專利名稱：用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種硅基單片光電集成電路，尤其是涉及ー種用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片。
背景技術(shù)：
塑料光纖通信是新一代短距離傳輸系統(tǒng)，具有簡(jiǎn)便、高速、低成本和光纖柔性可彎曲等優(yōu)點(diǎn)，可成功解決光纖通信中“最后100米”的接入難題，代替現(xiàn)有的銅質(zhì)線纜實(shí)現(xiàn)光纖到桌面的全光網(wǎng)絡(luò)通信。塑料光纖通信的發(fā)展既順應(yīng)國(guó)家“十二五”規(guī)劃中光纖寬帶到戶和“光進(jìn)銅退”的發(fā)展戰(zhàn)略，同時(shí)在推進(jìn)三網(wǎng)融合、智能家庭網(wǎng)絡(luò)、エ業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮重要的作用。隨著科技的發(fā)展，塑料光纖通信的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣，其市場(chǎng)的發(fā)展會(huì) 越來越廣闊。塑料光纖通信設(shè)備如媒體轉(zhuǎn)換器、路由器、集線器、交換機(jī)和光纖網(wǎng)卡等都以650nm土 17. 8nm光收發(fā)模塊為核心,其中光發(fā)射模塊由分立的650nm土 17. 8nm諧振腔發(fā)光ニ極管和驅(qū)動(dòng)電路芯片組成；光接收模塊由分立的650nm±17. 8nm光電探測(cè)器芯片和前置互阻放大器芯片組成。目前這些芯片都是分立狀態(tài)，系統(tǒng)元件較多，制造組裝過程較復(fù)雜，會(huì)影響系統(tǒng)工作的可靠性，而且主要元器件由國(guó)外進(jìn)ロ成本較高，不利于塑料光纖通信技術(shù)的推廣和普及。目前，各類硅基單片光電集成電路幾乎涉及了 Bipolar、CMOS、BiCMOS、B⑶、SOI等エ藝，以Bipolar和BiCMOS為主，目前相對(duì)成本低、先進(jìn)成熟的CMOSエ藝成為硅基光電探測(cè)器和娃基單片光電集成電路研究的一個(gè)熱點(diǎn)。但BCD標(biāo)準(zhǔn)エ藝，可在同一襯底上集成Bipolar器件、CMOS器件和DMOS器件，綜合了雙極型器件高跨導(dǎo)、強(qiáng)負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力和CMOS集成度聞、低功耗的優(yōu)點(diǎn)，也能成為娃基單片光電集成電路研究的一個(gè)創(chuàng)新思路和有益探索，目前，可采用標(biāo)準(zhǔn)的0. 5μπι B⑶エ藝制備塑料光纖通信用的650nm±17. 8nm單片光電集成接收芯片的相關(guān)技術(shù)鮮有報(bào)道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種可采用標(biāo)準(zhǔn)的0. 5 μ m B⑶エ藝制備的用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片，所述用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片是ー種用于塑料光纖通信的650nm±17. 8nm單片光電集成接收芯片，該用于塑料光纖通信的650nm±17. 8nm單片光電集成接收芯片可替代現(xiàn)有的塑料光纖通信用的650nm±17. 8nm光接收模塊里的光電探測(cè)器芯片和前置放大集成電路芯片，實(shí)現(xiàn)650nm±17. 8nm光電探測(cè)器(即為Photo-Detector，簡(jiǎn)寫為PD)和前置放大集成電路的單片光電集成，可滿足塑料光纖通信IOOMbps傳輸速率要求,用于塑料光纖通信650nm±17. 8nm波長(zhǎng)的光接收端。本發(fā)明所述用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片采用0.5μπι標(biāo)準(zhǔn)BCDエ藝制備，所述用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片設(shè)有硅基光電探測(cè)器和前置放大集成電路；硅基光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)采用“叉指狀P型重?fù)诫s硅/N-EPI外延層/BN+埋層”結(jié)構(gòu)；硅基光電探測(cè)器設(shè)有P型硅襯底(P-Substrate)、BN+埋層(BN+)、BP+埋層(BP+)、N_EPI外延層、N阱(N-Well)、P阱(N-Well)、P型重?fù)诫s硅(P+)、N型重?fù)诫s硅(N+)、金屬鋁(Al)、場(chǎng)氧區(qū)、SiO2絕緣介質(zhì)層和Si3N4表面鈍化層；P型硅襯底(P-Substrate) ,BN+埋層(BN+)、BP+埋層(BP+), N-EPI外延層、N阱(Ν-ffell)、P阱(Ν-ffell)、P型重?fù)诫s硅(P+)和N型重?fù)诫s娃(N+)設(shè)于同一娃片上；場(chǎng)氧區(qū)為娃片表面生成的氧化娃,金屬招沉積在娃片表面；由下至上共3層SiO2絕緣介質(zhì)層附著在硅襯底上；Si 3N4表面鈍化層附著在SiO2絕緣介質(zhì)層上；娃基光電探測(cè)器縱向結(jié)構(gòu)自下而上依次是第一層為低摻雜的P型娃襯底，第二層為BN+埋層(BN+)和BP+埋層(BP+)，第三層為N-EPI外延層，第四層為N阱和P阱，第五層為N型重?fù)诫s硅、P型重?fù)诫s硅、場(chǎng)氧區(qū)和金屬鋁；第六層至第八層為三層SiO2絕緣介質(zhì)層，第九層為Si3N4表面鈍化層；在所述N-EPI外延層等間距注入11個(gè)N-Well區(qū)，并以處于中間的第6個(gè)N-Well 為中心對(duì)稱分布；每?jī)蓚€(gè)相鄰的N-Well之間分布著的N-EPI的上表面是P型重?fù)诫s硅，即有10個(gè)P型重?fù)诫s硅區(qū)域，10個(gè)P型重?fù)诫s硅區(qū)域連接在一起，呈現(xiàn)叉指狀分布；所述BN+埋層作為探測(cè)器的陰極，金屬鋁與N阱上表面的N型重?fù)诫s形成歐姆接觸，有11個(gè)N阱，所有N阱上表面的N型重?fù)诫s硅連接在一起，并引出作為硅基光電探測(cè)器的陰極，陰極接高電位；N-EPI外延層形成探測(cè)器的I層；N-EPI外延層上表面的P型重?fù)诫s硅與其接觸的金屬鋁形成歐姆接觸，10個(gè)P型重?fù)诫s硅區(qū)域作為光電探測(cè)器的陽極，陽極作為后續(xù)處理電路的輸入；N阱外圍的P阱形成保護(hù)環(huán)，保護(hù)環(huán)用于隔離硅基光電探測(cè)器與其他BCD器件。前置放大集成電路包括互阻前置放大器(即為Tran-Impedance Amplifier,簡(jiǎn)寫為TIA)、單雙端轉(zhuǎn)換電路(即為Single-to-Differential Amplifier,簡(jiǎn)寫為SDA)、限幅放大器(即為L(zhǎng)imiting Amplifier,簡(jiǎn)寫為L(zhǎng)A)、輸出緩沖(即為Output Buffer,簡(jiǎn)寫為0B)電路和直流負(fù)反饋電路；互阻前置放大器的信號(hào)輸入端接所述光電探測(cè)器信號(hào)輸出端，互阻前置放大器的信號(hào)輸出端接單雙端轉(zhuǎn)換電路信號(hào)輸入端；單雙端轉(zhuǎn)換電路信號(hào)輸出端接限幅放大器信號(hào)輸入端，限幅放大器信號(hào)輸出端接輸出緩沖電路信號(hào)輸入端，輸出緩沖電路信號(hào)輸出端接外部電路，直流負(fù)反饋電路輸入端連接到限幅放大器的輸出端，直流負(fù)反饋電路的輸出端連接到單雙端轉(zhuǎn)換電路的輸出端。所述硅基光電探測(cè)器的有效光敏面積可為200μπιΧ200μπι，總橫向尺寸為200 μ m。所述硅基光電探測(cè)器的總橫向尺寸是根據(jù)需要的有效光敏面積來確定。所述10根叉指的長(zhǎng)度均為200 μ m ;姆個(gè)N阱為等寬度等距離分配，除最外圍的兩個(gè)N阱，每個(gè)N阱兩邊都是N-EPI外延層，處于N-EPI外延層上表面的P型重?fù)诫s硅距離兩邊N阱邊緣不小于O. 8 μ m ;處于N阱內(nèi)部的，距離N阱邊緣不小于O. 4 μ m的上表面為N型重?fù)诫s硅，寬度不小于O. 8 μ m ;在兩個(gè)最外圍的N阱的外圍是P講，距離N阱不小于O. 8 μ m的P阱上表面為P型重?fù)诫s硅，寬度不小于O. 8 μ m ；BN+埋層與N阱重疊部分不小于3 μ m，BN+埋層與N阱邊緣距離2 μ m ；N-EPI外延層上表面的P型重?fù)诫s硅、N阱上表面的N型重?fù)诫s硅和P阱上表面的P型重?fù)诫s硅之間均由場(chǎng)氧區(qū)隔開，寬度不小于I μ m ;P阱上表面其他部分為場(chǎng)氧區(qū)；金屬鋁附著在各個(gè)N型重?fù)诫s硅和P型重?fù)诫s硅上，其中N-EPI外延層上表面的P型重?fù)诫s硅上的金屬鋁分布在N-EPI外延層周邊且靠近場(chǎng)氧區(qū)。 所述單雙端轉(zhuǎn)換電路最好設(shè)有低通濾波器，低通濾波器由電阻與電容構(gòu)成。所述限幅放大器最好設(shè)有三個(gè)級(jí)聯(lián)差分放大電路，每級(jí)差分放大電路均采用有源電感做負(fù)載的差分放大器結(jié)構(gòu)。所述直流負(fù)反饋電路最好由4個(gè)電阻和2個(gè)電容組成。與現(xiàn)有塑料光纖通信用的650nm±17. 8nm光接收模塊里的光電探測(cè)器芯片和前置放大集成電路芯片相比較，本發(fā)明具有以下突出優(yōu)點(diǎn)I、本發(fā)明中的光電探測(cè)器利用B⑶標(biāo)準(zhǔn)エ藝下的N-EPI外延層形成探測(cè)器的I層，形成縱向結(jié)構(gòu)“叉指狀P型重?fù)诫s硅/N-EPI外延層/BN+埋層”的硅基光電探測(cè)器，克服一般硅基光電探測(cè)器頻率響應(yīng)低的缺點(diǎn)。2、本發(fā)明中的光電探測(cè)器由于P型重?fù)诫s硅采用多叉指的結(jié)構(gòu)，降低了結(jié)電容，克服了一般硅基光電探測(cè)器結(jié)電容較大的缺點(diǎn)，從而使得前置放大集成電路因輸入結(jié)電容降低而帶寬増大。 3、本發(fā)明的光電探測(cè)器有很寬的光譜響應(yīng)范圍，克服一般娃基光電探測(cè)器短波響應(yīng)差的缺點(diǎn)。4、本發(fā)明的光電集成芯片制備エ藝與商業(yè)的B⑶標(biāo)準(zhǔn)エ藝完全兼容，不需要對(duì)エ藝做任何修改，提高了整體光電集成芯片的性能，降低了 650nm±17. 8nm塑料光纖通信的成本。5、本發(fā)明的集成芯片使650nm± 17. Snm光接收器簡(jiǎn)化了封裝過程。6、本發(fā)明的硅基單片光電集成接收芯片流片后用于塑料光纖通信測(cè)試，在誤碼率IO-9下靈敏度為-8dBm，傳輸速率200Mbps。由此可見，本發(fā)明主要具有以下突出優(yōu)點(diǎn)減少了系統(tǒng)元件，簡(jiǎn)化了組裝過程，提高了系統(tǒng)工作可靠性并大大降低了成本；器件間的互連線減少到最少，電容、電感等寄生參量減少，提高了器件性能；單片集成體積小、重量輕、功能齊全。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例的硅基光電探測(cè)器的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖I的縱向厚度剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在圖2中，標(biāo)記》表示場(chǎng)氧區(qū)，標(biāo)記H表示Nt,標(biāo)記■表示P+,標(biāo)記Ξ表示Al。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的硅基光電探測(cè)器及前置放大集成電路框圖。圖4為圖3中的互阻前置放大器電路原理圖。圖5為圖3中的單雙端轉(zhuǎn)換電路原理圖。圖6為圖3中的限幅放大器中的單級(jí)差分放大電路原理圖。圖7為圖3中的輸出緩沖電路原理圖。圖8為圖3中的直流負(fù)反饋電路原理圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例所述的硅基單片光電集成接收芯片采用O. 5 μ m標(biāo)準(zhǔn)B⑶エ藝制備，設(shè)有硅基光電探測(cè)器和前置放大集成電路。參見圖I和2，硅基光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)及其制造エ藝流程說明如下首先在高阻的<100>P型硅襯底I上光刻BN+埋層區(qū)，并利用離子注入エ藝形成BN+埋層2和BP+埋層
3。在BN+埋層2與BP+埋層3上生長(zhǎng)N-EPI外延層4。在外延層4上等間距的光刻上距離14. 6 μ m，寬度6· 3 μ m的N阱區(qū)11個(gè)，并采用離子注入エ藝實(shí)現(xiàn)這11個(gè)N阱。在N阱5和6的外圍光刻P阱區(qū)，并采用離子注入エ藝實(shí)現(xiàn)P阱7和8 ;光刻N(yùn)型重?fù)诫s有源區(qū)和P型重?fù)诫s有源區(qū)，采用氧化工藝實(shí)現(xiàn)場(chǎng)氧區(qū)9 ;在11個(gè)N阱區(qū)域，均光刻N(yùn)型重?fù)诫s區(qū)，通過離子注入實(shí)現(xiàn)N型重?fù)诫s硅10 ;光刻P型重?fù)诫s區(qū)，通過離子注入實(shí)現(xiàn)在每?jī)蓚€(gè)N阱之間的外延層4上表面的P型重?fù)诫s硅11及P阱內(nèi)的P型重?fù)诫s硅12 ;沉積第一層SiO2絕緣介質(zhì)層13 ;光刻接觸孔18沉積金屬鋁14，井光刻實(shí)現(xiàn)需要的電極與連線，金屬鋁附著在各個(gè)N型重?fù)诫s硅10和P型重?fù)诫s硅11、12上，其中N-EPI外延層4上表面的P型重?fù)诫s硅11上的金屬鋁14分布在其周邊 靠近場(chǎng)氧區(qū)。沉積第二層絕緣介質(zhì)層15和第三層絕緣介質(zhì)層16，沉積Si3N4表面鈍化層17。硅基光電探測(cè)器的縱向結(jié)構(gòu)“叉指狀P型重?fù)诫s硅/N-EPI外延層/BN+埋層”。在B⑶エ藝中利用BN+埋層作為探測(cè)器的陰極，金屬鋁與N阱上表面的N型重?fù)诫s形成歐姆接觸，有11個(gè)N阱，所有N阱上表面的N型重?fù)诫s硅連接在一起，引出探測(cè)器的陰極，陰極接高電位VDD ；N-EPI外延層形成探測(cè)器的I層；N-EPI外延層上表面的P型重?fù)诫s硅與其接觸的金屬鋁形成歐姆接觸，有10個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)域，并且連接在一起，呈現(xiàn)出叉指狀態(tài)，作為硅基光電探測(cè)器的陽極，陽極作為后續(xù)處理電路的輸入；N阱外圍的P阱起到了隔離探測(cè)器與其他BCD器件的作用；按制備順序從下至上設(shè)有3層SiO2表面絕緣介質(zhì)層和Si3N4表面鈍化層。參見圖3，前置放大集成電路IC包括互阻前置放大器(即為Tran-ImpedanceAmplifier,簡(jiǎn)寫為 TIA) 40、單雙端轉(zhuǎn)換電路(即為 Single-to-Differential Amplifier,簡(jiǎn)寫為SDA) 50、限幅放大器(即為L(zhǎng)imiting Amplifier,簡(jiǎn)寫為L(zhǎng)A)60 (為三級(jí)限幅放大器)、輸出緩沖(即為Output Buffer，簡(jiǎn)寫為0B)電路70和直流負(fù)反饋(即為DC NegativeFeedback)電路80 ;互阻前置放大器40的信號(hào)輸入端接所述娃基光電探測(cè)器F1D信號(hào)輸出端，互阻前置放大器40的信號(hào)輸出端接單雙端轉(zhuǎn)換電路50信號(hào)輸入端；單雙端轉(zhuǎn)換電路50信號(hào)輸出端接限幅放大器60信號(hào)輸入端，限幅放大器60信號(hào)輸出端接輸出緩沖電路70信號(hào)輸入端，輸出緩沖電路70信號(hào)輸出端接外部電路，直流負(fù)反饋電路80輸入端連接到第三級(jí)限幅放大器的輸出端，直流負(fù)反饋電路80的輸出端則連接到單雙端轉(zhuǎn)換電路50的輸出端。參見圖4，互阻前置放大器的作用是將硅基光電探測(cè)器輸出的微弱的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換成電壓信號(hào)；硅基光電探測(cè)器ro工作時(shí)是反向的，即陽極接輸入點(diǎn)，陰極接高電位，這里接的只能是電源電壓。根據(jù)這些接法重新設(shè)計(jì)了調(diào)節(jié)式共源共柵(即為RegulatedCascade，簡(jiǎn)寫為RGC)結(jié)構(gòu)，其具有穩(wěn)定的直流偏置以及非常小的輸入阻抗，電源電壓為5V0參見圖5，單雙端轉(zhuǎn)換電路的作用是將單端的互阻前置放大器輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換成雙端信號(hào)，其中電阻R與電容C構(gòu)成了ー個(gè)低通濾波器。它的作用是提取互阻前置放大器輸出的直流電平信號(hào)，并將該信號(hào)送至M2的柵極。隨著信號(hào)頻率的升高，電容C的阻抗下降，從X節(jié)點(diǎn)發(fā)出，通過電阻R的信號(hào)逐步由電容C導(dǎo)至地。這樣的結(jié)構(gòu)起到了ー個(gè)高通濾波器的作用在低頻時(shí)，X與Y節(jié)點(diǎn)的信號(hào)基本都同，通過差分輸出得到了零輸出；而在高頻時(shí)由于Y節(jié)點(diǎn)沒有信號(hào)輸入，所以可以有ー個(gè)大的輸出。參見圖6，限幅放大器的作用是二次放大前置放大器的輸出電壓，提高整個(gè)單片光電集成電路的光響應(yīng)度。構(gòu)成限幅放大器的主體是三個(gè)級(jí)聯(lián)差分放大電路，每級(jí)差分放大電路均采用了有源電感做負(fù)載的差分放大器結(jié)構(gòu)，利用并聯(lián)峰化技術(shù)，拓展了帶寬，其中每個(gè)差分放大電路的Rs都有所不同，可適當(dāng)?shù)卣{(diào)整以達(dá)到增益及帶寬的最大化。參見圖7，輸出緩沖電路的作用是用來實(shí)現(xiàn)輸出的阻抗匹配以及減小信號(hào)反射。輸出級(jí)電路不僅有較高的輸出擺幅和高的輸出電流，而且因?yàn)橐c后續(xù)電路進(jìn)行阻抗匹配還要求要有低的輸出阻杭。 參見圖8，直流負(fù)反饋電路是由4個(gè)電阻R和2個(gè)電容C組成，直流負(fù)反饋電路的作用是用于穩(wěn)定直流工作點(diǎn)和交流増益。
權(quán)利要求
1.用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片，其特征在于采用O.5 μ m標(biāo)準(zhǔn)BCDエ藝制備，所述用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片設(shè)有硅基光電探測(cè)器和前置放大集成電路； 硅基光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)采用叉指狀P型重?fù)诫s硅/N-EPI外延層/BN+埋層結(jié)構(gòu)；硅基光電探測(cè)器設(shè)有P型硅襯底、BN+埋層、BP+埋層、N-EPI外延層、N阱、P阱、P型重?fù)诫s硅、N型重?fù)诫s硅、鋁、場(chǎng)氧區(qū)、SiO2絕緣介質(zhì)層和Si3N4表面鈍化層；P型硅襯底、BN+埋層、BP+埋層、N-EPI外延層、N講、P講、P型重?fù)诫s娃和N型重?fù)诫s娃設(shè)于同一娃片上；場(chǎng)氧區(qū)為硅片表面生成的氧化硅，鋁沉積在硅片表面；由下至上共3層SiO2絕緣介質(zhì)層附著在硅襯底上；Si3N4表面鈍化層附著在SiO2絕緣介質(zhì)層上；硅基光電探測(cè)器縱向結(jié)構(gòu)自下而上依次是第一層為低摻雜的P型硅襯底，第二層為BN+埋層和BP+埋層，第三層為N-EPI外延層，第四層為N阱和P阱，第五層為N型重?fù)诫s硅、P型重?fù)诫s硅、場(chǎng)氧區(qū)和鋁；第六層至第八層為三層SiO2絕緣介質(zhì)層，第九層為Si3N4表面鈍化層； 在所述N-EPI外延層等間距注入11個(gè)N-Well區(qū)，并以處于中間的第6個(gè)N-Well為中心對(duì)稱分布；每?jī)蓚€(gè)相鄰的N-Well之間分布著的N-EPI的上表面是P型重?fù)诫s硅，即有10個(gè)P型重?fù)诫s硅區(qū)域，10個(gè)P型重?fù)诫s硅區(qū)域連接在一起，呈現(xiàn)叉指狀分布；所述BN+埋層作為探測(cè)器的陰極，鋁與N阱上表面的N型重?fù)诫s形成歐姆接觸，有11個(gè)N阱，所有N阱上表面的N型重?fù)诫s硅連接在一起，并引出作為硅基光電探測(cè)器的陰極，陰極接高電位；N-EPI外延層形成探測(cè)器的I層；N-EPI外延層上表面的P型重?fù)诫s硅與其接觸的金屬鋁形成歐姆接觸，10個(gè)P型重?fù)诫s硅區(qū)域作為光電探測(cè)器的陽極，陽極作為后續(xù)處理電路的輸入;N阱外圍的P阱形成保護(hù)環(huán)，保護(hù)環(huán)用于隔離硅基光電探測(cè)器與其他BCD器件； 前置放大集成電路包括互阻前置放大器、單雙端轉(zhuǎn)換電路、限幅放大器、輸出緩沖電路和直流負(fù)反饋電路；互阻前置放大器的信號(hào)輸入端接所述光電探測(cè)器信號(hào)輸出端，互阻前置放大器的信號(hào)輸出端接單雙端轉(zhuǎn)換電路信號(hào)輸入端；單雙端轉(zhuǎn)換電路信號(hào)輸出端接限幅放大器信號(hào)輸入端，限幅放大器信號(hào)輸出端接輸出緩沖電路信號(hào)輸入端，輸出緩沖電路信號(hào)輸出端接外部電路，直流負(fù)反饋電路輸入端連接到限幅放大器的輸出端，直流負(fù)反饋電路的輸出端則連接到單雙端轉(zhuǎn)換電路的輸出端。
2.如權(quán)利要求I所述的用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片，其特征在于所述硅基光電探測(cè)器的有效光敏面積為200 μ mX200 μ m,總橫向尺寸為200 μ m。
3.如權(quán)利要求I所述的用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片，其特征在于所述10根叉指的長(zhǎng)度均為200 μ m ;每個(gè)N阱為等寬度等距離分配，除最外圍的兩個(gè)N阱外，每個(gè)N阱兩邊都是N-EPI外延層，處于N-EPI外延層上表面的P型重?fù)诫s硅距離兩邊N阱邊緣不小于O. 8 μ m ;處于N阱內(nèi)部的，距離N阱邊緣不小于O. 4 μ m的上表面為N型重?fù)诫s娃，寬度不小于O. 8 μ m ;在兩個(gè)最外圍的N阱的外圍是P講，距離N阱不小于O. 8 μ m的P阱上表面為P型重?fù)诫s娃，寬度不小于O. 8 μ m ；BN+埋層與N講重疊部分不小于3 μ m, BN+埋層與N阱邊緣距離2 μ m ；N-EPI外延層上表面的P型重?fù)诫s硅、N阱上表面的N型重?fù)诫s硅和P阱上表面的P型重?fù)诫s硅之間均由場(chǎng)氧區(qū)隔開，寬度不小于I μ m ;P阱上表面其他部分為場(chǎng)氧區(qū)；金屬鋁附著在各個(gè)N型重?fù)诫s硅和P型重?fù)诫s硅上，其中N-EPI外延層上表面的P型重?fù)诫s硅上的金屬鋁分布在N-EPI外延層周邊且靠近場(chǎng)氧區(qū)。
4.如權(quán)利要求I所述的用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片，其特征在于所述單雙端轉(zhuǎn)換電路設(shè)有低通濾波器，低通濾波器由電阻與電容構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求I所述的用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片，其特征在于所述限幅放大器設(shè)有3個(gè)級(jí)聯(lián)差分放大電路，每級(jí)差分放大電路均采用有源電感做負(fù)載的差分放大器。
6.如權(quán)利要求I所述的用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片，其特征在于所述直流負(fù)反饋電路由4個(gè)電阻和2個(gè)電容組成。
全文摘要
用于塑料光纖通信的硅基單片光電集成接收芯片，涉及一種硅基單片光電集成電路。所述芯片是一種用于塑料光纖通信的650nm±17.8nm單片光電集成接收芯片，該芯片可替代現(xiàn)有的塑料光纖通信用的650nm±17.8nm光接收模塊里的光電探測(cè)器芯片和前置放大集成電路芯片，實(shí)現(xiàn)650nm±17.8nm光電探測(cè)器和前置放大集成電路的單片光電集成，可滿足塑料光纖通信100Mbps傳輸速率要求，用于塑料光纖通信650nm±17.8nm波長(zhǎng)的光接收端。可采用標(biāo)準(zhǔn)的0.5μm BCD工藝制備。
文檔編號(hào)H01L31/0352GK102856324SQ20121034543
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月18日
發(fā)明者程翔, 史曉鳳, 李繼芳, 陳朝, 潘江炳, 顏黃蘋, 卞劍濤 申請(qǐng)人:廈門大學(xué)