利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法。該方法首先在第一襯底上依次外延生長超薄摻雜單晶薄膜和超薄頂層薄膜，并通過離子注入和鍵合工藝，制備出高質(zhì)量的超薄絕緣體上材料。所制備的超薄絕緣體上材料的厚度范圍為5~50nm。本發(fā)明利用超薄摻雜單晶薄膜對其下注入離子的吸附作用，形成微裂紋以致剝離，剝離后絕緣體上材料表面粗糙度小。此外，雜質(zhì)原子增強(qiáng)了超薄單晶薄膜對離子的吸附能力，得以降低制備過程中的離子注入劑量和退火溫度，有效減輕了頂層薄膜中注入的損傷，達(dá)到了提高生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本的目的。
【專利說明】利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子與固體電子學(xué)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，絕緣體上硅(SOI)材料以其獨特的絕緣埋層結(jié)構(gòu)，能降低襯底的寄生電容和漏電電流，在低壓、低功耗、高溫、抗輻射器件等諸多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。絕緣體上硅在相關(guān)領(lǐng)域中應(yīng)用技術(shù)已經(jīng)非常成熟，絕緣體上應(yīng)變硅(SSOI)也日益得到了相關(guān)技術(shù)人員的重視，絕緣體上鍺硅(SG0I)結(jié)合了鍺硅材料和絕緣體上硅的優(yōu)勢，不僅能減小襯底的寄生電容和漏電電流，還能提高載流子遷移率，同樣得到了廣泛的關(guān)注。制備更小尺寸、更高性能的器件一直是半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的目標(biāo)和方向，隨著超大規(guī)模集成電路技術(shù)進(jìn)入到22nm節(jié)點及以下，對集成電路的特征尺寸提出了更高要求。為了使基于絕緣上材料的器件進(jìn)一步縮微化，就要求絕緣體上材料的厚度更薄，超薄絕緣體上材料應(yīng)運而生。
[0003]通常絕緣體上材料需要通過材料的制備和層轉(zhuǎn)移兩個過程得到，比較常見的層轉(zhuǎn)移實現(xiàn)技術(shù)是鍵合和剝離工藝。而傳統(tǒng)的智能剝離方法剝離面很厚，剝離裂紋大，剝離后得到的絕緣體上材料表面很粗糙，難以制備超薄的絕緣體上材料；并且由于需要較高的注入劑量，不僅增加了生產(chǎn)時間和成本，還對晶體損傷較大，制備出高質(zhì)量的超薄絕緣體上材料難度更大。
[0004]因而，如何提供一種低成本的制備高質(zhì)量超薄絕緣體上材料的方法，實已成為本領(lǐng)域從業(yè)者亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中難以制備高質(zhì)量超薄絕緣體上材料的問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于，所述制備方法至少包括以下步驟:
[0007]a)提供第一襯底，在所述第一襯底上依次外延生長一摻雜單晶薄膜和一頂層薄膜；
[0008]b)進(jìn)行離子注入，使離子注入到所述摻雜單晶薄膜與硅襯底的界面以下預(yù)設(shè)深度；
[0009]c)提供具有絕緣層的第二襯底，將所述絕緣層與所述頂層薄膜鍵合，然后對樣品進(jìn)行第一退火階段，使所述摻雜單晶薄膜吸附離子并形成微裂紋，從而實現(xiàn)剝離；
[0010]d)進(jìn)行化學(xué)腐蝕或化學(xué)機(jī)械拋光，去除殘余的所述摻雜單晶薄膜，以獲得超薄絕緣體上材料。
[0011]可選地，于所述步驟a)中還包括在所述摻雜單晶薄膜上外延生長一緩沖層的步驟，以及于所述步驟d)中還包括去除殘余的緩沖層及摻雜單晶薄膜的步驟。
[0012]可選地，所述緩沖層的材料選自S1、Ge、SiGe、SiGeC、GaAs、AlGaAs、InGaP 或 InP中任意一種。
[0013]可選地，所述緩沖層的厚度不超過其在所述摻雜單晶薄膜上生長的臨界厚度。
[0014]可選地，于所述步驟a)中，所述摻雜單晶薄膜為單層薄膜，所述單層薄膜的材料選自S1、Ge、SiGe、SiGeC、GaAs、AlGaAs、InGaP或InP中任意一種,其中，生長單層薄膜的同時通入摻雜氣體，形成單層的摻雜單晶薄膜。
[0015]可選地，所述單層的摻雜單晶薄膜的厚度范圍為:TlO nm。
[0016]可選地，于所述步驟a)中，所述摻雜單晶薄膜為多層薄膜，所述多層薄膜由多個雙層薄膜疊加而成，所述雙層薄膜的材料選自Si/Ge、Si/SiGe、Ge/SiGe、Ge/GaAs、GaAs/AlGaAs或InP/InGa中任意一種，其中，生長多層薄膜的同時通入摻雜氣體，形成多層的摻雜單晶薄膜。
[0017]可選地，所述多層的摻雜單晶薄膜總厚度小于10 nm。
[0018]可選地，所述摻雜單晶薄膜中，雜質(zhì)元素為B、P、Ga、As、Sb、In或C。
[0019]可選地，所述摻雜單晶薄膜中，雜質(zhì)元素的濃度為1E19?1E22 cm_3。
[0020]可選地，所述頂層薄膜的材料選自S1、Ge、SiGe、SiGeC、GaAs、AlGaAs、InGaP或InP中任意一種。
[0021]可選地,所述頂層薄膜的厚度范圍是5?50 nm。
[0022]可選地，所述步驟b)中采用H離子注入，或H與He離子共同注入。
[0023]可選地,所述步驟b)中離子注入劑量是3E16?6E16 cnT2。
[0024]可選地，所述步驟b)中，所述預(yù)設(shè)深度為30?120 nm。
[0025]可選地，于所述步驟c)中，所述鍵合采用等離子強(qiáng)化鍵合法。
[0026]可選地，于所述步驟c)中，所述鍵合采用直接鍵合法，并且還包括在所述第一退火階段以致剝離之后進(jìn)行第二退火階段的步驟，以加強(qiáng)所述絕緣層與所述頂層薄膜的鍵
口 ο
[0027]如上所述，本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，具有以下有益效果:利用超薄摻雜單晶薄膜對注入離子的吸附作用，形成微裂紋以致剝離，剝離裂紋發(fā)生在超薄層處，裂紋很小，剝離后絕緣體上材料表面粗糙度小，且離子被超薄層有效吸附，分布更均勻，從而使得到的絕緣體上材料或絕緣體上改性材料中缺陷更少，此外，雜質(zhì)增強(qiáng)了超薄單晶薄膜對離子的吸附能力，使離子的注入劑量能夠更低，剝離的退火溫度也更低，有效降低了對絕緣體上材料的損傷，并降低了成本，達(dá)到制備高質(zhì)量超薄絕緣體上材料的目的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例一步驟一中所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖2顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例一步驟二中離子注入的示意圖。
[0030]圖3顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例一步驟三中具有絕緣層的第二襯底的示意圖。
[0031]圖4顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例一步驟三中鍵合之后所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖5顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例一步驟四中超薄絕緣體上材料上殘余摻雜單晶薄膜時的示意圖。
[0033]圖6顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例一步驟四中超薄絕緣體上材料的示意圖。
[0034]圖7顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例二步驟一中所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖8顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例二中離子注入的示意圖。
[0036]圖9顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例二中具有絕緣層的第二襯底的示意圖。
[0037]圖10顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例二中鍵合之后所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]圖11顯示為本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法在實施例二中超薄絕緣體上材料的示意圖。
[0039]元件標(biāo)號說明
[0040]I第一襯底
[0041]21ISi 層
[0042]212SihGej
[0043]21 ?層薄膜
[0044]2摻雜單晶薄膜
[0045]3頂層薄膜
[0046]4第二襯底
[0047]5絕緣層
【具體實施方式】
[0048]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0049]請參閱圖1至圖11。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0050]實施例一
[0051]如圖1至圖6所示，本發(fā)明提供一種利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，所述方法至少包括以下步驟:[0052]步驟1，請參閱圖1，如圖所示，提供第一襯底1，采用化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法或者分子束外延法，在所述第一襯底I上依次外延生長一單層的摻雜單晶薄膜2和一頂層薄膜3。具體的，所述單層的摻雜單晶薄膜2中，單晶薄膜材料為S1、Ge、SiGe、SiGeC、6&八8、六16&48、1甙&?或11^，其中，所述5丨66中Ge的組分可調(diào)，雜質(zhì)元素為B、P、Ga、As、Sb、In或C，雜質(zhì)濃度為1E19~1E22，所述單層的摻雜單晶薄膜2的厚度為:TlO nm，所述頂層薄膜 3 的材料為 S1、Ge、SiGe、SiGeC、GaAs、AlGaAs、InGaP 或 InP，其中，所述 SiGe 中 Ge 的組分可調(diào)，所述頂層薄膜3厚度為5~50 nm。在本實施例中，所述第一襯底I為Si，但不僅限于Si，所述單晶薄膜的材料優(yōu)選為SiGe，其中Ge與Si的比例優(yōu)選為3:7，雜質(zhì)元素優(yōu)選為B，雜質(zhì)濃度優(yōu)選為2E19 cm_3，頂層薄膜3優(yōu)選為Si，其厚度優(yōu)選為10 nm。
[0053]步驟二，請參閱圖2，如圖所示，以特定的能量與角度(此為本領(lǐng)域的公知常識，在此不再贅述)進(jìn)行離子注入，使離子注入到所述摻雜單晶薄膜2與第一襯底I的界面以下3(T120 nm的深度。具體的，采用H離子注入，或H與He離子共同注入，離子注入劑量是3E16飛E16 cm—2。在本實施例中，注入離子優(yōu)選為H離子，注入深度為所述摻雜單晶薄膜2與第一襯底I的界面以下30 nm，注入劑量為3E16 cnT2。
[0054]步驟三，請參閱圖3及圖4，如圖所示，提供具有絕緣層5的第二襯底4，將所述絕緣層5與所述頂層薄膜3鍵合，然后對樣品進(jìn)行第一退火階段，使所述摻雜單晶薄膜從第一襯底I中吸附注入的離子并形成微裂紋，從而實現(xiàn)剝離。具體的，所述鍵合采用等離子體強(qiáng)化鍵合法或直接鍵合法，當(dāng)采用直接鍵合法時，還需要在所述第一退火階段之后進(jìn)行第二退火階段，以加強(qiáng)所述絕緣層5與所述頂層薄膜3的鍵合，所述第一退火階段中，退火溫度為300~600 °C，退火時間為30~90分鐘，所述第二退火階段中，退火溫度為800~1000 °C，退火時間為60-120分鐘。在本實例中，鍵合方法優(yōu)選為等離子強(qiáng)化鍵合法，即不需要經(jīng)過第二退火階段加強(qiáng)鍵合，避免高溫退火影響頂層薄膜的質(zhì)量。
[0055]步驟四，請參閱圖5及圖6，如圖所示，進(jìn)行化學(xué)腐蝕或化學(xué)機(jī)械拋光，去除殘余的所述摻雜單晶薄膜2，以獲得超薄絕緣體上材料。在本實施例中，去除方法優(yōu)選為選擇性化學(xué)腐蝕。
[0056]在另一實施方式中，于所述步驟一中還包括在所述單層的摻雜單晶薄膜2上外延生長一緩沖層(未圖示)的步驟，以及于所述步驟四中還包括去除殘余的緩沖層及摻雜單晶薄膜的步驟。緩沖層的存在能避免剝離裂紋影響絕緣體上材料的晶體質(zhì)量。具體的，緩沖層的材料選自 S1、Ge、SiGe、SiGeC、GaAs、AlGaAs、InGaP 或 InP 中任意一種，其中，所述 SiGe中Ge的組分可調(diào)，所述緩沖層的厚度不超過其在所述單層的摻雜單晶薄膜2上生長的臨界厚度。本實施例中緩沖層優(yōu)選為SiGe單晶材料。
[0057]使用本發(fā)明制備絕緣體上材料，摻雜超薄單晶薄膜能更加有效地吸附注入離子，使離子的注入劑量能夠更低，在更低的退火溫度下形成微裂紋以致剝離，得到的絕緣體上材料表面粗糙度低，缺陷少，實現(xiàn)在更低的成本下制備更高質(zhì)量的超薄絕緣體上材料。
[0058]實施例二
[0059]實施例二與實施例一采用基本相同的技術(shù)方案，不同之處在于二者制備的摻雜單晶薄膜的結(jié)構(gòu)不同。在實施例一中，所述摻雜單晶薄膜為單層，而在本實施例中，摻雜單晶薄膜為多層。
[0060]請參閱圖7至圖11，本發(fā)明提供一種利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，該方法至少包括以下步驟:
[0061]步驟一，請參閱圖7，如圖所示，提供第一襯底1，采用化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法或者分子束外延法，在所述第一襯底I上依次外延生長一多層的摻雜單晶薄膜2和一頂層薄膜3。具體的，所述多層的摻雜單晶薄膜2由多個雙層薄膜疊加而成，所述雙層薄膜的材料選自 Si/Ge、Si/SiGe、Ge/SiGe、Ge/GaAs、GaAs/AlGaAs 或 InP/InGa 中任意一種，其中，所述SiGe中Ge的組分可調(diào)，本實施例將以Si/SiGe雙層薄膜疊加而成的多層的摻雜單晶薄膜為例進(jìn)行說明。首先在所述第一襯底I上外延生長一 Si層211，其次在所述Si層211上外延生長一 Ge組分X取值為Xl的Si^Gex層212，其中，0〈x < 1，形成Si/SihGe,雙層薄膜21，然后依據(jù)制備所述SVSihGex雙層薄膜21的相同手段，在所述SVSihGex雙層
薄膜21上制備出Ge組分X取值相同或不相同(即xl、x2、x3、......xn中任意兩個的取值
可以相等也可以互不相等)的多個SVSihGex雙層薄膜；同時，在制備所述多個SVSihGex雙層薄膜時通入摻雜氣體，而后，所述第一襯底I上得到η個SVSihGex雙層薄膜疊加而成的多層的摻雜單晶薄膜2，其中，η的范圍是3~10，所述多層的摻雜單晶薄膜2的總厚度小于10 nm。在本實施例中,優(yōu)選n=4,即所述多層的摻雜單晶薄膜2包括所述SiVSihGex雙層薄膜21、22、23和24。
[0062]步驟一完成之后，請參閱圖8至圖11，如圖所示，執(zhí)行與實施例一中基本相同的步驟二、步驟三和步驟四，得到超薄絕緣體上材料。
[0063]在另一實施方式中，于所述步驟一中還包括在所述多層的摻雜單晶薄膜2上外延生長一緩沖層(未圖示)的步驟，以及于所述步驟四中還包括去除殘余的緩沖層及摻雜單晶薄膜的步驟。緩沖層的存在 能避免剝離裂紋影響絕緣體上材料的晶體質(zhì)量。具體的，緩沖層的材料選自 S1、Ge、SiGe、SiGeC、GaAs、AlGaAs、InGaP 或 InP 中任意一種，其中，所述 SiGe中Ge的組分可調(diào)，所述緩沖層的厚度不超過其在所述多層的摻雜單晶薄膜2上生長的臨界厚度。本實施例中緩沖層優(yōu)選為SiGe單晶材料。
[0064]使用本發(fā)明制備絕緣體上材料，摻雜超薄單晶薄膜能更加有效地吸附注入離子，使離子的注入劑量能夠更低，在更低的退火溫度下形成微裂紋以致剝離，得到的絕緣體上材料表面粗糙度低，缺陷少，其中，多層的摻雜單晶薄膜相對于單層的更有利于對注入離子的吸附。
[0065]綜上所述，本發(fā)明的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，利用超薄摻雜單晶薄膜對注入離子的吸附作用，形成微裂紋以致剝離，剝離裂紋發(fā)生在超薄層處，裂紋很小，剝離后絕緣體上材料表面粗糙度小，且離子被超薄層有效吸附，分布更均勻，從而使得到的絕緣體上材料或絕緣體上改性材料中缺陷更少，此外，雜質(zhì)增強(qiáng)了超薄單晶薄膜對離子的吸附能力，使離子的注入劑量能夠更低，剝離的退火溫度也更低，有效降低了對頂層薄膜的損傷，從而使得到的絕緣體上材料質(zhì)量更高，同時又降低了成本。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0066]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟: a)提供第一襯底，在所述第一襯底上依次外延生長一摻雜單晶薄膜和一頂層薄膜； b)進(jìn)行離子注入，使離子注入到所述摻雜單晶薄膜與硅襯底的界面以下預(yù)設(shè)深度； c)提供具有絕緣層的第二襯底，將所述絕緣層與所述頂層薄膜鍵合，然后對樣品進(jìn)行第一退火階段，使所述摻雜單晶薄膜吸附離子并形成微裂紋，從而實現(xiàn)剝離； d)進(jìn)行化學(xué)腐蝕或化學(xué)機(jī)械拋光，去除殘余的所述摻雜單晶薄膜，以獲得超薄絕緣體上材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:于所述步驟a)中還包括在所述摻雜單晶薄膜上外延生長一緩沖層的步驟，以及于所述步驟d)中還包括去除殘余的緩沖層及摻雜單晶薄膜的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述緩沖層的材料選自S1、Ge、SiGe、SiGeC、GaAs、AlGaAs、InGaP*InP中任意一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述緩沖層的厚度不超過其在所述摻雜單晶薄膜上生長的臨界厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:于所述步驟a)中，所述摻雜單晶薄膜為單層薄膜，所述單層薄膜的材料選自S1、Ge、SiGe、SiGeC、GaAs、AlGaAs、InGaP或InP中任意一種,其中，生長單層薄膜的同時通入摻雜氣體，形成單層的摻雜單晶薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述單層的摻雜單晶薄膜的厚度范圍為3~10 nm。`
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:于所述步驟a)中，所述摻雜單晶薄膜為多層薄膜，所述多層薄膜由多個雙層薄膜疊加而成，所述雙層薄膜的材料選自Si/Ge、Si/SiGe、Ge/SiGe、Ge/GaAs、GaAs/AlGaAs或InP/InGa中任意一種，其中，生長多層薄膜的同時通入摻雜氣體，形成多層的摻雜單晶薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述多層的摻雜單晶薄膜總厚度小于10 nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述摻雜單晶薄膜中，雜質(zhì)元素為B、P、Ga、As、Sb、In或C。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述摻雜單晶薄膜中，雜質(zhì)元素的濃度為1E19~1E22 cm—3。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述頂層薄膜的材料選自S1、Ge、SiGe、SiGeC、GaAs、AlGaAs、InGaP或InP中任意一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述頂層薄膜的厚度范圍是5~50 nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述步驟b)中采用H離子注入，或H與He離子共同注入。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述步驟b)中離子注入劑量是3E16~6E16 cm-2。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:所述步驟b)中，所述預(yù)設(shè)深度為30~120 nm。
16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:于所述步驟c)中，所述鍵合采用等離子強(qiáng)化鍵合法。
17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用摻雜超薄層吸附制備超薄絕緣體上材料的方法，其特征在于:于所述步驟c)中，所述鍵合采用直接鍵合法，并且還包括在所述第一退火階段以致剝離之后進(jìn)行第二退火階段的步驟，以加強(qiáng)所述絕緣層與所述頂層薄膜的鍵合。
【文檔編號】H01L21/20GK103633010SQ201210310581
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月28日
【發(fā)明者】張苗, 陳達(dá), 狄增峰, 薛忠營, 卞劍濤, 王剛 申請人:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所