有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、散射層及陰極，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的金屬，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種。上述有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術】[0002]有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，當發(fā)光層的發(fā)光材料與陰極比較接近的時候，發(fā)光材料會與陰極產生耦合，對激子造成了損失(表面等離子激元波)，導致激子復合幾率降低，從而降低了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。

【發(fā)明內容】

[0004]基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]—種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、散射層及陰極，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的金屬，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
[0006]在其中一個實施例中,所述散射層的厚度為2nm~30nm。
[0007]在其中一個實施例中，所述散射層中所述金屬的質量百分含量為1%~20%。
[0008]在其中一個實施例中，所述陰極的材料選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
[0009]在其中一個實施例中，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β -亞萘基蒽、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1' -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
[0010]在其中一個實施例中，所述電子傳輸層的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
[0011]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0012]在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層；
[0013]在所述電子傳輸層表面蒸鍍形成散射層，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的金屬，所述主體材料與所述金屬分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，蒸鍍在真空壓力為2X 10-3~2Χ KT5Pa下進行,所述主體材料蒸鍍速率為0.05nm/s~0.5nm/s，所述金屬蒸鍍速率范圍為lnm/s~5nm/s，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種；及
[0014]在所述散射層表面形成陰極。
[0015]在其中一個實施例中,所述散射層的厚度為2nm~30nm。
[0016]在其中一個實施例中，所述散射層中所述金屬的質量百分含量為1%~20%。[0017]在其中一個實施例中，所述陰極的材料選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
[0018]上述有機電致發(fā)光器件及其制備方法，在電子傳輸層與陰極之間制備一層摻雜的散射層，利用金屬進行摻雜，金屬成膜性較好，蒸鍍較易控制，通過加入金屬，可以使散射層的膜層呈現(xiàn)連續(xù)的島狀結構，有利于光的散射；而散射層的主體材料結晶后，可形成有序的晶體結構，會對光有強烈的散射作用，使光線重新分布，避免了發(fā)光層的發(fā)光材料與陰極的自由電子產生耦合，降低了產生表面等離子激元波的幾率，從而能提高發(fā)光效率；同時在散射層摻雜金屬，可以對主體材料的結晶程度進行調節(jié)，避免整個散射層全部結晶。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；
[0020]圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0021]圖3為實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關系圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結合附圖和具體實施例對有機電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。
[0023]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊的陽極10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50、散射層60及陰極70。
[0024]陽極10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。
[0025]空穴注入層20形成于陽極10表面?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為W03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nm ?80nm,優(yōu)選為 40nm。
[0026]空穴傳輸層30形成于空穴注入層20的表面。空穴傳輸層30的材料選自I, 1-二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB。空穴傳輸層30的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為40nm。
[0027]發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉招(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層40的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為15nm。
[0028]電子傳輸層50形成于發(fā)光層40的表面。電子傳輸層50的材料選自4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層50的厚度為40nm?80nm,優(yōu)選為60nm。
[0029]散射層60形成于電子傳輸層50表面。散射層60的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的金屬。主體材料選自酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、酞菁鎂(MgPc)及酞菁鑰；(V2Pc5)中的至少一種。金屬選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種。散射層60中金屬的質量百分含量為1%?20%。散射層60的厚度為2nm?30nm。
[0030]陰極70形成于散射層60表面。陰極70的材料為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au),優(yōu)選為Ag。陰極70的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選為lOOnm。[0031]上述有機電致發(fā)光器件100通過設置散射層60，在電子傳輸層50與陰極70之間制備一層摻雜的散射層60，利用金屬進行摻雜，金屬成膜性較好，蒸鍍較易控制，通過加入金屬，可以使散射層60的膜層呈現(xiàn)連續(xù)的島狀結構,有利于光的散射；而散射層60的主體材料結晶后，可形成有序的晶體結構，會對光有強卜的散射作用，使光線重新分布，避免了發(fā)光層40的發(fā)光材料與陰極70的自由電子產生耦合，降低了產生表面等離子激元波的幾率，從而能提高發(fā)光效率；同時在散射層60摻雜金屬，可以對主體材料的結晶程度進行調節(jié)，避免整個散射層60全部結晶，從而可以避免因為結晶程度過高產生電子缺陷。
[0032]可以理解，該有機電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設置其他功能層。
[0033]請同時參閱圖2，一實施例的有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0034]步驟S110、在陽極10表面依次形成空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40及電子傳輸層50澹
[0035]陽極10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。
[0036]本實施方式中，在陽極10表面形成空穴注入層20、空穴傳輸層30及發(fā)光層40之前先對陽極10進行前處理，前處理包括去除陽極10表面的有機污染物及對陽極10進行等氧離子處理。將陽極10進行光刻處理，裁成所需要的大小，采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽極10表面的有機污染物；對陽極10進行等氧離子處理時間為5min?15min，功率為10?50W。
[0037]空穴注入層20形成于陽極10的表面?？昭ㄗ⑷雽?0由蒸鍍制備。空穴注入層20的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為WO3O空穴注入層20的厚度為20nm?80nm，優(yōu)選為40nm。蒸鍍在真空壓力為2 X 10_3?2 X 10 5Pa 下，蒸鍍速率為 0.lnm/s ?IOnm/S0
[0038]空穴傳輸層30形成于空穴注入層20的表面?？昭ň彌_層30由蒸鍍制備?？昭▊鬏攲?0的材料選自1，1_ 二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4,4/，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N’-(1-萘基)-N，N’_ 二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為40nm。蒸鍍在真空壓力為2X ICT3?2X ICT5Pa下，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s。
[0039]發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40由蒸鍍制備。發(fā)光層40的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4,-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層40的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為15nm。蒸鍍在真空壓力為2X ICT3?2X ICT5Pa下,蒸鍍速率為0.lnm/s?IOnm/S。
[0040]電子傳輸層50形成于發(fā)光層40的表面。電子傳輸層50由蒸鍍制備。電子傳輸層50的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層50的厚度為40nm?80nm，優(yōu)選為60nm。蒸鍍在真空壓力為2X ICT3?2X ICT5Pa下，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s。
[0041]步驟S120、在電子傳輸層50表面蒸鍍形成散射層60。[0042]散射層60形成于電子傳輸層50的表面。散射層60由蒸鍍制備。散射層60的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的金屬。主體材料選自酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、酞菁鎂(MgPc)及酞菁I凡(V2Pc5)中的至少一種。金屬選自銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種。散射層60中金屬的質量百分含量為1%~20%。散射層60的厚度為2nm~30nm。蒸鍍時，主體材料與金屬分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，達到摻雜狀態(tài)。蒸鍍在真空壓力為2X 10_3~2X 10_5Pa下，主體材料蒸鍍速率為0.05nm/s~0.5nm/s,金屬蒸鍍速率范圍為lnm/s~5nm/s。
[0043]步驟S130、在散射層60表面形成陰極70。
[0044]陰極70由蒸鍍制備。陰極70的材料為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，優(yōu)選為Ag。陰極70的厚度為80nm~250nm,優(yōu)選為lOOnm。蒸鍍在真空壓力為2X 10-3~2Χ KT5Pa下，蒸鍍速率為2nm/s~10nm/s。
[0045]上述有機電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡單，制備的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效
率較高。
[0046]以下結合具體實施例對本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法進行詳細說明。
[0047]本發(fā)明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜設備(沈陽科學儀器研制中心有限公司，壓強〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2602)、電致發(fā)光光譜測試儀(美國photo research公司，型號:PR650)以及屏幕亮度計(北京師范大學，型號:ST-86LA)。
[0048]實施例1
[0049]本實施例制備的結構為IT0/W03/NPB/Alq3/TAZ/CuPc:Ag/Ag的有機電致發(fā)光器件。`
[0050]先將ITO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；清洗干凈后對導電基底進行合適的處理:氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W;蒸鍍空穴注入層，材料為WO3，厚度為40nm;蒸鍍空穴傳輸層，材料為NPB，厚度為80nm;發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為15nm ;電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為60nm ;然后熱蒸鍍摻雜的散射層，材料為CuPc: Ag，CuPc與Ag分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，達到摻雜狀態(tài)，蒸鍍在真空壓力為5 X 10_4Pa下，CuPc蒸鍍速率為0.2nm/s, Ag蒸鍍速率范圍為2nm/s，摻雜比例為10%，厚度為15nm ;蒸鍍陰極，材料為Ag，厚度為IOOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍在真空壓力為2 X 10_5Pa下，有機材料蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬陰極蒸鍍速率為5nm/s。
[0051]請參閱圖3，所示為實施例1中制備的結構為IT0/W03/NPB/Alq3/TAZ/CuPc:Ag/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結構為IT0/W03/NPB/Alq3/TAZ/TPBi/LiF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線2)的亮度與流明效率的關系。對比例制備的有機電致發(fā)光器件中各層厚度與實施例1相同，而TPBi的厚度為60nm，LiF的厚度為0.7nm。
[0052]從圖上可以看到，在不同的亮度下，實施例1的流明效率都比對比例的要大，實施例I制備的有機電致發(fā)光器件的最大的流明效率為25.llm/W，而對比例的有機電致發(fā)光器件的僅為19.01m/W，而且對比例的有機電致發(fā)光器件的流明效率隨著亮度的增大而快速下降，這就說明，在電子傳輸層與金屬電極之間制備一層摻雜的散射層，利用金屬進行摻雜，金屬成膜性較好，蒸鍍較易控制，可形成不同的表面形態(tài)，通過加入金屬，可以使散射層的膜層呈現(xiàn)連續(xù)的島狀結構，有利于光的散射，從而能提高發(fā)光效率。
[0053]以下各個實施例制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0054]實施例2
[0055]本實施例制備的結構為AZ0/W03/NPB/BCzVBi/TPBi/MgPc:Al/Au的有機電致發(fā)光器件。
[0056]先將AZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清洗干凈后對導電基底進行合適的處理:氧等離子處理，處理時間為5-15min，功率為10-50W ;蒸鍍空穴注入層，材料為WO3，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為NPB，厚度為80nm ;蒸鍍發(fā)光層，所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為65nm ;然后熱蒸鍍摻雜的散射層，材料為MgPc:Al，MgPc與Al分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，達到摻雜狀態(tài)，蒸鍍在真空壓力為2X10_3Pa下，MgPc蒸鍍速率為0.5nm/s,Al蒸鍍速率范圍為2nm/s，摻雜比例為1%，厚度為30nm ;蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為80nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍在真空壓力為2X KT3Pa下，有機材料蒸鍍速率為0.lnm/s,金屬陰極蒸鍍速率為lOnm/s。
[0057]實施例3
[0058]本實施例制備的結構為IT0/MO03/TCTA/DCJTB/TAZ/V2Pc5:Au/A1的有機電致發(fā)光器件。
[0059]先將ITO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清洗干凈后對導電基底進行合適的處理:氧等離子處理，處理時間為5-15min，功率為10-50W ;蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3，厚度為80nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為TCTA，厚度為20nm ;蒸鍍發(fā)光層，所選材料為DCJTB，厚度為7nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為35nm ;然后熱蒸鍍摻雜的散射層，材料為V2Pc5:Au，V2Pc5與Au分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，達到摻雜狀態(tài)，蒸鍍在真空壓力為2X 10_4Pa下，V2Pc5蒸鍍速率為0.05nm/s, Au蒸鍍速率范圍為5nm/s，摻雜比例為20%，厚度為2nm ;蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍在真空壓力為5X KT5Pa下，有機材料蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬陰極蒸鍍速率為3nm/s。
[0060]實施例4
[0061]本實施例制備的結構為IZ0/V205/TAPC/ADN/Bphen/ZnPc:Pt/Pt的有機電致發(fā)光器件。
[0062]先將IZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，清洗干凈后對導電基底進行合適的處理:氧等離子處理，處理時間為5-15min，功率為10-50W ;蒸鍍空穴注入層，材料為V2O5，厚度為25nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為TAPC，厚度為55nm ;蒸鍍發(fā)光層,所選材料為ADN,厚度為15nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為55nm ;然后熱蒸鍍摻雜的散射層，材料為ZnPc:Pt，ZnPc與Pt分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，達到摻雜狀態(tài)，蒸鍍在真空壓力為5X 10_4Pa下，ZnPc蒸鍍速率為0.lnm/s, Pt蒸鍍速率范圍為2.5nm/s，摻雜比例為8%，厚度為25nm ;蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為IOOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍在真空壓力為5X KT4Pa下，有機材料蒸鍍速率為0.Snm/S,金屬陰極蒸鍍速率為6nm/s。
[0063]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，其特征在于，所述有機電致發(fā)光器件還包括形成于所述電子傳輸層及所述陰極之間的散射層，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的金屬，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層的厚度為2nm~30nmo
3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述散射層中所述金屬的質量百分含量為1%~20%。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的材料選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
5.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1‘ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
6.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
7.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層； 在所述電子傳輸層表面蒸鍍形成散射層，所述散射層的材料包括主體材料及摻雜在所述主體材料中的金屬，所述主體材料與所述金屬分別在兩個蒸發(fā)舟中進行蒸發(fā)，蒸鍍在真空壓力為2X 10-3~2Χ KT5Pa下進行,所述主體材料蒸鍍速率為0.05nm/s~0.5nm/s,所述金屬蒸鍍速率范圍為lnm/s~5nm/s，所述主體材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種；及 在所述散射層表面形成陰極。
8.根據(jù)權利要求7所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述散射層的厚度為2nm~30nm。
9.根據(jù)權利要求7所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述散射層中所述金屬的質量百分含量為1%~20%。
10.根據(jù)權利要求7所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述陰極的材料選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
【文檔編號】H01L51/56GK103682124SQ201210319796
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年8月31日 優(yōu)先權日:2012年8月31日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司