蝕刻劑和使用該蝕刻劑制造顯示設(shè)備的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種蝕刻劑和使用該蝕刻劑制造顯示設(shè)備的方法。一種根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的蝕刻劑包括：重量百分比含量為約0.5%至約20%的過(guò)硫酸鹽；重量百分比含量為約0.01%至約2%的氟化合物；重量百分比含量為約1%至約10%的無(wú)機(jī)酸；重量百分比含量為約0.5%至約5%的環(huán)胺化合物；重量百分比含量為約0.1%至約5%的氯化合物；重量百分比含量為約0.05%至約3%的銅鹽；重量百分比含量為約0.1%至約10%的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽和水。
【專利說(shuō)明】蝕刻劑和使用該蝕刻劑制造顯示設(shè)備的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及一種蝕刻劑和一種通過(guò)使用該蝕刻劑用來(lái)制造顯示設(shè)備的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，當(dāng)制造薄膜晶體管陣列面板時(shí)，用于柵極導(dǎo)線和數(shù)據(jù)導(dǎo)線的金屬層通常在襯底上成層，以及，此后，可能需要蝕刻金屬層。
[0003]對(duì)于柵極導(dǎo)線和數(shù)據(jù)導(dǎo)線，已經(jīng)使用了具有良好導(dǎo)電性和低電阻的銅。但是當(dāng)使用銅時(shí)，使用單一的銅薄膜在對(duì)于涂覆光致抗蝕劑和形成光致抗蝕劑的圖案的過(guò)程中可存在困難。因此，多層金屬薄膜可被應(yīng)用到柵極導(dǎo)線和數(shù)據(jù)導(dǎo)線。
[0004]例如，在多層金屬薄膜中，已經(jīng)廣泛使用鈦/銅雙層薄膜。令人遺憾的是，在同時(shí)蝕刻鈦/銅雙層薄膜的情況下，蝕刻輪廓較差，從而在后續(xù)過(guò)程中存在困難。
[0005]因此，需要提供理想的與蝕刻鈦/銅薄膜相關(guān)的蝕刻輪廓。
[0006]在該背景部分中公開的上述信息僅用于增進(jìn)對(duì)本發(fā)明的背景的理解，因此，其可包含不構(gòu)成在該國(guó)家對(duì)于 本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已經(jīng)熟知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明解決了這些需求和其他需求，其中，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供了一種用于對(duì)于鈦/銅薄膜的蝕刻提供期望的蝕刻輪廓的蝕刻劑。
[0008]本發(fā)明的示例性實(shí)施方式公開了一種蝕刻劑。該蝕刻劑包括:約0.5wt.% (重量百分比含量)至約20wt.%的過(guò)硫酸鹽；約0.01wt.%至約2wt.%的氟化合物；約Iwt.%至約IOwt.%的無(wú)機(jī)酸；約0.5wt.%至約5wt.%的環(huán)胺化合物；約0.1wt.%至約5wt.%的氯化合物；約0.05wt.%至約3wt.%的銅鹽；約0.1wt.%至約IOwt.%的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽；和水。
[0009]本發(fā)明的示例性實(shí)施方式公開了一種使用蝕刻劑制造顯示設(shè)備的方法。該方法包括在絕緣襯底上形成柵極金屬層。該方法包括通過(guò)使用蝕刻劑蝕刻所述柵極金屬層而形成包括柵電極的柵極線。該方法還包括在所述柵極線上形成柵極絕緣層。該方法包括在所述柵極絕緣層上形成非晶硅層和數(shù)據(jù)金屬層。該方法包括通過(guò)蝕刻所述非晶硅層和所述數(shù)據(jù)金屬層形成半導(dǎo)體、歐姆接觸層、包括源電極的數(shù)據(jù)線、和漏電極。該方法還包括在鈍化層上形成連接至所述漏電極的像素電極。該方法包括用于蝕刻過(guò)程的蝕刻劑，并且該蝕刻劑包括:約0.5wt.%至約20wt.%的過(guò)硫酸鹽；約0.01wt.%至約2wt.%的氟化合物；約Iwt.%至約IOwt.%的無(wú)機(jī)酸；約0.5wt.%至約5wt.%的環(huán)胺化合物；約0.1wt.%至約5wt.%的氯化合物；約0.05wt.%至約3wt.%的銅鹽；約0.1wt.%至約IOwt.%的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽；和水。
[0010]應(yīng)該理解，上文的總體描述和以下的具體描述為示例性和解釋性的并且旨在提供對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明進(jìn)一步的說(shuō)明。【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列面板的布局視圖；
[0012]圖2為沿著圖1中的線I1-1I的剖面圖；以及
[0013]圖3、圖4、圖5、圖6、圖7和圖8分別為示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的用于顯示設(shè)備的薄膜晶體管陣列面板的制造方法的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下文將根據(jù)示出本發(fā)明的實(shí)施方式的附圖更全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可被體現(xiàn)為多種不同的形式，并且不應(yīng)該被解釋成受限于本文所列舉的實(shí)施方式。相反，所提供的這些實(shí)施方式使得對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言該公開內(nèi)容是透徹的并且更充分地表達(dá)了本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可以放大。在附圖中同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。
[0015]在附圖中，為了清楚可以放大層、膜、面板和區(qū)域的厚度。在整個(gè)說(shuō)明書中同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件?？梢岳斫?，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或襯底的元件被稱為在另一元件“上”時(shí)，可以直接在其他元件上或也可以存在中間元件。對(duì)比而言，當(dāng)元件被稱作“直接在另一元件上”時(shí)，則不存在中間元件。
[0016]可以理解，為了公開的目的，“至少一種”可被解釋成意指按照對(duì)應(yīng)的語(yǔ)言的列舉的元件的任何組合，包括多個(gè)列舉的元件的組合。例如，“x、Y或Z中的至少一種”可被理解成意指僅X、僅Y、僅Ζ、或X、Y和Z中的兩個(gè)或兩個(gè)以上的任一組合(例如，ΧΥΖ、ΧΖ、ΥΖ)。
[0017]然后，將描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的蝕刻劑。
[0018]例如，所述蝕刻劑用來(lái)蝕刻由鈦(Ti)制成的金屬導(dǎo)線或包括鈦的金屬薄膜和雙層薄膜，在該雙層薄膜中，銅(Cu)或包括銅的金屬薄膜被形成在鈦(Ti)或包括鈦的金屬薄膜上。
[0019]所述蝕刻劑可包括過(guò)硫酸鹽、氟化合物、無(wú)機(jī)酸、環(huán)胺化合物、氯化合物、銅鹽、有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽和余量的水。
[0020]過(guò)硫酸鹽為用于蝕刻銅或包括銅的金屬薄膜的主要成分，可以設(shè)想:基于所述蝕刻劑的總量，所包括的過(guò)硫酸鹽的含量為約5wt.%至約20wt.%。如果過(guò)硫酸鹽的含量小于約0.5wt.%時(shí)，則銅或包括銅的金屬薄膜不能被適當(dāng)?shù)匚g刻或蝕刻速率非常慢，另一方面，在該含量大于約20wt.%的情況下，由于蝕刻速率太快，故難以控制蝕刻過(guò)程。
[0021]過(guò)硫酸鹽可以為過(guò)硫酸鉀(K2S208)、過(guò)硫酸鈉(Na2S2O8)和過(guò)硫酸銨((NH4)2S2O8)中的至少一種物質(zhì)。
[0022]氟化合物為用于蝕刻鈦或包括鈦的金屬薄膜的主要組分，并且其功能為去除在蝕刻期間可產(chǎn)生的殘砂?？梢栽O(shè)想:基于所述蝕刻劑的總量，所包括的氟化合物的含量為約0.01wt.%至約2wt.%。如果氟化合物的含量小于約0.01wt.%時(shí)，由于鈦或包括鈦的金屬薄膜的蝕刻速率下降，則可產(chǎn)生殘砂，另一方面，
[0023]氟化合物可以為一種其氟離子或多原子的氟離子在溶液中離解的化合物，并且可以為氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉或氟化氫鉀中的至少一種物質(zhì)。
[0024]無(wú)機(jī)酸為用以蝕刻銅或包括銅的金屬薄膜和鈦或包括鈦的金屬薄膜的助氧化劑，可以設(shè)想:基于所述蝕刻劑總量，所包括的無(wú)機(jī)酸的含量為約Iwt.%至約IOwt.%。在無(wú)機(jī)酸的含量小于約Iwt.%的情況下，由于銅或包括銅的金屬薄膜和鈦或包括鈦的金屬薄膜的蝕刻速率可能下降，則蝕刻輪廓較差且可產(chǎn)生殘砂，另一方面，如果該含量大于約IOwt.%，由于可以產(chǎn)生過(guò)度蝕刻和光致抗蝕劑裂紋，故通過(guò)藥物溶液的滲入造成導(dǎo)線的短路。
[0025]無(wú)機(jī)酸可以為硝酸、硫酸、磷酸或高氯酸中的至少一種物質(zhì)。
[0026]提供該環(huán)胺化合物用來(lái)控制銅或包括銅的金屬薄膜的蝕刻速率。可以設(shè)想:基于所述蝕刻劑的總量 ，所包括的該環(huán)胺化合物的含量為約0.5wt.%至約5wt.%。在該環(huán)胺化合物的含量小于約0.5wt.%的情況下，由于難以控制銅的蝕刻速率從而可發(fā)生過(guò)度蝕刻。另一方面，在該含量大于約5wt.%時(shí)，由于銅的蝕刻速率可能下降而增加該過(guò)程中的蝕刻時(shí)間，因此存在生產(chǎn)率方面的問題。
[0027]所述環(huán)胺化合物可以為5-氨基四氮唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷或吡咯啉中的至少一種物質(zhì)。
[0028]該氯化合物為用以蝕刻銅或包括銅的金屬薄膜的助氧化劑，并且被提供以控制錐角?？梢栽O(shè)想:基于所述蝕刻劑的總量，所包括的該氯化合物的含量為約0.lwt.%至約5wt.%。在該氯化合物的含量小于約0.1wt.%的情況下，由于銅或包括銅的金屬薄膜的蝕刻速率下降，故蝕刻輪廓較差，另一方面，如果該含量大于約5wt.%時(shí)，則由于發(fā)生過(guò)度蝕刻，故可能會(huì)去除金屬導(dǎo)線。
[0029]所述氯化合物是指可以離解為氯離子的化合物，并且可以為鹽酸(HC1)、氯化鈉(NaCl)、氯化鉀(KCl)或氯化銨(NH4Cl)中的至少一種物質(zhì)。
[0030]該銅鹽被提供以控制⑶(Critical Dimension,臨界尺寸)偏斜(skew),可以設(shè)想:基于所述蝕刻劑的總量，所包括的該銅鹽的含量為約0.05wt.%到約3wt.%。在該銅鹽的含量小于約0.05wt.%的情況下，對(duì)于被處理的片材的各個(gè)數(shù)量來(lái)說(shuō)，CD偏斜變化的偏差很大，另一方面，如果該含量大于約3wt.%，由于主氧化劑的氧化能力降低，故被處理的片材的數(shù)量減少。
[0031]該銅鹽可以為硝酸銅(Cu (NO3) 2)、硫酸銅(CuSO4)或磷酸銅銨(NH4CuPO4)中的至少一種物質(zhì)。
[0032]提供該有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽，使得通過(guò)與蝕刻的金屬離子的螯合作用而防止對(duì)蝕刻劑的影響，來(lái)增大被處理的片材的數(shù)量?？梢栽O(shè)想:基于所述蝕刻劑的總量，所包括的該有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽的含量為約0.1wt.%至約IOwt.%。在該有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽的含量小于約0.1wt.%的情況下，不存在被處理的片材的數(shù)量增加的效果。當(dāng)該含量大于約IOwt.%的情況下，不存在被處理的片材的數(shù)量額外增加的效果。
[0033]該有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽可以為乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、羥基乙酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯酸、磺基琥珀酸、磺基酞酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸(glyseric acid)、琥珀酸、羥基丁二酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸和乙二胺四乙酸(EDTA)、以及這些酸的鈉鹽、這些酸的鉀鹽或這些酸的銨鹽中的至少一種物質(zhì)。
[0034]例如，水包括去離子水、用于半導(dǎo)體加工的去離子水，并且可以使用約18MQ/cm或大于約18MQ/cm的水。對(duì)于所述蝕刻劑的總含量，所包括的水為使得所述銅-鈦蝕刻劑的總重量為約IOOwt.%時(shí)的余量。
[0035]此外，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的蝕刻劑還可包括金屬離子阻斷劑和抗腐蝕劑。[0036]通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的蝕刻劑，由鈦制成的金屬導(dǎo)線或包括鈦的金屬薄膜以及雙層薄膜(其中，銅或包括銅的金屬薄膜被形成在鈦或包括鈦的金屬薄膜上)可以被有效地蝕刻。
[0037]此外，當(dāng)制造諸如液晶顯示器的平板顯示器時(shí)和當(dāng)制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器顯示面板時(shí)，可以使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的蝕刻劑。此外，即使在制造包括由鈦制成的金屬導(dǎo)線或包括鈦的金屬薄膜和雙層薄膜(其中，銅或包括銅的金屬薄膜形成在鈦或包括鈦的金屬薄膜上)的另一電子設(shè)備時(shí)，也可以使用該蝕刻劑。
[0038]然后，下文將描述一種通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的蝕刻劑用于制造顯示設(shè)備的方法。
[0039]圖1為根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的用于顯示設(shè)備的薄膜晶體管陣列面板的布局視圖，以及圖2為沿著圖1中的線I1-1I的剖面圖。
[0040]在根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的用于顯示設(shè)備的薄膜晶體管陣列面板中，包括柵電極124的多個(gè)柵極線121形成在襯底110上，襯底110由諸如玻璃或塑料的絕緣材料制成，以及在襯底110上按順序形成柵極絕緣層140、多個(gè)半導(dǎo)體層154、多個(gè)歐姆接觸163和165、多個(gè)數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175。
[0041]柵極線121傳送柵極信號(hào)并且可以在水平方向上延伸，以及柵電極124在柵極線121的上方凸出。
[0042]例如，柵極線121可以由下層124p和上層124r形成，下層124p由鈦或包括鈦的金屬制成，以及上層124r由銅或包括銅的金屬制成。
[0043]數(shù)據(jù)線171傳送數(shù)據(jù)信號(hào)并且可以在豎直方向上延伸以及可與柵極線121交叉。各個(gè)數(shù)據(jù)線171可包括朝向柵電極124延伸的多個(gè)源電極173。基于柵電極124，漏電極175可以與數(shù)據(jù)線171分離并且與源電極173面對(duì)。
[0044]例如，數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175可以由下層171p、下層173p和下層175p與上層171r、上層173r和上層175r構(gòu)成，下層171p、下層173p和下層175p由鈦或或包括鈦的金屬制成，以及上層171r、上層173r和上層175r由銅或包括銅的金屬制成。
[0045]半導(dǎo)體層154可以設(shè)置在柵電極124上，且位于半導(dǎo)體層上的歐姆接觸163和歐姆接觸165僅設(shè)置在半導(dǎo)體層154與數(shù)據(jù)線171和漏電極175之間，使得其間的接觸電阻減小。
[0046]—個(gè)柵電極124、一個(gè)源電極173和一個(gè)漏電極175與半導(dǎo)體層154 —起形成一個(gè)薄膜晶體管，且在源電極173和漏電極175之間在半導(dǎo)體層154處形成薄膜晶體管的通道。
[0047]由氮化硅和二氧化硅制成的鈍化層180可以形成在數(shù)據(jù)線171和漏電極175上。
[0048]暴露漏電極175的接觸孔185可以形成在鈍化層180上，以及像素電極191可以形成在鈍化層180上，并且通過(guò)接觸孔185連接到漏電極175。
[0049]然后，將結(jié)合圖2，參考圖3、圖4、圖5、圖6、圖7和圖8描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的一種制造用于顯示設(shè)備的薄膜晶體管陣列面板的方法。
[0050]圖3、圖4、圖5、圖6、圖7和圖8為按順序示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的用于顯示設(shè)備的薄膜晶體管陣列面板的制造方法的剖面圖。
[0051]首先，如圖3中所示，柵極金屬層120包括下柵極金屬層120p和上柵極金屬層120r，下柵極金屬層120p由鈦或包括鈦的金屬形成，上柵極金屬層120r由銅或包括銅的金屬形成，柵極金屬層120形成在透明絕緣襯底110上。
[0052]接著，如圖4中所示，通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的蝕刻劑蝕刻?hào)艠O金屬層120形成柵電極124，且柵極絕緣層140形成在包括柵電極124的絕緣襯底110的整個(gè)表面上。
[0053]柵電極124可包括由鈦或包括鈦的金屬形成的下層124p和由銅或包括銅的金屬形成的上層124r。
[0054]然后,如圖5中所不,例如,非晶娃層150、摻有雜質(zhì)的非晶娃層160與數(shù)據(jù)金屬層170按順序堆疊在柵極絕緣層140上。在本文中，數(shù)據(jù)金屬層170可包括由鈦或包括鈦的金屬形成的下數(shù)據(jù)金屬層170p和由銅或包括銅的金屬形成的上數(shù)據(jù)金屬層170r。
[0055]然后，如圖6和圖7中所示，通過(guò)使用根據(jù)示例性實(shí)施方式的蝕刻劑蝕刻數(shù)據(jù)金屬層170，并且通過(guò)蝕刻非晶硅層150和其上摻有雜質(zhì)的非晶硅層160而形成包括源電極173的數(shù)據(jù)線171、漏電極175、歐姆接觸層163、歐姆接觸層165和半導(dǎo)體層154。
[0056]例如，數(shù)據(jù)線171、源電極173和漏電極175可包括由鈦或包括鈦的金屬形成的下層171p、下層173p和下層175p和由銅或包括銅的金屬形成的上層171r、上層173r和上層175r0
[0057]然后，如圖8中所示，在鈍化層180在包括數(shù)據(jù)線171、漏電極175和柵極絕緣層140的整個(gè)表面上形成之后，如圖2中所示，可形成暴露漏電極175的接觸孔185，且像素電極191可以在鈍化層180上形成。
[0058]在下文中，將通過(guò)具體實(shí)驗(yàn)例描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的蝕刻劑的性倉(cāng)泛。
[0059]< 示例 1>`
[0060]如下表1中的描述，180kg的蝕刻劑包括約IOwt.%的過(guò)硫酸鈉、約0.5wt.%的氟化氫銨、約3wt.%的硝酸、約1.5wt.%的5-氨基四氮唑、約1.5wt.%的氯化鈉、約0.2wt.%的硫酸銅、約3wt.%的乙酸和水。
[0061]〈示例2>
[0062]如下表1中的描述，180kg的蝕刻劑包括約15wt.%的過(guò)硫酸鈉、約0.5wt.%的氟化氫銨、約2wt.%的硝酸、約2wt.%的5-氨基四氮唑、約Iwt.%的氯化鈉、約0.01wt.%的硫酸銅、約5wt.%的乙酸和水。
[0063]< 示例 3>
[0064]如下表1中的描述，180kg的蝕刻劑包括約8wt.%的過(guò)硫酸鈉、約0.5wt.%的氟化氫銨、約5wt.%的硝酸、約2.5wt.%的5-氨基四氮唑、約1.2wt.%的氯化鈉、約0.1wt.%的硫酸銅、約5wt.%的乙酸和水。
[0065]<比較例1>
[0066]如下表1中的描述，180kg的蝕刻劑包括約IOwt.%的過(guò)硫酸鈉、約0.5wt.%的氟化氫銨、約3wt.%的硝酸、約0.5wt.%的5-氨基四氮唑和水。
[0067]<比較例2>
[0068]如下表1中的描述，180kg的蝕刻劑包括約5wt.%的過(guò)硫酸鈉、約0.3wt.%的氟化氫銨、約2wt.%的5-氨基四氮唑、約Iwt.%的氯化鈉、約0.01wt.%的硫酸銅、約5wt.%的乙酸和水。[0069]<比較例3>
[0070]如下表1中的描述，180kg的蝕刻劑包括約13wt.%的過(guò)硫酸鈉、約0.3wt.%的氟化氫銨、約2wt.%的硝酸、約2wt.%的5-氨基四氮唑、約0.01wt.%的硫酸銅、約5wt.%的乙酸和水。
[0071]〈比較例4>
[0072]如下表1中的描述，180kg的蝕刻劑包括約IOwt.%的過(guò)硫酸鈉、約0.5wt.%的氟化氫銨、約3wt.%的硝酸、約2wt.%的5-氨基四氮唑、約1.5wt.%的氯化鈉、約5wt.%的乙酸和水。
[0073]<比較例5>
[0074]如下表1中的描述，180kg的蝕刻劑包括約IOwt.%的過(guò)硫酸鈉、約0.5wt.%的氟化氫銨、約3wt.%的硝酸、約2.5wt.%的5-氨基四氮唑、約1.5wt.%的氯化鈉、約0.2wt.%的硫酸銅和水。
[0075](表1)
[0076]
【權(quán)利要求】
1.一種蝕刻劑，所述蝕刻劑包括: 重量百分比含量為約0.5%至約20%的過(guò)硫酸鹽； 重量百分比含量為約0.01%至約2%的氟化合物； 重量百分比含量為約1%至約10%的無(wú)機(jī)酸； 重量百分比含量為約0.5%至約5%的環(huán)胺化合物； 重量百分比含量為約0.1%至約5%的氯化合物； 重量百分比含量為約0.05%至約3%的銅鹽； 重量百分比含量為約0.1%至約10%的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽；以及 水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述過(guò)硫酸鹽包括選自過(guò)硫酸鉀、過(guò)硫酸鈉或過(guò)硫酸銨中的至少一種化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述氟化合物包括選自氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉或氟化氫鉀中的至少一種化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述無(wú)機(jī)酸包括選自硝酸、硫酸、磷酸或高氯酸中的至少一種化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述環(huán)胺化合物包括選自5-氨基四氮唑、咪唑、噴哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷或吡咯啉中的至少一種化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述氯化合物包括選自鹽酸、氯化鈉、氯化鉀或氯化銨中的至少一種化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻劑，其中，所述銅鹽包括選自硝酸銅、硫酸銅或磷酸銅銨中的至少一種化合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的蝕刻劑，其中， 所述有機(jī)酸包括選自乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、羥基乙酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯酸、磺基琥珀酸、磺基酞酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、羥基丁二酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸或乙二胺四乙酸中的至少一種化合物；以及 所述有機(jī)酸鹽包括選自乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、羥基乙酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯酸、磺基琥珀酸、磺基酞酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、羥基丁二酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸或乙二胺四乙酸的化合物的鉀鹽、鈉鹽或銨鹽中的至少一種化合物。
9.一種用于制造顯示設(shè)備的方法，所述方法包括: 在絕緣襯底上形成柵極金屬層； 通過(guò)使用蝕刻劑蝕刻所述柵極金屬層形成包括柵電極的柵極線； 在所述柵極線上形成柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上形成非晶硅層和數(shù)據(jù)金屬層； 通過(guò)蝕刻所述非晶硅層和所述數(shù)據(jù)金屬層形成半導(dǎo)體、歐姆接觸層、包括源電極的數(shù)據(jù)線和漏電極；以及 在鈍化層上形成連接到所述漏電極的像素電極； 其中，所述蝕刻劑包括:重量百分比含量為約0.5%至約20%的過(guò)硫酸鹽； 重量百分比含量為約0.01%至約2%的氟化合物； 重量百分比含量為約1%至約10%的無(wú)機(jī)酸； 重量百分比含量為約0.5%至約5%的環(huán)胺化合物； 重量百分比含 量為約0.1%至約5%的氯化合物； 重量百分比含量為約0.05%至約3%的銅鹽； 重量百分比含量為約0.1%至約10%的有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽；以及 水。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述柵極金屬層和所述數(shù)據(jù)金屬層包括鈦或包括鈦的金屬，以及所述柵極金屬層和所述數(shù)據(jù)金屬層包括銅或包括銅的金屬。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，通過(guò)使用所述蝕刻劑蝕刻所述數(shù)據(jù)金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述過(guò)硫酸鹽包括選自過(guò)硫酸鉀、過(guò)硫酸鈉或過(guò)硫酸銨中的至少一種化合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述氟化合物包括選自氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉或氟化氫鉀中的至少一種化合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述無(wú)機(jī)酸包括選自硝酸、硫酸、磷酸或高氯酸中的至少一種化合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述環(huán)胺化合物包括選自5-氨基四氮唑、咪唑、噴哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷或吡咯啉中的至少一種化合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述氯化合物包括選自鹽酸、氯化鈉、氯化鉀或氯化銨中的至少一種化合物。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述銅鹽包括選自硝酸銅、硫酸銅或磷酸銅銨中的至少一種化合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中， 所述有機(jī)酸包括選自乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、羥基乙酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯酸、磺基琥珀酸、磺基酞酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、羥基丁二酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸或乙二胺四乙酸中的至少一種化合物；以及 所述有機(jī)酸鹽包括選自乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、羥基乙酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯酸、磺基琥珀酸、磺基酞酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、羥基丁二酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸或乙二胺四乙酸的化合物的鉀鹽、鈉鹽或銨鹽中的至少一種化合物。
【文檔編號(hào)】H01L21/3213GK103668207SQ201210359316
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月24日
【發(fā)明者】李昔準(zhǔn), 權(quán)五柄, 劉仁浩, 張尚勛, 樸英哲, 李喻珍, 李俊雨, 金相泰, 秦榮晙 申請(qǐng)人:東友精細(xì)化工有限公司