專利名稱：大功率led的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及LED照明裝置領(lǐng)域，具體為ー種有效提高絕緣性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景隨著LED燈技術(shù)的進步和人們對節(jié)能的日益重視，相比傳統(tǒng)照明器更節(jié)能的LED照明器日益受到歡迎，應(yīng)用越來越廣，常見的LED芯片封裝結(jié)構(gòu)采用導(dǎo)電或者非導(dǎo)電膠將LED芯片裝在散熱塊上，用導(dǎo)線連接好后再用環(huán)氧樹脂封裝，其熱阻高達300°C /W，LED燈具外殼還必須經(jīng)過高壓電測試，以確定安全標準。但上述方案中，在燈具接通高壓電吋，LED芯片、散熱塊與燈具外殼連接，而散熱塊是金屬導(dǎo)電材料，容易造成芯片損壞，同時芯片結(jié)溫上升和環(huán)氧碳化也會造成光衰減，因此，需要一種能通過高壓電測試，且將芯片直接封裝的方案以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提供ー種有效提高絕緣性能的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬散熱基板和設(shè)置在金屬散熱基板下的LED芯片，并通過熒光封裝膠體把LED芯片覆蓋起來，所述金屬散熱基板和LED芯片依次設(shè)置有氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱層、絕緣層薄膜和電極片，其中電極片由正電極片和負電極片組成，所述正電極片和負電極片分別與LED芯片正、負極的引腳連接。為了保證絕緣效果,所述絕緣層薄膜厚度為2 5 μ m。為了提高散熱效果，所述金屬散熱基板頂部設(shè)置有散熱片。為了便于LED芯片的連接通電，所述正電極片和負電極片分別繞成半圓弧狀分布在絕緣層薄膜兩側(cè)。本實用新型的有益效果是該封裝結(jié)構(gòu)通過合理的結(jié)構(gòu)改造，其高絕緣性能的大功率LED燈具封裝結(jié)構(gòu)使用氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱層、絕緣層薄膜于芯片與散熱塊之間，氮化鋁陶瓷具有良好的導(dǎo)熱性能，而且又具有良好的電絕緣性能，既不影響散熱，又使芯片與散熱塊之間絕緣，熒光封裝膠體采用激光陶瓷和膠的混合熒光膠，即使在溫度升高時也能保持發(fā)揮藍光轉(zhuǎn)白光的作用，可靠性更好。
以下結(jié)合附圖
和實施例對本實用新型進ー步說明。圖I是本實用新型的側(cè)視結(jié)構(gòu)圖；圖2是本實用新型的俯視結(jié)構(gòu)圖。
具體實施方式
參照圖I、圖2，大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬散熱基板I和設(shè)置在金屬散熱基板I下的LED芯片2，并通過熒光封裝膠體3把LED芯片2覆蓋起來，所述金屬散熱基板I和LED芯片2依次設(shè)置有氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱層4、絕緣層薄膜5和電極片6。電極片6由正電極片61和負電極片62組成。正電極片61和負電極片62分別繞成半圓弧狀分布在絕緣層薄膜5兩側(cè)，所述正電極片61和負電極片62分別與LED芯片2正、負極的引腳21連接。所述熒光封裝膠體3可選用YAG激光陶瓷和環(huán)形樹脂混合成的熒光封裝膠，YAG熒光粉通過其Tb、Ce、Eu等稀土離子作為熒光粉。絕緣層薄膜5可采用氮化鋁陶瓷或磁控濺射鍍膜，其中厚度優(yōu)選為2 5 μ m。為了提高散熱效果，所述金屬散熱基板I頂部設(shè)置有散熱片11。本實用新型通過合理的結(jié)構(gòu)改造，使用氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱層4、絕緣層薄膜5于LED芯片2與金屬散熱基板I之間，氮化鋁陶瓷具有良好的導(dǎo)熱性能，而且又具有良好的電絕緣性能，既不影響散熱，又使LED芯片2與金屬散熱基板I之間絕緣，熒光封裝膠體3采用激光陶瓷和膠的混合熒光膠，即使在溫度升高時也能保持發(fā)揮藍光轉(zhuǎn)白光的作用，可靠性更好。
權(quán)利要求1.大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括金屬散熱基板(I)和設(shè)置在金屬散熱基板(I)下的LED芯片(2)，并通過熒光封裝膠體(3)把LED芯片(2)覆蓋起來，所述金屬散熱基板(I)和LED芯片(2)依次設(shè)置有氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱層(4)、絕緣層薄膜(5)和電極片(6)，其中電極片(6)由正電極片(61)和負電極片(62)組成，所述正電極片(61)和負電極片(62)分別與LED芯片(2)正、負極的引腳(21)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕緣層薄膜(5)厚度為2 5 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述金屬散熱基板(I)頂部設(shè)置有散熱片(U)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述正電極片(61)和負電極片(62)分別繞成半圓弧狀分布在絕緣層薄膜(5)兩側(cè)。
專利摘要本實用新型公開了大功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬散熱基板和設(shè)置在金屬散熱基板下的LED芯片，并通過熒光封裝膠體把LED芯片覆蓋起來，所述金屬散熱基板和LED芯片依次設(shè)置有氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱層、絕緣層薄膜和電極片，其中電極片由正電極片和負電極片組成，所述正電極片和負電極片分別與LED芯片正、負極的引腳連接；該封裝結(jié)構(gòu)通過合理的結(jié)構(gòu)改造，其高絕緣性能的大功率LED燈具封裝結(jié)構(gòu)使用氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱層、絕緣層薄膜于芯片與散熱塊之間，氮化鋁陶瓷具有良好的導(dǎo)熱性能，而且又具有良好的電絕緣性能，既不影響散熱，又使芯片與散熱塊之間絕緣。
文檔編號H01L33/56GK202487666SQ20122005663
公開日2012年10月10日 申請日期2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月22日
發(fā)明者王清平 申請人:廣東科立盈光電技術(shù)有限公司