專利名稱：一體式硅晶片蝕刻漿料清洗機的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種硅晶片蝕刻漿料清洗裝置，尤其是一種能滿足全自動化一體式高效生產(chǎn)、工藝穩(wěn)定性高的硅晶片蝕刻漿料清洗機。
背景技術(shù)：
晶體硅太陽電池薄膜工藝中通常要用到蝕刻漿料，用來在薄膜上開孔，漿料采用
絲網(wǎng)印刷方式印刷在基底上，經(jīng)過熱處理后，漿料蝕刻薄膜形成孔洞，再通過清洗方式去除漿料。目前，蝕刻漿料印刷后的熱處理、清洗等工序需要使用化學(xué)清洗設(shè)備，在傳統(tǒng)的工藝流程中，硅晶片通過傳遞裝置傳遞時，硅晶片是水平的，而在印刷完蝕刻漿料且熱處理完畢之后首先需要進(jìn)行超聲堿液清洗，此時硅晶片需要傾斜一定角度以方便漿料能從硅晶片表面脫落。所以在現(xiàn)有技術(shù)中，超聲堿液清洗這部分工序必須由人工操作，硅晶片印刷蝕刻漿料后，人工放入片盒，人為傾斜一定角度后放入清洗機清洗，清洗完成后拿出，再放回硅晶片生產(chǎn)線進(jìn)行后續(xù)操作，這樣做不僅限制了生產(chǎn)速效率，而且容易由于人為的因素導(dǎo)致硅晶片生產(chǎn)的工藝穩(wěn)定性不高、引入其他雜質(zhì)。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提出一種能解決硅晶片漿料清洗效率低、工藝穩(wěn)定性差問題的一體式硅晶片蝕刻漿料清洗機。本實用新型所采用的技術(shù)方案為一體式硅晶片蝕刻漿料清洗機，包括傳遞裝置、絲網(wǎng)印刷機、烘箱和排風(fēng)系統(tǒng)，所述的傳遞裝置上均勻布置有硅晶片夾取裝置，且所述的硅晶片夾取裝置可通過傳遞裝置實現(xiàn)向上、下、左、右四個方向上的移動，所述的硅晶片夾取裝置下方均設(shè)置有可繞中心旋轉(zhuǎn)的軸承，所述的硅晶片夾取裝置上方設(shè)有與軸承對應(yīng)的轉(zhuǎn)軸，所述的轉(zhuǎn)軸的端部與相對應(yīng)的軸承的端部之間轉(zhuǎn)動連接，在所述的轉(zhuǎn)軸的上方橫置有與轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動連接的動力軸。進(jìn)一步的，作為一種具體的形式，本實用新型中所述的可繞中心旋轉(zhuǎn)的軸承與轉(zhuǎn)軸之間通過掛鉤或皮帶連接。進(jìn)一步的，作為另一種具體的形式，本實用新型中所述的動力軸設(shè)于轉(zhuǎn)軸的上方中部區(qū)域，且所述的動力軸與轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)動連接處均設(shè)有能夠相互匹配的斜齒輪。本實用新型的有益效果是本實用新型通過改變現(xiàn)有技術(shù)中普通硅晶片夾取裝置的結(jié)構(gòu)，使其能夠旋轉(zhuǎn)一定角度，這樣超聲堿液清洗的工序中就不必使用人工，可以實現(xiàn)一體式機械化的操作，且同時改進(jìn)的硅晶片夾取裝置可以完全與現(xiàn)有設(shè)備兼容，實施成本低廉，本實用新型能夠使得硅晶片整體清洗過程高效便捷，節(jié)約了寶貴的人力資源，同時保證了硅晶片的工藝質(zhì)量。

[0009]
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進(jìn)一步說明。圖I是本實用新型的優(yōu)選實施例的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型的優(yōu)選實施例的頂面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實用新型的優(yōu)選實施例的工作流程原理示意圖；圖中1、傳遞裝置，2、絲網(wǎng)印刷機，3、烘箱，4、排風(fēng)系統(tǒng)，5、硅晶片夾取裝置，5-1、軸承，5-2、轉(zhuǎn)軸，5-3、動力軸，5-4、斜齒輪，6、熱處理，6-1、超聲堿液清洗，6-2、第一次去離子水清洗，6-3、去除金屬離子清洗，6-4、第二次去離子水清洗，6-5、烘干。
具體實施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實用新型有關(guān)的構(gòu)成。如圖I和圖2所示的本實用新型一體式硅晶片蝕刻漿料清洗機的實施例，包括傳遞裝置I、絲網(wǎng)印刷機2、烘箱3和排風(fēng)系統(tǒng)4，所述的傳遞裝置I上均勻布置有硅晶片夾取裝置5，且所述的硅晶片夾取裝置5可通過傳遞裝置I實現(xiàn)向上、下、左、右四個方向上的移動，硅晶片夾取裝置5下方均設(shè)置有可繞中心旋轉(zhuǎn)的軸承5-1，硅晶片夾取裝置5上方設(shè)有與軸承5-1平行對應(yīng)的轉(zhuǎn)軸5-2，轉(zhuǎn)軸5-2的端部與相對應(yīng)的軸承5-2的端部之間通過掛鉤轉(zhuǎn)動連接，轉(zhuǎn)軸5-2的上方中部橫置有與轉(zhuǎn)軸5-2轉(zhuǎn)動連接的動力軸5-3，兩者之間通過相互匹配的45°斜齒輪5-4轉(zhuǎn)動連接，這樣動力軸5-3轉(zhuǎn)動時帶動轉(zhuǎn)軸5-2轉(zhuǎn)動，同時使得軸承5-1帶動硅晶片夾取裝置5旋轉(zhuǎn)0° 30°的角度，具體旋轉(zhuǎn)角度可根據(jù)蝕刻漿料在硅片表面的粘附系數(shù)來調(diào)節(jié)，不同的蝕刻漿料會有不同的轉(zhuǎn)動角度，在本例中選擇30°的旋轉(zhuǎn)角度，然后進(jìn)行超聲堿液清洗。如圖3所示的本實用新型一體式硅晶片蝕刻漿料清洗機的工作流程原理圖，工作流程包括絲網(wǎng)印刷機2進(jìn)行的印刷、烘箱3進(jìn)行的熱處理6、超聲堿液清洗6-1、第一次去離子水清洗6-2、去除金屬離子清洗6-3、第二次去離子水清洗6-4、烘干6-5，在超聲堿液清洗
6-1 時I、通過硅晶片7的傳遞裝置I將硅晶片7送至超聲堿液清洗6-1工序位置；2、通過遞裝置I使得硅晶片7向左平移一段距離；3、利用硅晶片夾取裝置5下面的軸承5-2使得硅晶片整體逆時針旋轉(zhuǎn)一定角度，與此同時利用傳遞裝置I使得硅晶片淹沒在超聲清洗機內(nèi)。4、硅晶片7及硅晶片夾取裝置5在清洗液中逐漸向右移動，蝕刻漿料隨著超聲及清洗液作用將脫離硅晶片7的表面，此過程將持續(xù)5-10分鐘；5、通過傳遞裝置I使得硅晶片夾取裝置5脫離清洗液液面；6、通過硅晶片夾取裝置5下面的軸承5-1將硅晶片7恢復(fù)至原先水平狀態(tài)；并通過傳遞裝置I將硅晶片7轉(zhuǎn)移至硅晶片7初始位置。7、進(jìn)行后續(xù)的第一次去離子水清洗6-2、去除金屬離子清洗6-3、第二次去離子水清洗6-4、烘干6-5工序。以上說明書中描述的只是本實用新型的具體實施方式
，各種舉例說明不對本實用新型的實質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的具體實施方式
做修改或變形，而不 背離實用新型的實質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求1.一種一體式硅晶片蝕刻漿料清洗機，其特征在于包括傳遞裝置(I)、絲網(wǎng)印刷機(2)、烘箱(3)和排風(fēng)系統(tǒng)(4)，所述的傳遞裝置(I)上均勻布置有硅晶片夾取裝置(5)，且所述的硅晶片夾取裝置(5)可通過傳遞裝置(I)實現(xiàn)向上、下、左、右四個方向上的移動，所述的硅晶片夾取裝置(5)下方設(shè)置有可繞中心旋轉(zhuǎn)的軸承(5-1)，所述的硅晶片夾取裝置(5)上方設(shè)有與軸承(5-1)對應(yīng)的轉(zhuǎn)軸(5-2)，所述的轉(zhuǎn)軸(5-2)的端部與相對應(yīng)的軸承(5-2)的端部之間轉(zhuǎn)動連接，在所述的轉(zhuǎn)軸(5-2)的上方橫置有與轉(zhuǎn)軸(5-2)轉(zhuǎn)動連接的動力軸(5-3)。
2.如權(quán)利要求I所述的一體式硅晶片蝕刻漿料清洗機，其特征在于所述的可繞中心旋轉(zhuǎn)的軸承(5-1)與轉(zhuǎn)軸(5-2)之間通過掛鉤或皮帶連接。
3.如權(quán)利要求I所述的一體式硅晶片蝕刻漿料清洗機，其特征在于所述的動力軸(5-3)設(shè)于轉(zhuǎn)軸(5-2)的上方中部區(qū)域，且所述的動力軸(5-3)與轉(zhuǎn)軸(5-2)的轉(zhuǎn)動連接處均設(shè)有能夠相互匹配的斜齒輪(5-4)。
專利摘要本實用新型涉及一種一體式蝕刻漿料清洗機，旨在提出一種能解決硅晶片漿料清洗效率低、工藝穩(wěn)定性差問題的一體式硅晶片蝕刻漿料清洗機，其中傳遞裝置上均勻布置有硅晶片夾取裝置，硅晶片夾取裝置可通過傳遞裝置實現(xiàn)向上、下、左、右四個方向上的移動，硅晶片夾取裝置下方均設(shè)置有可繞中心旋轉(zhuǎn)的軸承，硅晶片夾取裝置上方設(shè)有與軸承對應(yīng)的轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸的端部與相對應(yīng)的軸承的端部之間轉(zhuǎn)動連接，轉(zhuǎn)軸的上方橫置有與轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動連接的動力軸，本實用新型能夠使得在超聲堿液清洗的工序中實現(xiàn)一體式機械化的操作，且改進(jìn)的硅晶片夾取裝置可以完全與現(xiàn)有設(shè)備兼容，實施成本低廉，清洗過程高效便捷，節(jié)約了寶貴的人力資源，同時保證了硅晶片的工藝質(zhì)量。
文檔編號H01L21/687GK202473888SQ20122006002
公開日2012年10月3日 申請日期2012年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月23日
發(fā)明者楊陽, 許庭靜 申請人:常州天合光能有限公司