發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管，包括基板、與基板結(jié)合的電極、與電極電連接的發(fā)光二極管芯片、及圍設(shè)所述發(fā)光二極管芯片的反光杯，所述反光杯包括底面、與所述底面相對(duì)的頂面、連接底面與頂面外側(cè)邊緣的外側(cè)面及連接底面與頂面內(nèi)側(cè)邊緣的內(nèi)側(cè)面，所述內(nèi)側(cè)面包括自頂面傾斜向下延伸的反射面及自反射面底端向下延伸至底面的過(guò)渡面，所述過(guò)渡面圍設(shè)形成收容孔收容所述發(fā)光二極管芯片于其內(nèi)，所述反射面圍設(shè)形成反光孔用于反射發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線，所述過(guò)渡面與所述底面之間的夾角大于所述反射面與所述底面之間的夾角。
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，特別涉及一種發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的發(fā)光二極管包括二間隔設(shè)置的電極、固定于所述電極上并與之電性連接的一發(fā)光二極管芯片及固定于所述電極上并圍繞所述發(fā)光二極管的一反射杯。所述反射杯通過(guò)射出成型的方式形成在所述電極上，包括貼設(shè)于電極的底面、自底面周緣向上延伸的外側(cè)面、與底面相對(duì)的頂面及自頂面中部向底面凹陷形成的內(nèi)側(cè)面。所述內(nèi)側(cè)面為一光滑的反射面并圍設(shè)形成一收容孔于其內(nèi)，用于收容發(fā)光二極管芯片并反射發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線。為保障所述反射面能夠?qū)l(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線反射到較大的區(qū)域而使發(fā)光二極管具有較大的照射區(qū)域，通常使內(nèi)側(cè)面盡量靠近底面，如此，用于形成反光杯的模具的該部分就要做的扁、窄，而在射出成型過(guò)程中，模具的扁、窄區(qū)域內(nèi)的空氣不易完全被填料擠出而形成氣泡，從而導(dǎo)致脫模后反光杯的內(nèi)側(cè)面與底面邊緣形成毛邊而影響反光杯的性倉(cāng)泛。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種性能穩(wěn)定的發(fā)光二極管。
[0004]—種發(fā)光二極管，包括基板、與基板結(jié)合的電極、與電極電連接的發(fā)光二極管芯片、及圍設(shè)所述發(fā)光二極管芯片的反光杯，所述反光杯包括底面、與所述底面相對(duì)的頂面、連接底面與頂面外側(cè)邊緣的外側(cè)面及連接底面與頂面內(nèi)側(cè)邊緣的內(nèi)側(cè)面，所述內(nèi)側(cè)面包括自頂面傾斜向下延伸的反射面及自反射面底端向下延伸至底面的過(guò)渡面，所述過(guò)渡面圍設(shè)形成收容孔收容所述發(fā)光二極管芯片于其內(nèi)，所述反射面圍設(shè)形成反光孔用于反射發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線，所述過(guò)渡面與所述底面之間的夾角大于所述反射面與所述底面之間的夾角。
[0005]本發(fā)明中，因反射面與底面之間增設(shè)有過(guò)渡面，并且過(guò)渡面與底面之間的夾角大于所述反射面與所述底面之間的夾角，因此，在形成所述反光杯時(shí)，進(jìn)入模具內(nèi)的填料能夠更加徹底的擠出模具內(nèi)的空氣，從而避免模具內(nèi)接近底面的狹窄區(qū)域因存在氣泡而導(dǎo)致成型的反光杯的底面、過(guò)渡面等處形成毛邊而影響反光杯的反射性能。并且，又因?yàn)榉瓷涿媾c所述底面之間的夾角小于過(guò)渡面與底面之間的夾角，在保障反光杯的反射性能的同時(shí)，使其能將發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線反射至較大的區(qū)域，從而保障發(fā)光二極管較大的照射范圍。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1為本發(fā)明的發(fā)光二極管的示意圖。
[0007]主要元件符號(hào)說(shuō)明 _
基板_10
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管，包括基板、與基板結(jié)合的電極、與電極電連接的發(fā)光二極管芯片、及圍設(shè)所述發(fā)光二極管芯片的反光杯，所述反光杯包括底面、與所述底面相對(duì)的頂面、連接底面與頂面外側(cè)邊緣的外側(cè)面及連接底面與頂面內(nèi)側(cè)邊緣的內(nèi)側(cè)面，其特征在于:所述內(nèi)側(cè)面包括自頂面傾斜向下延伸的反射面及自反射面底端向下延伸至底面的過(guò)渡面，所述過(guò)渡面圍設(shè)形成收容孔收容所述發(fā)光二極管芯片于其內(nèi)，所述反射面圍設(shè)形成反光孔用于反射發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光線，所述過(guò)渡面與所述底面之間的夾角大于所述反射面與所述底面之間的夾角。
2.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于:所述反射面與所述底面之間的夾角大于等于15度且小于等于30度。
3.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于:所述過(guò)渡面與所述底面之間的夾角大于等于35度且小于等于45度。
4.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于:所述收容孔與所述發(fā)光孔共軸并連通設(shè)置。
5.如權(quán)利要求4所述發(fā)光二極管，其特征在于:所述反光孔與收容孔的縱截面均呈梯形，所述反光孔的孔徑自頂面向下逐漸遞減，所述收容孔的直徑自與反光孔連接的頂端向底面逐漸減小。
6.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于:所述過(guò)渡面的頂端到底面之間的垂直距離小于0.01毫米。
7.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于:所述收容孔的深度大于或等于所述發(fā)光二極管芯片向上凸伸的高度。
8.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于:所述電極形成于所述基板上并間隔設(shè)置，所述發(fā)光二極管芯片固定于電極上，所述反射杯的底面貼設(shè)于電極上。
9.如權(quán)利要求1所述發(fā)光二極管，其特征在于:進(jìn)一步包括收容于所述收容孔內(nèi)并包裹所述發(fā)光二極管芯片的封裝體。
10.如權(quán)利要求9所述發(fā)光二極管，其特征在于:所述封裝體填滿所述反光孔。
【文檔編號(hào)】H01L33/60GK103887397SQ201210561781
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年12月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月22日
【發(fā)明者】張耀祖, 陳濱全, 陳隆欣, 羅杏芬, 曾文良, 黃郁良 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司