專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件以及制造所述半導(dǎo)體器件的方法，更具體而言，涉及ー種包括導(dǎo)電圖案的半導(dǎo)體器件以及制造所述半導(dǎo)體器件的方法。
背景技術(shù)：
根據(jù)近來(lái)半導(dǎo)體器件的精細(xì)度和高集成，為了在有限的區(qū)域內(nèi)形成更多的圖案，需要減小圖案的線寬和空間寬度。圖案通常是利用光刻エ藝形成的，但是由于固有分辨率極限的緣故，光刻可能在減小圖案的線寬和空間寬度上有限制。為了形成具有超過(guò)光刻エ藝中固有分辨率極限的細(xì)小線寬的細(xì)小圖案，已經(jīng)提出了利用雙重重疊的圖案來(lái)形成細(xì)小圖案的雙圖案化技術(shù)和利用間隔件來(lái)形成細(xì)小圖案的間隔件圖案化技木。與此同時(shí)，半導(dǎo)體器件包括多個(gè)金屬導(dǎo)線以及與所述多個(gè)金屬導(dǎo)線連接的多個(gè)接觸焊盤(pán)。因此，用于在窄小的面積內(nèi)有效地排列所述多個(gè)金屬導(dǎo)線和所述多個(gè)接觸焊盤(pán)的布局是期望得到的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種能夠有效地布置多個(gè)導(dǎo)線和多個(gè)接觸焊盤(pán)的半導(dǎo)體器件，以及ー種制造所述半導(dǎo)體器件的方法。本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括多個(gè)導(dǎo)線，所述多個(gè)導(dǎo)線平行延伸，并且每個(gè)導(dǎo)線具有沿第一方向延伸的第一區(qū)域以及與所述第一區(qū)域耦接并沿與所述第一方向相交叉的第二方向延伸的第二區(qū)域；以及多個(gè)接觸焊盤(pán)，每個(gè)接觸焊盤(pán)與相應(yīng)ー個(gè)導(dǎo)線的第二區(qū)域耦接，其中，所述多個(gè)導(dǎo)線被分組并被布置在多個(gè)組中，第一組的第一區(qū)域比第二組的第一區(qū)域更長(zhǎng)，并且第一組的第二區(qū)域與第二組的第二區(qū)域彼此間隔開(kāi)。本發(fā)明的另ー個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在導(dǎo)電層上形成用于導(dǎo)線和接觸焊盤(pán)的掩模圖案，并利用用于導(dǎo)線和接觸焊盤(pán)的掩模圖案作為刻蝕阻擋來(lái)刻蝕導(dǎo)電層而形成平行延伸的多個(gè)導(dǎo)線，其中，導(dǎo)線中的每個(gè)包括沿第一方向延伸的第一區(qū)域以及與第一區(qū)域耦接并沿與第一方向相交叉的第二方向延伸的第二區(qū)域，并且接觸焊盤(pán)中的每個(gè)與導(dǎo)線的相應(yīng)第二區(qū)域連接。其中，所述多個(gè)導(dǎo)線被分組并被布置在多個(gè)組中，第一組的第一區(qū)域比第二組的第一區(qū)域更長(zhǎng)，并且第一組的第二區(qū)域與第二組的第二區(qū)域彼此間隔開(kāi)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，形成彎曲的導(dǎo)線并且多個(gè)導(dǎo)線被分組并被布置在多個(gè)組中，使得可以最小化相鄰的存儲(chǔ)塊之間的干擾，并改善存儲(chǔ)器件的集成度。特別地，將接觸焊盤(pán)布置在導(dǎo)線之間的空間中，使得可以在窄小的面積內(nèi)有效地布置多個(gè)導(dǎo)線和多個(gè)焊盤(pán)。因此，可以在不留空間的情況下規(guī)則地布置多個(gè)導(dǎo)線和多個(gè)焊盤(pán)，使得不需要形成虛設(shè)線。前述的發(fā)明內(nèi)容僅用作說(shuō)明，不意在以任何方式進(jìn)行限制。除了以上描述的說(shuō)明性方面、實(shí)施例和特征以外，通過(guò)參照附圖和以下的詳細(xì)描述，進(jìn)一歩的方面、實(shí)施例和特征將變得清楚。


圖IA是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖，并且說(shuō)明了形成有多個(gè)導(dǎo)線和多個(gè)接觸焊盤(pán)的區(qū)域。圖IB是說(shuō)明圖IA所示的一個(gè)導(dǎo)線的放大示圖?！D2A至2G是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)線和接觸焊盤(pán)的方法的平面圖。圖3A至3G是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)線和接觸焊盤(pán)的方法的截面圖。圖4至圖6是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的第一掩模圖案、第二掩模圖案以及第三掩模圖案的示圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將描述本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例。在附圖中，為了便于說(shuō)明，夸大了元件的厚度和間隔。在以下描述中，可能省略了對(duì)已知相關(guān)作用和配置的詳細(xì)解釋?zhuān)员苊獠槐匾貙?duì)本發(fā)明的主題造成歧義。在以下描述中，盡管相同的元件在不同的附圖中示出，但是將由相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示。圖IA是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的平面圖，并且說(shuō)明了形成有多個(gè)導(dǎo)線和多個(gè)接觸焊盤(pán)的區(qū)域。如圖IA所示，根據(jù)本發(fā)明本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括多個(gè)存儲(chǔ)塊MBl和MB2。存儲(chǔ)塊MBl和MB2中的每個(gè)包括多個(gè)導(dǎo)線IO1至30K，所述多個(gè)導(dǎo)線IO1至30K具有形同“L”的彎曲形狀并平行延伸；以及多個(gè)接觸焊盤(pán)40，所述多個(gè)接觸焊盤(pán)40與所述多個(gè)導(dǎo)線IO1至30k的末端連接。這里，導(dǎo)線IO1至30K可以是字線。另外，存儲(chǔ)塊MBl和MB2中的每個(gè)還包括導(dǎo)線51和52，導(dǎo)線51和52中的每個(gè)在所述多個(gè)導(dǎo)線IO1至30k的ー側(cè)和另ー側(cè)具有比導(dǎo)線IO1至30K中的每個(gè)更寬的寬度。導(dǎo)線51和52可以是漏極選擇線和源極選擇線。根據(jù)前述的布局，存儲(chǔ)塊MBl和MB2中的每個(gè)具有形同“L”的彎曲形狀，并且存儲(chǔ)塊是通過(guò)將相鄰的存儲(chǔ)塊MBl和MB2旋轉(zhuǎn)180°而以重疊的形式布置的，由此進(jìn)ー步改善存儲(chǔ)器件的集成度。在下文中，將詳細(xì)地描述第一存儲(chǔ)塊MBl中所包括的多個(gè)導(dǎo)線IO1至30k的形式和布局。ー個(gè)存儲(chǔ)塊MBl中所包括的多個(gè)導(dǎo)線IO1至30k被分成多個(gè)組G1至Gm并布置，并且這些組G1至Gm中的每個(gè)所包括的導(dǎo)線的數(shù)目可以相同或不同。在本實(shí)施例中，將描述以下情況作為ー個(gè)實(shí)例，即所述多個(gè)導(dǎo)線IO1至30k被分成三個(gè)組G1至G3,第一組G1包括P個(gè)導(dǎo)線IO1至10P，第二組G2包括Q個(gè)導(dǎo)線20i至20q,第三組G3包括R個(gè)導(dǎo)線SO1至30K。另夕卜，出于說(shuō)明的目的，第一組G1中所包括的導(dǎo)線被稱(chēng)為第一導(dǎo)線IO1至10P，第二組ら中所包括的導(dǎo)線被稱(chēng)為第二導(dǎo)線20:至20Q，第三組ら中所包括的導(dǎo)線被稱(chēng)為第三導(dǎo)線30:至30k。這里，P、Q以及R表示自然數(shù)。圖IB是說(shuō)明一個(gè)導(dǎo)線的放大示圖。如圖IB所示，相應(yīng)的導(dǎo)線IO1至30K包括沿第一方向1-1’延伸的第一區(qū)域①，以及與第一區(qū)域①連接并沿與第一方向1-1’相交叉的第二方向11-11’延伸的第二區(qū)域②。這里，接觸焊盤(pán)40與第二區(qū)域②連接。雖然圖IB說(shuō)明了接觸焊盤(pán)40與反的第一方向1-1’連接的情況，但是接觸焊盤(pán)40也可以與正的第一方向1-1’連接。在下文中，將參見(jiàn)圖IA和圖IB詳細(xì)地描述多個(gè)導(dǎo)線IO1至30K和多個(gè)焊盤(pán)40的 布局。根據(jù)本發(fā)明，多個(gè)導(dǎo)線IO1至30k以各第一區(qū)域①和第二區(qū)域②中的導(dǎo)線IO1至30k平行延伸的方式來(lái)布置。在這種情況下，為了均勻地布置多個(gè)導(dǎo)線IO1至30K和多個(gè)接觸焊盤(pán)40而不浪費(fèi)空間，相應(yīng)的導(dǎo)線IO1至30k的第一區(qū)域①和第二區(qū)域②在長(zhǎng)度上被調(diào)整，并且第二區(qū)域②與接觸焊盤(pán)40連接的方向也被調(diào)整。因此，第一區(qū)域①和第二區(qū)域②的長(zhǎng)度針對(duì)組G1至G3中的每個(gè)是不同的，并且即使在組G1至G3中的一個(gè)組中包括導(dǎo)線IO1至30k，第一區(qū)域①和第二區(qū)域②的長(zhǎng)度針對(duì)各導(dǎo)線IO1至30k也是不同的。第一組G1至第M組Gm被順序地布置，且第一組G1中所包括的第一導(dǎo)線IO1至IOp的第一區(qū)域①比第二組G2中所包括的第二導(dǎo)線20:至20q的第一區(qū)域①更長(zhǎng)。因此，第一組G1中所包括的第一導(dǎo)線IO1至IOp的第二區(qū)域②與第二組G2中所包括的第二導(dǎo)線20i至20q的第二區(qū)域②彼此被間隔開(kāi)，并且與多個(gè)導(dǎo)線IO1至30k的第二區(qū)域②連接的多個(gè)接觸焊盤(pán)40被布置在相鄰的組G1至Gn之間的空間中。ー個(gè)組G1中所包括的導(dǎo)線IO1至IOp基于位于其中心處的導(dǎo)線而兩側(cè)對(duì)稱(chēng)地(bisymmetrically)布置。特別地，中心導(dǎo)線的第二區(qū)域②突出得最多，或沿第二方向
11-11’具有基本最長(zhǎng)的長(zhǎng)度，隨著導(dǎo)線位于更外側(cè)，導(dǎo)線突出得更少，或沿第二方向11-11’具有比中心導(dǎo)線更短的長(zhǎng)度。在這種情況下，每個(gè)組G1的第二區(qū)域②具有兩側(cè)對(duì)稱(chēng)的三角形形式。另外，基于中心導(dǎo)線形成在左側(cè)的導(dǎo)線與左側(cè)(反的第一方向)的接觸焊盤(pán)40連接，并且基于中心導(dǎo)線形成在右側(cè)的導(dǎo)線與右側(cè)(正的第一方向)的接觸焊盤(pán)40連接。因此,接觸焊盤(pán)40被布置在相鄰的組G1至G3之間的空間中。圖2A至圖2G是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)線和接觸焊盤(pán)的方法的平面圖，圖3A至3G是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的導(dǎo)線和接觸焊盤(pán)的方法的截面圖。如圖2A和3A所示，在襯底100上形成導(dǎo)電薄膜110、即要被刻蝕的層，所述襯底100中形成有所要求的下結(jié)構(gòu)，然后順序地形成第一硬掩模薄膜120和第二硬掩模薄膜130。接著，在第二硬掩模薄膜130上形成包括多個(gè)線圖案141至151的第一掩模圖案140。第一掩模圖案140是ー種用于形成間隔件圖案化技術(shù)(SPT)エ藝的間隔件的輔助圖案。因此，考慮要在第一掩模圖案140的側(cè)壁上形成的間隔件的寬度來(lái)確定線圖案141至151的線寬和空間寬度。所述多個(gè)線圖案包括沿第一方向1-1’延伸的第一區(qū)域①、與第一方向1-1 ’連接并沿第二方向11-11’延伸的第二區(qū)域②、與第二區(qū)域②的末端連接的第三區(qū)域③。第一區(qū)域①和第二區(qū)域②被提供用于形成導(dǎo)線，井分別具有第一寬度Wl和第二寬度W2。另外，第三區(qū)域③被提供用于形成接觸焊盤(pán)，并具有比第一區(qū)域①和第二區(qū)域②更寬的寬度。第三區(qū)域③可以沿正的第一方向1-1’或沿反的第一方向1-1’與第二區(qū)域②的末端連接。所述多個(gè)線圖案被分成多個(gè)組并布置，并且相應(yīng)的組中所包括的線圖案141至151的數(shù)目可以相同或不同。在本實(shí)施例中，第一組ら包括例如六個(gè)第一線圖案141至146，第二組G2包括例如五個(gè)第二線圖案147至151。第一組ら的第一區(qū)域①比第二組G2的第一區(qū)域①更長(zhǎng)。因此，第一組G1的第二區(qū)域②與第二組G2的第二區(qū)域②彼此間隔開(kāi)，并且與第二區(qū)域②連接的第三區(qū)域③形成在相鄰的組G1和G2的第二區(qū)域②之間的空間中。在這種情況下，相鄰的組G1和G2的第三區(qū)域③可以彼此分離或彼此連接。附圖標(biāo)記④表示相鄰的組G1和G2的第三區(qū)域③彼此連接的情況。在形成掩模圖案所使用的圖案的彎曲區(qū)域或邊緣區(qū)域中可能產(chǎn)生錯(cuò)誤，為了校正這種錯(cuò)誤要執(zhí)行光學(xué)鄰近校正。因此，通過(guò)將相鄰的組G1和G2的第三區(qū)域③彼此連接，可以不必校正邊緣區(qū)域的形狀可能出現(xiàn)的錯(cuò)誤。另外，ー個(gè)組G1中所包括的線圖案141至146基于位于所述組G1中心的線圖案143和144而兩側(cè)對(duì)稱(chēng)地形成。特別地，中心導(dǎo)線143和144的第二區(qū)域②沿第二方向11-11’突出得最多，由于導(dǎo)線141、142、145以及146位于更外側(cè)，這些導(dǎo)線沿第二方向11-11’突出得更少。在這種情況下，每個(gè)組G1的第二區(qū)域②具有兩側(cè)對(duì)稱(chēng)的三角形形式。如圖2B和圖3B所示，形成包圍第一掩模圖案140的側(cè)壁的間隔件160。例如，可以沿著形成有第一掩模圖案140的整個(gè)表面形成用于間隔件的材料薄膜，然后可以通過(guò)對(duì)整個(gè)表面執(zhí)行刻蝕エ藝而形成間隔件160。間隔件160被提供用于形成導(dǎo)線，且被形成以包圍線圖案141至151的所有的第一區(qū)域①、第二區(qū)域②以及第三區(qū)域③。如圖2C和3C所示，在保留間隔件160的同時(shí)選擇性地去除第一掩模圖案140。隨后，利用間隔件160作為刻蝕阻擋來(lái)刻蝕第二硬掩模層130，以形成第二硬掩模圖案130A。如圖2D和3D所示，在第二硬掩模圖案130A上形成用于形成接觸焊盤(pán)的第二掩模圖案170。第二掩模圖案170將形成在包圍線圖案140的第三區(qū)域③的位置處的第二硬掩模圖案130A覆蓋，并且包括寬度比第二硬掩模圖案130A更寬的的多個(gè)島圖案。這里，所述多個(gè)島圖案位于第一組G1和第二組G2之間的空間中。第二掩模圖案170可以是光致抗蝕劑圖案。如圖2E和3E所示，利用第二硬掩模圖案130A和第二掩模圖案170作為刻蝕阻擋來(lái)刻蝕第一硬掩模層120,以形成第一硬掩模圖案120A。如圖2F和3F所示，利用第一硬掩模圖案120A作為刻蝕阻擋來(lái)刻蝕導(dǎo)電層110，以形成導(dǎo)電圖案110A。因此，形成多個(gè)導(dǎo)線和多個(gè)接觸焊盤(pán)，所述多個(gè)導(dǎo)線包括沿第一方向1-1’延伸的第一區(qū)域①以及與第一區(qū)域①連接且沿第二方向11-11’延伸的第二區(qū)域②，所述多個(gè)接觸焊盤(pán)與所述多個(gè)導(dǎo)線的第二區(qū)域②連接。然而，在導(dǎo)電圖案IlOA中，相鄰的接觸焊盤(pán)通過(guò)導(dǎo)線彼此連接。接著，在形成有導(dǎo)電圖案IlOA的所得結(jié)構(gòu)上形成第三掩模圖案180，并且在刻蝕連接在接觸焊盤(pán)之間的導(dǎo)線中使用第三掩模圖案180。第三掩模圖案180具有暴露出接觸焊盤(pán)之間的導(dǎo)線的多個(gè)開(kāi)ロ。例如，如果在形成第一掩模圖案140的過(guò)程中相鄰的組G1和G2的第三區(qū)域③是彼此分離時(shí)，則形成第三掩模圖案180以具有暴露出接觸焊盤(pán)之間的導(dǎo)線的多個(gè)島型開(kāi)ロ⑤。另ー個(gè)例子，如果在形成第一掩模圖案140的過(guò)程中相鄰的組G1和G2的第三區(qū)域③是彼此連接，則形成第三掩模圖案180以具有暴露出接觸焊盤(pán)之間的導(dǎo)線的多個(gè)線形開(kāi)ロ⑥。在這種情況下，在第三掩模圖案180中一同包括用于將形成在外側(cè)的組的接觸焊盤(pán)分離的島型開(kāi)ロ⑤是當(dāng)然的。如圖2G和3G所示，利用第三掩模圖案180作為刻蝕阻擋來(lái)刻蝕導(dǎo)電圖案IlOA而將相鄰的接觸焊盤(pán)彼此電分離，使得完全地形成包括所述多個(gè)導(dǎo)線和所述多 個(gè)接觸焊盤(pán)的導(dǎo)電圖案IlOB0圖4至圖6是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施例的第一掩模圖案、第二掩模圖案以及第三掩模圖案的示圖，且特別地表示出在通過(guò)參照?qǐng)D2A至3G所描述的方法來(lái)形成圖IA的導(dǎo)電圖案時(shí)所需要的第一掩模圖案、第二掩模圖案以及第三掩模圖案的形狀。本發(fā)明中公開(kāi)的實(shí)施例意在說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍，本發(fā)明的范圍不受所述示例性實(shí)施例限制。本發(fā)明的范圍應(yīng)基于所附權(quán)利要求來(lái)解釋?zhuān)以诘韧跈?quán)利要求的范圍內(nèi)所包括的全部技術(shù)思想都屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。從前面所述的，將可以理解的是，本文出于說(shuō)明的目的描述了本發(fā)明的各種實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的范圍和主g的情況下可以進(jìn)行各種修改。因此，本文公開(kāi)的各種實(shí)施例不意在進(jìn)行限制，真正的范圍和主g由所附權(quán)利要求指明。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件,包括 多個(gè)導(dǎo)線，所述多個(gè)導(dǎo)線平行延伸，并且每個(gè)導(dǎo)線包括沿第一方向延伸的第一區(qū)域以及與所述第一區(qū)域耦接并沿與所述第一方向相交叉的第二方向延伸的第二區(qū)域；以及 多個(gè)接觸焊盤(pán)，每個(gè)接觸焊盤(pán)與所述導(dǎo)線中的相應(yīng)一個(gè)的第二區(qū)域耦接， 其中，所述多個(gè)導(dǎo)線被分組并被布置在多個(gè)組中，第一組的第一區(qū)域比第二組的第一區(qū)域更長(zhǎng)，第一組的第二區(qū)域與第二組的第二區(qū)域彼此間隔開(kāi)。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，一個(gè)組所包括的多個(gè)導(dǎo)線基于位于所述組中心的導(dǎo)線而兩側(cè)對(duì)稱(chēng)地布置。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，在一個(gè)組所包括的多個(gè)導(dǎo)線中，所述一個(gè)組中的中心導(dǎo)線沿所述第二方向具有實(shí)質(zhì)最長(zhǎng)的長(zhǎng)度，由于導(dǎo)線位于更外側(cè)，所述第二區(qū)域沿所述第二方向具有比所述中心導(dǎo)線更短的長(zhǎng)度，使得所述第二區(qū)域具有三角形的兩側(cè)對(duì)稱(chēng)形狀。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，在一個(gè)組所包括的多個(gè)導(dǎo)線中，布置在中心導(dǎo)線左側(cè)的導(dǎo)線與左側(cè)的接觸焊盤(pán)耦接，布置在中心導(dǎo)線右側(cè)的導(dǎo)線與右側(cè)的接觸焊盤(pán)耦接。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述多個(gè)接觸焊盤(pán)布置在所述第一組的第二區(qū)域與所述第二組的第二區(qū)域之間的空間中。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，一個(gè)組中的導(dǎo)線被包括在一個(gè)存儲(chǔ)塊中，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括寬度比位于所述多個(gè)導(dǎo)線兩側(cè)的導(dǎo)線更寬的選擇線。
7.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，每個(gè)存儲(chǔ)塊包括形同“L”形狀的所述多個(gè)導(dǎo)線，并且相鄰的存儲(chǔ)塊被布置成180°旋轉(zhuǎn)的形式并彼此重疊。
8.—種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟 在導(dǎo)電層上形成用于導(dǎo)線和接觸焊盤(pán)的掩模圖案；以及 通過(guò)利用所述用于導(dǎo)線和接觸焊盤(pán)的掩模圖案作為刻蝕阻擋來(lái)刻蝕所述導(dǎo)電層而形成平行延伸的多個(gè)導(dǎo)線，其中，每個(gè)導(dǎo)線包括沿第一方向延伸的第一區(qū)域以及與所述第一區(qū)域耦接并沿與所述第一方向相交叉的第二方向延伸的第二區(qū)域，并且每個(gè)接觸焊盤(pán)與導(dǎo)線的相應(yīng)的第二區(qū)域連接， 其中，所述多個(gè)導(dǎo)線被分組并被布置在多個(gè)組中，第一組的第一區(qū)域比第二組的第一區(qū)域更長(zhǎng)，第一組的第二區(qū)域與第二組的第二區(qū)域彼此間隔開(kāi)。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述用于導(dǎo)線和接觸焊盤(pán)的掩模圖案的步驟包括以下步驟 在所述導(dǎo)電層上形成硬掩模層； 在所述硬掩模層上形成第一掩模圖案，其中，所述第一掩模圖案包括平行延伸的多個(gè)線圖案，每個(gè)線圖案包括沿第一方向延伸的第一區(qū)域、與所述第一區(qū)域耦接并沿所述第二方向延伸的第二區(qū)域、以及與所述第二區(qū)域耦接的第三區(qū)域，其中，所述多個(gè)線圖案被分組并被布置在多個(gè)組中，第一組的第一區(qū)域比第二組的第一區(qū)域更長(zhǎng)，第一組的第二區(qū)域與第二組的第二區(qū)域彼此間隔開(kāi)； 形成包圍所述第一掩模圖案的側(cè)壁的間隔件； 去除所述第一掩模圖案；在所述間隔件上形成第二掩模圖案，其中，所述第二掩模圖案包括多個(gè)島圖案，所述多個(gè)島圖案將包圍所述第三區(qū)域的間隔件覆蓋，并具有比所述間隔件更寬的寬度；以及 通過(guò)利用所述間隔件和所述第二掩模圖案作為刻蝕阻擋來(lái)刻蝕所述硬掩模層而形成所述用于導(dǎo)線和接觸焊盤(pán)的掩模圖案。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第三區(qū)域具有比所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域更寬的寬度，并且沿所述第一方向與所述第二區(qū)域耦接。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，相鄰的組的第三區(qū)域彼此耦接。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括以下步驟 在形成所述多個(gè)導(dǎo)線和所述多個(gè)接觸焊盤(pán)之后，在形成有所述多個(gè)導(dǎo)線和所述多個(gè)接觸焊盤(pán)的所得結(jié)構(gòu)上形成第三掩模圖案，其中，所述第三掩模圖案包括使耦接在所述接觸焊盤(pán)之間的導(dǎo)線暴露的多個(gè)開(kāi)口 ；以及 利用所述掩模圖案作為刻蝕阻擋來(lái)刻蝕所述導(dǎo)線而將所述接觸焊盤(pán)彼此分離。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件包括平行延伸的多個(gè)導(dǎo)線，每個(gè)導(dǎo)線具有沿第一方向延伸的第一區(qū)域以及與第一區(qū)域耦接并沿與第一方向相交叉的第二方向延伸的第二區(qū)域；以及多個(gè)接觸焊盤(pán)，每個(gè)接觸焊盤(pán)與第二區(qū)域的相應(yīng)導(dǎo)線耦接，其中，所述導(dǎo)線被分組并被布置在多個(gè)組中，第一組的第一區(qū)域比第二組的第一區(qū)域更長(zhǎng)，并且第一組的第二區(qū)域與第二組的第二區(qū)域彼此間隔開(kāi)。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102956614SQ201210308700
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月25日
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