專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管的制造方法、陣列基板的制造方法及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管的制造方法、陣列基板的制造方法及顯示裝置。
背景技術(shù)：
金屬氧化物薄膜晶體管由于其遷移率高、均一性好，而備受人們的關(guān)注，已成為最近的研究熱點(diǎn)。具有金屬氧化物薄膜晶體管的陣列基板的制作，可以采用四次構(gòu)圖工藝完成，具體包括通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝在基板上形成柵電極和柵線(xiàn)的圖形；形成柵絕緣層；通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)和薄膜晶體管(TFT)溝道的圖形；通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成鈍化層的圖形，所述鈍化層上形成有過(guò)孔；通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖形，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極連接。
所述第二次構(gòu)圖工藝具體包括在柵絕緣層上依次形成半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜；在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠；采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源電極和漏電極區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)TFT溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域之外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)域的的源漏金屬薄膜及下方的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層的圖形；利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬薄膜，形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)和TFT溝道的圖形。在利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬薄膜時(shí)，由于基板具有一定的尺寸，基板不同位置處的刻蝕終結(jié)點(diǎn)(End Point Detector, EPD)時(shí)間可能不一致,于是會(huì)發(fā)生對(duì)溝道區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜的過(guò)刻現(xiàn)象。當(dāng)采用干法刻蝕時(shí)，其刻蝕氣體會(huì)與金屬氧化物反應(yīng)，奪走金屬氧化物中的氧離子，致使金屬氧化物成為導(dǎo)體。當(dāng)采用濕法刻蝕時(shí)，由于刻蝕時(shí)間較長(zhǎng)，一般采用濃度較高的刻蝕液來(lái)降低刻蝕時(shí)間，該刻蝕液會(huì)與金屬氧化物反應(yīng)，奪走金屬氧化物中的氧離子，致使金屬氧化物成為導(dǎo)體。可見(jiàn)，不論采用干法刻蝕還是濕法刻蝕，溝道區(qū)域的金屬氧化物都有可能轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體，從而使得薄膜晶體管失效。針對(duì)上述問(wèn)題的一種解決方法是，在金屬氧化物半導(dǎo)體層上方的TFT溝道區(qū)域形成刻蝕阻擋層(Etching Stop Layer, ESL),這樣,在對(duì)源漏金屬薄膜進(jìn)行刻蝕時(shí),該刻蝕阻擋層就能夠?qū)FT溝道區(qū)域下方的半導(dǎo)體層進(jìn)行保護(hù)。但這需要一次額外的構(gòu)圖工藝來(lái)形成刻蝕阻擋層，導(dǎo)致工藝復(fù)雜，制造時(shí)間較長(zhǎng)，制造成本也較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種薄膜晶體管的制造方法、陣列基板的制造方法及顯示裝置，能夠在不需要形成刻蝕阻擋層的前提下，實(shí)現(xiàn)對(duì)TFT溝道區(qū)域下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層的保護(hù)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供技術(shù)方案如下一種薄膜晶體管的制造方法，所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層由金屬氧化物制作形成，所述制造方法采用兩步刻蝕來(lái)形成TFT溝道，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道。上述的制造方法，具體包括在基板上形成柵電極的圖形；在形成有柵電極的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和TFT溝道的圖形，所述TFT溝道通過(guò)兩步刻蝕工藝形成，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道 區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道。上述的制造方法，其中，所述在形成有柵電極的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和TFT溝道的圖形，包括在形成有柵電極的基板上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜；在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠，采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源電極和漏電極區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)TFT溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域之外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜及下方的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層的圖形；利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；通過(guò)干法刻蝕去除所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層的一部分；通過(guò)濕法刻蝕去除所述光刻膠半保留區(qū)域剩余的源漏金屬層；剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成源電極、漏電極和TFT溝道的圖形。上述的制造方法，其中，所述金屬氧化物為InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO或其中多種氧化物的組合。 上述的制造方法，其中，所述濕法刻蝕的刻蝕液為不含有H202、H2S04和CH3COOH的刻蝕液。一種陣列基板的制造方法，所述陣列基板中，薄膜晶體管的半導(dǎo)體層由金屬氧化物制作形成，所述制造方法采用兩步刻蝕來(lái)形成TFT溝道，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道。上述的制造方法，具體包括在基板上形成柵電極和柵線(xiàn)的圖形；在形成有柵電極和柵線(xiàn)的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)和TFT溝道的圖形，所述TFT溝道通過(guò)兩步刻蝕工藝形成，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道；沉積鈍化層，并在鈍化層上形成過(guò)孔；形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極連接。上述的制造方法，其中，所述在形成有柵電極和柵線(xiàn)的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)和TFT溝道的圖形 ，包括在形成有柵電極和柵線(xiàn)的基板上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜；在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠，采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線(xiàn)區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)TFT溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域之外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜及下方的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層的圖形；利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；通過(guò)干法刻蝕去除所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層的一部分；通過(guò)濕法刻蝕，去除所述光刻膠半保留區(qū)域剩余的源漏金屬層；剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)和TFT溝道的圖形。上述的制造方法，其中，所述金屬氧化物為InGaZnO, InGaO, ITZO、AlZnO或其中多種氧化物的組合。上述的制造方法，其中，所述濕法刻蝕的刻蝕液為不含有H202、H2S04和CH3COOH的刻蝕液。一種顯示裝置，所述顯示裝置具有陣列基板，所述陣列基板按照上述的制造方法制造得到。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的制造方法采用兩步刻蝕來(lái)形成TFT溝道，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方TFT溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，不會(huì)對(duì)源漏金屬層下方的半導(dǎo)體層造成破壞；第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方TFT溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，由于是對(duì)變薄了的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，則刻蝕時(shí)間可以明顯縮短，對(duì)半導(dǎo)體層的過(guò)刻量也會(huì)減小，基本不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成破壞，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)TFT溝道區(qū)域下方的半導(dǎo)體層的有效保護(hù)。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法流程圖；圖2 圖11為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的制造過(guò)程截面圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)在制造金屬氧化物薄膜晶體管時(shí)，不論采用干法刻蝕還是濕法刻蝕，TFT溝道區(qū)域下方的金屬氧化物都有可能轉(zhuǎn)換為導(dǎo)體，從而使得薄膜晶體管失效的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制造方法及陣列基板的制造方法，所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層由金屬氧化物制作形成，該制造方法采用兩步刻蝕來(lái)形成TFT溝道，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方TFT溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，不會(huì)對(duì)源漏金屬層下方的半導(dǎo)體層造成破壞；第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方TFT溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，由于是對(duì)變薄了的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，則刻蝕時(shí)間可以明顯縮短，對(duì)半導(dǎo)體層的過(guò)刻量也會(huì)減小，基本不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成破壞，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)TFT溝道區(qū)域下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層的有效保護(hù)。其中，所述金屬氧化物可以為InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO或其中多種氧化物的組合。參照?qǐng)D1，本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法，可以包括如下步驟步驟101，在基板上形成柵電極的圖形；
首先，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在玻璃基板或其他類(lèi)型的透明基板上面形成柵金屬層，柵金屬層可以采用鉻(Cr)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、釹(Nd)及其合金，并且，柵金屬層可以為一層或多層；然后，在柵金屬層上涂覆光刻膠；其次，采用刻畫(huà)有圖形的掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵電極區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域之外的區(qū)域；再次，利用刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬層；最后，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成柵電極的圖形。步驟102 :在形成有柵電極的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和TFT溝道的圖形，所述TFT溝道通過(guò)兩步刻蝕工藝形成，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道。步驟102具體可以包括如下步驟步驟1021，在形成有柵電極的基板上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜；首先，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)等方法，在完成步驟101的基板上沉積柵絕緣層，柵絕緣層可以選用氧化物(例如SiOx)或者氮化物(例如SiNx)等材料。然后，可以采用PECVD等方法，在柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體薄膜，半導(dǎo)體薄膜選用金屬氧化物，所述金屬氧化物可以為InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO或其中多種氧化物的組合。最后，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在半導(dǎo)體薄膜上面沉積源漏金屬薄膜，源漏金屬薄膜可以采用Cr、Mo、Al、Cu、W、Nd及其合金，并且，源漏金屬薄膜可以為一層或多層。步驟1022，在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠，采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，利用刻蝕工藝形成半導(dǎo)體層的圖形；首先，在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠；然后，采用刻畫(huà)有圖形的灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源電極和漏電極區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)TFT溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域之外的區(qū)域；最后，利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜及下方的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層的圖形。步驟1023，利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；通過(guò)灰化工藝可以去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠變薄，從而暴露出TFT溝道區(qū)域的源漏金屬層。步驟1024，通過(guò)干法刻蝕去除所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層的一部分；此為對(duì)源漏金屬層的兩步刻蝕的第一步?？梢愿鶕?jù)源漏金屬層的厚度及干法刻蝕的刻蝕速度來(lái)設(shè)置EPD時(shí)間。例如，可以設(shè)置EH)時(shí)間，使得源漏金屬層被刻蝕掉70 90%。在本步驟中，由于沒(méi)有刻蝕掉源漏金屬層的全部，因此，刻蝕氣體不會(huì)與源漏金屬 層下發(fā)的金屬氧化物半導(dǎo)體發(fā)生反應(yīng)，也就不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成破壞。步驟1025，通過(guò)濕法刻蝕去除所述光刻膠半保留區(qū)域的剩余的源漏金屬層；此為對(duì)源漏金屬層的兩步刻蝕的第二步。同樣，可以根據(jù)剩余的源漏金屬層的厚度及濕法刻蝕的刻蝕速度來(lái)設(shè)置Ero時(shí)間，使得在該Ero時(shí)間內(nèi)，剩余的源漏金屬層被完全刻蝕掉，并且，對(duì)下方的半導(dǎo)體層的過(guò)刻量不是太大。由于是對(duì)變薄了的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，則刻蝕時(shí)間可以明顯縮短，對(duì)半導(dǎo)體層的過(guò)刻量也會(huì)減小，基本不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成破壞，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)TFT溝道下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層的有效保護(hù)。在本步驟中，所述濕法刻蝕的刻蝕液應(yīng)當(dāng)采用不含有H202、H2S04和CH3COOH等的刻蝕液，因?yàn)镠2O2、H2SO4和CH3COOH會(huì)對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體造成破壞；另外，刻蝕液中可以混合使用少量的順03、H3P04和HCl等。步驟1026，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成源電極、漏電極和TFT溝道的圖形。液晶顯示面板的陣列基板中可以采用金屬氧化物薄膜晶體管，上述薄膜晶體管的制造方法也可以應(yīng)用于陣列基板的制造中。參照?qǐng)D11，所述陣列基板包括基板I ;位于基板I上的柵電極2和柵線(xiàn)(圖未示)；位于柵電極2和柵線(xiàn)上方，且覆蓋整個(gè)基板I的柵絕緣層3 ；位于柵絕緣層3上的半導(dǎo)體層4，半導(dǎo)體層4選用金屬氧化物，所述金屬氧化物可以為InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO或其中多種氧化物的組合；位于半導(dǎo)體層4上的源電極5、漏電極6和數(shù)據(jù)線(xiàn)(圖未示)；位于源電極5、漏電極6和數(shù)據(jù)線(xiàn)上方，且覆蓋整個(gè)基板I的鈍化層7，所述鈍化層7上形成有過(guò)孔8 ；位于鈍化層7上的像素電極9，所述像素電極9通過(guò)所述過(guò)孔8與所述漏電極6連接。以下參照?qǐng)D2 圖11介紹上述陣列基板的制造過(guò)程，包括如下步驟步驟SI，在基板上形成柵電極和柵線(xiàn)的圖形；如圖2所示，首先，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在基板I上面形成柵金屬層，柵金屬層可以米用Cr、Mo、Al、Cu、W、Nd及其合金,并且,柵金屬層可以為一層或多層；然后，在柵金屬層上涂覆光刻膠；其次，采用刻畫(huà)有圖形的掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵電極和柵線(xiàn)區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域之外的區(qū)域；再次，利用刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬層；最后，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成柵電極2和柵線(xiàn)的圖形。步驟S2，在形成有柵電極和柵線(xiàn)的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)和TFT溝道的圖形，所述TFT溝道通過(guò)兩步刻蝕工藝形成，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道步驟S2具體可以包括如下步驟步驟S21，在完成步驟SI的基板上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜；
如圖3所示，首先，可以采用PECVD等方法，在完成步驟SI的基板上沉積柵絕緣層
3,柵絕緣層3可以選用氧化物(例如SiOx)或者氮化物(例如SiNx)等材料。然后，可以采用PECVD等方法，在柵絕緣層3上沉積半導(dǎo)體薄膜40，半導(dǎo)體薄膜40選用金屬氧化物，所述金屬氧化物可以為InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO或其中多種氧化物的組合。最后，可以采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在半導(dǎo)體薄膜40上面沉積源漏金屬薄膜50，源漏金屬薄膜50可以采用Cr、Mo、Al、Cu、W、Nd及其合金，并且，源漏金屬薄膜50可以為一層或多層。步驟S22，在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠，采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，利用刻蝕工藝形成半導(dǎo)體層的圖形；如圖4和圖5所示，首先，在源漏金屬薄膜50上涂覆光刻膠層10 ;然后，采用刻畫(huà)有圖形的灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠層10進(jìn)行曝光和顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源電極和漏電極區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)TFT溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域之外的區(qū)域；最后，利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜及下方的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層4的圖形。步驟S23，利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；如圖6所示，通過(guò)灰化工藝可以去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠變薄，從而暴露出TFT溝道區(qū)域的源漏金屬層。步驟S24，通過(guò)干法刻蝕去除所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層的一部分(如圖7所示)；此為對(duì)源漏金屬層的兩步刻蝕的第一步。可以根據(jù)源漏金屬層的厚度及干法刻蝕的刻蝕速度來(lái)設(shè)置EH)時(shí)間。例如，可以設(shè)置EPD時(shí)間，使得源漏金屬層被刻蝕掉70 90%。在本步驟中，由于沒(méi)有刻蝕掉源漏金屬層的全部，因此，刻蝕氣體不會(huì)與源漏金屬層下發(fā)的金屬氧化物半導(dǎo)體發(fā)生反應(yīng)，也就不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成破壞。步驟S25，通過(guò)濕法刻蝕去除所述光刻膠半保留區(qū)域的剩余的源漏金屬層；
此為對(duì)源漏金屬層的兩步刻蝕的第二步，如圖8所示，濕法刻蝕后，并形成了源電極5、漏電極6和數(shù)據(jù)線(xiàn)(圖未示)的圖形。同樣，可以根據(jù)剩余的源漏金屬層的厚度及濕法刻蝕的刻蝕速度來(lái)設(shè)置Ero時(shí)間，使得在該Ero時(shí)間內(nèi)，剩余的源漏金屬層被完全刻蝕掉，并且，對(duì)下方的半導(dǎo)體層的過(guò)刻量不是太大。由于是對(duì)變薄了的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，則刻蝕時(shí)間可以明顯縮短，對(duì)半導(dǎo)體層的過(guò)刻量也會(huì)減小，基本不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成破壞，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)TFT溝道下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層的有效保護(hù)。在本步驟中，所述濕法刻蝕的刻蝕液應(yīng)當(dāng)采用不含有H202、H2S04和CH3COOH等的刻蝕液，因?yàn)镠2O2、H2SO4和CH3COOH會(huì)對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體造成破壞；另外，刻蝕液中可以混合使用少量的順03、H3P04和HCl等。步驟S26，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)和TFT溝道的圖形(如圖9所示)。 步驟S3，沉積鈍化層，并在鈍化層上形成過(guò)孔；如圖10所示，首先，可以采用PECVD等方法，在完成步驟S7的基板I上沉積鈍化層7，鈍化層7可以采用SiNx或SiOx等材料；然后，在鈍化層7上涂覆光刻膠；其次，采用刻畫(huà)有圖形的掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)過(guò)孔區(qū)域，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全去除區(qū)域之外的區(qū)域；再次，利用刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的鈍化層7，以暴露出漏電極6，形成過(guò)孔8 ;最后，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。步驟S4，形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極連接。如圖11所述，首先，可以采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在完成步驟S8的基板I上形成透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料；然后，在透明導(dǎo)電層上涂覆光刻膠；其次，采用刻畫(huà)有圖形的掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)像素電極區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域之外的區(qū)域；再次，利用刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的采透明導(dǎo)電層，形成像素電極9的圖形；最后，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例的制造方法采用兩步刻蝕來(lái)形成半導(dǎo)體層的溝道，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方TFT溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，不會(huì)對(duì)源漏金屬層下方的半導(dǎo)體層造成破壞；第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方TFT溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，由于是對(duì)變薄了的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，則刻蝕時(shí)間可以明顯縮短，對(duì)半導(dǎo)體層的過(guò)刻量也會(huì)減小，基本不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層造成破壞，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)TFT溝道區(qū)域下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層的有效保護(hù)。本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置具有陣列基板，所述陣列基板按照上述的制造方法制造得到。所述顯示裝置具體可以為液晶顯示面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層由金屬氧化物制作形成，所述制造方法采用兩步刻蝕來(lái)形成TFT溝道，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道。
2.如權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成柵電極的圖形； 在形成有柵電極的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和TFT溝道的圖形，所述TFT溝道通過(guò)兩步刻蝕工藝形成，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道。
3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有柵電極的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極和TFT溝道的圖形，包括 在形成有柵電極的基板上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜； 在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠，采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源電極和漏電極區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)TFT溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域之外的區(qū)域； 利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜及下方的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層的圖形； 利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠； 通過(guò)干法刻蝕去除所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層的一部分； 通過(guò)濕法刻蝕去除所述光刻膠半保留區(qū)域剩余的源漏金屬層； 剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成源電極、漏電極和TFT溝道的圖形。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物為InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO或其中多種氧化物的組合。
5.如權(quán)利要求I、2或3所述的制造方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的刻蝕液為不含有H2O2、H2SO4 和 CH3COOH 的刻蝕液。
6.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板中，薄膜晶體管的半導(dǎo)體層由金屬氧化物制作形成，所述制造方法采用兩步刻蝕來(lái)形成TFT溝道，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成柵電極和柵線(xiàn)的圖形； 在形成有柵電極和柵線(xiàn)的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)和TFT溝道的圖形，所述TFT溝道通過(guò)兩步刻蝕工藝形成，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道； 沉積鈍化層，并在鈍化層上形成過(guò)孔；形成像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極連接。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有柵電極和柵線(xiàn)的基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)和TFT溝道的圖形，包括 在形成有柵電極和柵線(xiàn)的基板上依次形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜和源漏金屬薄膜； 在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠，采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線(xiàn)區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)TFT溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和所述光刻膠半保留區(qū)域之外的區(qū)域； 利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬薄膜及下方的半導(dǎo)體薄膜，形成半導(dǎo)體層的圖形； 利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠； 通過(guò)干法刻蝕去除所述光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層的一部分； 通過(guò)濕法刻蝕，去除所述光刻膠半保留區(qū)域剩余的源漏金屬層； 剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線(xiàn)和TFT溝道的圖形。
9.如權(quán)利要求6、7或8所述的制造方法，其特征在于，所述金屬氧化物為 InGaZnO, InGaO, ITZO、AlZnO或其中多種氧化物的組合。
10.如權(quán)利要求6、7或8所述的制造方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的刻蝕液為不含有H2O2、H2SO4和CH3COOH的刻蝕液。
11.一種顯示裝置，所述顯示裝置具有陣列基板，其特征在于，所述陣列基板按照如權(quán)利要求6至10中任一項(xiàng)所述的制造方法制造得到。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制造方法、陣列基板的制造方法及顯示裝置，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層由金屬氧化物制作形成，所述薄膜晶體管的制造方法采用兩步刻蝕來(lái)形成TFT溝道，第一步通過(guò)干法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域的源漏金屬層的一部分，第二步通過(guò)濕法刻蝕，去除半導(dǎo)體層上方溝道區(qū)域剩余的源漏金屬層，形成TFT溝道。根據(jù)本發(fā)明，在不需要形成刻蝕阻擋層的前提下，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)TFT溝道下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層的保護(hù)。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102881598SQ20121034526
公開(kāi)日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月17日
發(fā)明者劉圣烈, 嚴(yán)允晟 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司