技術編號：7106776
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件以及制造所述半導體器件的方法，更具體而言，涉及ー種包括導電圖案的半導體器件以及制造所述半導體器件的方法。 背景技術根據近來半導體器件的精細度和高集成，為了在有限的區(qū)域內形成更多的圖案，需要減小圖案的線寬和空間寬度。圖案通常是利用光刻エ藝形成的，但是由于固有分辨率極限的緣故，光刻可能在減小圖案的線寬和空間寬度上有限制。為了形成具有超過光刻エ藝中固有分辨率極限的細小線寬的細小圖案，已經提出了利用雙重重疊的圖案來形成細小圖案的雙圖案化技術...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。