專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法以及接合裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法以及接合裝置。
背景技術(shù)：
以往，已知在形成有布線層的基板上載置了控制器芯片和/或存儲(chǔ)器芯片等芯片而成的半導(dǎo)體裝置。在這樣的半導(dǎo)體裝置中，通過(guò)將在基板上設(shè)置的電極焊盤與在芯片上設(shè)置的電極焊盤用金屬線連接(下面也之稱為接合(bonding))，使基板與芯片相互電連接。在這樣的半導(dǎo)體裝置中，伴隨通信速度的高速化，而期望既抑制成本又降低噪聲。另外，有時(shí)在形成于基板的電極焊盤的表面，形成鍍金。因此，期望抑制金的使用量以實(shí)現(xiàn)成本的抑制。另外，即使在抑制金的使用量而導(dǎo)致焊盤部分的鍍金變薄的情況下，仍期望既確保金屬線與焊盤的連接強(qiáng)度，又順暢連續(xù)地進(jìn)行接合。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠既抑制成本又降低噪聲、并且既確保金屬線與焊盤的連接強(qiáng)度又順暢連續(xù)地進(jìn)行接合的半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過(guò)從頂端供給金制的線的毛細(xì)管以及能夠切換為夾持線的閉合狀態(tài)和開放線的開放狀態(tài)的線夾，用線連接在基板的第一面上形成的基板側(cè)電極焊盤和在搭載于基板的第一面上的芯片上形成的芯片側(cè)電極焊盤。半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下步驟。通過(guò)化學(xué)鍍?cè)诨鍌?cè)電極焊盤上形成鍍鎳。通過(guò)化學(xué)鍍?cè)阱冩嚿闲纬慑冣Z。通過(guò)化學(xué)鍍?cè)诔蔀殄冣Z之上的最表層形成鍍金。使毛細(xì)管接近芯片，以將線的一端連接于芯片側(cè)電極焊盤。在線夾的打開狀態(tài)下，使毛細(xì)管向芯片上方移動(dòng)，使毛細(xì)管向朝向基板側(cè)電極焊盤的第I方向移動(dòng)。毛細(xì)管向第I方向的移動(dòng)，進(jìn)行至越過(guò)一次接合的位置的正上方的位置為止。一邊使毛細(xì)管向與第I方向相反的第2方向移動(dòng)一邊使其接近基板側(cè)電極焊盤，以將線一次接合于基板側(cè)電極焊盤。在與一次接合的位置相比向第I方向移動(dòng)了的位置對(duì)線進(jìn)行二次接合。使毛細(xì)管向基板上方移動(dòng)，將線夾切換成閉合狀態(tài)，使毛細(xì)管向基板的更上方移動(dòng)。


圖1表示第I實(shí)施方式所涉及的接合裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖2是表示用圖1所示的接合裝置制造的半導(dǎo)體裝置的一例的圖。圖3是放大了基板的基板側(cè)電極焊盤部分的局部放大俯視圖。圖4是沿著圖3所示的A — A線的剖視圖。圖5是用于說(shuō)明接合順序的流程圖。圖6是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖7是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖8是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。
圖9是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖10是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖11是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖12是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖13是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖14是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖15是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖16是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖17是線被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。圖18是表示線與基板側(cè)電極焊盤的接合強(qiáng)度的圖。圖19是表示線與基板側(cè)電極焊盤的接合強(qiáng)度的圖。符號(hào)說(shuō)明I控制部；2存儲(chǔ)部；3毛細(xì)管；3a貫穿孔；4線夾；5基板；5a第一面；6基板側(cè)電極焊盤；7控制器(芯片)；8芯片側(cè)電極焊盤；9存儲(chǔ)器芯片；10芯片側(cè)電極焊盤；11線；12樹脂模制部；13布線圖形；14保護(hù)膜；20球；21 —次接合點(diǎn)；22 二次接合點(diǎn)；31第I層；32第2層；33第3層；50接合裝置；60半導(dǎo)體裝置。
具體實(shí)施例方式下面參照附圖，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。此外，本發(fā)明不由實(shí)施方式限定。(第I實(shí)施方式)圖1是表示第I實(shí)施方式所涉及的接合裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。接合裝置50包括控制部1、存儲(chǔ)部2、毛細(xì)管3和線夾4。圖2是表示用圖1所示的接合裝置制造的半導(dǎo)體裝置的一例的圖。首先，關(guān)于使用關(guān)于接合裝置50制造的半導(dǎo)體裝置60的概略結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。半導(dǎo)體裝置60具備基板5、控制器(芯片)7和存儲(chǔ)器芯片(芯片)9?；?為在例如絕緣性樹脂基板的內(nèi)部和/或表面設(shè)有布線層的基板，兼作元件搭載基板和端子形成基板。作為這樣的基板5,使用用了玻璃環(huán)氧樹脂和/或玻璃BT樹脂(bismaleimide triazine resin,雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹脂)等的印刷布線板。在基板5的第一面5a上，形成有多個(gè)電極焊盤(基板側(cè)電極焊盤6)。圖3是放大了基板的基板側(cè)電極焊盤部分的局部放大俯視圖。圖4是沿圖3所示的A-A線的剖視圖。如圖3以及圖4所示，在基板5內(nèi)部，形成有作為布線層的布線圖形
13。布線圖形13，例如用銅形成，通過(guò)電解電鍍形成，或者用軋制銅箔形成。另外，布線圖形13有時(shí)也由用了電解電鍍、化學(xué)鍍、軋制銅箔的多層結(jié)構(gòu)形成。布線圖形13的表面有阻焊劑等保護(hù)膜14覆蓋。保護(hù)膜14的一部分，通過(guò)蝕刻而開口，使得布線圖形13的一部分露出。該露出的布線圖形13部分，作為基板側(cè)電極焊盤6發(fā)揮作用。在布線圖形13的露出部分的表面，首先，通過(guò)化學(xué)鍍實(shí)施鍍鎳(Ni)，形成第I層31。接著，在鍍鎳表面，通過(guò)化學(xué)鍍實(shí)施鍍鈀(Pd)，形成第2層32。然后，在鍍鈀表面，通過(guò)化學(xué)鍍實(shí)施鍍金(Au)，形成第3層33。因此，在基板側(cè)電極焊盤6的最表層(第3層)，實(shí)施了基于化學(xué)鍍的鍍金?？刂破?，從多個(gè)存儲(chǔ)器芯片9中選擇進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入和/或讀出的存儲(chǔ)器芯片
9?？刂破?控制向選擇的存儲(chǔ)器芯片9的數(shù)據(jù)寫入和/或、選擇的存儲(chǔ)器芯片9所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的讀出等?？刂破?被搭載在基板5的第一面5a上。在控制器7的上表面形成有多個(gè)電極焊盤(芯片側(cè)電極焊盤8)。存儲(chǔ)器芯片9為NAND型快閃存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)元件。存儲(chǔ)器芯片9設(shè)有多枚，在基板5的第一面5a上層疊搭載。存儲(chǔ)器芯片9彼此俯視稍稍錯(cuò)開地層疊。存儲(chǔ)器芯片9的上表面面中、因錯(cuò)開層疊存儲(chǔ)器芯片9而露出的部分，形成有電極焊盤(芯片側(cè)電極焊盤10)。通過(guò)用線11連接基板側(cè)電極焊盤6與芯片側(cè)電極焊盤8、10，將在基板5形成的布線圖形13、控制器7與存儲(chǔ)器芯片9相互電連接。線11，通過(guò)利用接合裝置50進(jìn)行接合而設(shè)置，以連接電極焊盤6、8、10之間，關(guān)于其詳情將后述。樹脂模制部12包含合成樹脂，覆蓋基板5的第一面5a側(cè)以封止第一面5a上搭載的控制器7、存儲(chǔ)器芯片9和線11。接著，關(guān)于接合裝置50的概略結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。接合裝置50具備控制部1、存儲(chǔ)部
2、毛細(xì)管3和線夾4?？刂撇?，基于存儲(chǔ)部2中存儲(chǔ)的程序使毛細(xì)管3以及線夾4工作，以使在半導(dǎo)體裝置60設(shè)置的電極焊盤6、8、10之間由線11連接。毛細(xì)管3，在其中心部具有貫穿孔3a，在貫穿孔3a中插通金制的線11。線11通過(guò)貫穿孔3a從毛細(xì)管3的頂端被供給。毛細(xì)管3的頂端為能夠使線11按壓連接于電極焊盤
6、8、10的形狀。線夾4設(shè)置于毛細(xì)管3的基礎(chǔ)側(cè)，設(shè)為能夠切換為夾持在毛細(xì)管3的貫穿孔3a插通的線11的閉合狀態(tài)和開放線11的打開狀態(tài)。毛細(xì)管3與線夾4設(shè)為，能夠通過(guò)未圖示的驅(qū)動(dòng)裝置三維移動(dòng)，通過(guò)控制部I的制御進(jìn)行預(yù)定的工作。接著，說(shuō)明通過(guò)接合裝置50將線11接合于電極焊盤6、8、10的順序。圖5是用于說(shuō)明接合順序的流程圖。圖6 圖17是線11被接合的部分的剖視圖，是表示接合的一個(gè)步驟的圖。此外，圖6 圖17中，將與基板5的第一面5a垂直的軸設(shè)為Y軸，將從基板5的第一面5a離開的方向作為正方向來(lái)說(shuō)明。另外，將與Y軸正交、與從芯片側(cè)電極焊盤8朝向基板側(cè)電極焊盤6的方向平行的軸設(shè)為X軸，將從芯片側(cè)電極焊盤8朝向基板側(cè)電極焊盤6的方向設(shè)為正方向，來(lái)說(shuō)明。下面的順序通過(guò)控制部I按照存儲(chǔ)部2中存儲(chǔ)的制御程序使毛細(xì)管3和/或線夾4工作來(lái)進(jìn)行。首先，將線11的頂端接合于控制器7的芯片側(cè)電極焊盤8 (步驟SI)。此外，成為接合對(duì)象的電極焊盤也可以是存儲(chǔ)器芯片9的芯片側(cè)電極焊盤10。如圖6所示，在從毛細(xì)管3的頂端部突出的線11的頂端形成有球20。球20是通過(guò)對(duì)焊炬(torch)(未圖示)與線11之間施加電壓而產(chǎn)生的火花將從毛細(xì)管3的頂端突出的線11熔融而形成的。步驟SI中，如圖7所示，使已向芯片側(cè)電極焊盤8上方移動(dòng)了的毛細(xì)管3沿著Y軸向負(fù)方向、即朝向芯片側(cè)電極焊盤8下降，按壓于芯片側(cè)電極焊盤8使得球20破裂以進(jìn)行接合。線11的接合中，由毛細(xì)管3對(duì)線11施加載荷和超聲波。接著，如圖8所示，將線夾4設(shè)為打開狀態(tài)，使毛細(xì)管3向沿著Y軸的正方向、即向上方移動(dòng)(步驟S2)。通常而言，在使毛細(xì)管3向上方移動(dòng)時(shí)，還進(jìn)行用于使線11彎曲成環(huán)形狀的向其他方向的移動(dòng)，但這里省略對(duì)其的說(shuō)明。
接著，使毛細(xì)管3向沿著X軸的正方向(第I方向)、即向朝向基板側(cè)電極焊盤6的方向移動(dòng)(步驟S3)。此外，詳情后述，但對(duì)基板側(cè)電極焊盤6，兩次進(jìn)行用毛細(xì)管3的頂端按壓線11以接合的步驟。在下面的說(shuō)明中，將第I次接合稱為一次接合，將第2次接合稱為二次接合。另外，將進(jìn)行一次接合的位置作為一次接合點(diǎn)21來(lái)圖示，將進(jìn)行二次接合的位置作為二次接合點(diǎn)22來(lái)圖示。步驟S3中，使毛細(xì)管3移動(dòng)至越過(guò)一次接合點(diǎn)21正上方的位置為止。S卩，使毛細(xì)管3向與進(jìn)行一次接合時(shí)毛細(xì)管3在X軸方向上的位置相比更靠沿X軸的正方向側(cè)移動(dòng)。接著，如圖10所示，邊使毛細(xì)管3向沿X軸的負(fù)方向(與第I方向相反的第2方向)移動(dòng)邊使其朝向一次接合點(diǎn)21下降，以使線11 一次接合于一次接合點(diǎn)21 (步驟S4)。這里，步驟S4中毛細(xì)管3的運(yùn)動(dòng)，描繪出矢印Pl所示的軌跡。此外，在線11的一次接合中，由毛細(xì)管3對(duì)線11施加載荷和超聲波。接著，如圖11所示，使毛細(xì)管3向沿著Y軸的正方向、即向上方移動(dòng)(步驟S5)。然后，如圖12所示，使毛細(xì)管3移動(dòng)直至二次接合點(diǎn)22的正上方為止(步驟S6)。如圖13所示，使毛細(xì)管3朝向二次接合點(diǎn)22下降，以使線11 二次接合于二次接合點(diǎn)22 (步驟S7)。此外，在線11的二次接合中，由毛細(xì)管3對(duì)線11施加載荷和超聲波。接著，如圖14所示，使毛細(xì)管3向沿著Y軸的正方向、即向上方移動(dòng)(步驟S8)。這里，從步驟S3到步驟S8為止，線夾4維持打開狀態(tài)，但如圖15所示，將線夾4切換為閉合狀態(tài)以使線夾4夾持線11 (步驟S9)。然后，通過(guò)在由線夾4夾持著線11的狀態(tài)下，使毛細(xì)管3向沿著Y軸的正方向、即進(jìn)一步向上方移動(dòng)(步驟S10)，拉斷線11的線尾。通過(guò)以上順序，電極焊盤6、8間通過(guò)線11電接合。此外，在拉斷線11的線尾后，用焊炬(未圖示)在從毛細(xì)管3頂端突出的線11產(chǎn)生火花，在線11頂端再次形成球20 (也參照?qǐng)D17)。從該狀態(tài)起返回到步驟SI的步驟，從而能夠連續(xù)地進(jìn)行向多個(gè)電極焊盤的接合。圖18是表示線11與基板側(cè)電極焊盤6的接合強(qiáng)度的圖。圖18中，以縱軸表示接合強(qiáng)度，以橫軸表示步驟S3中毛細(xì)管3越過(guò)一次接合點(diǎn)21的正上方移動(dòng)了的量即超過(guò)移動(dòng)量。另外，超過(guò)移動(dòng)量，將超過(guò)與線11的直徑(線徑)相同的距離而移動(dòng)的情況作為100%來(lái)表不。另外，將沿著X軸的正方向(第I方向)設(shè)為+，將沿著X軸的負(fù)方向(第2方向)設(shè)為一。S卩，圖18中，示出毛細(xì)管3的超過(guò)移動(dòng)量與線11的接合強(qiáng)度的關(guān)系。如圖18所示，在進(jìn)行一次接合前使毛細(xì)管3暫時(shí)通過(guò)一次接合點(diǎn)21而設(shè)置了超過(guò)移動(dòng)量，能夠提高線11的接合強(qiáng)度。另外，如圖18所示，將超過(guò)移動(dòng)量設(shè)為約75%時(shí)，接合強(qiáng)度為峰值。圖19是表示線11與基板側(cè)電極焊盤6的接合強(qiáng)度的圖。圖19中，以縱軸表示接合強(qiáng)度，以橫軸表不一次接合點(diǎn)21與二次接合點(diǎn)22的距離。此外,一次接合點(diǎn)21與二次接合點(diǎn)22的距離，將與線徑相等的距離作為100%來(lái)表示。另外，將沿著X軸的正方向(第I方向)設(shè)為十，將沿著X軸的負(fù)方向(第2方向)設(shè)為一。S卩，圖19中，示出一次接合點(diǎn)21和二次接合點(diǎn)22的距離與線11的接合強(qiáng)度之間的關(guān)系。如圖19所示，即使對(duì)與一次接合點(diǎn)21相比靠沿著X軸的負(fù)方向側(cè)的二次接合點(diǎn)22進(jìn)行二次接合，接合強(qiáng)度也不會(huì)降低，能夠維持已通過(guò)設(shè)置超過(guò)移動(dòng)量的一次接合而提高了的接合強(qiáng)度。
如以上說(shuō)明地，通過(guò)化學(xué)鍍對(duì)基板側(cè)電極焊盤6實(shí)施鍍鎳、鍍鈀、鍍金，因而不像實(shí)施電鍍時(shí)那樣對(duì)基板5設(shè)置電鍍線亦可。電鍍線是為了使鍍物析出于電極焊盤6而從電極焊盤6和/或布線圖形13延伸直至基板5端部或其附近的布線。電鍍線，因?yàn)闀?huì)殘存于作為產(chǎn)品的半導(dǎo)體裝置60中，所以容易成為發(fā)送接收的信號(hào)的反射源而成為反射噪聲的原因。另一方面，本實(shí)施方式中，通過(guò)化學(xué)鍍來(lái)實(shí)施鍍鎳、鍍鈀、鍍金，不設(shè)置電鍍線亦可，所以能夠抑制反射噪聲以實(shí)現(xiàn)通信品質(zhì)的提高。另外，通過(guò)使用化學(xué)鍍而去除電鍍線，容易確保在布線圖形13間設(shè)置電源區(qū)域(向?qū)刂破?和/或存儲(chǔ)器芯片9供給電源的線或?qū)⒖刂破?和/或存儲(chǔ)器芯片9接地的線進(jìn)行電連接的區(qū)域)的空間。通過(guò)設(shè)置電源區(qū)域，基板5的電源阻抗變小，能夠?qū)崿F(xiàn)電源開關(guān)噪聲的降低。此外，在由電鍍形成布線圖形13的情況下設(shè)置的電鍍線，能夠通過(guò)在形成保護(hù)膜14前的蝕刻步驟去除，所以即使在布線圖形13的形成中使用電鍍也難以成為反射噪聲的原因。另外，在基板側(cè)電極焊盤6的最表層設(shè)置的鍍金，通過(guò)化學(xué)鍍來(lái)形成。這里，基于化學(xué)鍍的鍍金形成，通過(guò)置換第I層31的鎳與金來(lái)進(jìn)行。該鎳與金的置換有限度，有時(shí)不能將第3層33即鍍金形成為充分的厚度。當(dāng)成為最表層的鍍金的厚度不足時(shí)，接合所產(chǎn)生的與線11的接合強(qiáng)度容易降低。但是，本實(shí)施方式中，通過(guò)設(shè)置了超過(guò)移動(dòng)量的線11的一次接合，實(shí)現(xiàn)了線11的接合強(qiáng)度的提高。因此，即使是在成為最表層的鍍金的厚度不足的情況下，也容易得到足夠的接合強(qiáng)度。此外，只要薄薄地形成鍍金，就能夠抑制金的使用量，能夠?qū)崿F(xiàn)成本的抑制。另外，在一次接合的基礎(chǔ)上進(jìn)行二次接合、接著拉斷線11的線尾，由此能夠穩(wěn)定地進(jìn)行線尾的拉斷。即，能夠使在毛細(xì)管3側(cè)形成球20所需的線11的突出量(質(zhì)量)穩(wěn)定。另外，能夠進(jìn)行在基板側(cè)電極焊盤6側(cè)留下足夠接合面積的線尾的拉斷。線11的突出量穩(wěn)定，由此球20的形成也穩(wěn)定，所以能夠順暢地連續(xù)進(jìn)行接合。此外，如圖19所示，二次接合對(duì)線11的接合強(qiáng)度幾乎沒有影響。此外,本實(shí)施方式中,舉出控制器7和存儲(chǔ)器芯片9的兩方設(shè)置于基板5的第一面5a上的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此。例如，控制器7可以設(shè)置在存儲(chǔ)器芯片9上，存儲(chǔ)器芯片9也可以設(shè)置在控制器7上。即，半導(dǎo)體裝置60內(nèi)的控制器7和/或存儲(chǔ)器芯片9的設(shè)置位置不限定，只要是芯片側(cè)電極焊盤8、10與基板側(cè)電極焊盤6通過(guò)線11連接的結(jié)構(gòu)，就能夠應(yīng)用本實(shí)施方式。另外，通過(guò)線11與基板側(cè)電極焊盤6連接的連接對(duì)象，不限于控制器7和/或存儲(chǔ)器芯片9的電極焊盤，即使是在半導(dǎo)體裝置60內(nèi)設(shè)置的其他芯片的電極焊盤也可以。另夕卜，存儲(chǔ)器芯片9的枚數(shù)不限于2枚，即使是I枚或3枚以上也可以。進(jìn)一步的效果和/或變形例，能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地導(dǎo)出。因此，本發(fā)明的更廣泛的方式，不限定于以上那樣表示且表述的特定的詳細(xì)以及典型的實(shí)施方式。因此，能夠不脫離由技術(shù)方案及其等同物所定義的總括性的發(fā)明的概念精神或范圍地，進(jìn)行各種變更。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過(guò)從頂端供給金制的線的毛細(xì)管以及能夠切換為夾持所述線的閉合狀態(tài)和開放所述線的打開狀態(tài)的線夾，用所述線連接在基板的第一面上形成的基板側(cè)電極焊盤與在搭載于所述基板的第一面上的芯片上形成的芯片側(cè)電極焊盤，其中， 通過(guò)化學(xué)鍍?cè)谒龌鍌?cè)電極焊盤上形成鍍鎳， 通過(guò)化學(xué)鍍?cè)谒鲥冩嚿闲纬慑冣Z， 通過(guò)化學(xué)鍍?cè)诔蔀樗鲥冣Z之上的最表層形成鍍金， 使所述毛細(xì)管接近所述芯片，以將所述線的一端連接于所述芯片側(cè)電極焊盤， 在所述線夾的打開狀態(tài)下， 使所述毛細(xì)管向所述芯片上方移動(dòng)， 使所述毛細(xì)管向朝向所述基板側(cè)電極焊盤的第I方向移動(dòng)， 使所述毛細(xì)管接近所述基板側(cè)電極焊盤以將所述線一次接合于所述基板側(cè)電極焊盤，使所述毛細(xì)管移動(dòng)，以在與所述一次接合的位置相比向所述第I方向移動(dòng)了的位置將所述線二次接合于所述基板側(cè)電極焊盤， 使所述毛細(xì)管向所述基板上方移動(dòng)， 將所述線夾切換為閉合狀態(tài)， 使所述毛細(xì)管向所述基板的更上方移動(dòng)， 所述毛細(xì)管向所述第I 方向的移動(dòng)，進(jìn)行至越過(guò)所述一次接合的位置的正上方的位置為止， 所述一次接合，使所述毛細(xì)管邊向與所述第I方向相反的第2方向移動(dòng)邊接近所述基板側(cè)電極焊盤而進(jìn)行。
2.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過(guò)從頂端供給金制的線的毛細(xì)管以及能夠切換為夾持所述線的閉合狀態(tài)和開放所述線的打開狀態(tài)的線夾，用所述線連接在基板的第一面上形成的基板側(cè)電極焊盤與在搭載于所述基板的第一面上的芯片上形成的芯片側(cè)電極焊盤，其中， 通過(guò)化學(xué)鍍?cè)谒龌鍌?cè)的電極焊盤的最表層形成鍍金， 使所述毛細(xì)管接近所述芯片以將所述線的一端連接于所述芯片側(cè)電極焊盤， 在所述線夾的打開狀態(tài)下， 使所述毛細(xì)管向所述芯片上方移動(dòng)， 使所述毛細(xì)管向朝向所述基板側(cè)電極焊盤的第I方向移動(dòng)， 使所述毛細(xì)管接近所述基板側(cè)電極焊盤以將所述線一次接合于所述基板側(cè)電極焊盤，所述毛細(xì)管向所述第I方向的移動(dòng)，進(jìn)行至越過(guò)所述一次接合的位置的正上方的位置為止， 所述一次接合，使所述毛細(xì)管邊向與所述第I方向相反的第2方向移動(dòng)邊接近所述基板側(cè)電極焊盤而進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在所述一次接合之后， 使所述毛細(xì)管向所述基板側(cè)電極焊盤上方移動(dòng)， 使所述毛細(xì)管移動(dòng)，以在與所述一次接合的位置相比向所述第I方向移動(dòng)了的位置對(duì)所述線進(jìn)行二次接合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在所述二次接合之后， 使所述毛細(xì)管向所述基板上方移動(dòng)， 將所述線夾切換為閉合狀態(tài)， 使所述毛細(xì)管向所述基板的更上方移動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2 4中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 通過(guò)化學(xué)鍍?cè)谒龌鍌?cè)電極焊盤上形成鍍鎳， 通過(guò)化學(xué)鍍?cè)谒鲥冩嚿闲纬慑冣Z， 所述鍍金在所述鍍鈀上形成。
6.一種接合裝置，用金制的線連接在基板的第一面上形成的基板側(cè)電極焊盤和在搭載于所述基板的第一面上的芯片上形成的芯片側(cè)電極焊盤，其中，具備: 線夾，其能夠切換為夾持所述線的閉合狀態(tài)與開放所述線的打開狀態(tài)的；和控制部，其使從頂端供給線的毛細(xì)管接近所述芯片以將所述線的一端連接于所述芯片側(cè)電極焊盤，在所述線夾的打開狀態(tài)下，使所述毛細(xì)管向所述芯片上方移動(dòng)，使所述毛細(xì)管向朝向所述基板側(cè)電極焊盤的第I方向移動(dòng)，使所述毛細(xì)管接近所述基板側(cè)電極焊盤以將所述線一次接合于所述基板側(cè)電極焊盤，使所述毛細(xì)管向所述基板側(cè)電極焊盤上方移動(dòng)，使所述毛細(xì)管移動(dòng)以在與所述一次接合的位置相比向所述第I方向移動(dòng)了的位置二次接合所述線，使所述毛 細(xì)管向所述基板上方移動(dòng)，將所述線夾切換成閉合狀態(tài)，使所述毛細(xì)管向所述基板的更上方移動(dòng)， 所述毛細(xì)管向所述第I方向的移動(dòng)，進(jìn)行至越過(guò)所述一次接合的位置的正上方的位置為止， 所述一次接合，使所述毛細(xì)管邊向與所述第I方向相反的第2方向移動(dòng)邊接近所述基板側(cè)電極焊盤而進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠既抑制成本又降低噪聲、并且既確保金屬線與焊盤的連接強(qiáng)度又順暢連續(xù)地進(jìn)行接合的半導(dǎo)體裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過(guò)毛細(xì)管以及能夠切換成閉合狀態(tài)和打開狀態(tài)的線夾，用線連接在基板上形成的基板側(cè)電極焊盤和在芯片上形成的芯片側(cè)電極焊盤。通過(guò)化學(xué)鍍?cè)诨鍌?cè)電極焊盤的最表層形成鍍金。使毛細(xì)管移動(dòng)至越過(guò)線對(duì)基板側(cè)電極焊盤接合的一次接合的位置的正上方的位置為止，接著對(duì)基板側(cè)電極焊盤進(jìn)行線的一次接合。
文檔編號(hào)H01L21/60GK103199028SQ201210308848
公開日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月10日
發(fā)明者井本孝志, 石田勝?gòu)V, 蔣田英雄, 渡邊昭吾, 佐野雄一, 谷本亮, 安藤善康, 武部直人, 巖本正次, 竹本康男 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝