專利名稱：陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
陣列基板及其制造方法、顯示裝置技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。其中，高級超維場轉(zhuǎn)換(Advanced super Dimension Switch, ADS)型 TFT-LCD 具有寬視角、高開口率、高透過率等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛的應(yīng)用。
ADS技術(shù)主要通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。其中HADS (高開口率-高級超維場轉(zhuǎn)換)是ADS 技術(shù)中的一種重要實(shí)現(xiàn)形式。
目前，HADS陣列基板的制造過程一般需要經(jīng)過六次掩膜版構(gòu)圖工藝，具體如下 通過第一次掩膜版構(gòu)圖工藝形成柵極和柵線的圖形；通過第二次掩膜版構(gòu)圖工藝形成有源層圖形；通過第三次掩膜版構(gòu)圖工藝形成像素電極圖形(即板狀電極)；通過第四次掩膜版構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線、源極、漏極和TFT溝道的圖形；通過第五次掩膜版構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖形；通過第六次掩膜版構(gòu)圖工藝形成條狀的公共電極圖形(即狹縫電極)。如果為了提高性能而增加樹脂層，則需要再增加一次掩膜版構(gòu)圖工藝。因此現(xiàn)有技術(shù)中，掩模板的使用數(shù)量較多，導(dǎo)致制造成本較高。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，用于減少掩膜版的使用數(shù)量，降低制造成本。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案
本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括
在基板上形成柵極的圖形；
通過一次構(gòu)圖工藝，形成柵絕緣層、有源層的圖形、漏極源極的圖形；
形成第一透明電極的圖形；
形成鈍化層，通過掩膜版構(gòu)圖工藝，對需要形成TFT溝道的TFT間隔區(qū)域的所述鈍化層進(jìn)行刻蝕，在所述鈍化層上形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的間隔圖形；
在所述基板上沉積第二透明電極層，通過一次構(gòu)圖工藝，對所述第二透明電極層進(jìn)行刻蝕，形成第二透明電極的圖形，再對TFT溝道區(qū)域的所述漏極源極的圖形和部分所述有源層的圖形進(jìn)行刻蝕，形成漏極、源極和TFT溝道的圖形。
本發(fā)明進(jìn)一步提供一種陣列基板，所述陣列基板包括柵極、柵線、柵絕緣層、有源層、漏極、源極、數(shù)據(jù)線；
所述源極、漏極上還包括樹脂層、第一透明電極層、鈍化層、第二透明電極層；其中，所述第二透明電極層包括具有狹縫的第二透明電極和連接電極；
所述樹脂層和所述鈍化層上設(shè)有過孔，所述連接電極位于所述過孔中；
所述第一透明電極與所述漏極通過所述連接電極形成電連接。
本發(fā)明進(jìn)一步提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)通過掩膜版構(gòu)圖工藝，刻蝕出第二透明電極的圖形之后，繼續(xù)刻蝕TFT溝道區(qū)域的漏極源極的圖形和部分有源層的圖形，形成漏極、源極和TFT溝道的圖形。因此，本發(fā)明提供的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了在一次掩膜版構(gòu)圖工藝中，形成第二透明電極的圖形，以及漏極、源極和TFT溝道的圖形，從而節(jié)省了掩膜版的使用數(shù)量，降低了陣列基板的制造成本。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖I為本發(fā)明的實(shí)施例I中第一次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖2為圖I中A-A向的剖面示意圖3為本發(fā)明的實(shí)施例I中第二次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖4為圖3中A-A向的剖面示意圖5為本發(fā)明的實(shí)施例I中第三次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖6為圖5中A-A向的剖面示意圖7為本發(fā)明的實(shí)施例I中第四次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖8為圖7中A-A向的剖面示意圖9為本發(fā)明的實(shí)施例I中第五次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖10為圖9中A-A向的剖面示意圖11為本發(fā)明的實(shí)施例2中第三次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖12為圖11中A-A向的剖面示意圖13為本發(fā)明的實(shí)施例2中第四次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖14為圖13中A-A向的剖面示意圖15為本發(fā)明的實(shí)施例2中第五次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖16為圖15中A-A向的剖面示意圖17為本發(fā)明的實(shí)施例3中第三次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖18為圖17中A-A向的剖面示意圖19為本發(fā)明的實(shí)施例3中第四次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖20為圖19中A-A向的剖面示意圖21為本發(fā)明的實(shí)施例3中第五次掩膜版構(gòu)圖工藝之后的平面示意圖22為圖21中A-A向的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
實(shí)施例I :
本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法,具體為高級超維場轉(zhuǎn)換(Ad van c e d super Dimension Switch,簡稱ADS)陣列基板的制造方法。
本發(fā)明以HADS陣列基板為例，即公共電極為狹縫電極層，進(jìn)行說明。
本發(fā)明實(shí)施例所提供的HADS陣列基板的制造方法，具體可以包括
SlOl :如圖I和圖2所示，在(玻璃)基板I上形成柵極的圖形。
具體的，采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的成膜方法，在基板I上沉積柵極金屬層。其中， 柵極金屬層的厚度優(yōu)選可以 為1000 6000人，柵極金屬層的材料可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、銅中的一種或多種組合。
在柵極金屬層上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第一次掩膜版工藝曝光并顯影之后，在柵線20和柵極2的圖形所在區(qū)域形成光刻膠完全保留區(qū)域，其余區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域。
通過濕法刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域的柵極金屬層進(jìn)行刻蝕，形成柵線20 和柵極2的圖形。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第一次掩膜版構(gòu)圖工藝，如圖I和圖2所示。
S102 :如圖3和圖4所示，在基板I上形成柵絕緣層3、有源層的圖形和漏極源極6 的圖形。
優(yōu)選的，有源層的圖形中具體包括半導(dǎo)體層4的圖形和摻雜半導(dǎo)體層5的圖形，其中摻雜半導(dǎo)體層5的圖形覆蓋在半導(dǎo)體層4的圖形上方。
具體的，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方法，依次在玻璃基板上沉積柵絕緣層3、半導(dǎo)體層4和摻雜半導(dǎo)體層5，再利用磁控濺射或熱蒸發(fā)的成膜方法，沉積漏極源極金屬層。
其中，柵絕緣層3的材料可以采用氧化物、氮化物或氧氮化物等；漏極源極金屬層可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、銅中的一種或多種組合，其厚度優(yōu)選為1000-6000A0
在漏極源極金屬層上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第二次掩膜版工藝曝光并顯影之后， 在數(shù)據(jù)線60和漏極源極6的圖形所在區(qū)域形成光刻膠完全保留區(qū)域，其余區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域。
通過濕法刻蝕工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的漏極源極金屬層，形成數(shù)據(jù)線60 和漏極源極6的圖形；再通過干法刻蝕工藝刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層5 和半導(dǎo)體層4，形成有源層的圖形。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第二次掩膜版構(gòu)圖工藝，如圖3和圖4所示。
S103 :如圖5和圖6所示，在基板I上形成第一透明電極的圖形，本實(shí)施例中第一透明電極呈平板狀，并作為陣列基板中的像素電極7。
具體的，利用磁控濺射或熱蒸發(fā)的成膜方法，在基板I上沉積像素電極層(第一透明電極層)。像素電極層可以采用氧化銦錫(Ι )、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料，其厚度優(yōu)選為100 1000
在像素電極層上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第三次掩膜版工藝曝光并顯影之后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域。
通過濕法刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域的像素電極層進(jìn)行刻蝕，在像素電極層上形成像素電極7的圖形。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第三次掩膜版構(gòu)圖工藝，如圖5和圖6所示。
S104 :如圖7和圖8所示，在基板I上形成鈍化層8，并通過掩膜版構(gòu)圖工藝，對需要形成TFT溝道的TFT間隔區(qū)域的鈍化層8進(jìn)行刻蝕，在鈍化層8上形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的間隔圖形。
具體的，利用PECVD的方法，在基板I上形成鈍化層8。鈍化層8可以采用氧化物、 氮化物或氧氮化物等，其厚度優(yōu)選為1000 7000A。
在鈍化層8上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第四次掩膜版工藝曝光并顯影之后，在對應(yīng) TFT溝道的間隔區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域，其余區(qū)域形成光刻膠完全保留區(qū)域。
通過干法刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域的鈍化層8進(jìn)行刻蝕，在鈍化層8上形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的間隔圖形。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第四次構(gòu)圖工藝，如圖7和圖8所示。
S105 :如圖9和圖10所示，在基板I上沉積第二透明電極層，通過一次掩膜版構(gòu)圖工藝，對第二透明電極層進(jìn)行刻蝕，形成第二透明電極9的圖形，再對TFT間隔區(qū)域的漏極源極6的圖形、部分有源層的圖形(摻雜半導(dǎo)體層5的圖形和部分半導(dǎo)體層4的圖形)進(jìn)行刻蝕，形成漏極61、源極62和TFT溝道63的圖形。本實(shí)施例中第二透明電極9呈狹縫狀， 并作為陣列基板中的公共電極。
具體的，利用磁控濺射或熱蒸發(fā)的成膜方法，在基板I上沉積公共電極層(第二透明電極層)。公共電極層可以采用ITO、IZO或氧化鋁鋅等材料。
在公共電極層上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第五次掩膜版工藝曝光并顯影之后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域。
通過濕法刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域的公共電極層進(jìn)行刻蝕，形成公共電極 9的圖形；然后，再通過干法刻蝕工藝對TFT間隔區(qū)域的漏極源極6的圖形和部分有源層的圖形(摻雜半導(dǎo)體層5的圖形和部分半導(dǎo)體層4的圖形)進(jìn)行刻蝕，形成源極61、漏極62和 TFT溝道63的圖形。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第五次構(gòu)圖工藝，如圖9和圖10所示。
本發(fā)明實(shí)施例提供的HADS陣列基板的制造方法，通過第五次掩膜版構(gòu)圖工藝，刻蝕出公共電極9的圖形之后，繼續(xù)刻蝕TFT間隔區(qū)域的漏極源極6的圖形和部分有源層的圖形(摻雜半導(dǎo)體5圖形和部分半導(dǎo)體4圖形),形成漏極61、源極62和TFT溝道63的圖形。 因此，本發(fā)明提供的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了在一次掩膜版構(gòu)圖工藝中，形成公共電極9的圖形，以及漏極61、源極62和TFT溝道63的圖形，從而節(jié)省了掩膜版的使用數(shù)量，降低了 HADS陣列基板的制造成本。
應(yīng)當(dāng)說明的是，在其他的實(shí)施方式中，還可以將本實(shí)施例中平板狀的第一透明電極作為公共電極、狹縫狀的第二透明電極作為像素電極。當(dāng)然，這種實(shí)施方式還需要將第一透明電極與漏極隔開，并將第二透明電極與漏極相連。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種帶有樹脂層的HADS陣列基板及其制造方法。
該HADS陣列基板包括柵極、柵線、柵絕緣層、有源層、漏極、源極、數(shù)據(jù)線；
所述源極、漏極上還包括樹脂層、第一透明電極層、鈍化層、第二透明電極層；其中，所述第二透明電極層包括具有狹縫的第二透明電極和連接電極；
所述樹脂層和所述鈍化層上設(shè)有過孔，所述連接電極位于所述過孔中；
所述第一透明電極與所述漏極通過所述連接電極形成電連接。
實(shí)施例2:
本實(shí)施例提供的帶有樹脂層的HADS陣列基板中，連接電極與第一透明電極(像素電極)及漏極的具體連接方式如圖14和圖16所示過孔90依次穿過鈍化層8、第一透明電極層、樹脂層10，第一透明電極7在過孔90的側(cè)壁與連接電極91形成電連接，漏極61在過孔90的底部與連接電極91形成電連接。其制造方法如下。
S201 :在(玻璃)基板上形成柵極的圖形。
S202:在基板上形成柵絕緣層、有源層的圖形(半導(dǎo)體層的圖形和摻雜半導(dǎo)體層的圖形)和漏極源極的圖形。
上述步驟的具體實(shí)現(xiàn)方式，與實(shí)施例I中的S101、S102相同，不再贅述。
S203 :如圖11和圖12所示，在基板I上依次形成樹脂層10和像素電極7的圖形 (第一透明電極的圖形)。
具體的，在基板I上沉積一層樹脂層10，再沉積一層像素電極層，其中樹脂層10的厚度為I. 5至2. O μ m。
在像素電極層上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第三次掩膜版工藝曝光并顯影之后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域。其中，光刻膠完全去除區(qū)域中包括過孔區(qū)域。
通過濕法刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域的像素電極層進(jìn)行刻蝕，在像素電極層上形成像素電極7的圖形和過孔區(qū)域圖形。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第三次掩膜版構(gòu)圖工藝，如圖11和圖12所示。
S204 :如圖13和圖14所示，在基板I上形成鈍化層8，并通過掩膜版構(gòu)圖工藝，對需要形成TFT溝道的TFT間隔區(qū)域和過孔區(qū)域的鈍化層8進(jìn)行刻蝕，在鈍化層8上形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的間隔圖形和過孔區(qū)域圖形；再對TFT溝道區(qū)域和過孔區(qū)域的樹脂層10進(jìn)行刻蝕，在樹脂層10上形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的間隔圖形和過孔區(qū)域圖形。
具體的，利用PECVD的方法，在基板I上形成鈍化層8。
在鈍化層8上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第四次掩膜版工藝曝光并顯影之后，在需要形成TFT間隔區(qū)域和過孔區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域，其余區(qū)域形成光刻膠完全保留區(qū)域。
通過干法刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域的鈍化層8進(jìn)行刻蝕，形成去除了需要形成的TFT間隔區(qū)域和過孔區(qū)域的鈍化層8圖形。
再對光刻膠完全去除區(qū)域的樹脂層10進(jìn)行刻蝕，形成去除了需要形成的TFT間隔區(qū)域和過孔區(qū)域的樹脂層10圖形，并且形成過孔90。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第四次掩膜版構(gòu)圖工藝，如圖13和圖14所示。
S205 :如圖15和圖16所示，在基板I上沉積公共電極層(第二透明電極層)，通過一次掩膜版構(gòu)圖工藝，對公共電極層進(jìn)行刻蝕，形成公共電極9和連接電極91的圖形，再對 TFT間隔區(qū)域的漏極源極6的圖形、部分有源層的圖形(摻雜半導(dǎo)體層5的圖形和部分半導(dǎo)體層4的圖形)進(jìn)行刻蝕，形成漏極61、源極62和TFT溝道63的圖形。
具體的，在基板I上沉積公共電極層。
在公共電極層上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第五次掩膜版工藝曝光并顯影之后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域。其中，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)連接電極91 和公共電極9的圖形。
通過濕法刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域的公共電極層進(jìn)行刻蝕，形成公共電極 9和連接電極91的圖形；然后，再通過干法刻蝕工藝對TFT間隔區(qū)域的漏極源極6的圖形和部分有源層的圖形(摻雜半導(dǎo)體層5的圖形和部分半導(dǎo)體層4的圖形)進(jìn)行刻蝕，形成漏極61、源極62和TFT溝道63的圖形。其中，連接電極91位于過孔90中，用于電連接像素電極7與漏極61。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第五次掩膜版構(gòu)圖工藝，如圖15和圖16所示。
本發(fā)明實(shí)施例中，同樣通過五次掩膜版構(gòu)圖工藝制成HADS陣列基板，并且在漏極源極6與像素電極7之間增加了樹脂層10，這樣既能減小漏極源極6和像素電極7之間的電容，又能增加TFT表面的平整度，從而提聞HADS液晶顯不器的顯不品質(zhì)。
在該HADS陣列基板的制造過程中，可以在第四次掩膜版構(gòu)圖工藝中，刻蝕掉過孔區(qū)域和對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的鈍化層之后，繼續(xù)刻蝕過孔區(qū)域和對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的樹脂層， 從而在第四次掩膜版構(gòu)圖工藝中，形成鈍化層的圖形和樹脂層的圖形。此外，在第五次掩膜版構(gòu)圖工藝中，可以在刻蝕出公共電極的圖形和連接電極之后，繼續(xù)刻蝕TFT溝道區(qū)域的漏極源極的圖形和部分有源層的圖形，形成漏極、源極和TFT溝道的圖形，從而在第五次掩膜版構(gòu)圖工藝中，形成公共電極的圖形、連接電極，以及漏極、源極和TFT溝道的圖形。因此，本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了利用五次掩膜版構(gòu)圖工藝制成HADS陣列基板，節(jié)省了掩膜版的使用數(shù)量，降低了 HADS陣列基板的制造成本，并通過增加樹脂層提高了 HADS液晶顯示器的顯不品質(zhì)。
應(yīng)當(dāng)說明的是，在其他的實(shí)施方式中，還可以將本實(shí)施例中平板狀的第一透明電極作為公共電極、狹縫狀的第二透明電極作為像素電極。當(dāng)然，這種實(shí)施方式中的連接電極將用于使第二透明電極與漏極相連，而第一透明電極與漏極之間通過樹脂層保持絕緣。
實(shí)施例3
如圖21和圖22所示，本實(shí)施例與實(shí)施例2基本相同，其不同點(diǎn)在于，連接電極與第一透明電極(像素電極)及漏極的具體連接方式為過孔具體包括第一過孔901和第二過孔902 ;其中，第一過孔901穿過鈍化層8，露出第一透明電極7 ;第二過孔902穿過鈍化層 8和樹脂層10，露出漏極61 ;連接電極91的一端在第一過孔901中與第一透明電極7形成電連接，連接電極91的另一端在第二過孔902中與漏極61形成電連接；第一透明電極7與漏極61通過連接電極91形成電連接。其制造方法如下。
S301 :在(玻璃)基板上形成柵極的圖形。
S302:在基板上形成柵絕緣層、有源層的圖形(半導(dǎo)體層的圖形和摻雜半導(dǎo)體層的圖形)和漏極源極的圖形。
上述步驟的具體實(shí)現(xiàn)方式，與實(shí)施例I中的S101、S102，及實(shí)施例2中的S201、 S202相同，不再贅述。
S303 :如圖17和圖18所示，在基板I上依次形成樹脂層10和像素電極7的圖形 (第一透明電極的圖形)。
具體的，在基板I上沉積一層樹脂層10，再沉積一層像素電極層，其中樹脂層10的厚度為I. 5至2. O μ m。
在像素電極層上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第三次掩膜版工藝曝光并顯影之后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域。本實(shí)施例與實(shí)施例2相比，像素電極的圖形的面積較小，沒有覆蓋在漏極上方，所以本步驟中的光刻膠完全保留區(qū)域僅是像素電極的圖形，不包括過孔區(qū)域。
通過濕法刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域的像素電極層進(jìn)行刻蝕，形成像素電極 7的圖形。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第三次掩膜版構(gòu)圖工藝，如圖17和圖18所示。
S304 :如圖19和圖20所示，在基板I上形成鈍化層8，并通過掩膜版構(gòu)圖工藝，對需要形成TFT溝道的TFT溝道區(qū)域、第一過孔區(qū)域和第二過孔區(qū)域的鈍化層8進(jìn)行刻蝕，在鈍化層8上形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的溝道圖形、第一過孔區(qū)域圖形和第二過孔區(qū)域圖形；再對TFT溝道區(qū)域和第二過孔區(qū)域的樹脂層10進(jìn)行刻蝕，在樹脂層10上形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的TFT溝道區(qū)域圖形和第二過孔區(qū)域圖形。
具體的，利用PECVD的方法，在基板I上形成鈍化層8。
在鈍化層8上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第四次掩膜版工藝曝光并顯影之后，在TFT溝道區(qū)域、第一過孔區(qū)域和第二和過孔區(qū)域形成光刻膠完全去除區(qū)域，其余區(qū)域形成光刻膠完全保留區(qū)域。
通過干法刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域的鈍化層8進(jìn)行刻蝕，形成去除了 TFT 溝道區(qū)域、第一過孔區(qū)域和第二過孔區(qū)域的鈍化層8圖形，此時(shí)形成的第一過孔901露出了像素電極層。
再對光刻膠完全去除區(qū)域的樹脂層10進(jìn)行刻蝕，形成去除了 TFT溝道區(qū)域和第二過孔區(qū)域的樹脂層10圖形，此時(shí)形成的第二過孔902露出了漏極部分。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第四次掩膜版構(gòu)圖工藝，如圖19和圖20所示。
S305 :如圖21和圖22所示，在基板I上沉積公共電極層(第二透明電極層)，通過一次掩膜版構(gòu)圖工藝，對公共電極層進(jìn)行刻蝕，形成公共電極9和連接電極91的圖形，再對 TFT溝 道區(qū)域的漏極源極6的圖形、部分有源層的圖形(摻雜半導(dǎo)體層5的圖形和部分半導(dǎo)體層4的圖形)進(jìn)行刻蝕，形成漏極61、源極62和TFT溝道63的圖形。
具體的，在基板I上沉積公共電極層。
在公共電極層上涂覆一層光刻膠，經(jīng)過第五次掩膜版工藝曝光并顯影之后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域。其中，光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)連接電極91 和公共電極9的圖形。
通過濕法刻蝕工藝對光刻膠完全去除區(qū)域的公共電極層進(jìn)行刻蝕，形成公共電極 9和連接電極91的圖形。其中，連接電極91連通第一過孔901和第二過孔902，用于電連接像素電極7與漏極61。
然后，再通過干法刻蝕工藝對TFT溝道區(qū)域的漏極源極6的圖形和部分有源層的圖形(摻雜半導(dǎo)體層5的圖形和部分半導(dǎo)體層4的圖形)進(jìn)行刻蝕，形成漏極61、源極62和 TFT溝道63的圖形。
剝離光刻膠完全保留區(qū)域剩余的光刻膠，完成TFT-LCD陣列基板第五次掩膜版構(gòu)圖工藝，如圖21和圖22所示。
本發(fā)明實(shí)施例中，同樣通過五次掩膜版構(gòu)圖工藝制成HADS陣列基板，并且在漏極源極6與像素電極7之間增加了樹脂層10，這樣既能減小漏極源極6和像素電極7之間的電容，又能增加TFT表面的平整度，從而提高HADS液晶顯示器的顯示品質(zhì)。雖然本實(shí)施例利用兩個(gè)過孔及連接電極將像素電極與漏極電連接，但其效果與實(shí)施例2是相同的。
在該HADS陣列基板的制造過程中，可以在第四次掩膜版構(gòu)圖工藝中，刻蝕掉第一過孔區(qū)域、第二過孔區(qū)域和TFT溝道區(qū)域的鈍化層之后，繼續(xù)刻蝕第二過孔區(qū)域和TFT溝道區(qū)域的樹脂層，從而在第四次掩膜版構(gòu)圖工藝中，形成鈍化層的圖形和樹脂層的圖形。此外，在第五次掩膜版構(gòu)圖工藝中，可以在刻蝕出公共電極的圖形和連接電極之后，繼續(xù)刻蝕 TFT溝道區(qū)域的漏極源極的圖形和部分有源層的圖形，形成漏極、源極和TFT溝道的圖形， 從而在第五次掩膜版構(gòu)圖工藝中，形成公共電極的圖形、連接電極，以及漏極、源極和TFT 溝道的圖形。因此，本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了利用五次掩膜版構(gòu)圖工藝制成HADS陣列基板，節(jié)省了掩膜版的使用數(shù)量，降低了 HADS陣列基板的制造成本，并通過增加樹脂層提高了 HADS 液晶顯示器的顯示品質(zhì)。
應(yīng)當(dāng)說明的是，在其他的實(shí)施方式中，還可以將本實(shí)施例中平板狀的第一透明電極作為公共電極、狹縫狀的第二透明電極作為像素電極。當(dāng)然，這種實(shí)施方式中的連接電極將用于使第二透明電極與漏極相連，而第一透明電極與漏極之間通過樹脂層保持絕緣。
本發(fā)明實(shí)施例中例舉的結(jié)構(gòu)是顯示區(qū)域的具體結(jié)構(gòu)，而顯示區(qū)域的膜層順序可以有很多種變化，只要制作出面板驅(qū)動(dòng)必要的元素(比如柵極、源極、漏極和像素電極等)，確保面板正常驅(qū)動(dòng)即可。本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中，只要確保各金屬層彼此絕緣，且具有連接到外部的可導(dǎo)電部件(比如ITO材料制作的連接電極)即可。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、 數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成包括柵極的圖形； 形成包括柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)線、漏源中間圖形； 形成包括第一透明電極的圖形； 在鈍化層上形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的間隔圖形； 形成具有狹縫的第二透明電極的圖形，將漏源中間圖形打開間隔，形成漏極、源極和TFT溝道的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于形成包括柵絕緣層薄膜、有源層薄膜、漏源金屬薄膜，通過一次構(gòu)圖工藝，形成包括柵絕緣層、有源層、數(shù)據(jù)線、漏源中間圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于所述在所述基板上形成包括第一透明電極的圖形的步驟，具體包括 在所述基板上沉積第一透明電極層薄膜； 通過一次構(gòu)圖工藝，對所述第一透明電極層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括第一透明電極的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于所述在所述基板上沉積第一透明電極層的步驟之前還包括在所述基板上沉積樹脂層薄膜； 則在所述第一透明電極層上形成所述第一透明電極的圖形的同時(shí)，在所述第一透明電極層上形成過孔區(qū)域圖形； 所述對需要形成TFT溝道的TFT間隔區(qū)域的所述鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖的步驟的同時(shí)，在所述鈍化層形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的間隔圖形和過孔區(qū)域圖形； 進(jìn)一步包括對所述過孔區(qū)域和所述TFT溝道區(qū)域的所述樹脂層進(jìn)行構(gòu)圖，在所述樹脂層上形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的溝道圖形和過孔區(qū)域圖形； 所述在所述基板上沉積第二透明電極層，并通過一次構(gòu)圖工藝，形成具有狹縫的第二透明電極的圖形的同時(shí)，還形成連接電極的圖形；其中，所述連接電極位于所述過孔區(qū)域，用于電連接所述第一透明電極與所述漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于所述在所述基板上沉積第一透明電極層的圖形的步驟之前還包括在所述基板上沉積樹脂層薄膜； 則所述對需要形成TFT溝道的TFT間隔區(qū)域的所述鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖的步驟的同時(shí)，還對第一過孔區(qū)域和第二過孔區(qū)域的所述鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖；其中，所述第一過孔區(qū)域位于所述第一透明電極層上方，所述第二過孔區(qū)域位于所述漏極上方； 進(jìn)一步包括對所述TFT溝道區(qū)域和所述第二過孔區(qū)域的所述樹脂層進(jìn)行構(gòu)圖，在所述樹脂層上形成對應(yīng)TFT溝道區(qū)域的間隔圖形和第二過孔區(qū)域圖形； 所述在所述基板上沉積第二透明電極層，并通過一次構(gòu)圖工藝，對所述第二透明電極層進(jìn)行構(gòu)圖，形成第二透明電極的圖形的步驟的同時(shí)，還形成連接電極的圖形；其中，所述連接電極連通所述第一過孔區(qū)域和所述第二過孔區(qū)域，用于電連接所述第一透明電極與所述漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制造方法，其特征在于所述樹脂層的厚度為I.5至2.O μ m。
7.—種陣列基板，所述陣列基板包括柵極、柵線、柵絕緣層、有源層、漏極、源極、數(shù)據(jù)線. 其特征在于所述源極、漏極上包括樹脂層、第一透明電極、鈍化層、第二透明電極層；其中，所述第二透明電極層包括具有狹縫的第二透明電極和連接電極； 還包括過孔，形成在所述樹脂層和所述鈍化層中，所述連接電極位于所述過孔中； 所述第一透明電極與所述漏極通過所述連接電極形成電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于所述過孔穿過所述第一透明電極，所述第一透明電極在所述過孔的側(cè)壁與所述連接電極形成電連接，所述漏極在所述過孔的底部與所述連接電極形成電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于所述過孔具體包括第一過孔和第二過孔；其中，所述第一過孔形成在所述鈍化層中，且露出所述第一透明電極；所述第二過孔形成在所述鈍化層和所述樹脂層中，并露出所述漏極； 所述連接電極的一端在所述第一過孔中與所述第一透明電極形成電連接，所述連接電極的另一端在所述第二過孔中與所述漏極形成電連接。
10.一種顯示裝置，其特征在于包括權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明實(shí)施例陣列基板的制造方法中，包括在基板上沉積公共電極層，并通過一次掩膜版構(gòu)圖工藝，對公共電極層進(jìn)行刻蝕，形成公共電極的圖形，再對需要形成TFT溝道區(qū)域的漏極源極的圖形和部分有源層的圖形進(jìn)行刻蝕，形成漏極、源極和TFT溝道的圖形。本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，用于減少掩膜版的使用數(shù)量。
文檔編號H01L27/02GK102931139SQ20121043667
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月5日
發(fā)明者孫雙, 崔承鎮(zhèn) 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司