半導(dǎo)體封裝件的制作方法
【專利摘要】提供了一種能夠顯著地減小包括功率半導(dǎo)體裝置和控制裝置的功率半導(dǎo)體封裝件的尺寸的半導(dǎo)體封裝件。半導(dǎo)體封裝件包括：引線框架，包括第一框架和第二框架；至少一個(gè)第一電子裝置，安裝在第一框架上；基板，與第二框架接合并且具有形成有布線圖案的一個(gè)表面；至少一個(gè)第二電子裝置，安裝在基板上，并且電連接到布線圖案，布線圖案的電連接到所述至少一個(gè)第二電子裝置的部分形成為具有比引線框架的內(nèi)部引線的線寬小的線寬。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝件
[0001]本申請要求于2012年6月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2012-0070664號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該申請的公開通過引用包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，更具體地講，涉及一種能夠顯著地減小包括功率半導(dǎo)體裝置和控制裝置的功率半導(dǎo)體封裝件的尺寸的半導(dǎo)體封裝件。
【背景技術(shù)】
[0003]隨著關(guān)于電子裝置制造的電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，以及對用在電子裝置中的諸如功率晶體管、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、MOS晶體管、可控硅整流器(SCR)、電源整流器、伺服驅(qū)動器、功率調(diào)節(jié)器、逆變器和轉(zhuǎn)換器的電子元件的需求，對具有優(yōu)良性能的輕質(zhì)小型電子產(chǎn)品的需求增加。
[0004]根據(jù)這種趨勢，近來已對將各種功率半導(dǎo)體裝置集成到單個(gè)封裝件中以及將用于控制功率半導(dǎo)體裝置的控制裝置和功率半導(dǎo)體裝置制造為單個(gè)封裝件進(jìn)行了研究。
[0005]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的功率半導(dǎo)體封裝件包括引線框架、安裝在引線框架上的功率半導(dǎo)體裝置、控制裝置和由樹脂形成的成型單元外殼等。
[0006]然而，近來消費(fèi)者對便攜式電子裝置的需求快速增加，因此，需要用在便攜式裝置中的小型輕質(zhì)電子元件。
[0007]因此，即使已開始對減小半導(dǎo)體裝置本身尺寸的方法進(jìn)行了研究以使電子元件的尺寸減小，這種方法也受到一定程度的限制。因此，不考慮半導(dǎo)體裝置的尺寸，需要一種通過半導(dǎo)體裝置和導(dǎo)線等的有效布置來減小半導(dǎo)體封裝件尺寸的方法。
[0008][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0009]第2002-0095053號韓國專利公開公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種具有顯著減小的尺寸的半導(dǎo)體封裝件。
[0011]本發(fā)明的另一方面提供一種半導(dǎo)體封裝件，在半導(dǎo)體封裝件中使用分離的控制基板來安裝控制裝置。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括:引線框架，包括第一框架和第二框架；至少一個(gè)第一電子裝置，安裝在第一框架上；基板，與第二框架接合并且具有形成有布線圖案的一個(gè)表面；至少一個(gè)第二電子裝置，安裝在基板上并且電連接到布線圖案，其中，布線圖案的電連接到所述至少一個(gè)第二電子裝置的部分形成為具有比引線框架的內(nèi)部引線的線寬小的線寬。
[0013]至少一個(gè)第一電子裝置可以是功率半導(dǎo)體裝置，至少一個(gè)第二電子裝置可以是控制裝置。
[0014]控制裝置可以通過引線鍵合或倒裝芯片鍵合電連接到布線圖案。[0015]控制裝置和功率半導(dǎo)體裝置可以水平地設(shè)置。
[0016]半導(dǎo)體封裝件還可以包括包封電子裝置的成型單元。
[0017]至少一個(gè)第二電子裝置可以安裝在基板的一個(gè)表面上，并且基板的另一表面可以暴露在成型單元的外部。
[0018]第二框架可以設(shè)置有形成在其上的階梯件，并且基板可以與階梯件接合。
[0019]第二框架可以通過焊料結(jié)合而與基板接合。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括:引線框架，包括第一框架和第二框架；第一基板，與第一框架接合并且具有其上形成有第一布線圖案的一個(gè)表面；第二基板，與第二框架接合并且具有其上形成有第二布線圖案的一個(gè)表面；多個(gè)電子裝置，安裝在第一基板和第二基板上，其中，第一布線圖案和第二布線圖案形成為具有不同的線寬和厚度。
[0021]第二布線圖案可以形成為具有比第一布線圖案的線寬小的線寬。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]本發(fā)明的上述和其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)將通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述被更清楚地理解，其中:
[0023]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖；
[0024]圖2是沿圖1的A方向的半導(dǎo)體封裝件的平面圖；
[0025]圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的安裝有控制裝置的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；
[0026]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的安裝有控制裝置的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；
[0027]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖；以及
[0028]圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]在本說明書和權(quán)利要求書中使用的術(shù)語和詞語不應(yīng)被解釋為局限于典型的含義或字典上的定義，而應(yīng)該基于一定的規(guī)則被解釋為具有與本發(fā)明的技術(shù)范圍相關(guān)的含義和構(gòu)思，根據(jù)所述一定的規(guī)則，發(fā)明人可以適當(dāng)?shù)貙πg(shù)語的概念進(jìn)行定義，以適當(dāng)?shù)孛枋霭l(fā)明人所知曉的用于實(shí)施本發(fā)明的方法。因此，在本發(fā)明的附圖和實(shí)施例中描述的構(gòu)造是適當(dāng)?shù)膶?shí)施例，但不表示本發(fā)明的所有技術(shù)精神。因此，本發(fā)明應(yīng)該被解釋為包括提交本申請時(shí)的所有包括在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的改變、等同和替代。
[0030]在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例。這里，注意的是，整個(gè)附圖中相同的標(biāo)號表示相同的元件。此外，為了不使本發(fā)明的主題不必要地模糊，將取消對與公知功能或構(gòu)造相關(guān)的詳細(xì)的描述。基于相同的原因，將注意到的是，附圖中所示的一些組件被夸大、省略或示意性地圖示，并且每個(gè)組件的尺寸沒有精確地反映它的實(shí)際尺寸。
[0031 ] 在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例。
[0032]圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖。圖2是沿圖1的A方向的半導(dǎo)體封裝件的平面圖，在圖2中去除了成型單元的一部分。
[0033]參照圖1和圖2，根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件100可以包括電子裝置10、引線框架20、第一基板60、第二基板70和成型單元80。[0034]電子裝置10可以包括各種裝置，例如，無源裝置和有源裝置等。具體地講，根據(jù)本實(shí)施例的電子裝置10可以包括至少一個(gè)第一電子裝置12(例如，功率半導(dǎo)體裝置)和至少一個(gè)第二電子裝置14 (例如，控制裝置)。
[0035]在這方面，功率半導(dǎo)體裝置12，即第一電子裝置12可以是用于功率轉(zhuǎn)換或功率控制以控制功率的功率電路裝置，例如，伺服驅(qū)動器、逆變器、功率調(diào)節(jié)器、轉(zhuǎn)換器等。
[0036]例如，功率半導(dǎo)體裝置12可以包括功率M0SFET、雙極結(jié)型晶體管(BJT)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)或二極管或者它們的組合。也就是說，在本實(shí)施例中，功率半導(dǎo)體裝置12可以包括所有或部分的上述裝置。
[0037]此外，兩個(gè)功率半導(dǎo)體裝置12中的每個(gè)可以是IGBT和二極管。另外，可以實(shí)現(xiàn)為包括均包括IGBT和二極管作為一對的六對的功率半導(dǎo)體裝置封裝件。然而，這是一個(gè)示例，本發(fā)明不限于此。
[0038]功率半導(dǎo)體裝置12可以通過結(jié)合構(gòu)件(未示出)附著到隨后將描述的第一基板60的一個(gè)表面。這里，結(jié)合構(gòu)件可以是導(dǎo)電的或非導(dǎo)電的。例如，可以通過鍍覆或者導(dǎo)電膠或帶形成結(jié)合構(gòu)件。此外，具有優(yōu)異的耐熱性的焊料、金屬環(huán)氧樹脂、金屬膏、環(huán)氧樹脂或結(jié)合帶等可以用作結(jié)合構(gòu)件。
[0039]控制裝置14可以通過鍵合引線90電連接到功率半導(dǎo)體裝置12，以操作功率半導(dǎo)體裝置12。控制裝置14可以是例如微處理器，并且還可以包括諸如電阻器、逆變器或電容器的無源裝置，或者諸如晶體管的有源裝置。
[0040]同時(shí)，可以針對一個(gè)功率半導(dǎo)體裝置12設(shè)置一個(gè)或多個(gè)控制裝置14。也就是說，可以針對功率半導(dǎo)體裝置12的類型和數(shù)量適當(dāng)?shù)剡x擇控制裝置14的類型和數(shù)量。
[0041]如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件100可以是包括功率半導(dǎo)體裝置12和用于控制功率半導(dǎo)體裝置12的控制裝置14的功率半導(dǎo)體封裝件100。
[0042]另外，在本實(shí)施例中，功率半導(dǎo)體裝置12和控制裝置14不是以垂直層壓的形狀設(shè)置，而是水平地設(shè)置。因此，半導(dǎo)體封裝件100形成為水平長度比垂直長度(即厚度)長。
[0043]弓I線框架20構(gòu)造成包括多條弓I線，所述多條弓I線可以分成連接到外部基板(未示出)的多條外部引線20b和連接到電子裝置10的多條內(nèi)部引線20a。
[0044]也就是說，外部引線20b可以表示其暴露在成型單元80的外部的部分，內(nèi)部引線20a可以表示其設(shè)置在成型單元80的內(nèi)部的部分。
[0045]此外，引線框架20可以包括電連接到功率半導(dǎo)體裝置12的第一框架22和電連接到控制裝置14的第二框架26。內(nèi)部引線20a被彎曲成階梯狀的階梯件(st印down)可以形成在第一框架22和第二框架26的至少一個(gè)中。
[0046]在本實(shí)施例中，階梯件形成在第一框架22的連接到功率半導(dǎo)體裝置12的內(nèi)部引線20a中。然而，本發(fā)明不限于此。階梯件可以構(gòu)造成形成在第二框架26中或必要時(shí)既形成在第一框架22中又形成在第二框架26中。
[0047]功率半導(dǎo)體裝置12安裝在第一框架22的一個(gè)表面上。功率半導(dǎo)體裝置12通過鍵合引線90電連接到第一框架22的內(nèi)部引線20a。
[0048]第二框架26通過第二基板70電連接到控制裝置14。也就是說，控制裝置14不是直接安裝在第二框架26上，而是安裝在第二基板70上，并且通過第二基板70的第二布線圖案72和鍵合引線90電連接到第二框架26的內(nèi)部引線20a。[0049]第一基板60和第二基板70可以是印刷電路板(PCB)、陶瓷基板、預(yù)成型基板、直接結(jié)合銅(DBC)基板或通過引線框架20提供的導(dǎo)電基板。
[0050]具體地講，根據(jù)本實(shí)施例的第一基板60和第二基板70可以是絕緣的金屬基板(IMS)。
[0051]第一基板60與第一框架22接合。第一基板60的一個(gè)表面結(jié)合到第一框架22的另一表面，第一基板60的另一表面暴露于隨后將描述的成型單兀80的外部。
[0052]同時(shí)，雖然未不出，但是第一布線圖案可以形成在第一基板60的一個(gè)表面中。然而，在本實(shí)施例中，第一布線圖案僅用來將功率半導(dǎo)體裝置12結(jié)合到第一基板60，而不是用來將功率半導(dǎo)體裝置12電連接到第一基板60。因此，在沒有第一布線圖案的情況下，功率半導(dǎo)體裝置12可以被容易地結(jié)合，因此這里省略了第一布線圖案。
[0053]第二基板70與第一基板60分隔開預(yù)定的距離，并且與第二框架26接合。第二布線圖案72形成在第二基板70的一個(gè)表面中。
[0054]第二布線圖案72可以采用一般的層形成方法，例如，化學(xué)氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)，或者第二布線圖案72可以通過電解鍍覆或無電鍍覆形成。另外，第二布線圖案72可以包括導(dǎo)電材料(例如，金屬)。例如，第二布線圖案72可以包括鋁、鋁合金、銅、銅合金或它們的組合。
[0055]另外，控制裝置14安裝在第二基板70的一個(gè)表面上，并且電連接到第二布線圖案72。
[0056]在這方面，第二布線圖案72的線寬可以是非常狹窄的精細(xì)圖案。更具體地說，在能夠結(jié)合鍵合引線90的范圍內(nèi)，第二布線圖案72的線寬可以比較窄。
[0057]同時(shí)，雖然在本實(shí)施例中電子裝置10通過鍵合引線90電連接到第二布線圖案72，但是本發(fā)明不限于此。
[0058]也就是說，控制裝置14和第二基板70通過各種應(yīng)用例如倒裝芯片鍵合或焊球電連接。
[0059]鍵合引線90可以是金屬材料，例如，鋁(Al)、金(Au)或它們的合金。另外，為了通過鍵合引線90將電子裝置10結(jié)合到第二布線圖案72，第二布線圖案72和電子裝置10中的每個(gè)可以包括諸如普通連接焊盤的連接單元。
[0060]成型單兀80使第一基板60的另一表面被暴露,并且包封第一基板60、功率半導(dǎo)體裝置12、第二基板70、控制裝置14以及第一框架22和第二框架26的一部分(S卩，內(nèi)部引線 20a)。
[0061]成型單元80形成為覆蓋且包封電子裝置10和引線框架20的結(jié)合到電子裝置10的內(nèi)部引線20a，以保護(hù)電子裝置10免受外部環(huán)境的影響。另外，成型單元80圍繞電子裝置10以固定電子裝置10，因此安全地保護(hù)電子裝置10免受外部沖擊的影響。
[0062]成型單元80形成為使第一基板60的另一表面暴露在外部。也就是說，成型單元80可以形成為覆蓋第一基板60的部分，而不是覆蓋整個(gè)第一基板60。
[0063]成型單元80可以由絕緣材料形成。具體地講，可以使用具有相對高熱導(dǎo)率的諸如硅膠、導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等的材料。
[0064]同時(shí)，雖然未示出，但是為了有效地散熱，可以將散熱器(未示出)附著到成型單元80的外表面，具體地講，附著到第一基板60的另一表面。散熱器可以通過使用高溫帶或高溫焊料等附著，并且完全暴露在半導(dǎo)體封裝件100的外部。
[0065]在根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件100中，控制裝置14通過第二基板70電連接到第二框架26的內(nèi)部引線20a。
[0066]更具體地說，形成在第二基板70中的第二布線圖案72的厚度和線寬小于引線框架20的內(nèi)部引線20a的厚度和線寬。
[0067]圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的安裝有控制裝置的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的安裝有控制裝置的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖，在圖4中放大了圖2中的B部分。
[0068]參照圖3，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件中，控制裝置14在不利用第二基板70(圖4)的情況下直接安裝在引線框架20上。
[0069]由于引線框架20通常需要保持剛性，因此難以制造出低于預(yù)定厚度(例如，
0.3mm)的引線框架20。因此，引線框架20的內(nèi)部引線20a需要使厚度(例如，0.3mm)和線寬DA2(例如，等于厚度的0.3mm或更大)保持為閾值或更大。另外，內(nèi)部引線20a之間的間隔距離需保持為閾值DA3(例如，0.35mm)或更大。
[0070]在這種情況下，如圖3所示，連接到一個(gè)控制裝置14的內(nèi)部引線20a需要具有包括其線寬和內(nèi)部引線之間的間隔距離的至少0.65mm或更大的寬度。
[0071]這樣，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝件由于它的結(jié)構(gòu)局限性而被限制成減小用于將控制裝置14連接到引線框架20的空間。
[0072]然而，如圖4所示，半導(dǎo)體封裝件100使用形成在第二基板70中的第二布線圖案72，而不是使用形成在引線框架20中的第二布線圖案72。
[0073]第二布線圖案72可以在必要時(shí)形成為具有相對非常窄的線寬。在圖4中，當(dāng)使用與圖3中相同的控制裝置14時(shí)，線寬DB2是0.05mm，并且圖案之間的間隔距離DB3是
0.05mmo
[0074]在使用形成有如上所述的線寬相對非常窄的第二布線圖案72的第二基板70的情況下，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的僅使用引線框架20的半導(dǎo)體封裝件相比，可以顯著地減小用于電連接控制裝置14和引線框架20的空間。
[0075]如上所述，在根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件100中，控制裝置14以及功率半導(dǎo)體裝置12安裝在分離的基板上，并且控制裝置14不直接連接到引線框架20，而是連接到形成在第二基板70中的第二布線圖案72。
[0076]因此，用于連接控制裝置14和引線框架20的空間變得較小，從而減小了半導(dǎo)體封裝件100的水平長度。因此，可以使整個(gè)半導(dǎo)體封裝件100的尺寸減小。
[0077]同時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件不限于上述的實(shí)施例，并且在必要時(shí)可以具有各種應(yīng)用。
[0078]除了在其上主要安裝控制裝置的第二基板之外或者第二基板連接到的第二框架的構(gòu)造之外，以下描述的實(shí)施例的整個(gè)構(gòu)造與上面描述的實(shí)施例的整個(gè)構(gòu)造相似。因此，這里省略了與上述實(shí)施例的構(gòu)造相同的構(gòu)造的詳細(xì)描述，現(xiàn)在將更加詳細(xì)地描述它們之間的不同之處。
[0079]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖。
[0080]在根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件200中，第二基板70的另一表面像第一基板60一樣被構(gòu)造成暴露在成型單元80的外部。[0081]在第二基板70的另一表面被暴露在成型單元80的外部的情況下，由控制裝置14產(chǎn)生的熱可以容易地消散到外部，從而提高散熱效率。
[0082]此外，控制裝置14通過倒裝芯片鍵合而不是使用鍵合引線90安裝在第二基板70上。
[0083]如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件可以以各種方式被應(yīng)用。
[0084]圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的示意性剖視圖。
[0085]在根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件300中，階梯件也形成在第二框架26中，并且第二基板70與第二框架26的形成有階梯件的位置接合。
[0086]這樣，在階梯件形成在第二框架26中的情況下，控制裝置14鄰近于外部設(shè)置，從而增加了散熱效果。
[0087]此外，在根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件300中，功率半導(dǎo)體裝置12像控制裝置14一樣安裝在第一基板60的一個(gè)表面上，而不是安裝在第一框架22的一個(gè)表面上。
[0088]在這種情況下，第一布線圖案62形成在第一基板60的一個(gè)表面中。在這方面,第一布線圖案62可以以與上述第二布線圖案72的方式相同的方式來構(gòu)造。
[0089]此外，功率半導(dǎo)體裝置12可以通過使用鍵合引線90或通過倒裝芯片鍵合電連接到第一基板60的第一布線圖案62。如圖6所示，功率半導(dǎo)體裝置12可以通過鍵合引線90電連接到第一框架22的內(nèi)部引線20a。
[0090]在這種情況下，在根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件300中，第一基板60的第一布線圖案62和第二基板70的第二布線圖案72以不同的方式形成。也就是說，形成在第一基板60中的第一布線圖案62可以形成為具有大于第二基板70的第二布線圖案72的厚度和線寬的厚度和線寬。
[0091]這是由于功率半導(dǎo)體裝置12產(chǎn)生的熱比控制裝置14產(chǎn)生的熱多，功率半導(dǎo)體裝置12需要使用相對厚的布線圖案，而不是如在控制裝置14中那樣的精細(xì)布線圖案。因此，在將功率半導(dǎo)體裝置12電連接到第一布線圖案62的情況下，第一布線圖案62可以形成為具有與引線框架20的內(nèi)部引線20a的線寬對應(yīng)的大線寬(例如，0.3mm或更大)。
[0092]如上所述，關(guān)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件，控制裝置以及功率半導(dǎo)體裝置可以安裝在分離的基板上，并且控制裝置可以電連接到形成在基板中而不是引線框架中的布線圖案。
[0093]因此，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的僅使用引線框架而不具有用于控制裝置的基板的半導(dǎo)體封裝件相比，可以減小用于電連接控制裝置和引線框架的空間，從而減小整個(gè)半導(dǎo)體封裝件的尺寸。
[0094]盡管已經(jīng)結(jié)合實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的，在不脫離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出修改和改變。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括: 引線框架，包括第一框架和第二框架； 至少一個(gè)第一電子裝置，安裝在第一框架上； 基板，與第二框架接合并且具有形成有布線圖案的一個(gè)表面；以及 至少一個(gè)第二電子裝置，安裝在基板上并且電連接到所述布線圖案， 其中，所述布線圖案的電連接到所述至少一個(gè)第二電子裝置的部分形成為具有比引線框架的內(nèi)部引線的線寬小的線寬。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個(gè)第一電子裝置是功率半導(dǎo)體裝置，所述至少一個(gè)第二電子裝置是控制裝置。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，控制裝置通過引線鍵合或倒裝芯片鍵合電連接到布線圖案。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，控制裝置和功率半導(dǎo)體裝置水平地設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件還包括包封所述至少一個(gè)第一電子裝置和所述至少一個(gè)第二電子裝置的成型單元。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，所述至少一個(gè)第二電子裝置安裝在基板的一個(gè)表面上，并且基板的另一表面暴露在成型單元的外部。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第二框架上設(shè)置有階梯件，并且基板與階梯件接合。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第二框架通過焊料結(jié)合而與基板接合。
9.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括: 引線框架，包括第一框架和第二框架； 第一基板，與第一框架接合并且具有形成有第一布線圖案的一個(gè)表面； 第二基板，與第二框架接合并且具有形成有第二布線圖案的一個(gè)表面；以及 多個(gè)電子裝置，安裝在第一基板和第二基板上， 其中，第一布線圖案和第二布線圖案形成為具有不同的線寬和厚度。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件，其中，第二布線圖案形成為具有比第一布線圖案的線寬小的線寬。
【文檔編號】H01L23/495GK103515328SQ201210323505
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月29日
【發(fā)明者】趙銀貞, 林栽賢, 金泰賢, 孫瑩豪 申請人:三星電機(jī)株式會社