有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、聚苯乙烯層、金屬氧化物層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述金屬氧化物層的材料選自氧化銀、三氧化鎢、氧化鎂及五氧化二釩中的至少一種。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、聚苯乙烯層、金屬氧化物層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述金屬氧化物層的材料選自氧化銀、三氧化鶴、氧化鎂及五氧化二fL中的至少一種。
[0006]在其中一個實(shí)施例中，所述聚苯乙烯層的厚度為50nnTl00nm。
[0007]在其中一個實(shí)施例中，所述金屬氧化物層的厚度為20nnTl00nm。
[0008]在其中一個實(shí)施例中，所述玻璃基底的折射率為1.35^1.55。
[0009]在其中一個實(shí)施例中，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物。
[0010]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0011]在玻璃基底的一側(cè)表面旋涂制備聚苯乙烯層；
[0012]在所述聚苯乙烯層表面蒸鍍制備金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料選自氧化銀、三氧化鎢、氧化鎂及五氧化二釩中的至少一種；及
[0013]在所述金屬氧化物層表面依次制備陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。
[0014]在其中一個實(shí)施例中，所述聚苯乙烯層的厚度為50nnTl00nm。
[0015]在其中一個實(shí)施例中，所述金屬氧化物層的厚度為20nnTl00nm。
[0016]在其中一個實(shí)施例中，所述聚苯乙烯層通過在所述玻璃基底的表面旋涂含有聚苯乙烯的溶液后干燥形成，所述溶液中所述聚苯乙烯的質(zhì)量百分含量為10%飛0%。
[0017]在其中一個實(shí)施例中，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物，所述陽極由磁控濺射制備。
[0018]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，通過在玻璃基底上設(shè)置聚苯乙烯層，聚苯乙烯層的折射率約為1.55，玻璃基底的折射率約為1.5，二者的折射率相近，這樣從聚苯乙烯層到玻璃基底之間的全反射效應(yīng)就會減少，金屬氧化物層的折射率為1.6^1.7，陽極的折射率為1.8^1.9，二者相差不大，從而光線從折射率為1.8^1.9的陽極先達(dá)到折射率為1.6~1.7的金屬氧化物層，再達(dá)到折射率為1.55的聚苯乙烯層，最后達(dá)到折射率為1.5的玻璃基底，每層之間的折射率的差別較小，因此全反射的臨界角都比較大，不易發(fā)生全反射，從而有機(jī)電致發(fā)光器件整體的全反射的比例減低，出光效率較高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0021]圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0023]請參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的玻璃基底10、聚苯乙烯層20、金屬氧化物層30、陽極40、空穴注入層50、空穴傳輸層60、發(fā)光層70、電子傳輸層80及陰極90。
[0024]玻璃基底10的折射率為1.35~1.55。
[0025]聚苯乙烯層20的厚度為50nm~lOOnm。聚苯乙烯層20的折射率約為1.55。
[0026]金屬氧化物層30的材料選自氧化銀(Ag20)、三氧化鎢(W03)、氧化鎂(MgO)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種。金屬氧化物層30的厚度為20nnT200nm。金屬氧化物層30的折射率為1.6^1.7，在可見光范圍內(nèi)透過率大于85%。
[0027]陽極40的材料為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極的厚度為80nnT250nm，優(yōu)選為150nm。
[0028]空穴注入層50的材料選自氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為W03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nnT80nm，優(yōu)選為60nm。
[0029]空穴傳輸層60的材料選自I, 1-二 [4_[N,N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N’- (1-萘基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為TCTA。空穴傳輸層60的厚度為20nnT60nm，優(yōu)選為40nm。
[0030]發(fā)光層70的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為BCzVBi。發(fā)光層70的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為30nm。
[0031]電子傳輸層80的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層80的厚度為40nm~80nm,優(yōu)選為50nm。
[0032]陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Au。陰極90的厚度為80nnT250nm，優(yōu)選為lOOnm。
[0033]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，通過在玻璃基底10上設(shè)置聚苯乙烯層20，聚苯乙烯層20的折射率約為1.55，玻璃基底10的折射率約為1.5，二者的折射率相近，這樣從聚苯乙烯層20到玻璃基底10之間的全反射效應(yīng)就會減少，金屬氧化物層30的折射率為
1.6^1.7，陽極40的折射率為1.8^1.9，二者相差不大，從而光線從折射率為1.8^1.9的陽極40先達(dá)到折射率為1.6^1.7的金屬氧化物層30，再達(dá)到折射率為1.55的聚苯乙烯層20，最后達(dá)到折射率為1.5的玻璃基底10，每層之間的折射率的差別較小，因此全反射的臨界角都比較大，不易發(fā)生全反射，從而有機(jī)電致發(fā)光器件100整體的全反射的比例減低，出光效率較高。
[0034]可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0035]請同時參閱圖2，一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0036]步驟S110、在玻璃基底10的一側(cè)表面旋涂制備聚苯乙烯層20。
[0037]玻璃基底10的折射率為1.35~1.55。
[0038]本實(shí)施方式中，在玻璃基底10的一側(cè)表面旋涂制備聚苯乙烯層20之前先對玻璃基底10進(jìn)行預(yù)處理。對玻璃基底10預(yù)處理為:將玻璃基底10先進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的大小后，依次采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除玻璃基底10表面的有機(jī)污染物。
[0039]聚苯乙烯層20通過在所述玻璃基底10的表面旋涂含有聚苯乙烯的溶液后干燥形成。溶液中的溶劑選自四氫呋喃、N，N-二甲基甲酰胺及甲苯中的至少一種，優(yōu)選為四氫呋喃。聚苯乙烯(PS)的分子量為2萬~10萬。溶液中聚苯乙烯的質(zhì)量百分含量為10%-60%。干燥在100°C ~20(TC下進(jìn)行，干燥的時間為5分鐘飛O分鐘。聚苯乙烯層20的厚度為50nnTl00nm。聚苯乙烯層20的折射率約為1.55。旋涂轉(zhuǎn)速為3000rpm-6000rpm，時間為IOs~60s。
[0040]步驟S120、在聚苯乙烯層20表面蒸鍍制備金屬氧化物層30。
[0041]金屬氧化物層30的材料選自氧化銀(Ag20)、三氧化鶴(W03)、氧化鎂(MgO)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種。金屬氧化物層30的厚度為20nnT200nm。金屬氧化物層30的折射率為1.6~1.7，在可見光范圍內(nèi)透過率大于85%。蒸鍍時，壓強(qiáng)為5X10-3Pa~2X10_5Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s~5nm/s。
[0042]步驟S130、在金屬氧化物層30的表面依次制備陽極40、空穴注入層50、空穴傳輸層60、發(fā)光層70、電子傳輸層80及陰極90。
[0043]陽極40的材料為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為150nm。陽極40由磁控派射制備。磁控派射時，壓強(qiáng)為為I(T5PaH
[0044]空穴注入層50由蒸鍍制備。空穴注入層50的材料選自氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為W03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nnT80nm，優(yōu)選為60nm。蒸鍍時，壓強(qiáng)為5X l(T3Pa~2X l(T5Pa，蒸鍍速率為0.5nm/s~5nm/s。
[0045]空穴傳輸層60由蒸鍍制備。空穴傳輸層60的材料選自I, 1-二 [4_[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán) 己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為TCTA?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nnT60nm，優(yōu)選為40nm。蒸鍍時，壓強(qiáng)為5 X 10_3Pa~2 X 10_5Pa，蒸鍍速率為 0.5nm/s~5nm/s。
[0046]發(fā)光層70由蒸鍍制備。發(fā)光層70的材料選自4- (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8_羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為BCzVBi。發(fā)光層70的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選的30nm。蒸鍍時,壓強(qiáng)5 X 10 3Pa~2 X 10 5Pa,蒸鍛速率為 0.5nm/s~5nm/s。
[0047]電子傳輸層80由蒸鍍制備。電子傳輸層80的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TAZ。電子傳輸層80的厚度為40nnT80nm,優(yōu)選為50nm。蒸鍍時，壓強(qiáng)為5 X 10 3Pa~2 X 10 5Pa,蒸鍛速率為 0.5nm/s~5nm/s。
[0048]陰極90由蒸鍍制備。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Au。陰極90的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為lOOnm。蒸鍍時，壓強(qiáng)為5 X KT3Pa~2 X l(T5Pa，蒸鍍速率為 lnm/s~10nm/s。
[0049]上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡單；通過在玻璃基底10上設(shè)置聚苯乙烯層20，聚苯乙烯層20的折射率約為1.55，玻璃基底10的折射率約為1.5，二者的折射率相近，這樣從聚苯乙烯層20到玻璃基底10之間的全反射效應(yīng)就會減少，金屬氧化物層30的折射率為1.6^1.7，陽極40的折射率為1.8^1.9，二者相差不大，從而光線從折射率為1.8^1.9的陽極40先達(dá)到折射率為1.6^1.7的金屬氧化物層30，再達(dá)到折射率為1.55的聚苯乙烯層20，最后達(dá)到折射率為1.5的玻璃基底10，每層之間的折射率的差別較小，因此全反射的臨界角都比較大，不易發(fā)生全反射，從而有機(jī)電致發(fā)光器件100整體的全反射的比例減低，出光效率較高；通過在聚苯乙烯層表面蒸鍍制備金屬氧化物層，避免磁控濺射制備陽極時的高能量對聚苯乙烯層的聚合物鏈段造成破壞，從而可以保護(hù)聚苯乙烯層。
[0050]以下結(jié)合具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
`[0051]本發(fā)明實(shí)施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強(qiáng)〈IX 10_3Pa)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2602)、電致發(fā)光光譜測試儀(美國photo research公司，型號:PR650)以及屏幕亮度計(jì)(北京師范大學(xué)，型號:ST-86LA)。
[0052]實(shí)施例1
[0053]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃/PS/W03/IT0/W03/TCTA/BCzVBi/TAZ/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0054]先將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在基板制備折射率漸變層，由聚苯乙烯層與金屬氧化物層組成。聚苯乙烯層由聚苯乙烯四氫呋喃溶液通過旋涂的方式制備在玻璃基板上形成，聚苯乙烯的分子量為7萬，聚苯乙烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50%，旋涂后在100°C下加熱5min，厚度控制在70nm;金屬氧化物層的材料為WO3，蒸鍍制備，厚度為150nm;制備陽極、采用磁控濺射制備，材料為ΙΤ0，厚度為150nm ;蒸鍍空穴注入層:材料為W03，厚度為60nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為40nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為30nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為50nm;蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為IOOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍壓強(qiáng)為5 X 10_5Pa，金屬陰極的蒸鍍速率為5nm/s，其他層的蒸鍍速率為2nm/s，，旋涂PS的轉(zhuǎn)速為4500rpm,時間為 15s。
[0055]請參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的結(jié)構(gòu)為玻璃/PS/W03/IT0/W03/TCTA/BCzVBi/TAZ/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為玻璃/ITO/WO/TCTA/BCzVBi/TAZ/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的電流密度與流明效率的關(guān)系。對比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0056]從圖上可以看到，實(shí)施例1的流明效率都比對比例的要大，最大的流明效率為
19.llm/W，而對比例的僅為13.61m/W，這就說明，本發(fā)明專利通過制備兩種低折射率的材料使在導(dǎo)電陽極與玻璃基板的折射率逐漸變小，光線從折射率為1.9的陽極先到達(dá)1.7的金屬氧化物，再到達(dá)1.55折射率的聚苯乙烯，最后到達(dá)折射率為1.5的玻璃基底，每層之間的折射率差別較小，因此，全反射的臨界角都比較大，總的全反射比例降低，因此，出光效率得到加強(qiáng)，而金屬氧化物的存在，可以很好的保護(hù)聚苯乙烯層，避免了由于缺陷的存在而造成的光線損失，有利于出光效率的加強(qiáng)。。
[0057]以下各個實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0058]實(shí)施例2
[0059]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃/PS/Ag20/AZ0/Mo03/TAPC/ADN/TPBi/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0060]先將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在基板制備折射率漸變層，由聚苯乙烯層與金屬氧化物層組成。聚苯乙烯層由聚苯乙烯四氫呋喃溶液通過旋涂的方式制備在玻璃基板上形成，聚苯乙烯的分子量為2萬，聚苯乙烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為60%，旋涂后在100°C下加熱5min，厚度控制在50nm ;金屬氧化物層的材料為Ag2O,蒸鍍制備，厚度為200nm ;制備陽極、采用磁控濺射制備，材料為ΑΖ0，厚度為250nm ;蒸鍍空穴注入層:材料為MoO3,厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN，厚度為IOnm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為75nm ;蒸鍍陰極，材料為Ag，厚度為SOnm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍壓強(qiáng)為5X10_3Pa，金屬陰極的蒸鍍速率為lnm/s，其它層的蒸鍍速率為0.5nm/s，旋涂PS的轉(zhuǎn)速為6000rpm,時間為 60s。
[0061]實(shí)施例3
[0062]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃/PS/Mg0/IZ0/V205/NPB/DCJTB/Bphen/Pt的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0063]先將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在基板制備折射率漸變層，由聚苯乙烯層與金屬氧化物層組成。聚苯乙烯層由聚苯乙烯四氫呋喃溶液通過旋涂的方式制備在玻璃基板上形成，聚苯乙烯的分子量為10萬，聚苯乙烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，旋涂后在200°C下加熱60min，厚度控制在IOOnm ;金屬氧化物層的材料為MgO，蒸鍍制備，厚度為20nm;制備陽極、采用磁控濺射制備，材料為ΙΖ0，厚度為80nm ;蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5,厚度為45nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為55nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為5nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen，厚度為75nm;蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為120nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍壓強(qiáng)為2X10_5Pa，金屬陰極的蒸鍍速率為lOnm/s，其他層的蒸鍍速率為5nm/s，旋涂PS的轉(zhuǎn)速為3000rpm，時間為 10s。
[0064]實(shí)施例4
[0065]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃/PS/V205/AZ0/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0066]先將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物，然后在基板制備折射率漸變層，由聚苯乙烯層與金屬氧化物層組成。聚苯乙烯層由聚苯乙烯四氫呋喃溶液通過旋涂的方式制備在玻璃基板上形成，聚苯乙烯的分子量為3萬，聚苯乙烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%，旋涂后在70°C下加熱20min，厚度控制在80nm ;金屬氧化物層的材料為V2O5，蒸鍍制備，厚度為180nm ;制備陽極、采用磁控濺射的方法制備，材料為ΑΖ0，厚度為120nm ;蒸鍍空穴注入層:材料為MoO3,厚度為80nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為45nm ;然后蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍壓強(qiáng)為3X10_5Pa，金屬陰極的蒸鍍速率為2nm/s，其它層的蒸鍍速率為3nm/s，，旋涂PS的轉(zhuǎn)速為4000rpm，時間為20s。
[0067]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、聚苯乙烯層、金屬氧化物層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極，所述金屬氧化物層的材料選自氧化銀、三氧化鎢、氧化鎂及五氧化二釩中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述聚苯乙烯層的厚度為50nm~100nmo
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬氧化物層的厚度為 20nm~lOOnm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為.1.35^1.55。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的材料為銦錫氧化物、招鋅氧化物或銦鋅氧化物。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底的一側(cè)表面旋涂制備聚苯乙烯層； 在所述聚苯乙烯層表面蒸鍍制備金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材料選自氧化銀、三氧化鎢、氧化鎂及五氧化二釩中的至少一種；及 在所述金屬氧化物層表面依次制備陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述聚苯乙烯層的厚度為50nm-lOOnm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述金屬氧化物層的厚度為20nm-100nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述聚苯乙烯層通過在所述玻璃基底的表面旋涂含有聚苯乙烯的溶液后干燥形成，所述溶液中所述聚苯乙烯的質(zhì)量百分含量為10%~60%。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物，所述陽極由磁控濺射制備。
【文檔編號】H01L51/52GK103682122SQ201210319349
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司