發(fā)光二極管元件的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管元件包含：一發(fā)光二極管晶片，該發(fā)光二極管晶片包括一藍(lán)寶石基材、一位于該基材上的第一型半導(dǎo)體層、一位于該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層、一貫穿該藍(lán)寶石基材和該第一型半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電孔、一貫穿該藍(lán)寶石基材的第二導(dǎo)電孔、及一形成于該第一導(dǎo)電孔的孔壁上的絕緣層；一由導(dǎo)體制成的透明導(dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層是形成在該第二型半導(dǎo)體層上；一形成于該透明導(dǎo)電層上的覆蓋層；形成于每個(gè)導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體，在第一導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體與該第二型半導(dǎo)體層電氣連接，而在第二導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體與該第一型半導(dǎo)體層電氣連接；及兩個(gè)形成在該藍(lán)寶石基材的與該等半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上的外部電路連接體。
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管元件。
【背景技術(shù)】
[0002]在照明領(lǐng)域中，發(fā)光二極管(LED)已成為節(jié)能減碳的代名詞。然而，目前的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)皆存在有P極和N極遮光的問(wèn)題，導(dǎo)致發(fā)光二極管發(fā)射的光線無(wú)法有效利用，進(jìn)而影響發(fā)光效率。
[0003]也因此的故，本案是提供一種完全與日亞化學(xué)的白光LED的結(jié)構(gòu)不同且能夠克服其缺點(diǎn)的白光LED結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)本發(fā)明的一特征,一種發(fā)光二極管兀件被提供,該發(fā)光二極管兀件包含:一發(fā)光二極管晶片，該發(fā)光二極管晶片包括一藍(lán)寶石基材、一位于該基材上的第一型半導(dǎo)體層、一位于該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層、一貫穿該藍(lán)寶石基材和該第一型半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電孔、一貫穿該藍(lán)寶石基材的第二導(dǎo)電孔、及一形成于該第一導(dǎo)電孔的孔壁上的絕緣層；一由導(dǎo)體制成的透明導(dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層是形成在該第二型半導(dǎo)體層上；一形成于該透明導(dǎo)電層上的覆蓋層；形成于每個(gè)導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體，在第一導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體是與該第二型半導(dǎo)體層電氣連接，而在第二導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體是與該第一型半導(dǎo)體層電氣連接；及兩個(gè)形成在該藍(lán)寶石基 材的與該等半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上的外部電路連接體。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0005]圖1是一描繪本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖；
[0006]圖2是一描繪由在該第一實(shí)施例中所使用的多層透明導(dǎo)光層所形成的光通道的示意圖；
[0007]圖3是一描繪本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖；
[0008]圖4至圖7是描繪本發(fā)明的發(fā)光二極管元件的制造流程的示意流程圖；
[0009]圖8是一描繪本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖；
[0010]圖9是一描繪本發(fā)明第四較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖；
[0011]圖10是一描繪本發(fā)明第五較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖；
[0012]圖11是一描繪本發(fā)明第六較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖；
[0013]圖12是一描繪本發(fā)明第七較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖；
[0014]圖13是一描繪本發(fā)明第八較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖；及
[0015]圖14是一描繪本發(fā)明第九較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖。
[0016]【主要元件符號(hào)說(shuō)明】
[0017]I 發(fā)光二極管晶元
[0018]2 第一發(fā)光二極管晶元[0019]3第二發(fā)光二極管晶元
[0020]4第三發(fā)光二極管晶元
[0021]5基板
[0022]6外部連接導(dǎo)電體
[0023]6’導(dǎo)線
[0024]7安裝基板
[0025]70第一表面
[0026]71電路軌跡
[0027]8第二安裝基板
[0028]80第一表面
[0029]81電路軌跡
[0030]10藍(lán)寶石基材
[0031]11第一型半導(dǎo)體層
[0032]12第二型半導(dǎo)體層
[0033]13第一導(dǎo)電孔
[0034]130絕緣層
[0035]14第二導(dǎo)電孔
[0036]15導(dǎo)電層
[0037]16透明導(dǎo)電層
[0038]17覆蓋層
[0039]18外部電路連接體
[0040]180第一導(dǎo)電層
[0041]181導(dǎo)電反射層
[0042]182第二導(dǎo)電層
[0043]183第三導(dǎo)電層
[0044]19導(dǎo)光層
[0045]20導(dǎo)電島
[0046]21通孔
[0047]210絕緣層
[0048]220絕緣層
[0049]22貫孔
[0050]23導(dǎo)電材料
[0051]24貫孔
[0052]240絕緣層
[0053]25導(dǎo)電軌跡
[0054]31N型半導(dǎo)體層
[0055]310N 型電極
[0056]32P型半導(dǎo)體層
[0057]320P 型電極[0058]41N型半導(dǎo)體層
[0059]410N 型電極
[0060]42P型半導(dǎo)體層
[0061]420P 型電極
[0062]50第一安裝表面
[0063]51第二表面
[0064]52導(dǎo)電軌跡
[0065]W發(fā)光二極管晶圓
[0066]L切割線
[0067]LO凹槽 10
【具體實(shí)施方式】
[0068]在后面的本發(fā)明較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中，相同或類似的元件是由相同的標(biāo)號(hào)標(biāo)示，而且它們的詳細(xì)描 述將會(huì)被省略。此外，為了清楚揭示本發(fā)明的特征，于圖式中的元件并非按實(shí)際比例描繪。
[0069]圖1是本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意剖視圖。
[0070]請(qǐng)配合參閱圖1所示，本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光二極管元件包括一個(gè)發(fā)光二極管晶片I。該發(fā)光二極管晶片I包括一個(gè)藍(lán)寶石基材10、一個(gè)位于該基材10上的第一型半導(dǎo)體層11、及一個(gè)位于該第一型半導(dǎo)體層11上的第二型半導(dǎo)體層12。在本實(shí)施例中，該第一型半導(dǎo)體層11是N型半導(dǎo)體層而該第二型半導(dǎo)體層12是P型半導(dǎo)體層。借著利用感應(yīng)耦合電漿(ICP)的干蝕刻制程或者雷射穿孔制程，每個(gè)發(fā)光二極管元件I形成有一個(gè)貫穿藍(lán)寶石基材10、N型半導(dǎo)體層11和P型半導(dǎo)體層12的第一導(dǎo)電孔13和一個(gè)貫穿藍(lán)寶石基材10的第二導(dǎo)電孔14。于該第一導(dǎo)電孔13的孔壁上形成有一個(gè)絕緣層130。該絕緣層130可以是由二氧化硅或者聚酰亞胺制成。當(dāng)然，該絕緣層130也可以是由其他適合的材料形成。
[0071]在本實(shí)施例中，該藍(lán)寶石基材10的厚度是在IOym到50μπι之間為較佳。當(dāng)然，該藍(lán)寶石基材10的厚度也可以是在以上所述的范圍外。
[0072]—個(gè)由導(dǎo)電ITO制成的透明導(dǎo)電層16形成在該P(yáng)型半導(dǎo)體層12上。一個(gè)以像是二氧化硅(SiO2)形成的覆蓋層17形成于該透明導(dǎo)電層16上以防止該透明導(dǎo)電層16氧化。當(dāng)然，導(dǎo)電層16與覆蓋層17也可以由其他適合的材料形成。
[0073]在每個(gè)導(dǎo)電孔13，14內(nèi)形成有一個(gè)導(dǎo)電體15。在該導(dǎo)電孔13內(nèi)的導(dǎo)電體15與在該P(yáng)型半導(dǎo)體層12上的透明導(dǎo)電層16電氣連接，而在導(dǎo)電孔14內(nèi)的導(dǎo)電體15與該N型半導(dǎo)體層11電氣連接。
[0074]兩個(gè)外部電路連接體18形成在該藍(lán)寶石基材10的與該等半導(dǎo)體層11，12相對(duì)的表面上。該等外部電路連接體18與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體15電氣連接而且各包括一個(gè)位于該藍(lán)寶石基材10的表面上且與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體15電氣連接的第一導(dǎo)電層180、一個(gè)形成于該第一導(dǎo)電層180上的導(dǎo)電反射層181、一個(gè)形成于該反射層181上的第二導(dǎo)電層182、及一個(gè)形成于該第二導(dǎo)電層182上的第三導(dǎo)電層183。
[0075]在本實(shí)施例中，該第一導(dǎo)電層180可以是由ITO制成，該反射層181可以是由任何適合的導(dǎo)電材料制成，該第二導(dǎo)電層182可以是一個(gè)鎳/金層，而該第三導(dǎo)電層183可以是一個(gè)凸塊。當(dāng)然，該外部電路連接體18的結(jié)構(gòu)以及形成該等導(dǎo)電層180，181，182，183的材料不被限定如此，只要能夠使導(dǎo)電體15與外部電路(圖中未示)電氣連接即可。
[0076]應(yīng)要注意的是，當(dāng)藍(lán)寶石基材10的厚度縮減時(shí)會(huì)造成容易裂片的問(wèn)題，然而，在外部電路連接體18的設(shè)置下，整個(gè)發(fā)光二極管元件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度得以保持，不會(huì)發(fā)生裂片造成開(kāi)路或短路。另一方面，藍(lán)寶石基材10的厚度越薄且外部電路連接體18的厚度越厚也能增加散熱效果以進(jìn)一步解決發(fā)光二極管元件既有的因積熱而光衰的問(wèn)題。
[0077]應(yīng)要注意的是，該發(fā)光二極管元件更可以包括一個(gè)形成在該覆蓋層17上的多層透明導(dǎo)光層19。該多層透明導(dǎo)光層19使光導(dǎo)出只有一個(gè)方向，故能夠因集中而提升射出光線的亮度。該多層透明導(dǎo)光層19形成光通道如圖2所示。
[0078]該多層透明導(dǎo)光層19的多層折射率可以是如
2.2^2.3/2.3^2.4/2.2^2.3/2.3^2.4，與 GAN 或 GAAS 折射率 2.4^2.5 相似，使藍(lán)光單向折射，以免造成二次反射。
[0079]此外，該等半導(dǎo)體層11，12的邊緣以及該藍(lán)寶石基材10的與該等半導(dǎo)體層11，12相對(duì)的表面的邊緣被成形成一鉆石導(dǎo)光邊，可增加20%以上的出光率。而且，如此的發(fā)光二極管元件會(huì)形成360°無(wú)金屬遮閉完全導(dǎo)出該等半導(dǎo)體層11和12的光線，達(dá)90%以上的導(dǎo)
出率。
[0080]在第一較佳實(shí)施例中，該等外部電路連接體18形成在藍(lán)寶石基材10的與該等半導(dǎo)體層11，12相對(duì)的表面上，而該透明導(dǎo)電層16、該覆蓋層17和該多層透明導(dǎo)光層19依序形成于該P(yáng)型半導(dǎo)體層12上。然而，該等外部電路連接體18與該透明導(dǎo)電層16、該覆蓋層17和該多層透明導(dǎo)光層19的位置是可對(duì)調(diào)的。
[0081]應(yīng)要注意的是，在第一實(shí)施例中所揭示的特征皆可全部或部分地應(yīng)用到后面的實(shí)施例。
[0082]圖3是一個(gè)顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意圖。
[0083]與第一實(shí)施例不同的地方在于，該第一導(dǎo)電孔13僅貫穿該藍(lán)寶石基材10和該第一半導(dǎo)體層11以致在該導(dǎo)電孔13內(nèi)的導(dǎo)電體15與該P(yáng)型半導(dǎo)體層12電氣連接。
[0084]圖4至圖7是用于描繪本發(fā)明的發(fā)光二極管元件的制造方法的示意流程圖。
[0085]請(qǐng)參閱圖4所示，首先，一個(gè)發(fā)光二極管晶圓W被提供(在圖式中僅顯示該發(fā)光二極管晶圓W的一部分)。該發(fā)光二極管晶圓W具有數(shù)個(gè)發(fā)光二極管晶片I。相鄰的發(fā)光二極管晶片I是由切割線L分隔。每個(gè)發(fā)光二極管晶片I是如上所述包括一個(gè)藍(lán)寶石基材10、一個(gè)位于該基材10上的N型半導(dǎo)體層11、一個(gè)位于該N型半導(dǎo)體層11上的P型半導(dǎo)體層12。
[0086]接著，如在圖5中所示，借著利用感應(yīng)耦合電漿(ICP)的干蝕刻制程或者雷射穿孔制程，每個(gè)發(fā)光二極管晶片I形成有一個(gè)貫穿藍(lán)寶石基材10、N型半導(dǎo)體層11和P型半導(dǎo)體層12 (第一實(shí)施例)或貫穿藍(lán)寶石基材10和N型半導(dǎo)體層11 (第二實(shí)施例)的第一導(dǎo)電孔13和一個(gè)貫穿藍(lán)寶石基材10的第二導(dǎo)電孔14。另一方面，在形成導(dǎo)電孔13，14的同時(shí)，在該晶圓W的兩相對(duì)表面上形成有沿著切割線L延伸的大致V形凹槽L0。此凹槽LO在把晶圓W切割成個(gè)別的發(fā)光二極管晶片I時(shí)致使該等發(fā)光二極管晶片I的邊緣成一鉆石導(dǎo)光邊，可增加20%以上的出光率。而且，經(jīng)過(guò)切割來(lái)得到的發(fā)光二極管晶片I會(huì)形成360°無(wú)金屬遮閉完全導(dǎo)出該等半導(dǎo)體層11和12的光線，達(dá)90%以上的導(dǎo)出率。此將是得到每瓦160流明以上的發(fā)光二極管元件的極重要手段。
[0087]然后，如在圖6中所示，在該第一導(dǎo)電孔13的孔壁上形成有一個(gè)絕緣層130。該絕緣層130可以是由二氧化硅或者聚酰亞胺制成。
[0088]在形成絕緣層130的后，在每個(gè)導(dǎo)電孔13，14內(nèi)形成有一個(gè)導(dǎo)電體15。在本實(shí)施例中，在該導(dǎo)電孔13內(nèi)的導(dǎo)電體15與在該P(yáng)型半導(dǎo)體層12上的透明導(dǎo)電層16(見(jiàn)圖7)電氣連接，而在導(dǎo)電孔14內(nèi)的導(dǎo)電體15與該N型半導(dǎo)體層11電氣連接。
[0089]請(qǐng)配合參閱圖7所示，一個(gè)由導(dǎo)電ITO制成的透明導(dǎo)電層16形成在該P(yáng)型半導(dǎo)體層12上。一個(gè)覆蓋層17形成于該透明導(dǎo)電層16上以防止該透明導(dǎo)電層16氧化。一個(gè)多層導(dǎo)光層19形成在該覆蓋層17上。
[0090]另一方面，數(shù)個(gè)外部電路連接體18對(duì)應(yīng)于導(dǎo)電體15來(lái)形成在該藍(lán)寶石基材10的與該等半導(dǎo)體層11，12相對(duì)的表面上。該等外部電路連接體18與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體15電氣連接而且各包括一個(gè)位于該藍(lán)寶石基材10的表面上且與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體15電氣連接的第一導(dǎo)電層180、一個(gè)形成于該第一導(dǎo)電層180上的反射層181、一個(gè)形成于該反射層181上的第二導(dǎo)電層182、及一個(gè)形成于該第二導(dǎo)電層182上的第三導(dǎo)電層183。
[0091]最后，該晶圓W沿著切割線L被切割以致于如數(shù)個(gè)如在圖1中所示的發(fā)光二極管元件被得到。
[0092]應(yīng)要注意的是，該等外部電路連接體18也可以是由ITO制成俾可達(dá)到360°完全出光的目的。
[0093]另一方面，該等導(dǎo)電體15也可以是由ITO制成，以致于不會(huì)造成金屬遮閉導(dǎo)光，造成光線折損。
[0094]圖8是一個(gè)顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意圖。
[0095]請(qǐng)參閱圖8所示，在本實(shí)施例中，該發(fā)光二極管元件包括一個(gè)第一發(fā)光二極管晶片2、一個(gè)第二發(fā)光二極管晶片3和一個(gè)第三發(fā)光二極管晶片4。該等發(fā)光二極管晶片2，3，4能夠發(fā)出不同顏色的光線。在本實(shí)施例中，該第一發(fā)光二極管晶片2在運(yùn)作時(shí)能夠發(fā)出藍(lán)色光線，該第二發(fā)光二極管晶片3在運(yùn)作時(shí)能夠發(fā)出紅色光線，而該第三發(fā)光二極管晶片4在運(yùn)作時(shí)能夠發(fā)出綠色光線。
[0096]該第一發(fā)光二極管晶片2具有與第一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶片I大致相同的結(jié)構(gòu)，不同的地方在于在圖1中所示的多層導(dǎo)光層19被省略，取而代之的是三個(gè)電氣地隔離的導(dǎo)電島20，以及在于形成有一個(gè)連通該導(dǎo)電層16與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電島20的通孔21和一個(gè)連通該N型半導(dǎo)體層11與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電島20的貫孔22。在該通孔21和該貫孔22的孔壁皆形成有一絕緣層210，220。導(dǎo)電材料23填充在該通孔21和該貫孔22內(nèi)以致于三個(gè)導(dǎo)電島20中的一個(gè)導(dǎo)電島20是與導(dǎo)電層16電氣連接而三個(gè)導(dǎo)電島20中的另一個(gè)導(dǎo)電島20與該第一發(fā)光二極管晶片2的N型半導(dǎo)體層11電氣連接。
[0097]該第二發(fā)光二極管晶片3具有與第一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶片I相同的結(jié)構(gòu)?；蛘撸摰诙l(fā)光二極管晶片3可以是一般的發(fā)光二極管晶片。該第二發(fā)光二極管晶片3是以覆晶晶片方式安裝在該覆蓋層17上以致于該第二發(fā)光二極管晶片3的P型半導(dǎo)體層32電氣連接到與導(dǎo)電層16電氣連接的導(dǎo)電島20及以致于該第二發(fā)光二極管晶片3的N型半導(dǎo)體層31電氣連接到該三個(gè)導(dǎo)電島20中的未與導(dǎo)電層16或第一發(fā)光二極管晶片2的N型半導(dǎo)體層11電氣連接的導(dǎo)電島20。
[0098]該第三發(fā)光二極管晶片4具有與第一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶片I相同的結(jié)構(gòu)?；蛘?，該第三發(fā)光二極管晶片4可以是一般的發(fā)光二極管晶片。該第三發(fā)光二極管晶片4也是以覆晶晶片方式安裝在該覆蓋層17上以致于該第三發(fā)光二極管晶片4的P型半導(dǎo)體層32電氣連接到與第二發(fā)光二極管晶片3的N型半導(dǎo)體層31所連接的相同的導(dǎo)電島20及以致于該第三發(fā)光二極管晶片4的N型半導(dǎo)體層41電氣連接到與第一發(fā)光二極管晶片2的N型半導(dǎo)體層11電氣連接的導(dǎo)電島20。
[0099]藉由如上的構(gòu)造，該發(fā)光二極管元件在不需要任何螢光粉下即可發(fā)出白光。
[0100]圖9是一個(gè)顯示本發(fā)明第四實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意圖。
[0101]如在圖9中所不,本實(shí)施例的發(fā)光二極管兀件包括一第一發(fā)光二極管晶片2、一第二發(fā)光二極管晶片3、一第三發(fā)光二極管晶片4、及一基板5。
[0102]在本實(shí)施例中，該基板5是一玻璃基板而且具有一第一安裝表面50和一與該第一安裝表面50相對(duì)的第二安裝表面51。數(shù)個(gè)由最好是ITO形成的導(dǎo)電軌跡52形成在該第一安裝表面50上。在本實(shí)施例中，部分的導(dǎo)電軌跡52從該第一安裝表面50延伸到該第二表面51。
[0103]該第一發(fā)光二極管晶片2安裝在該基板5上而且具有一置于該基板5的第一安裝表面50上的藍(lán)寶石基材20、在該藍(lán)寶石基材20上的N型半導(dǎo)體層21、和在該N型半導(dǎo)體層21上的P型半導(dǎo)體層22、以及用于與外部電路(圖中未示)電氣連接的分別與N型半導(dǎo)體的N型和P型電極210和220。
[0104]該第二發(fā)光二極管晶片3具有與第一發(fā)光二極管晶片2相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式安裝于該基板5的第一安裝表面50上以致于該第二發(fā)光二極管晶片3的P型電極320電氣連接到其中一個(gè)從第一安裝表面50延伸到第二安裝表面51的導(dǎo)電軌跡52，而該第二發(fā)光二極管晶片3的N型電極310電氣連接到一未延伸到該第二安裝表面51的導(dǎo)電軌跡52。
[0105]該第三發(fā)光二極管晶片4具有與第一發(fā)光二極管晶片2相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式安裝于該基板5的第一安裝表面50上以致于該第三發(fā)光二極管晶片4的P型電極420電氣連接到與該第二發(fā)光二極管晶片3的N型電極310所連接的相同的導(dǎo)電軌跡52，而該第三發(fā)光二極管晶片4的N型電極410連接到另一個(gè)從該第一安裝表面50延伸到第二安裝表面51的導(dǎo)電軌跡52。
[0106]在該第一發(fā)光二極管晶片2的N型和P型電極210和220以及該等導(dǎo)電軌跡52的延伸到該基板5的第二安裝表面51的軌跡部分上是形成有用于與外部電路(圖中未示)電氣連接的外部連接導(dǎo)電體6。
[0107]圖10是一個(gè)顯示本發(fā)明第五實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意圖。
[0108]如在圖10中所示，本實(shí)施例的發(fā)光二極管元件包括一第一發(fā)光二極管晶片2、一第二發(fā)光二極管晶片3、及一第三發(fā)光二極管晶片4。
[0109]該第一發(fā)光二極管晶片2具有一藍(lán)寶石基材20、在該藍(lán)寶石基材20上的N型半導(dǎo)體層21、和在該N型半導(dǎo)體層21上的P型半導(dǎo)體層22、以及用于與外部電路(圖中未示)電氣連接的分別與N型半導(dǎo)體層21和P型半導(dǎo)體層22電氣連接的N型和P型電極210和220。[0110]在本實(shí)施例中，該第一發(fā)光二極管晶片2是形成有兩個(gè)貫穿基材20p和該等半導(dǎo)體層21，22的貫孔24。在每個(gè)貫孔24的孔壁上形成有一絕緣層240。數(shù)個(gè)由最好是ITO形成的導(dǎo)電軌跡25是形成在該基材20的與該等半導(dǎo)體層21，22相對(duì)的表面上。在本實(shí)施例中，部分的導(dǎo)電軌跡25延伸到貫孔24內(nèi)并突伸到該第一發(fā)光二極管晶片2外部。
[0111]該第二發(fā)光二極管晶片3具有與第一發(fā)光二極管晶片2相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式安裝于該第一發(fā)光二極管晶片2的基材20的布設(shè)有該等導(dǎo)電軌跡25的表面上以致于該第二發(fā)光二極管晶片3的P型電極320電氣連接到其中一個(gè)延伸到貫孔24內(nèi)的導(dǎo)電軌跡25，而該第二發(fā)光二極管晶片3的N型電極310電氣連接到一未延伸到貫孔24內(nèi)的導(dǎo)電軌跡25。
[0112]該第三發(fā)光二極管晶片4具有與第一發(fā)光二極管晶片2相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式安裝于該第一發(fā)光二極管晶片2的基材20的布設(shè)有該等導(dǎo)電軌跡25的表面上以致于該第三發(fā)光二極管晶片4的P型電極420電氣連接到與該第二發(fā)光二極管晶片3的N型電極310所連接的相同的導(dǎo)電軌跡25，而該第三發(fā)光二極管晶片4的N型電極410連接到另一個(gè)延伸到貫孔24內(nèi)的導(dǎo)電軌跡25。
[0113]在該第一發(fā)光二極管晶片2的N型和P型電極210和220以及該等導(dǎo)電軌跡25的延伸到貫孔24內(nèi)并突伸到該第一發(fā)光二極管晶片2外部的部分上形成有用于與外部電路(圖中未示)電氣連接的外部連接導(dǎo)電體6。
[0114]圖11是本發(fā)明第六實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意圖。
[0115]請(qǐng)參閱圖11所示，本實(shí)施例的發(fā)光二極管元件包括一第一發(fā)光二極管晶片2、一第二發(fā)光二極管晶片3、一第三發(fā)光二極管晶片4、和數(shù)個(gè)導(dǎo)體25。
[0116]該第一發(fā)光二極管晶片2具有一藍(lán)寶石基材20、在該藍(lán)寶石基材20上的N型半導(dǎo)體層21、在該N型半導(dǎo)體層21上的P型半導(dǎo)體層22、用于與外部電路(圖中未示)電氣連接的N型和P型電極210和220、及兩個(gè)貫穿該藍(lán)寶石基材20、該N型半導(dǎo)體層21與該P(yáng)型半導(dǎo)體層22的貫孔24。在每個(gè)貫孔24的內(nèi)壁面上形成有一絕緣層240。
[0117]該第二發(fā)光二極管晶片3具有一置于該第一發(fā)光二極管晶片2的藍(lán)寶石基材20的與該第一發(fā)光二極管晶片2的N型半導(dǎo)體層21相對(duì)的表面上的藍(lán)寶石基材30、在該藍(lán)寶石基材30上的N型半導(dǎo)體層31、及在該N型半導(dǎo)體層31上的P型半導(dǎo)體層32。在該N型半導(dǎo)體層31與該P(yáng)型半導(dǎo)體層32上是分別形成有一 N型電極310和一 P型電極320。
[0118]該第三發(fā)光二極管晶片4與該第二發(fā)光二極管晶片3并排地設(shè)置于該第一發(fā)光二極管晶片2的藍(lán)寶石基材20的與該第一發(fā)光二極管晶片2的N型半導(dǎo)體層21相對(duì)的表面上。該第三發(fā)光二極管晶片4具有一置于該第一發(fā)光二極管晶片2的基材20上的藍(lán)寶石基材40、在該藍(lán)寶石基材40上的N型半導(dǎo)體層41、及在該N型半導(dǎo)體層41上的P型半導(dǎo)體層42。在該N型半導(dǎo)體層41與該P(yáng)型半導(dǎo)體層42上分別形成有一 N型電極410和一 P型電極420。
[0119]其中一個(gè)導(dǎo)體25從該第二發(fā)光二極管晶片3的N型電極310延伸到貫孔24內(nèi)并突伸到該第一發(fā)光二極管晶片2外部。另一個(gè)導(dǎo)體25從該第三發(fā)光二極管晶片4的P型電極420延伸到貫孔24內(nèi)并突伸到該第一發(fā)光二極管晶片2外部。而另一個(gè)導(dǎo)體25從該第二發(fā)光二極管晶片3的P型電極320延伸到該第三發(fā)光二極管4的N型電極410。
[0120]在該第一發(fā)光二極管晶片2的N型和P型電極210和220以及該等導(dǎo)電軌跡25的延伸到貫孔24內(nèi)并突伸到該第一發(fā)光二極管晶片2外部的部分上形成有用于與外部電路(圖中未示)電氣連接的外部連接導(dǎo)電體6。
[0121]圖12是本發(fā)明第七實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意圖。
[0122]請(qǐng)參閱圖12所示，本實(shí)施例的發(fā)光二極管元件包括一第一發(fā)光二極管晶片2、一第二發(fā)光二極管晶片3、一第三發(fā)光二極管晶片4、一第一安裝基板7和一第二安裝基板8。
[0123]該第一安裝基板7具有一第一表面70和數(shù)個(gè)布設(shè)在該第一表面70上的預(yù)定的電路軌跡71。
[0124]該第一發(fā)光二極管晶片2具有一藍(lán)寶石基材20、在該藍(lán)寶石基材20上的N型半導(dǎo)體層21、在該N型半導(dǎo)體層21上的P型半導(dǎo)體層22、及用于與外部電路(圖中未示)電氣連接的N型和P型電極210和220。在該等電極210，220中的每一者上形成有外部連接導(dǎo)電體6。該第一發(fā)光二極管晶片2借著外部連接導(dǎo)電體6與該第一安裝基板7的對(duì)應(yīng)的電路軌跡71電氣連接來(lái)以覆晶方式安裝在該第一安裝基板7上。
[0125]該第二發(fā)光二極管晶片3可以具有與該第一發(fā)光二極管晶片2相同或不相同的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，該第二發(fā)光二極管晶片3具有一置于該第一發(fā)光二極管晶片2的藍(lán)寶石基材20的與該第一發(fā)光二極管晶片2的N型半導(dǎo)體層21相對(duì)的表面上的藍(lán)寶石基材30、在該藍(lán)寶石基材30上的N型半導(dǎo)體層31、及在該N型半導(dǎo)體層31上的P型半導(dǎo)體層32。在該N型半導(dǎo)體層31與該P(yáng)型半導(dǎo)體層32上分別形成有一 N型電極310和一 P型電極 320。
[0126]該第三發(fā)光二極管晶片4可以具有與該第一和第二發(fā)光二極管晶片2和3相同或不相同的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，該第三發(fā)光二極管晶片4與該第二發(fā)光二極管晶片3并排地設(shè)置于該第一發(fā)光二極管晶片2的藍(lán)寶石基材20的與該第一發(fā)光二極管晶片2的N型半導(dǎo)體層21相對(duì)的表面上。該第三發(fā)光二極管晶片4具有一置于該第一發(fā)光二極管晶片2的基材20上的藍(lán)寶石基材40、在該藍(lán)寶石基材40上的N型半導(dǎo)體層41、及在該N型半導(dǎo)體層41上的P型半導(dǎo)體層42。在該N型半導(dǎo)體層41與該P(yáng)型半導(dǎo)體層42上分別形成有
一N型電極410和一 P型電極420。
[0127]該第二安裝基板8具有一第一表面80和數(shù)個(gè)布設(shè)在該第一表面80上的預(yù)定的電路軌跡81。該第二安裝基板8在其的第一表面80與該第一安裝基板7的第一表面70相對(duì)的狀態(tài)下設(shè)置以致于該第二發(fā)光二極管晶片3的N型電極310經(jīng)由一外部連接導(dǎo)電體6來(lái)連接到該第二安裝基板8的一預(yù)定的電路軌跡81、該第二發(fā)光二極管晶片3的P型電極320和該第三發(fā)光二極管晶片4的N型電極410經(jīng)由外部連接導(dǎo)電體6來(lái)連接到該第二安裝基板8的一預(yù)定的電路軌跡81、及該第三發(fā)光二極管晶片4的P型電極420經(jīng)由一外部連接導(dǎo)電體6來(lái)連接到該第二安裝基板8的一預(yù)定的電路軌跡81。
[0128]該第一安裝基板7與該第二安裝基板8的對(duì)應(yīng)的電路軌跡71，81是由導(dǎo)電體6電氣連接。
[0129]圖13是本發(fā)明第八實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意圖。
[0130]請(qǐng)參閱圖13所示，本實(shí)施例的發(fā)光二極管元件包括一第一發(fā)光二極管晶片2、一第二發(fā)光二極管晶片3、一第三發(fā)光二極管晶片4、和一安裝基板5。
[0131 ] 在本實(shí)施例中，該基板5具有一安裝表面50、一凹陷部53、和數(shù)個(gè)形成在該安裝表面50上與該凹陷部53的底面530上的導(dǎo)電軌跡52。[0132]該第一發(fā)光二極管晶片2安裝在該基板5上而且具有一藍(lán)寶石基材20、在該藍(lán)寶石基材20上的N型半導(dǎo)體層21、和在該N型半導(dǎo)體層21上的P型半導(dǎo)體層22、以及用于與外部電路(圖中未示)電氣連接的分別與N型半導(dǎo)體的N型和P型電極210和220。該第一發(fā)光二極管晶片2是以覆晶晶片方式借著外部連接導(dǎo)電體6來(lái)安裝于該基板5的安裝表面50上。
[0133]該第二發(fā)光二極管晶片3可以具有與第一發(fā)光二極管晶片2相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式借著外部連接導(dǎo)電體6來(lái)安裝于該基板5的凹陷部53的底面530上。
[0134]該第三發(fā)光二極管晶片4可以具有與第二發(fā)光二極管晶片3相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式借著外部連接導(dǎo)電體6來(lái)安裝于該基板5的凹陷部53的底面530上以致于該第三發(fā)光二極管晶片4的P型電極420與該第二發(fā)光二極管晶片3的N型電極310電氣連接。
[0135]圖14是本發(fā)明第九實(shí)施例的發(fā)光二極管元件的示意圖。
[0136]請(qǐng)參閱圖14所示，本實(shí)施例的發(fā)光二極管元件包括一第一發(fā)光二極管晶片2、一第二發(fā)光二極管晶片3、一第三發(fā)光二極管晶片4、和一安裝基板5。
[0137]該安裝基板5具有一安裝表面50以及布設(shè)于該安裝表面50上的預(yù)定的電路軌跡52。
[0138]該第一發(fā)光二極管晶片2具有與第九實(shí)施例的第一發(fā)光二極管晶片2相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式借著外部連接導(dǎo)電體6來(lái)安裝于該基板5的安裝表面50上。
[0139]該第二發(fā)光二極管晶片3具有與第九實(shí)施例的第二發(fā)光二極管晶片3相同的結(jié)構(gòu)而且置于該第一發(fā)光二極管晶片2的基材20的與半導(dǎo)體層21，22相對(duì)的表面上。
[0140]該第三發(fā)光二極管晶片4具有與第九實(shí)施例的第三發(fā)光二極管晶片4相同的結(jié)構(gòu)而且與該第二發(fā)光二極管晶片3并列地置于該第一發(fā)光二極管晶片2的基材20的與半導(dǎo)體層21，22相對(duì)的表面上。
[0141]該第二發(fā)光二極管晶片3的N型電極310和該第三發(fā)光二極管晶片4的P型電極420分別經(jīng)由導(dǎo)線6’來(lái)電氣連接到對(duì)應(yīng)的電路軌跡52，而該第二發(fā)光二極管晶片3的P型電極320與該第三發(fā)光二極管晶片4的N型電極410經(jīng)由導(dǎo)線6’來(lái)電氣連接。
[0142]綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管元件，確能藉上述所揭露的構(gòu)造、裝置，達(dá)到預(yù)期的目的與功效，且申請(qǐng)前未見(jiàn)于刊物亦未公開(kāi)使用，符合發(fā)明專利的新穎、進(jìn)步等要件。
[0143]惟，上述所揭的圖式及說(shuō)明，僅為本發(fā)明的實(shí)施例而已，非為限定本發(fā)明的實(shí)施例；大凡熟悉該項(xiàng)技藝的人士，其所依本發(fā)明的特征范疇，所作的其他等效變化或修飾，皆應(yīng)涵蓋在以下本案的申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管元件，包含: 一發(fā)光二極管晶片，該發(fā)光二極管晶片包括一藍(lán)寶石基材、一位于該基材上的第一型半導(dǎo)體層、一位于該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層、一貫穿該藍(lán)寶石基材和該第一型半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電孔、一貫穿該藍(lán)寶石基材的第二導(dǎo)電孔、及一形成于該第一導(dǎo)電孔的孔壁上的絕緣層； 一由導(dǎo)體制成的透明導(dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層形成在該第二型半導(dǎo)體層上； 一形成于該透明導(dǎo)電層上的覆蓋層； 形成于每個(gè)導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體，在第一導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體與該第二型半導(dǎo)體層電氣連接，而在第二導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體與該第一型半導(dǎo)體層電氣連接；及 兩個(gè)形成在該藍(lán)寶石基材的與該等半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上的外部電路連接體。
2.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的發(fā)光二極管元件，其特征在于，該等外部電路連接體與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體電氣連接而且各包括一個(gè)位于該藍(lán)寶石基材的表面上且與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電體電氣連接的第一導(dǎo)電層、一個(gè)形成于該第一導(dǎo)電層上的導(dǎo)電反射層、一個(gè)形成于該反射層上的第二導(dǎo)電層、及一個(gè)形成于該第二導(dǎo)電層上的第三導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求2項(xiàng)所述的發(fā)光二極管元件，其特征在于，每個(gè)外部電路連接體的第一導(dǎo)電層可以是由ITO制成，該反射層可以是由任何適合的導(dǎo)電材料制成，該第二導(dǎo)電層可以是一個(gè)鎳/金層，而該第三導(dǎo)電層可以是一個(gè)凸塊。
4.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的發(fā)光二極管元件，其特征在于，該透明導(dǎo)電層是由導(dǎo)電ITO制成。
5.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的發(fā)光二極管元件，其特征在于，該發(fā)光二極管元件更包含一個(gè)形成在該覆蓋層上的多層透明導(dǎo)光層，該多層透明導(dǎo)光層使光導(dǎo)出只有一個(gè)方向，故能夠因集中而提升射出光線的亮度。
6.如權(quán)利要求5項(xiàng)所述的發(fā)光二極管元件，其特征在于，該多層透明導(dǎo)光層的多層折射率可以是如 2.2^2.3/2.3^2.4/2.2^2.3/2.3^2.4，與 GAN 或 GAAS 折射率 2.4~2.5 相似，使藍(lán)光單向折射，以免造成二次反射。
7.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的發(fā)光二極管元件，其特征在于，該等半導(dǎo)體層的邊緣以及該藍(lán)寶石基材的與該等半導(dǎo)體層相對(duì)的表面的邊緣被成形成一鉆石導(dǎo)光邊俾可增加至少20%以上的出光率。
8.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的發(fā)光二極管元件，其特征在于，該第一導(dǎo)電孔更貫穿該第二型半導(dǎo)體層以致于在該導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體與在該第二型半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電層電氣連接。
9.一種發(fā)光二極管元件的制造方法，包括如下的步驟: 提供一發(fā)光二極管晶圓，該發(fā)光二極管晶圓具有數(shù)個(gè)相鄰的發(fā)光二極管晶片，相鄰的發(fā)光二極管晶片是由切割線分隔，每個(gè)發(fā)光二極管晶片包括一藍(lán)寶石基材、一位于該基材上的第一型半導(dǎo)體層、一位于該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層； 形成一貫穿該藍(lán)寶石基材、該第一型半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電孔和一貫穿該藍(lán)寶石基材的第二導(dǎo)電孔； 在該第一導(dǎo)電孔的孔壁上形成有一個(gè)絕緣層； 在每個(gè)導(dǎo)電孔內(nèi)形成一導(dǎo)電體以致于在第一導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體與該第二型半導(dǎo)體層電氣連接，而在第二導(dǎo)電孔內(nèi)的導(dǎo)電體與該第一型半導(dǎo)體層電氣連接； 形成一透明導(dǎo)電層在該第二型半導(dǎo)體層上； 形成一覆蓋層在該透明導(dǎo)電層上；及 形成一多層導(dǎo)光層在該覆蓋層上。
10.一種發(fā)光二極管元件，包含: 一第一發(fā)光二極管晶片，該第一發(fā)光二極管晶片包含一藍(lán)寶石基材、一位于該基材上的第一型半導(dǎo)體層、一位于該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層、一貫穿該藍(lán)寶石基材和該第一型半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電孔、一貫穿該藍(lán)寶石基材的第二導(dǎo)電孔、及一形成于該第一導(dǎo)電孔的孔壁上的絕緣層、一形成于該第二型半導(dǎo)體層上的由導(dǎo)體制成的透明導(dǎo)電層、一形成于該透明導(dǎo)電層上的覆蓋層、三個(gè)形成于該覆蓋層上且是電氣地隔離的導(dǎo)電島、一連通該導(dǎo)電層與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電島的通孔、一連通該第一型半導(dǎo)體層與一對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電島的貫孔、分別形成于該通孔和該貫孔的孔壁的絕緣層、填充在該通孔和該貫孔內(nèi)以致于三個(gè)導(dǎo)電島中的一個(gè)導(dǎo)電島與導(dǎo)電層電氣連接而三個(gè)導(dǎo)電島中的另一個(gè)導(dǎo)電島與該第一發(fā)光二極管晶片的第一型半導(dǎo)體層電氣連接的導(dǎo)電材料； 一第二發(fā)光二極管晶片，該第二發(fā)光二極管晶片是以覆晶晶片方式安裝在該第一發(fā)光二極管晶片的覆蓋層上以致于該第二發(fā)光二極管晶片的第二型半導(dǎo)體層電氣連接到與該第一發(fā)光二極管晶片的導(dǎo)電層電氣連接的導(dǎo)電島及以致于該第二發(fā)光二極管晶片的第一型半導(dǎo)體層電氣連接到該三個(gè)導(dǎo)電島中的未與該第一發(fā)光二極管晶片的導(dǎo)電層或第一發(fā)光二極管晶片的第一型半導(dǎo)體層電氣連接的導(dǎo)電島； 一第三發(fā)光二極管晶片，該第三發(fā)光二極管晶片是以覆晶晶片方式安裝在該第一發(fā)光二極管晶片的覆蓋層上以致于該第三發(fā)光二極管晶片的第二型半導(dǎo)體層電氣連接到與該第二發(fā)光二極管晶片的第一型 半導(dǎo)體層所連接的相同的導(dǎo)電島及以致于該第三發(fā)光二極管晶片的第一型半導(dǎo)體層電氣連接到與該第一發(fā)光二極管晶片的第一型半導(dǎo)體層電氣連接的導(dǎo)電島，該等發(fā)光二極管晶片能夠發(fā)出不同顏色的光線以致于該發(fā)光二極管元件能夠發(fā)出具有由該 等發(fā)光二極管晶片的不同顏色的光線組合而成的合意顏色的光線。
11.一種發(fā)光二極管兀件，包含: 一基板，該基板是一透明基板而且具有一第一安裝表面和一與該第一安裝表面相對(duì)的第二安裝表面，數(shù)個(gè)透明導(dǎo)電軌跡形成在該第一安裝表面上，部分的導(dǎo)電軌跡從該第一安裝表面延伸到該第二表面； 一第一發(fā)光二極管晶片，該第一發(fā)光二極管晶片安裝在該基板上而且具有一置于該基板的第一安裝表面上的藍(lán)寶石基材、在該藍(lán)寶石基材上的第一型半導(dǎo)體層、在該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層、以及用于與外部電路電氣連接的分別與第一型半導(dǎo)體層和第二型半導(dǎo)體層連接的第一型和第二型電極； 一第二發(fā)光二極管晶片，該第二發(fā)光二極管晶片具有與第一發(fā)光二極管晶片相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式安裝于該基板的第一安裝表面上以致于該第二發(fā)光二極管晶片的第二型電極電氣連接到該基板的其中一個(gè)從第一安裝表面延伸到第二安裝表面的導(dǎo)電軌跡，而該第二發(fā)光二極管晶片的第一型電極電氣連接到一未延伸到該第二安裝表面的導(dǎo)電軌跡；及 一第三發(fā)光二極管晶片，該第三發(fā)光二極管晶片具有與第一發(fā)光二極管晶片相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式安裝于該基板的第一安裝表面上以致于該第三發(fā)光二極管晶片的第二型電極電氣連接到與該第二發(fā)光二極管晶片的第一型電極所連接的相同的導(dǎo)電軌跡，而該第三發(fā)光二極管晶片的第一型電極連接到另一個(gè)從該第一安裝表面延伸到第二安裝表面的導(dǎo)電軌跡；及 形成于該第一發(fā)光二極管晶片的第一型和第二型電極以及該等導(dǎo)電軌跡的延伸到該基板的第二安裝表面的軌跡部分上的用于與外部電路電氣連接的外部連接導(dǎo)電體。
12.一種發(fā)光二極管元件，包含: 一第一發(fā)光二極管晶片，該第一發(fā)光二極管晶片具有一藍(lán)寶石基材、在該藍(lán)寶石基材上的第一型半導(dǎo)體層、和在該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層、以及用于與外部電路電氣連接的分別與第一型半導(dǎo)體層和第二型半導(dǎo)體層電氣連接的第一型和第二型電極，該第一發(fā)光二極管晶片形成有兩個(gè)貫穿該基材和該等半導(dǎo)體層的貫孔，于每個(gè)貫孔的孔壁上形成有一絕緣層，數(shù)個(gè)透明導(dǎo)電軌跡形成在該基材的與該等半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上，部分的導(dǎo)電軌跡延伸到貫孔內(nèi)并突伸到該第一發(fā)光二極管晶片外部； 一第二發(fā)光二極管晶片，該第二發(fā)光二極管晶片具有與第一發(fā)光二極管晶片相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式安裝于該第一發(fā)光二極管晶片的基材的布設(shè)有該等導(dǎo)電軌跡的表面上以致于該第二發(fā)光二極管晶片的第二型電極電氣連接到其中一個(gè)延伸到貫孔內(nèi)的導(dǎo)電軌跡，而該第二發(fā)光二極管晶片的第一型電極電氣連接到一未延伸到貫孔內(nèi)的導(dǎo)電軌跡；及 一第三發(fā)光二極管晶片，該第三發(fā)光二極管晶片具有與第一發(fā)光二極管晶片相同的結(jié)構(gòu)而且是以覆晶晶片方式安裝于該第一發(fā)光二極管晶片的基材的布設(shè)有該等導(dǎo)電軌跡的表面上以致于該第三發(fā)光二極管晶片的第二型電極電氣連接到與該第二發(fā)光二極管晶片的第一型電極所連接的相同的導(dǎo)電軌跡，而該第三發(fā)光二極管晶片的第一型電極連接到另一個(gè)延伸到貫孔內(nèi)的導(dǎo)電軌跡；及 形成于該第一發(fā)光二極管晶片的第一型和第二型電極以及形成于該等導(dǎo)電軌跡的延伸到貫孔內(nèi)并突伸到該第一發(fā)光二極管晶片外部的部分上的外部連接導(dǎo)電體。
13.一種發(fā)光二極管元件，包含: 一第一發(fā)光二極管晶片，該第一發(fā)光二極管晶片包含一藍(lán)寶石基材、在該藍(lán)寶石基材上的第一型半導(dǎo)體層、在該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層、用于與外部電路電氣連接的第一型和第二型電極、及兩個(gè)貫穿該藍(lán)寶石基材、該第一型半導(dǎo)體層與該第二型半導(dǎo)體層的貫孔，于每個(gè)貫孔的內(nèi)壁面上形成有一絕緣層； 一第二發(fā)光二極管晶片，該第二發(fā)光二極管晶片具有一置于該第一發(fā)光二極管晶片的藍(lán)寶石基材的與該第一發(fā)光二極管晶片的第一型半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上的藍(lán)寶石基材、在該藍(lán)寶石基材上的第一型半導(dǎo)體層、及在該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層，在該第一型半導(dǎo)體層與該第二型半導(dǎo)體層上分別形成有一第一型電極和一第二型電極； 一第三發(fā)光二極管晶片，該第三發(fā)光二極管晶片與該第二發(fā)光二極管晶片并排地設(shè)置于該第一發(fā)光二極管晶片的藍(lán)寶 石基材的與該第一發(fā)光二極管晶片的第一型半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上，該第三發(fā)光二極管晶片具有一置于該第一發(fā)光二極管晶片的基材上的藍(lán)寶石基材、在該藍(lán)寶石基材上的第一型半導(dǎo)體層、及在該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層，在該第一型半導(dǎo)體層與該第二型半導(dǎo)體層上分別形成有一第一型電極和一第二型電極；數(shù)個(gè)導(dǎo)體，其中，一個(gè)導(dǎo)體從該第二發(fā)光二極管晶片的第一型電極延伸到貫孔內(nèi)并突伸到該第一發(fā)光二極管晶片外部，另一個(gè)導(dǎo)體從該第三發(fā)光二極管晶片的第二型電極延伸到貫孔內(nèi)并突伸到該第一發(fā)光二極管晶片外部，而另一個(gè)導(dǎo)體從該第二發(fā)光二極管晶片的第二型電極延伸到該第三發(fā)光二極管的第一型電極；及 形成于該第一發(fā)光二極管晶片的第一型和第二型電極上以及形成于該等導(dǎo)電軌跡的延伸到貫孔內(nèi)并突伸到該第一發(fā)光二極管晶片外部的部分上的外部連接導(dǎo)電體。
14.一種發(fā)光二極管元件，包含: 一第一安裝基板，該第一安裝基板具有一第一表面和數(shù)個(gè)布設(shè)在該第一表面上的預(yù)定的電路軌跡； 一第一發(fā)光二極管晶片，該第一發(fā)光二極管晶片具有一藍(lán)寶石基材、在該藍(lán)寶石基材上的第一型半導(dǎo)體層、在該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層、及用于與外部電路電氣連接的第一型和第二型電極，在該等電極中的每一者上形成有外部連接導(dǎo)電體，該第一發(fā)光二極管晶片借著外部連接導(dǎo)電體與該第一安裝基板的對(duì)應(yīng)的電路軌跡電氣連接來(lái)以覆晶方式安裝在該第一安裝基板上； 一第二發(fā)光二極管晶片，該第二發(fā)光二極管晶片具有一置于該第一發(fā)光二極管晶片的藍(lán)寶石基材的與該第一發(fā)光二極管晶片的第一型半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上的藍(lán)寶石基材、在該藍(lán)寶石基材上的第一型半導(dǎo)體層、及在該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層，在該第一型半導(dǎo)體層與該第二型半導(dǎo)體層上分別形成有一第一型電極和一第二型電極； 一第三發(fā)光二極管晶片，該第三發(fā)光二極管晶片與該第二發(fā)光二極管晶片并排地設(shè)置于該第一發(fā)光二極管晶片的藍(lán)寶石基材的與該第一發(fā)光二極管晶片的第一型半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上，該第三發(fā)光二極管晶片具有一置于該第一發(fā)光二極管晶片的基材上的藍(lán)寶石基材、在該藍(lán)寶石基材上的第一型半導(dǎo)體層、及在該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層，在該第一型半導(dǎo)體層與該第二型半導(dǎo)體層上分別形成有一第一型電極和一第二型電極；及一第二安裝基板，該第二安裝基板具有一第一表面和數(shù)個(gè)布設(shè)在該第一表面上的預(yù)定的電路軌跡，該第二安裝基板在其第一表面與該第一安裝基板的第一表面相對(duì)的狀態(tài)下設(shè)置以致于該第二發(fā)光二極管晶片的第一型電極經(jīng)由一外部連接導(dǎo)電體來(lái)連接到該第二安裝基板的一預(yù)定的電路軌跡、該第二發(fā)光二極管晶片的第二型電極和該第三發(fā)光二極管晶片的第一型電極經(jīng)由外部連接導(dǎo)電體來(lái)連接到該第二安裝基板的一預(yù)定的電路軌跡、及該第三發(fā)光二極管晶片的第二型電極經(jīng)由一外部連接導(dǎo)電體來(lái)連接到該第二安裝基板的一預(yù)定的電路軌跡，該第一安裝基板與該第二安裝基板的對(duì)應(yīng)的電路軌跡由導(dǎo)電體電氣連接。
15.—種發(fā)光二極管兀件,包含: 一安裝基板，該基板具有一安裝表面、一凹陷部、和數(shù)個(gè)形成在該安裝表面上與該凹陷部的底面上的導(dǎo)電軌跡； 一第一發(fā)光二極管晶片，該第一發(fā)光二極管晶片安裝在該基板上而且具有一藍(lán)寶石基材、在該藍(lán)寶石基材上的第一型半導(dǎo)體層、和在該第一型半導(dǎo)體層上的第二型半導(dǎo)體層、以及用于與外部電路電氣連接的分別與第一型半導(dǎo)體層和第二型半導(dǎo)體層電氣連接的第一型和第二型電極，該第一發(fā) 光二極管晶片是以覆晶晶片方式借著外部連接導(dǎo)電體來(lái)安裝于該基板的安裝表面上；一第二發(fā)光二極管晶片，該第二發(fā)光二極管晶片是以覆晶晶片方式借著外部連接導(dǎo)電體來(lái)安裝于該基板的凹陷部的底面上；及 一第三發(fā)光二極管晶片，該第三發(fā)光二極管晶片是以覆晶晶片方式借著外部連接導(dǎo)電體來(lái)安裝于該基板的凹陷部的底面上以致于該第三發(fā)光二極管晶片的第二型電極是與該第二發(fā)光二極管晶片的第一型電極電氣連接。
16.一種發(fā)光二極管元件，包含: 一安裝基板，該安裝基板具有一安裝表面以及布設(shè)于該安裝表面上的預(yù)定的電路軌跡； 一第一發(fā)光二極管晶片，該第一發(fā)光二極管晶片是以覆晶晶片方式借著外部連接導(dǎo)電體來(lái)安裝于該基板的安裝表面上； 一第二發(fā)光二極管晶片，該第二發(fā)光二極管晶片置于該第一發(fā)光二極管晶片的基材的與半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上；及 一第三發(fā)光二極管晶片，該第三發(fā)光二極管晶片與該第二發(fā)光二極管晶片并列地置于該第一發(fā)光二極管晶片的基材的與半導(dǎo)體層相對(duì)的表面上； 該第二發(fā)光二極管晶片的第一型電極和該第三發(fā)光二極管晶片的第二型電極分別經(jīng)由導(dǎo)線來(lái)電氣連接到對(duì)應(yīng)的電路軌跡，而該第二發(fā)光二極管晶片的第二型電極與該第三發(fā)光二極管晶片的第一型 電極經(jīng)由導(dǎo)線來(lái)電氣連接。
【文檔編號(hào)】H01L33/20GK103633219SQ201210309925
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月28日
【發(fā)明者】李學(xué)旻 申請(qǐng)人:李學(xué)旻