(gè)時(shí)刻半導(dǎo)體器件的故障。發(fā)明內(nèi)容[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括第一布線(xiàn)，其沿著第一方向而被設(shè)置在第一布線(xiàn)層中；第二布線(xiàn)，其沿著與所述第一方向正交的第二方向而被設(shè)置在第二布線(xiàn)層中， 所述第二布線(xiàn)在第一交叉部分處與所述第一布線(xiàn)交叉；以及第三布線(xiàn)，其靠近并沿著所述第二布線(xiàn)而被設(shè)置在所述第二布線(xiàn)層中，所述第三布線(xiàn)在第二交叉部分處與所述第一布線(xiàn)交叉；其中所述第一交叉部分中的所述第二布線(xiàn)與所述第二交叉部分中的所述第三布線(xiàn)之間的距離小于除了所述第一交叉部分之外的所述第二布線(xiàn)與除了所述第二交叉部分之外的所述第三布線(xiàn)之間的距離。[0010]在具有多層布線(xiàn)的半導(dǎo)體器件中，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)例如會(huì)通過(guò)在交叉部分處的耦合電容而受到信號(hào)布線(xiàn)的電氣影響。因此，本實(shí)用新型示范了這樣的半導(dǎo)體器件其中，在交叉部分中減小耦合電容，由此降低在多層布線(xiàn)的布線(xiàn)之間的耦合噪聲的影響。[0011]
[0012]圖I是示例了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；[0013]圖2是示例了根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；[0014]圖3是示例了根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；[0015]圖4是示例了根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；[0016]圖5是示例了根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；[0017]圖6是示例了根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的另一布局圖；[0018]圖7是示例了將第一實(shí)施例和第二實(shí)施例組合的半導(dǎo)體器件的布局圖；[0019]圖8是示例了將第三實(shí)施例和第四實(shí)施例組合的半導(dǎo)體器件的布局圖；[0020]圖9是示例了根據(jù)第五實(shí)施例的修改例的半導(dǎo)體器件的布局圖；[0021]圖10是示例了根據(jù)第三實(shí)施例和第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖；以及[0022]圖11是示例了將第四實(shí)施例和第五實(shí)施例組合的半導(dǎo)體器件的布局圖。
具體實(shí)施方式
[0024]將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。[0025](第一實(shí)施例)[0026]圖I是示出根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。圖I主要示出了基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13(基準(zhǔn)布線(xiàn))和與耦合噪聲有關(guān)的部分的實(shí)例。此外，為了簡(jiǎn)化，圖I僅示出了多個(gè)布線(xiàn)層當(dāng)中的層疊的兩個(gè)布線(xiàn)層，在這兩個(gè)布線(xiàn)層之間插入有絕緣層。圖I中的陰影部分代表在下布線(xiàn)層(underlying wiring layer)中設(shè)置的布線(xiàn)布局。下布線(xiàn)層和上布線(xiàn)層 (upper wiring layer)被絕緣膜覆蓋,并在其間插入有絕緣膜。[0027]根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括屏蔽線(xiàn)(shield line)12a、12b和信號(hào)布線(xiàn) 11，屏蔽線(xiàn)12a、12b和信號(hào)布線(xiàn)11全都被設(shè)置在下布線(xiàn)層中。該半導(dǎo)體器件還包括基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13和屏蔽線(xiàn)14a、14b，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13和屏蔽線(xiàn)14a、14b全都被設(shè)置在上布線(xiàn)層中。[0028]信號(hào)布線(xiàn)11被設(shè)置在下布線(xiàn)層中，并沿第一方向延伸。屏蔽線(xiàn)12a、12b被設(shè)置在下布線(xiàn)層中，并靠近和沿著信號(hào)布線(xiàn)11延伸。兩個(gè)屏蔽線(xiàn)12a、12b以?shī)A著信號(hào)布線(xiàn)11而彼此相對(duì)的方式分別設(shè)置在信號(hào)布線(xiàn)11的兩側(cè)。[0029]基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13被設(shè)置在上布線(xiàn)層中，并沿與第一方向基本上正交的第二方向延伸。上布線(xiàn)層位于下布線(xiàn)層上方，在上布線(xiàn)層與下布線(xiàn)層之間設(shè)置有絕緣膜。換言之，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13在交叉部分15c處與下層中的信號(hào)布線(xiàn)11三維地交叉，絕緣膜位于基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13與信號(hào)布線(xiàn)11之間。[0030]屏蔽線(xiàn)14a、14b被設(shè)置在上布線(xiàn)層中，并靠近和沿著基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13延伸。兩個(gè)屏蔽線(xiàn)14a、14b以?shī)A著基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13而彼此相對(duì)的方式分別設(shè)置在基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13的兩側(cè)。如圖I所示，屏蔽線(xiàn)14a、14b分別交叉部分15a、15b處與下層中的信號(hào)布線(xiàn)11交叉， 絕緣膜位于屏蔽線(xiàn)14a、14b與信號(hào)布線(xiàn)11之間。此外，在平面視圖中，相比于與信號(hào)布線(xiàn) 11的重疊部分，交叉部分15a、15b可被設(shè)置為更寬或更窄。[0031]信號(hào)布線(xiàn)11是可以為噪聲源的布線(xiàn)，以通過(guò)在交叉部分15c處的耦合電容而向基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13提供作為耦合噪聲的電氣影響。[0032]信號(hào)布線(xiàn)11可影響在相同下布線(xiàn)層中設(shè)置的其他鄰近的布線(xiàn)NW或可受到所述其他鄰近的布線(xiàn)NW影響。屏蔽線(xiàn)12a、12b分別設(shè)置在信號(hào)布線(xiàn)11的兩側(cè)，使得信號(hào)布線(xiàn)11 與這樣的其他鄰近的布線(xiàn)NW電氣屏蔽。屏蔽線(xiàn)12a、12b被電連接至諸如接地電位Vss的固定電位。[0033]基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13是用于傳送被半導(dǎo)體器件中的各部分參考的基準(zhǔn)電位的布線(xiàn)。 基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13可通過(guò)在交叉部分15c處的耦合電容而受到信號(hào)布線(xiàn)11的電氣影響。[0034]基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13可受到在相同上布線(xiàn)層中設(shè)置的其他鄰近的布線(xiàn)NW影響。屏蔽線(xiàn)14a、14b分別設(shè)置在基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13的兩側(cè)，以使基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13與這樣的其他鄰近的布線(xiàn)電氣屏蔽。屏蔽線(xiàn)14a、14b被電連接至諸如接地電位Vss的固定電位。屏蔽線(xiàn)14a、 14b中的每一個(gè)與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13以距離D分隔開(kāi)。即使當(dāng)屏蔽線(xiàn)14a或14b的電位受到耦合噪聲的影響而波動(dòng)，但固定上述距離D可防止屏蔽線(xiàn)14a或14b的電位的波動(dòng)容易地影響基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13的電位。這樣的距離D在交叉部分15a、15b近旁的區(qū)域中不固定。[0035]屏蔽線(xiàn)14a在屏蔽線(xiàn)14a和信號(hào)布線(xiàn)11 二者的交叉部分15a近旁具有的布線(xiàn)寬度W大于在其他部分中的布線(xiàn)寬度W( S卩，W > W)。因此，屏蔽線(xiàn)14a在交叉部分15c近旁以距離d與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13分隔開(kāi)，該距離d小于在其他部分中的距離D (即，d < D)。在該情況下，屏蔽線(xiàn)14a的具有寬的寬度w的所有部分可被包括在交叉部分15a中。[0036]屏蔽線(xiàn)14b在屏蔽線(xiàn)14b和信號(hào)布線(xiàn)11 二者的交叉部分15b近旁具有的布線(xiàn)寬度W大于在其他部分中的布線(xiàn)寬度 W( S卩，W > W)。因此，屏蔽線(xiàn)14b在交叉部分15c近旁以距離d與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13分隔開(kāi)，該距離d小于在其他部分中的距離D (即，d < D)。在該情況下，屏蔽線(xiàn)14b的具有寬的寬度w的所有部分可被包括在交叉部分15b中。[0037]如上所述，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13在信號(hào)布線(xiàn)11和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13 二者的交叉部分 15c中以較窄的距離與屏蔽線(xiàn)14a、14b中的每一個(gè)分隔開(kāi)。因此，否則會(huì)從信號(hào)布線(xiàn)11指向基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13的電力線(xiàn)可指向屏蔽線(xiàn)14a、14b，由此可減小由潛通路效應(yīng)引起的信號(hào)布線(xiàn)11和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13 二者的耦合電容。[0038]根據(jù)第一實(shí)施例，在交叉部分15c中減小耦合電容，因此可降低在多層布線(xiàn)的布線(xiàn)之間的耦合噪聲的影響。此外，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13與每個(gè)屏蔽線(xiàn)14之間的距離在除了交叉部分15c之外的部分中加寬，從而可降低來(lái)自屏蔽線(xiàn)14的噪聲的影響。[0039]此外，根據(jù)第一實(shí)施例，可實(shí)現(xiàn)耦合噪聲的影響的降低而不縮窄交叉部分15c中的基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13和信號(hào)布線(xiàn)11中的任一個(gè)。因此，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13的電阻和信號(hào)布線(xiàn) 11的電阻二者都可保持較低。[0040]在第一實(shí)施例中，屏蔽線(xiàn)14a、14b分別被設(shè)置在基準(zhǔn)電位布線(xiàn)13的兩側(cè)，但是該實(shí)施例不限于上述情況。該實(shí)施例還適用于僅僅屏蔽線(xiàn)之一。[0041](第二實(shí)施例)[0042]圖2是示出根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。與圖I類(lèi)似地，圖2主要示出了基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23 (基準(zhǔn)布線(xiàn))和與耦合噪聲有關(guān)的布線(xiàn)的部分的實(shí)例。此外，圖2省略了絕緣膜而僅示出了兩個(gè)布線(xiàn)層。[0043]根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括信號(hào)布線(xiàn)21和屏蔽線(xiàn)22a、22b，信號(hào)布線(xiàn)21和屏蔽線(xiàn)22a、22b全都設(shè)置在下布線(xiàn)層上。該半導(dǎo)體器件還包括基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23和屏蔽線(xiàn) 24a、24b，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23和屏蔽線(xiàn)24a、24b全都設(shè)置在上布線(xiàn)層中。[0044]根據(jù)第二實(shí)施例的信號(hào)布線(xiàn)21、基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23和屏蔽線(xiàn)22a、22b、24a、24b具有與第一實(shí)施例類(lèi)似的它們各自的功能和布局上的位置關(guān)系。因此，不詳細(xì)描述這些功能和位置。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于，代替在上布線(xiàn)層中設(shè)置的屏蔽線(xiàn)24a、 24b，將在下布線(xiàn)層中設(shè)置的屏蔽線(xiàn)22a、22b設(shè)置為在信號(hào)布線(xiàn)21和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23 二者的交叉部分25c近旁更靠近信號(hào)布線(xiàn)21。[0045]屏蔽線(xiàn)22a、22b被設(shè)置在下布線(xiàn)層中，并靠近和沿著信號(hào)布線(xiàn)21延伸。屏蔽線(xiàn) 22a、22b以?shī)A著信號(hào)布線(xiàn)21而彼此相對(duì)的方式分別設(shè)置在信號(hào)布線(xiàn)21的兩側(cè)。如圖2所示，屏蔽線(xiàn)22a、22b在交叉部分25a、25b處分別與上層上的基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23三維地交叉， 絕緣膜位于屏蔽線(xiàn)22a、22b與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23之間。屏蔽線(xiàn)22a、22b中的每一個(gè)以距離 D與信號(hào)布線(xiàn)21分隔開(kāi)。即使當(dāng)屏蔽線(xiàn)22a或22b的電位受到耦合噪聲的影響而波動(dòng)，固定上述距離D可防止屏蔽線(xiàn)22a或22b的電位的波動(dòng)容易地影響信號(hào)布線(xiàn)21的電位。這樣的距離D在交叉部分25a、25b近旁的區(qū)域中不固定。[0046]屏蔽線(xiàn)22a在屏蔽線(xiàn)22a和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23 二者的交叉部分25a近旁具有的布線(xiàn)寬度w大于在其他部分中的布線(xiàn)寬度W( S卩，w > W)。因此，屏蔽線(xiàn)22a在交叉部分25c 近旁以距離d與信號(hào)布線(xiàn)21分隔開(kāi)，該距離d小于在其他部分中的距離D (即，d < D)。在該情況下，屏蔽線(xiàn)22a的具有寬的寬度w的所有部分可被包括在交叉部分25a中。[0047]屏蔽線(xiàn)22b在屏蔽線(xiàn)22b和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23 二者的交叉部分25b近旁具有的布線(xiàn)寬度w大于在其他部分中的布線(xiàn)寬度W( S卩，w > W)。因此，屏蔽線(xiàn)22b在交叉部分25c 近旁以距離d與信號(hào)布線(xiàn)21分隔開(kāi)，該距離d小于在其他部分中的距離D (即，d < D)。在該情況下，屏蔽線(xiàn)22b的具有寬的寬度w的所有部分可被包括在交叉部分25b中。[0048]如上所述，信號(hào)布線(xiàn)21在信號(hào)布線(xiàn)21和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23 二者的交叉部分25c中以較窄的距離與屏蔽線(xiàn)22a、22b中的每一個(gè)分隔開(kāi)。因此，否則會(huì)從基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23指向信號(hào)布線(xiàn)21的電力線(xiàn)可指向屏蔽線(xiàn)22a、22b，由此可減小由潛通路效應(yīng)引起的信號(hào)布線(xiàn)21 和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23 二者的耦合電容。當(dāng)基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23較寬并在基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23和信號(hào)布線(xiàn)21 二者的交叉部分25c中具有長(zhǎng)的與信號(hào)布線(xiàn)21的重疊區(qū)域時(shí)，這樣的布局特別有效。[0049]根據(jù)第二實(shí)施例，在交叉部分25c中減小耦合電容，因此可降低在多層布線(xiàn)的布線(xiàn)之間的耦合噪聲的影響。此外，信號(hào)布線(xiàn)21與每個(gè)屏蔽線(xiàn)22之間的距離在除了交叉部分25c之外的部分中加寬，從而可降低信號(hào)布線(xiàn)21與每個(gè)屏蔽線(xiàn)22之間的負(fù)載電容。[0050]根據(jù)第二實(shí)施例，可實(shí)現(xiàn)耦合噪聲的影響的降低而不縮窄交叉部分25c中的基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23和信號(hào)布線(xiàn)21中的任一個(gè)。因此，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)23的電阻和信號(hào)布線(xiàn)21的電阻二者都可保持較低。[0051]在第二實(shí)施例中，屏蔽線(xiàn)22a、22b分別被設(shè)置在信號(hào)布線(xiàn)21的兩側(cè)，但是本發(fā)明創(chuàng)造不限于上述情況。本發(fā)明創(chuàng)造還適用于僅僅屏蔽線(xiàn)之一。[0052](第三實(shí)施例)[0053]圖3是示出根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。與圖I類(lèi)似地，圖3主要示出了基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33 (基準(zhǔn)布線(xiàn))和與耦合噪聲有關(guān)的布線(xiàn)的部分的實(shí)例。此外，圖3省略了絕緣膜而僅示出了兩個(gè)布線(xiàn)層。[0054]根據(jù)第三實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括信號(hào)布線(xiàn)31和屏蔽線(xiàn)32a、32b，信號(hào)布線(xiàn)31和屏蔽線(xiàn)32a、32b全都設(shè)置在下布線(xiàn)層上。該半導(dǎo)體器件還包括基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33和屏蔽線(xiàn) 34a、34b，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33和屏蔽線(xiàn)34a、34b全都設(shè)置在上布線(xiàn)層中。[0055]根據(jù)第三實(shí)施例的信號(hào)布線(xiàn)31、基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33和屏蔽線(xiàn)32a、32b、34a、34b具有與第一實(shí)施例類(lèi)似的它們各自的功能和布局上的位置關(guān)系。因此，不詳細(xì)描述這些功能和位置。第三實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于，在上布線(xiàn)層中設(shè)置的基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33在基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33和信號(hào)布線(xiàn)31 二者的交叉部分35c近旁具有比其他部分窄的部分。[0056]具體地，如圖3所示，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33在基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33和信號(hào)布線(xiàn)31 二者的交叉部分35c近旁具有的布線(xiàn)寬度wl小于在其他部分中的布線(xiàn)寬度Wl (即，wl < Wl)?；鶞?zhǔn)電位布線(xiàn)33的在交叉部分35c近旁的布線(xiàn)寬度wl被設(shè)定為這樣的值，該值使得基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33可具有在設(shè)計(jì)規(guī)則下允許的電阻。[0057]屏蔽線(xiàn)34a在屏蔽線(xiàn)34a和信號(hào)布線(xiàn)31 二者的交叉部分35a近旁具有的布線(xiàn)寬度w2大于在其他部分中的布線(xiàn)寬度W2( S卩，w2 > W2) 0因此，屏蔽線(xiàn)34a在交叉部分35c 近旁以距離d與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33分隔開(kāi)，距離d小于在其他部分中的距離D(即，d < D)。 在該情況下，屏蔽線(xiàn)34a的具有寬的寬度w2的所有部分可被包括在交叉部分35a中。[0058]屏蔽線(xiàn)34b在屏蔽線(xiàn)34b和信號(hào)布線(xiàn)31 二者的交叉部分35b近旁具有的布線(xiàn)寬度w2大于在其他部分中的 布線(xiàn)寬度W2( S卩，w2 > W2)。因此，屏蔽線(xiàn)34b在交叉部分35c 近旁以距離d與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33分隔開(kāi)，距離d小于在其他部分中的距離D(即，d < D)。 在該情況下，屏蔽線(xiàn)34b的具有寬的寬度w2的所有部分可被包括在交叉部分35b中。[0059]如上所述，信號(hào)布線(xiàn)31在信號(hào)布線(xiàn)31和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33 二者的交叉部分35c中以較窄的距離與每個(gè)屏蔽線(xiàn)34a、34b分隔開(kāi)。因此，否則會(huì)從信號(hào)布線(xiàn)31指向基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33的電力線(xiàn)可指向屏蔽線(xiàn)34a、34b，由此可減小由潛通路效應(yīng)引起的信號(hào)布線(xiàn)31和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33 二者的耦合電容。在除了交叉部分35c之外的部分中，可通過(guò)加寬基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33與每個(gè)屏蔽線(xiàn)34之間的距離來(lái)減小來(lái)自每個(gè)屏蔽線(xiàn)34的噪聲的影響。[0060]由于基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33在交叉部分35c中具有的布線(xiàn)寬度小于在其他部分中的布線(xiàn)寬度，因此可以減小信號(hào)布線(xiàn)31與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33彼此重疊的面積，由此可進(jìn)一步減小耦合電容。[0061]當(dāng)信號(hào)布線(xiàn)31較寬并在交叉部分35c中具有較長(zhǎng)的與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33的重疊區(qū)域時(shí)，這樣的布局特別有效。[0062]根據(jù)第三實(shí)施例，可進(jìn)一步減小多層布線(xiàn)的布線(xiàn)之間的耦合噪聲的影響。[0063]在第三實(shí)施例中，屏蔽線(xiàn)34a、34b分別設(shè)置在基準(zhǔn)電位布線(xiàn)33的兩側(cè)，但是該實(shí)施例不限于上述情況。該實(shí)施例還適用于僅僅屏蔽線(xiàn)之一。[0064](第四實(shí)施例)[0065]圖4是示出根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。與圖I類(lèi)似地，圖4主要示出了基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43 (基準(zhǔn)布線(xiàn))和與耦合噪聲有關(guān)的布線(xiàn)的部分的實(shí)例。此外，圖4省略了絕緣膜而僅示出了兩個(gè)布線(xiàn)層。[0066]根據(jù)第四實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括信號(hào)布線(xiàn)41和屏蔽線(xiàn)42a、42b，信號(hào)布線(xiàn)41和屏蔽線(xiàn)42a、42b全都設(shè)置在下布線(xiàn)層上。該半導(dǎo)體器件還包括基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43和屏蔽線(xiàn) 44a、44b，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43和屏蔽線(xiàn)44a、44b全都設(shè)置在上布線(xiàn)層中。[0067]根據(jù)第四實(shí)施例的信號(hào)布線(xiàn)41、基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43和屏蔽線(xiàn)42a、42b、44a、44b具有與第二實(shí)施例類(lèi)似的它們各自的功能和布局上的位置關(guān)系。因此，不詳細(xì)描述這些功能和位置。第四實(shí)施例與第二實(shí)施例的不同之處在于，在下布線(xiàn)層中設(shè)置的信號(hào)布線(xiàn)41在信號(hào)布線(xiàn)41和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43 二者的交叉部分45c近旁具有比其他部分窄的部分。[0068]具體地，如圖4所示，信號(hào)布線(xiàn)41在信號(hào)布線(xiàn)41和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43 二者的交叉部分45c近旁具有的布線(xiàn)寬度wl小于在其他部分中的布線(xiàn)寬度Wl (即，wl < Wl)。以使信號(hào)布線(xiàn)41可具有根據(jù)設(shè)計(jì)要求所允許的電阻值的方式，設(shè)定信號(hào)布線(xiàn)41的在交叉部分45c 近旁的布線(xiàn)寬度wl。[0069]屏蔽線(xiàn)42a在屏蔽線(xiàn)42a和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43 二者的交叉部分45a近旁具有的布線(xiàn)寬度w2大于在其他部分中的布線(xiàn)寬度W2( S卩，w2 > W2)。因此，屏蔽線(xiàn)42a在交叉部分 45c近旁以距離d與信號(hào)布線(xiàn)41分隔開(kāi)，該距離d小于在其他部分中的距離D (即，d < D)。 在該情況下，屏蔽線(xiàn)42a的具有寬的寬度w2的所有部分可被包括在交叉部分45a中。[0070]屏蔽線(xiàn)42b在屏蔽線(xiàn)42b和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43 二者的交叉部分45b近旁具有的布線(xiàn)寬度w2大于在其他部分中的布線(xiàn)寬度W2( S卩，w2 > W2)。因此，屏蔽線(xiàn)42b在交叉部分 45c近旁以距離d與信號(hào)布線(xiàn)41分隔開(kāi)，該距離d小于在其他部分中的距離D (即，d < D)。 在該情況下，屏蔽線(xiàn)42b的具有寬的寬度w2的所有部分可被包括在交叉部分45b中。[0071]如上所述，信號(hào)布線(xiàn)41在信號(hào)布線(xiàn)41和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43 二者的交叉部分45c中以較窄的距離與屏蔽線(xiàn)42a、42b中的每一個(gè)分隔開(kāi)。因此，否則會(huì)從基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43指向信號(hào)布線(xiàn)41的電力線(xiàn)可指向屏蔽線(xiàn)42a、42b，由此可減小由潛通路效應(yīng)引起的信號(hào)布線(xiàn)41 和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43 二者的耦合電容。此外，在除了交叉部分45c之外的部分中，可通過(guò)加寬信號(hào)布線(xiàn)41與每個(gè)屏蔽線(xiàn)42之間的距離來(lái)減小信號(hào)布線(xiàn)41于每個(gè)屏蔽線(xiàn)42之間的負(fù)載電容。[0072]另外，由于信號(hào)布線(xiàn)41在交叉部分45c中具有的布線(xiàn)寬度小于在其他部分中的布線(xiàn)寬度，因此可以減小信號(hào)布線(xiàn)41與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43彼此重疊的面積，由此可進(jìn)一步減小耦合電容。[0073]當(dāng)基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43較寬并在基準(zhǔn)電位布線(xiàn)43和信號(hào)布線(xiàn)41 二者的交叉部分45c 中具有較長(zhǎng)的與信號(hào)布線(xiàn)41的重疊區(qū)域時(shí)，這樣的布局特別有效。[0074]根據(jù)第四實(shí)施例，可進(jìn)一步減小多層布線(xiàn)的布線(xiàn)之間的耦合噪聲的影響。[0075]在第四實(shí)施例中，屏蔽線(xiàn)42a、42b分別設(shè)置在信號(hào)布線(xiàn)41的兩側(cè)，但是本發(fā)明創(chuàng)造不限于上述情況。本發(fā)明創(chuàng)造還適用于僅僅屏蔽線(xiàn)之一。[0076](第五實(shí)施例)[0077]圖5是示出根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的布局圖。與圖I類(lèi)似地，圖5主要示出了基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53 (基準(zhǔn)布線(xiàn))和與耦合噪聲有關(guān)的布線(xiàn)的部分的實(shí)例。此外，圖5省略了絕緣膜而僅示出了兩個(gè)布線(xiàn)層。[0078]根據(jù)第五實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括信號(hào)布線(xiàn)51和屏蔽線(xiàn)52a、52b，信號(hào)布線(xiàn)51和屏蔽線(xiàn)52a、52b全都設(shè)置在下布線(xiàn)層上。該半導(dǎo)體器件還包括基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53和屏蔽線(xiàn) 54a、54b，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53和屏蔽線(xiàn)54a、54b全都設(shè)置在上布線(xiàn)層中。[0079]根據(jù)第五實(shí)施例的信號(hào)布線(xiàn)51、基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53和屏蔽線(xiàn)52a、52b、54a、54b具有與第一實(shí)施例類(lèi)似的它們各自的功能和布局上的位置關(guān)系。因此，不詳細(xì)描述這些功能和位置。第五實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于，屏蔽線(xiàn)54a、54b被設(shè)置為具有U形，該U 形在信號(hào)布線(xiàn)51和屏蔽線(xiàn)54a、54b 二者的交叉部分55a、55b近旁的位置中朝向基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53突出，來(lái)代替被設(shè)置有較大布線(xiàn)寬度。[0080]如圖5所示，屏蔽線(xiàn)54a被設(shè)置為具有在屏蔽線(xiàn)54a和信號(hào)布線(xiàn)51 二者的交叉部分55a近旁朝向基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53突出的U形。換言之，屏蔽線(xiàn)54a在圖5中向下突出。因9此，屏蔽線(xiàn)54a在交叉部分55c近旁以距離d與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53分隔開(kāi)，該距離d小于在其他部分中的距離D(即，d < D)。[0081]同樣，屏蔽線(xiàn)54b被設(shè)置為具有在屏蔽線(xiàn)54b和信號(hào)布線(xiàn)51 二者的交叉部分55b 近旁朝向基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53突出的U形。換言之，屏蔽線(xiàn)54b在圖5中向下突出。因此，屏蔽線(xiàn)54b在交叉部分55c近旁以距離d與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53分隔開(kāi)，該距離d小于在其他部分中的距離D(S卩，d<D)。[0082]如上所述，基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53在信號(hào)布線(xiàn)51和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53 二者的交叉部分 55c中以較窄的距離與屏蔽線(xiàn)54a、54b中的每一個(gè)分隔開(kāi)。因此，否則會(huì)從信號(hào)布線(xiàn)51指向基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53的電力線(xiàn)可指向屏蔽線(xiàn)54a、54b，由此可減小由潛通路效應(yīng)引起的信號(hào)布線(xiàn)51和基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53 二者的耦合電容。[0083]此外，U形屏蔽線(xiàn)54a、54b的形成提高了布局的自由度，這是因?yàn)?，如圖6所示，例如，可以在U形屏蔽線(xiàn)54a或54b內(nèi)的空間中設(shè)置接觸布線(xiàn)67和與下層布線(xiàn)層中的信號(hào)布線(xiàn)52的接觸66。[0084]根據(jù)第五實(shí)施例，可以獲得與第一實(shí)施例類(lèi)似的效果。此外，可以在減小布局面積同時(shí)提高布線(xiàn)布局的自由度。[0085]在第五實(shí)施例中，屏蔽線(xiàn)54a、54b分別被設(shè)置在基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53的兩側(cè)，但是該實(shí)施例不限于上述情況。該實(shí)施例還適用于僅僅屏蔽線(xiàn)之一。[0086]在第五實(shí)施例中，在上布線(xiàn)層中設(shè)置的屏蔽線(xiàn)54a、54b的形狀被修改成U形，但是該實(shí)施例并不僅僅限于上述配置。備選地，在下布線(xiàn)層中設(shè)置的屏蔽線(xiàn)52a、52b的形狀可被修改成U形。[0087]此外，盡管在第五實(shí)施例中將在上布線(xiàn)層中設(shè)置的屏蔽線(xiàn)54a、54b的形狀修改成 U形，但是修改后的形狀并非必須是U形。任意形狀是可接受的，只要屏蔽線(xiàn)54a、54b至少被修改成在交叉部分55a、55b近旁靠近基準(zhǔn)電位布線(xiàn)53的形狀即可。[0088]在第一至第五實(shí)施例中，修改了上布線(xiàn)層或下布線(xiàn)層的布線(xiàn)布局。然而，實(shí)施例并非僅僅限于這樣的配置。兩個(gè)布線(xiàn)層的布線(xiàn)布局都可彼此獨(dú)立地被修改。[0089]在第一至第五實(shí)施例中，每個(gè)屏蔽線(xiàn)被電連接至固定電位，但是實(shí)施例并非僅僅限于這樣的配置。例如，可采用任何布線(xiàn)，只要在基準(zhǔn)電位被參考時(shí)的特定時(shí)刻前后，即，在交叉部分處的耦合噪聲的影響會(huì)引起系統(tǒng)故障的時(shí)刻，該布線(xiàn)可立即用作屏蔽線(xiàn)即可。[0090]在第一至第五實(shí)施例中，受到耦合噪聲影響的布線(xiàn)是基準(zhǔn)電位布線(xiàn)，但是實(shí)施例并非僅僅限于這樣的前提。實(shí)施例適用于可在交叉部分處受到耦合噪聲影響并且可引起系統(tǒng)故障的任何布線(xiàn)。[0091]還可以如圖7所示執(zhí)行第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的組合。例如，在交叉部分15C 處，可以縮短在下層上的每個(gè)屏蔽線(xiàn)與信號(hào)布線(xiàn)之間的距離(d)，同時(shí)可以縮短在上層上的屏蔽線(xiàn)與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)之間的距離(d)。結(jié)果，可以進(jìn)一步減小在交叉部分中的耦合噪聲的影響。[0092]可以如圖8所示在第三實(shí)施例和第四實(shí)施例的組合中執(zhí)行實(shí)施例。例如，在交叉部分35C處，還可以從距離(D3)減小在下層中的每個(gè)屏蔽線(xiàn)與信號(hào)布線(xiàn)之間的距離(d3) 以及信號(hào)布線(xiàn)的寬度，同時(shí)可以從距離(D)減小在上層中的每個(gè)屏蔽線(xiàn)與基準(zhǔn)電位布線(xiàn)之間的距離(d)以及基準(zhǔn)電位布線(xiàn)的寬度。結(jié)果，可以進(jìn)一步減小交叉部分中的耦合噪聲的影響。[0093]可以對(duì)上層中的布線(xiàn)和下層中的布線(xiàn)二者都應(yīng)用第五實(shí)施例的配置，如圖9所示。例如，在交叉部分55C處，在下層中使得每個(gè)屏蔽線(xiàn)靠近信號(hào)布線(xiàn)，同時(shí)在上層中使得每個(gè)屏蔽線(xiàn)靠近基準(zhǔn)電位布線(xiàn)。結(jié)果，可進(jìn)一步減小在交叉部分中的耦合噪聲的影響。此外，還可以提高布線(xiàn)布局的自由度。[0094]如圖10、11所示，可以分別在第三實(shí)施例和第五實(shí)施例的組合中以及在第四實(shí)施例和第五實(shí)施例的組合中執(zhí)行實(shí)施例。[0095]此外，實(shí)施例不僅適用于基準(zhǔn)電位布線(xiàn)與信號(hào)布線(xiàn)交叉的情況，而且還適用于基準(zhǔn)電位布線(xiàn)與高電壓布線(xiàn)交叉的情況以及信號(hào)布線(xiàn)與高電壓布線(xiàn)交叉的情況。[0096]雖然已經(jīng)描述了特定實(shí)施例，但這些實(shí)施例僅僅以實(shí)例的方式給出，并且不旨在限制本發(fā)明創(chuàng)造的范圍。實(shí)際上，本文中描述的新穎實(shí)施例可以以各種其他形式被實(shí)施；此外，可以對(duì)本文中描述的實(shí)施例在形式上做出各種省略、替換和改變而不背離本發(fā)明創(chuàng)造的精神。所附權(quán)利要求及其等價(jià)物旨在涵蓋落入本發(fā)明創(chuàng)造的范圍和精神內(nèi)的這樣的形式或修改。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體器件，包括第一布線(xiàn)，其沿著第一方向而被設(shè)置在第一布線(xiàn)層中；第二布線(xiàn)，其沿著與所述第一方向正交的第二方向而被設(shè)置在第二布線(xiàn)層中，所述第二布線(xiàn)在第一交叉部分處與所述第一布線(xiàn)交叉；以及第三布線(xiàn)，其靠近并沿著所述第二布線(xiàn)而被設(shè)置在所述第二布線(xiàn)層中，所述第三布線(xiàn)在第二交叉部分處與所述第一布線(xiàn)交叉；其中所述第一交叉部分中的所述第二布線(xiàn)與所述第二交叉部分中的所述第三布線(xiàn)之間的距離小于除了所述第一交叉部分之外的所述第二布線(xiàn)與除了所述第二交叉部分之外的所述第三布線(xiàn)之間的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第三布線(xiàn)的所述第一交叉部分的寬度大于所述第三布線(xiàn)的所述第二交叉部分的覽度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二布線(xiàn)的所述第一交叉部分的寬度小于所述第二布線(xiàn)的所述第二交叉部分的覽度。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第三布線(xiàn)的所述第二交叉部分的寬度與所述第三布線(xiàn)的另一部分的寬度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第三布線(xiàn)具有U形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中電連接至所述第一布線(xiàn)的接觸布線(xiàn)被設(shè)置在所述第三布線(xiàn)的所述U形內(nèi)的空間中。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二布線(xiàn)的所述第一交叉部分的寬度小于所述第二布線(xiàn)的所述第二交叉部分的覽度。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，還包括第四布線(xiàn)，其靠近并沿著所述第一布線(xiàn)而被設(shè)置在所述第一布線(xiàn)層中，所述第四布線(xiàn)在第三交叉部分處與所述第二布線(xiàn)交叉。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第三交叉部分中的所述第四布線(xiàn)與所述第一交叉部分中的所述第一布線(xiàn)之間的距離小于除了所述第三交叉部分之外的所述第四布線(xiàn)與除了所述第一交叉部分之外的所述第一布線(xiàn)之間的距離。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第四布線(xiàn)的所述第一交叉部分的寬度大于所述第四布線(xiàn)的所述第二交叉部分的覽度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一布線(xiàn)的所述第一交叉部分的寬度小于所述第一布線(xiàn)的所述第二交叉部分的覽度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第四布線(xiàn)的所述第一交叉部分的寬度與所述第四布線(xiàn)的另一部分的寬度相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第三布線(xiàn)具有U形。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中電連接至所述第一布線(xiàn)的接觸布線(xiàn)被設(shè)置在所述第三布線(xiàn)的所述U形內(nèi)的空間中。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一布線(xiàn)的所述第一交叉部分的寬度小于所述第一布線(xiàn)的所述第二交叉部分的覽度。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二布線(xiàn)的所述第一交叉部分的寬度小于所述第二布線(xiàn)的所述第二交叉部分的覽度。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第三布線(xiàn)和所述第四布線(xiàn)二者都用作屏蔽線(xiàn)，以屏蔽所述第一布線(xiàn)和所述第二布線(xiàn)。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一布線(xiàn)和所述第二布線(xiàn)中的一者是信號(hào)布線(xiàn)，另一者是基準(zhǔn)電位線(xiàn)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件。在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件包括第一布線(xiàn)，其沿著第一方向而被設(shè)置在第一布線(xiàn)層中；第二布線(xiàn)，其沿著與所述第一方向正交的第二方向而被設(shè)置在第二布線(xiàn)層中，所述第二布線(xiàn)在第一交叉部分處與所述第一布線(xiàn)交叉；以及第三布線(xiàn)，其靠近并沿著所述第二布線(xiàn)而被設(shè)置在所述第二布線(xiàn)層中，所述第三布線(xiàn)在第二交叉部分處與所述第一布線(xiàn)交叉，其中所述第一交叉部分中的所述第二布線(xiàn)與所述第二交叉部分中的所述第三布線(xiàn)之間的距離小于除了所述第一交叉部分之外的所述第二布線(xiàn)與除了所述第二交叉部分之外的所述第三布線(xiàn)之間的距離。
文檔編號(hào)H01L23/522GK202736910SQ20122009755
公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月27日
發(fā)明者大戶(hù)修, 鶴戶(hù)孝博, 的場(chǎng)賢一, 佐藤順平 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝