有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的氟化物層、折射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述陽極為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，所述氟化物層的材料選自氟化鎂、氟化鈉、氟化鈣及氟化鋰中的至少一種，所述折射層的材料包括聚3,4-二氧乙烯噻吩及聚苯磺酸鹽，所述聚3,4-二氧乙烯噻吩與所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為2:1~6:1。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的氟化物層、折射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述陽極為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，所述氟化物層的材料選自氟化鎂、氟化鈉、氟化鈣及氟化鋰中的至少一種，所述折射層的材料包括聚3，4- 二氧乙烯噻吩及聚苯磺酸鹽，所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩與所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為2:1-6:1。
[0006]在其中一個實(shí)施例中，所述氟化物層的厚度為lOnm-lOOnm。
[0007]在其中一個實(shí)施例中，所述折射層的厚度為20nm-200nm。
[0008]在其中一個實(shí)施例中，所述空穴注入層的材料選自三氧化鑰、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種。
[0009]在其中一個實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-( 1, 1,7, 7-0甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
[0010]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0011]在陽極的背面旋涂制備折射層，所述陽極為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，所述折射層的材料包括聚3，4-二氧乙烯噻吩及聚苯磺酸鹽，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩與所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為2:1-6:1;
[0012]在所述折射層的表面蒸鍍制備氟化物層，所述氟化物層的材料選自氟化鎂、氟化鈉、氟化鈣及氟化鋰中的至少一種 '及
[0013]在所述陽極的正面依次蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。
[0014]在其中一個實(shí)施例中，所述氟化物層的厚度為lOnnTlOOnm。[0015]在其中一個實(shí)施例中，所述折射層的厚度為20nnT200nm。
[0016]在其中一個實(shí)施例中，所述折射層通過在所述陽極的背面旋涂含有聚3，4-二氧乙烯噻吩及聚苯磺酸鹽的水溶液后干燥形成，其中所述水溶液中所述聚3，4-二氧乙烯噻吩的質(zhì)量百分含量為1%~5%。
[0017]在其中一個實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
[0018]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，通過制備折射層和氟化物層，折射層的折射率大約為1.45，氟化物層的折射率為1.3^1.4，而陽極的玻璃的折射率為1.5^1.6，光線依次從陽極、折射層、氟化物層達(dá)到空氣，避免光線直接從陽極達(dá)到空氣，從而減小了折射率的差值，臨界角得到了增大，沿光線的傳播方向形成了高折射率-低折射率-超低折射率-折射率1.0 (空氣)這種漸變式的傳播方式，降低了總的反射幾率,最終提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率?’聚3，4-二氧乙烯噻吩的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較低，容易結(jié)晶，氟化物層的氟化物為無色結(jié)晶狀化合物，二者結(jié)晶形成的具有一定排列次序的晶體，可以對光線進(jìn)行散射，同時氟化物的晶體為無色，在可見光的范圍內(nèi)的吸收率很低，因此，可以進(jìn)一步提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。 【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0021]圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0023]請參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的氟化物層10、折射層20、陽極30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70及陰極80。
[0024]陽極30為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極30的一面形成有導(dǎo)電層，形成有導(dǎo)電層的一面為正面，沒有形成導(dǎo)電層的一面為背面。氟化物層10及折射層20形成于陽極30的背面，空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70及陰極80形成于陽極30的正面。
[0025]氟化物層10的材料選自氟化鎂(MgF2)、氟化鈉(NaF)、氟化鈣(CaF2)及氟化鋰(LiF)中的至少一種。氟化物層10的厚度為lOnnTlOOnm。
[0026]折射層20的材料包括聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)及聚苯磺酸鹽(PSS)。PEDOT與PSS的質(zhì)量比為2:1~6:1。折射層20的厚度為20nnT200nm。
[0027]空穴注入層40的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nnT80nm,優(yōu)選為40nm。
[0028]空穴傳輸層50的材料選自I, 1-二 [4_[N,N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N’- (1-萘基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為TCTA?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nnT60nm，優(yōu)選為40nm。
[0029]發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為25nm。
[0030]電子傳輸層70的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層70的厚度為40nm~80nm,優(yōu)選為50nm。
[0031]陰極80的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極80的厚度為80nnT250nm，優(yōu)選為lOOnm。
[0032]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，通過制備折射層20和氟化物層10，折射層20的折射率大約為1.45，氟化物層10的折射率為1.3~1.4，而陽極30的玻璃的折射率為1.5~1.6，光線依次從陽極30、折射層20、氟化物層10達(dá)到空氣，避免光線直接從陽極30達(dá)到空氣造成全反射，從而減小了折射率的差值，臨界角得到了增大，沿光線的傳播方向形成了高折射率-低折射率-超低折射率-折射率1.0 (空氣)這種漸變式的傳播方式，降低了總的反射幾率，最終提高了有機(jī)電致發(fā)光器件100的出光效率；聚3，4- 二氧乙烯噻吩的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較低，容易結(jié)晶，氟化物層的氟化物為無色結(jié)晶狀化合物，二者結(jié)晶形成的具有一定排列次序的晶體，可以對光線進(jìn)行散射，同時氟化物的晶體為無色，在可見光的范圍內(nèi)的吸收率很低，因此，可以進(jìn)一步提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
[0033]可以理解，該有機(jī)電 致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0034]請同時參閱圖2，一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0035]步驟S110、在陽極30的背面蒸鍍制備折射層20。
[0036]陽極30為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極30的一面形成有導(dǎo)電層，形成有導(dǎo)電層的一面為正面，沒有形成導(dǎo)電層的一面為背面。
[0037]本實(shí)施方式中，在陽極30的背面蒸鍍折射層20之前先對陽極30進(jìn)行預(yù)處理。對陽極30預(yù)處理為:將陽極30先進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的大小后，依次采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽極30表面的有機(jī)污染物。
[0038]折射層20的材料包括聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)及聚苯磺酸鹽(PSS)。PEDOT與PSS的質(zhì)量比為2:1飛:I。折射層20通過在陽極30的背面旋涂含有聚3，4- 二氧乙烯噻吩及聚苯磺酸鹽的水溶液后干燥形成，其中水溶液中聚3，4-二氧乙烯噻吩的質(zhì)量百分含量為1%~5%，干燥在100°C ~200°C下進(jìn)行，干燥的時間為15分鐘~60分鐘。折射層20的厚度為 20nnT200nm。旋涂轉(zhuǎn)速為 2000_6000rpm，時間為 10_60s。
[0039]步驟S120、在折射層20表面蒸鍍制備氟化物層10。
[0040]氟化物層10由蒸鍍制備。氟化物層10的材料選自氟化鎂(MgF2)、氟化鈉(NaF)、氟化鈣(CaF2)及氟化鋰(LiF)中的至少一種。氟化物層10的厚度為lOnnTlOOnm。蒸鍍壓強(qiáng)為5父10-3~2父10-5?3，速率為0.lnm/s~10nm/s。
[0041]步驟S130、在陽極30的正面依次蒸鍍形成空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70及陰極80。
[0042]空穴注入層40由蒸鍍制備?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nnT80nm，優(yōu)選為40nm。蒸鍍壓強(qiáng)為5X 10-3~2X 10-5Pa，速率為0.lnm/s~10nm/s。
[0043]空穴傳輸層50由蒸鍍制備。空穴傳輸層50的材料選自I, 1-二 [4_[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為TCTA?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nnT60nm，優(yōu)選為40nm。蒸鍍壓強(qiáng)為5 X 10-3~2 X 10_5Pa，速率為0.lnm/s~10nm/so
[0044]發(fā)光層60由蒸鍍制備。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (I, 1,7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選的25nm。蒸鍍壓強(qiáng)為 5父10-3~2\10-5卩3，速率為 0.lnm/s~10nm/s。
[0045]電子傳輸層70由蒸鍍制備。電子傳輸層70的材料選自4，7_ 二苯基_1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層70的厚度為40nnT80nm，優(yōu)選為50nm。蒸鍍壓強(qiáng)為5 X 10-3~2 X 10_5Pa，速率為 0.lnm/s~10nm/s。
[0046]陰極80由蒸鍍制備。陰極80的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極80的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為lOOnm。蒸鍍壓強(qiáng)為5父10-3~2\10-5卩3，速率為 0.lnm/s~10nm/s。
[0047]上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡單；通過制備折射層20和氟化物層10，折射層20的折射率大約為1.45，氟化物層10的折射率為1.3^1.4，而陽極30的玻璃的折射率為1.5^1.6，光線依次從陽極30、折射層20、氟化物層10達(dá)到空氣，避免光線直接從陽極30達(dá)到空氣造成全反射，從而減小了折射率的差值，臨界角得到了增大，沿光線的傳播方向形成了高折射率-低折射率-超低折射率-折射率1.0 (空氣)這種漸變式的傳播方式，降低了總的反射幾率，最終提高了有機(jī)電致發(fā)光器件100的出光效率；聚3，4-二氧乙烯噻吩的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較低，容易結(jié)晶，氟化物層的氟化物為無色結(jié)晶狀化合物，二者結(jié)晶形成的具有一定排列次序的晶體，可以對光線進(jìn)行散射，同時氟化物的晶體為無色，在可見光的范圍內(nèi)的吸收率很低，因此，可以進(jìn)一步提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
[0048]以下結(jié)合具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0049]本發(fā)明實(shí)施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強(qiáng)〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2602)、電致發(fā)光光譜測試儀(美國photo research公司，型號:PR650)以及屏幕亮度計(jì)(北京師范大學(xué)，型號:ST-86LA)。
[0050]實(shí)施例1
[0051]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為MgF2/PED0T:PSS/IT0 玻璃 /Mo03/TCTA/Alq3/TPBi/Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0052]先將ITO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在導(dǎo)電陽極基板背面(與空氣接觸一面)制備復(fù)合折射率層，由PEDOT層與氟化物層組成，所述的PEDOT層采用重量比為5:1的PED0T:PSS水溶液，質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5.3%，通過旋涂的方式制備在導(dǎo)電玻璃背面上，旋涂后在100°C下加熱20min，厚度控制在80nm ;再蒸鍍制備MgF2,厚度為60nm ;蒸鍍空穴注入層:材料為MoO3,厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為40nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為25nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBI，厚度為50nm ;蒸鍍陰極，材料為Ag，厚度為IOOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。旋涂轉(zhuǎn)速為4000rpm，時間為20s，蒸鍍壓強(qiáng)為3X 10_5Pa，速率為2nm/s。
[0053]請參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的結(jié)構(gòu)為MgF2/PED0T:PSS/IT0玻璃/MoO3/TCTA/Alq3/TPBi/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為ITO玻璃/MoO3/TCTA/Alq3/TPBi/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的電流密度與電流效率的關(guān)系。對比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0054]從圖上可以看到，實(shí)施例1的電流效率都比對比例的要大,最大的電流效率為47.6cd/A，而對比例的僅為27.9cd/A，這就說明，本發(fā)明專利通過制備低折射率的材料作為折射率匹配層，使得光線從高聚物到達(dá)氟化物的全反射顯著減少，而光從氟化物再到達(dá)空氣，折射率的差值也變小，因此，臨界角也得到了增大，總的全反射幾率大大降低，最終使發(fā)光效率得到明顯提高。
[0055]以下各個實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的電流效率，在下面不再贅述。
[0056]實(shí)施例2
[0057]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為NaF/PED0T:PSS/AZ0 玻璃 /Mo03/TAPC/ADN/TPBi/Au 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0058]先將AZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在導(dǎo)電陽極基板背面制備復(fù)合折射率層，由PEDOT層與氟化物層組成，所述的PEDOT層采用重量比為2:1的PED0T:PSS水溶液，質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%，通過旋涂的方式制備在導(dǎo)電玻璃背面上，旋涂后在150°C下加熱60min，厚度控制在20nm。然后再蒸鍍制備氟化物層，材料為NaF，厚度為lOOnm。蒸鍍空穴注入層:材料為MoO3,厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN，厚度為IOnm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為75nm ;蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為80nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。旋涂轉(zhuǎn)速為2000rpm，時間為10s，蒸鍍壓強(qiáng)為2X10_5Pa，速率為0.lnm/s。
[0059]實(shí)施例3
[0060]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為LiF/PEDOT:PSS/ITO玻璃/W03/NPB/DCJTB/TAZ/Pt的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0061]先將ITO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在導(dǎo)電陽極基板背面制備復(fù)合折射率層，由PEDOT層與氟化物層組成，所述的PEDOT層采用重量比為6:1的PEDOT:PSS水溶液，質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4%，通過旋涂的方式制備在導(dǎo)電玻璃背面上，旋涂后在20(TC下加熱15min，厚度控制在200nm。然后再蒸鍍制備氟化物層，材料為LiF，厚度為10nm。蒸鍍空穴注入層:材料為WO3，厚度為35nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為55nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為5nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為65nm ;蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為120nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。旋涂轉(zhuǎn)速為6000rpm，時間為60s，蒸鍍壓強(qiáng)為5X10_3Pa，速率為10nm/s。
[0062]實(shí)施例4
[0063]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為CaF2/PEDOT: PSS/IZO 玻璃 /V205/NPB/BCzVBi/Bphen/Al 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0064]先將IZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在導(dǎo)電陽極基板背面制備復(fù)合折射率層，由PEDOT層與氟化物層組成，所述的PEDOT層采用重量比為3:1的PEDOT:PSS水溶液，質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%，通過旋涂的方式制備在導(dǎo)電玻璃背面上，旋涂后在180°C下加熱40min，厚度控制在120nm。然后再蒸鍍制備氟化物層，材料為CaF2，厚度為20nm。蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5，厚度為SOnm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen,厚度為45nm ;然后蒸鍍陰極,材料為Al,厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。旋涂轉(zhuǎn)速為3000rpm，時間為20s，蒸鍍壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，速率為5nm/s。
[0065]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的氟化物層、折射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述陽極為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，所述氟化物層的材料選自氟化鎂、氟化鈉、氟化鈣及氟化鋰中的至少一種，所述折射層的材料包括聚3，4-二氧乙烯噻吩及聚苯磺酸鹽，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩與所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為2:1飛:1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氟化物層的厚度為IOnnTlOOnm0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述折射層的厚度為20nnT200nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料選自三氧化鑰、三氧化鶴及五氧化二fL中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極的背面旋涂制備折射層，所述陽極為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃，所述折射層的材料包 括聚3，4- 二氧乙烯噻吩及聚苯磺酸鹽，所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩與所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為2:1飛:1; 在所述折射層的表面蒸鍍制備氟化物層，所述氟化物層的材料選自氟化鎂、氟化鈉、氟化鈣及氟化鋰中的至少一種；及 在所述陽極的正面依次蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述氟化物層的厚度為10nm~100nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述折射層的厚度為20nm~200nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述折射層通過在所述陽極的背面旋涂含有聚3，4- 二氧乙烯噻吩及聚苯磺酸鹽的水溶液后干燥形成，其中所述水溶液中所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩的質(zhì)量百分含量為1%~5%。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃、.9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
【文檔編號】H01L51/52GK103682125SQ201210319805
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 鐘鐵濤 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司