技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底，所述襯底包括由多個(gè)溝槽分割開(kāi)的多個(gè)有源區(qū)；多個(gè)隧道絕緣層圖案，所述多個(gè)隧道絕緣層圖案形成于所述有源區(qū)上方；多個(gè)導(dǎo)電膜圖案，所述多個(gè)導(dǎo)電膜圖案形成于所述隧道絕緣層圖案上方；多個(gè)第一隔離層，所述多個(gè)第一隔離層形成于所述溝槽的側(cè)壁和底面上；以及多個(gè)第二隔離層，所述多個(gè)第二隔離層形成于所述導(dǎo)電膜圖案之間，其中，所述多個(gè)第一隔離層和第二隔離層中的每個(gè)第一隔離層和第二隔離層被形成為在由所述第一隔離層和第二隔離層包圍的空間內(nèi)產(chǎn)生氣隙，以及其中，所述氣隙朝向所述隧道絕緣層圖案中的每個(gè)隧道絕緣層圖案的側(cè)壁延伸以與所述第一隔離層的頂表面相疊。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述氣隙具有沿與有源區(qū)交叉的方向上截取的T形橫截面。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)第一隔離層、所述第二隔離層和所述氣隙在與所述多個(gè)有源區(qū)的延伸方向相同的方向上延伸。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)隧道絕緣層圖案的側(cè)壁比所述有源區(qū)的側(cè)壁或所述導(dǎo)電膜圖案的側(cè)壁進(jìn)一步突出。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電膜圖案比所述第二隔離層進(jìn)一步突出于所述襯底上方。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，各個(gè)所述有源區(qū)的寬度大于各個(gè)所述導(dǎo)電膜圖案的寬度。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述襯底包括單晶硅。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)導(dǎo)電膜圖案包括多晶硅。9.一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底，所述襯底包括由多個(gè)溝槽分割開(kāi)的多個(gè)有源區(qū)；多個(gè)導(dǎo)電膜圖案，所述多個(gè)導(dǎo)電膜圖案形成于所述有源區(qū)上方；多個(gè)隧道絕緣層圖案，上述多個(gè)隧道絕緣層圖案形成于所述有源區(qū)與所述導(dǎo)電膜圖案之間，且具有比所述導(dǎo)電膜圖案和所述有源區(qū)的側(cè)壁進(jìn)一步突出的側(cè)壁，以及第一隔離層，所述第一隔離層形成于所述溝槽中每個(gè)溝槽的側(cè)壁和底面上，其中，所述第一隔離層具有第一部分和第二部分，所述第一部分在所述隧道絕緣層圖案中的至少一個(gè)隧道絕緣層圖案之下與所述至少一個(gè)隧道絕緣層圖案相疊，所述第二部分從所述第一部分延伸到所述溝槽中的至少一個(gè)溝槽中并且比所述至少一個(gè)隧道絕緣層圖案進(jìn)一步突出。10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括：第二隔離層，所述第二隔離層形成于所述導(dǎo)電膜圖案之間，其中，所述至少一個(gè)隧道絕緣層圖案和氣隙設(shè)置在所述第一隔離層與所述第二隔離層之間。11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述氣隙在與所述有源區(qū)的延伸方向相同的方向上延伸。...